JPH04229211A - スタンパの製造方法 - Google Patents
スタンパの製造方法Info
- Publication number
- JPH04229211A JPH04229211A JP2416754A JP41675490A JPH04229211A JP H04229211 A JPH04229211 A JP H04229211A JP 2416754 A JP2416754 A JP 2416754A JP 41675490 A JP41675490 A JP 41675490A JP H04229211 A JPH04229211 A JP H04229211A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nickel
- thin film
- film
- master
- stamper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、スタンパの製造方法
に関する。ことに光ディスク用プラスチック基板の作製
に用いられる。
に関する。ことに光ディスク用プラスチック基板の作製
に用いられる。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスク及び追記型光ディスク用
の基板の射出成形に用いられる従来のスタンパの作製方
法は次の通りである。
の基板の射出成形に用いられる従来のスタンパの作製方
法は次の通りである。
【０００３】まず図２（ａ）〜（ｃ）に示すようにガラ
ス基板１にフォトレジスト２を塗布し、レーザー光７に
よってカッティングを行った後、これを現像して所望の
形状のレジストパターン２ａを形成する。
ス基板１にフォトレジスト２を塗布し、レーザー光７に
よってカッティングを行った後、これを現像して所望の
形状のレジストパターン２ａを形成する。
【０００４】次に図２（ｄ）〜（ｅ）に示すようにレジ
ストパターン２ａ形成面上にスパッタリング、蒸着等の
方法でニッケルの導電膜４を形成し、電鋳処理を行って
ニッケルの電鋳膜５を所望の厚さで形成する。その後ガ
ラス基板１からニッケルの導電膜４を剥離して図２（ｆ
）のようなスタンパ６とする。
ストパターン２ａ形成面上にスパッタリング、蒸着等の
方法でニッケルの導電膜４を形成し、電鋳処理を行って
ニッケルの電鋳膜５を所望の厚さで形成する。その後ガ
ラス基板１からニッケルの導電膜４を剥離して図２（ｆ
）のようなスタンパ６とする。
【０００５】上記従来のスタンパの製造法は、マスター
原盤がフォトレジストパターンをそのまま有するもので
あり、かかる方法でのスタンパ製造においては
原盤がフォトレジストパターンをそのまま有するもので
あり、かかる方法でのスタンパ製造においては
【０００
６】微細なパターンの形状を高精度に作製するにはフォ
トレジストを均一にかつ再現性良く塗布する必要があり
、そのためには塗布条件（フォトレジスト液温、粘度、
スピンナー回転数等）、塗布環境（環境温度、湿度等）
、現像条件（現像液温度、液滴下量等）等作製条件、工
程管理を徹底して行わなければならない。
６】微細なパターンの形状を高精度に作製するにはフォ
トレジストを均一にかつ再現性良く塗布する必要があり
、そのためには塗布条件（フォトレジスト液温、粘度、
スピンナー回転数等）、塗布環境（環境温度、湿度等）
、現像条件（現像液温度、液滴下量等）等作製条件、工
程管理を徹底して行わなければならない。
【０００７】マスター原盤と導電膜との剥離の際、フォ
トレジストが導電膜側に残留するためこの残留フォトレ
ジストを除去する工程が必要となるが、例えば酸素プラ
ズマをフォトレジストに吹き付けて灰化して除くドライ
アッシュ法や、フォトレジスト剥離液を用いる除去方法
では残留フォトレジストの除去が不十分な場合があり、
スタンパ品質の劣化をきたすおそれがあった。
トレジストが導電膜側に残留するためこの残留フォトレ
ジストを除去する工程が必要となるが、例えば酸素プラ
ズマをフォトレジストに吹き付けて灰化して除くドライ
アッシュ法や、フォトレジスト剥離液を用いる除去方法
では残留フォトレジストの除去が不十分な場合があり、
スタンパ品質の劣化をきたすおそれがあった。
【０００８】そこで上述した問題点を解決するために、
マスター原盤としてガラス基板に凹凸パターンをスパッ
タエッチングやイオンエッチング、プラズマエッチング
にて直接形成したものが用いられている。図３はこの種
のスタンパの一般的な製造方法を示したものである。ま
ず図３（ａ）〜（ｃ）に示すようにガラス基板１にフォ
トレジスト２を塗布し、レーザー光７によってカッティ
ングを行った後これを現像して所望の形状のレジストパ
ターン２ａを形成する。次に図３（ｄ）〜（ｅ）に示す
ようにレジストパターン２ａをマスクにしてガラス基板
１をスパッタエッチングやイオンエッチング、プラズマ
エッチング等の手段で所定パターンにエッチングし、フ
ォトレジストを除去した後マスター原盤を得る。さらに
図３（ｆ）〜（ｇ）に示すように所定パターンにエッチ
ングされたガラス基板１上にスパッタリング、蒸着等の
方法でニッケル導電膜４を形成し、電鋳処理を行ってニ
ッケルの電鋳膜５を所望の厚さで形成する。その後ガラ
ス基板１からニッケルの電鋳膜５を剥離して図３（ｈ）
のようなスタンパ６とする。
マスター原盤としてガラス基板に凹凸パターンをスパッ
タエッチングやイオンエッチング、プラズマエッチング
にて直接形成したものが用いられている。図３はこの種
のスタンパの一般的な製造方法を示したものである。ま
ず図３（ａ）〜（ｃ）に示すようにガラス基板１にフォ
トレジスト２を塗布し、レーザー光７によってカッティ
ングを行った後これを現像して所望の形状のレジストパ
ターン２ａを形成する。次に図３（ｄ）〜（ｅ）に示す
ようにレジストパターン２ａをマスクにしてガラス基板
１をスパッタエッチングやイオンエッチング、プラズマ
エッチング等の手段で所定パターンにエッチングし、フ
ォトレジストを除去した後マスター原盤を得る。さらに
図３（ｆ）〜（ｇ）に示すように所定パターンにエッチ
ングされたガラス基板１上にスパッタリング、蒸着等の
方法でニッケル導電膜４を形成し、電鋳処理を行ってニ
ッケルの電鋳膜５を所望の厚さで形成する。その後ガラ
ス基板１からニッケルの電鋳膜５を剥離して図３（ｈ）
のようなスタンパ６とする。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、マス
ター原盤としてガラス材にに凹凸パターンをスパッタエ
ッチングやイオンエッチング、プラズマエッチングにて
直接形成したものを用いる場合、電鋳処理用の導電膜と
してニッケル膜がスパッタリング、蒸着等の手段で形成
される。しかし、このニッケル膜はガラス基板としてよ
く使われる石英ガラスやソーダガラスとの密着が悪く、
特に石英ガラスを基板として使用した場合にはその線膨
張係数の差が大きいためにニッケル膜との密着が非常に
悪く、電鋳処理時にこのニッケル膜がガラス基板より剥
離するという問題があった。この発明は、上記問題を解
決するためになされたものであって、導電膜がガラス基
板より剥離することなくマスター原盤から離型でき精度
の高いスタンパを作製することのできるスタンパの製造
方法を提供しようとするものである。
ター原盤としてガラス材にに凹凸パターンをスパッタエ
ッチングやイオンエッチング、プラズマエッチングにて
直接形成したものを用いる場合、電鋳処理用の導電膜と
してニッケル膜がスパッタリング、蒸着等の手段で形成
される。しかし、このニッケル膜はガラス基板としてよ
く使われる石英ガラスやソーダガラスとの密着が悪く、
特に石英ガラスを基板として使用した場合にはその線膨
張係数の差が大きいためにニッケル膜との密着が非常に
悪く、電鋳処理時にこのニッケル膜がガラス基板より剥
離するという問題があった。この発明は、上記問題を解
決するためになされたものであって、導電膜がガラス基
板より剥離することなくマスター原盤から離型でき精度
の高いスタンパを作製することのできるスタンパの製造
方法を提供しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明によれば、平坦
な石英又はガラス基板の表面に、フォトリソグラフィ法
によってエッチングして所定の凹凸パターンを形成し、
この凹凸パターンの表面に沿ってタンタル薄膜とニッケ
ル薄膜とを順に積層して二層からなる導電膜を形成し、
ニッケル不動態化処理を施すことによりニッケル不動態
膜によって被覆された導電膜の凹凸パターンを有するマ
スター原盤を作製し、このパターン面上に電鋳処理によ
って少なくとも凹凸パターンを埋込むまでニッケル電鋳
層を形成し、このニッケル電鋳層をマスター原盤から離
型することによって凹凸表面を有するニッケルのスタン
パを作製することを特徴とするスタンパの製造方法が提
供される。
な石英又はガラス基板の表面に、フォトリソグラフィ法
によってエッチングして所定の凹凸パターンを形成し、
この凹凸パターンの表面に沿ってタンタル薄膜とニッケ
ル薄膜とを順に積層して二層からなる導電膜を形成し、
ニッケル不動態化処理を施すことによりニッケル不動態
膜によって被覆された導電膜の凹凸パターンを有するマ
スター原盤を作製し、このパターン面上に電鋳処理によ
って少なくとも凹凸パターンを埋込むまでニッケル電鋳
層を形成し、このニッケル電鋳層をマスター原盤から離
型することによって凹凸表面を有するニッケルのスタン
パを作製することを特徴とするスタンパの製造方法が提
供される。
【００１１】この発明においては、平坦な石英又はガラ
ス基板の表面に、フォトリソグラフィ法によってエッチ
ングして所定の凹凸パターンを形成する。上記石英又は
ガラス基板は、スタンパの製造用マスター原盤を構成す
るためのものであって、表面あらさが、通常Ｒｍａｘ５
オングストローム〜２０オングストームとなるように表
面平坦化加工を行って作製することができる。上記凹凸
パターンは、製造を意図するスタンパの表面の凹凸に対
して凹部の寸法が後述の導電膜（タンタル薄膜とニッケ
ル薄膜（表面不動態））の膜厚に相当するだけ大きくか
つ反転したパターンとして用いることができる。凹凸パ
ターンの形成は、例えば上記石英又はガラス基板の上に
フォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成しレ
ーザー光によってカッティングを行い現像してフォトレ
ジストパターンを形成しこのレジストパターンをマスク
にして、例えばスパッタエッチング、イオンエッチング
、プラズマエッチング等によって上記石英又はガラス基
板をエッチングして行うことができる。
ス基板の表面に、フォトリソグラフィ法によってエッチ
ングして所定の凹凸パターンを形成する。上記石英又は
ガラス基板は、スタンパの製造用マスター原盤を構成す
るためのものであって、表面あらさが、通常Ｒｍａｘ５
オングストローム〜２０オングストームとなるように表
面平坦化加工を行って作製することができる。上記凹凸
パターンは、製造を意図するスタンパの表面の凹凸に対
して凹部の寸法が後述の導電膜（タンタル薄膜とニッケ
ル薄膜（表面不動態））の膜厚に相当するだけ大きくか
つ反転したパターンとして用いることができる。凹凸パ
ターンの形成は、例えば上記石英又はガラス基板の上に
フォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成しレ
ーザー光によってカッティングを行い現像してフォトレ
ジストパターンを形成しこのレジストパターンをマスク
にして、例えばスパッタエッチング、イオンエッチング
、プラズマエッチング等によって上記石英又はガラス基
板をエッチングして行うことができる。
【００１２】この発明においては、この凹凸パターンの
表面に沿ってタンタル薄膜とニッケル薄膜とを順に積層
して二層からなる導電膜を形成し、ニッケル不動態化処
理を施すことによりニツケル不動態膜によって被覆され
た導電膜の凹凸パターンを有するマスター原盤を作製す
る。上記タンタル薄膜は、電鋳処理用導電膜を構成する
と共に上部石英又はガラス基板の凹凸パターンの表面に
沿って形成されるニッケル薄膜の剥離を防止するための
ものであって、ニッケル薄膜の形成に先立って石英又は
ガラス基板の凹凸パターンの表面に沿って形成して用い
られる。この形成は、例えばスパッタリン法、蒸着法等
によって行われる。この膜厚は、通常１００〜４００オ
ングストロームである。上記ニッケル薄膜は、電鋳処理
用導電膜を構成すると共にニッケル不動態膜を形成する
ためのものであって、上記タンタル薄膜上に凹凸パター
ンの表面に沿って形成して用いられる。この形成は、例
えばスパッタリング法、蒸着法等によって行われる。こ
の膜厚は、通常２００〜５００オングストロームである
。上記ニッケル不動態膜は、この上に堆積されたニッケ
ル電鋳膜をマスター原盤から離型するためのものであっ
て、凹凸パターンに沿ってタンタル薄膜とニッケル薄膜
とが順に形成された石英又はガラス基板に、例えば重ク
ロム酸カリウム水溶液浸漬処理、酸素プラズマ処理等の
処理を施すことによって形成して用いることができる。 重クロム酸カリウム水溶液浸漬処理は、例えば５ｗｔ％
重クロム酸カリウム水溶液に、上記基板を１分間浸漬し
て行うことができる。酸素プラズマ処理は、例えば酸素
ガス圧６ｍｍＴｏｒｒ、電力１５０Ｗで３分間基板を処
理して行うことができる。
表面に沿ってタンタル薄膜とニッケル薄膜とを順に積層
して二層からなる導電膜を形成し、ニッケル不動態化処
理を施すことによりニツケル不動態膜によって被覆され
た導電膜の凹凸パターンを有するマスター原盤を作製す
る。上記タンタル薄膜は、電鋳処理用導電膜を構成する
と共に上部石英又はガラス基板の凹凸パターンの表面に
沿って形成されるニッケル薄膜の剥離を防止するための
ものであって、ニッケル薄膜の形成に先立って石英又は
ガラス基板の凹凸パターンの表面に沿って形成して用い
られる。この形成は、例えばスパッタリン法、蒸着法等
によって行われる。この膜厚は、通常１００〜４００オ
ングストロームである。上記ニッケル薄膜は、電鋳処理
用導電膜を構成すると共にニッケル不動態膜を形成する
ためのものであって、上記タンタル薄膜上に凹凸パター
ンの表面に沿って形成して用いられる。この形成は、例
えばスパッタリング法、蒸着法等によって行われる。こ
の膜厚は、通常２００〜５００オングストロームである
。上記ニッケル不動態膜は、この上に堆積されたニッケ
ル電鋳膜をマスター原盤から離型するためのものであっ
て、凹凸パターンに沿ってタンタル薄膜とニッケル薄膜
とが順に形成された石英又はガラス基板に、例えば重ク
ロム酸カリウム水溶液浸漬処理、酸素プラズマ処理等の
処理を施すことによって形成して用いることができる。 重クロム酸カリウム水溶液浸漬処理は、例えば５ｗｔ％
重クロム酸カリウム水溶液に、上記基板を１分間浸漬し
て行うことができる。酸素プラズマ処理は、例えば酸素
ガス圧６ｍｍＴｏｒｒ、電力１５０Ｗで３分間基板を処
理して行うことができる。
【００１３】この発明においては、この表面上に、電鋳
処理によって少なくとも凹凸パターンを埋込むまでニッ
ケル電鋳層を形成し、このニッケルよって電鋳層をマス
ター原盤から離型することによって凹凸表面を有するニ
ッケルのスタンパを作製する。また、マスター原盤は、
ニッケル不動態膜が離型及び離型後の洗浄工程で傷を生
じやすいので、離型毎に、例えば硝酸水溶液等で基板を
洗浄してニッケル不動態膜を有するニッケル薄膜を溶解
除去し、再びニッケル薄膜の形成とその不動態化処理に
よってニッケル不動態膜を更新して用いるのが好ましい
。硝酸水溶液の濃度は、通常２０ｗｔ％程度で十分であ
る。
処理によって少なくとも凹凸パターンを埋込むまでニッ
ケル電鋳層を形成し、このニッケルよって電鋳層をマス
ター原盤から離型することによって凹凸表面を有するニ
ッケルのスタンパを作製する。また、マスター原盤は、
ニッケル不動態膜が離型及び離型後の洗浄工程で傷を生
じやすいので、離型毎に、例えば硝酸水溶液等で基板を
洗浄してニッケル不動態膜を有するニッケル薄膜を溶解
除去し、再びニッケル薄膜の形成とその不動態化処理に
よってニッケル不動態膜を更新して用いるのが好ましい
。硝酸水溶液の濃度は、通常２０ｗｔ％程度で十分であ
る。
【００１４】
【作用】タンタル薄膜が、石英又はガラス基板とニッケ
ル薄膜の間に介在して基板とニッケル薄膜の両方に対し
てよく密着する。ニッケル不動態膜がニッケル電鋳膜と
の密着性を低下させマスター原盤からのニッケル電鋳層
（スタンパ）の離型を容易にする。
ル薄膜の間に介在して基板とニッケル薄膜の両方に対し
てよく密着する。ニッケル不動態膜がニッケル電鋳膜と
の密着性を低下させマスター原盤からのニッケル電鋳層
（スタンパ）の離型を容易にする。
【００１５】
【実施例】この発明の実施例を図面を用いて説明する。
【００１６】実施例１
まず図１（ａ）〜（ｃ）に示すようにガラス基板１にフ
ォトレジスト２を塗布し、レーザー光７によってカッテ
ィングを行った後にこれを現像して所望の形状の用のレ
ジストパターン２ａを形成する。次に図１（ｄ）〜（ｅ
）に示すようにレジストパターン２ａをマスクにしてガ
ラス基板１をスパッタエッチングの手段で所定のパター
ンにエッチングし、この後レジストパターン２ａを除去
する。
ォトレジスト２を塗布し、レーザー光７によってカッテ
ィングを行った後にこれを現像して所望の形状の用のレ
ジストパターン２ａを形成する。次に図１（ｄ）〜（ｅ
）に示すようにレジストパターン２ａをマスクにしてガ
ラス基板１をスパッタエッチングの手段で所定のパター
ンにエッチングし、この後レジストパターン２ａを除去
する。
【００１７】次に第１図（ｆ）に示すようにスパッタリ
ングの手段でタンタル薄膜３を形成する。タンタル薄膜
の厚さは、約３００オングストロームである。次に図１
（ｇ）に示すようにスパッタリングの手段でニッケル薄
膜４を形成する。ニッケル薄膜４を形成するニッケル薄
膜の厚さは約３００オングストローム程度である。この
後、この基板を重クロム酸カリウムの５重量％水溶液に
１分間浸漬しニッケル薄膜表面にニッケル不動態化膜を
形成してスタンパ製造用マスター原盤を作製する。
ングの手段でタンタル薄膜３を形成する。タンタル薄膜
の厚さは、約３００オングストロームである。次に図１
（ｇ）に示すようにスパッタリングの手段でニッケル薄
膜４を形成する。ニッケル薄膜４を形成するニッケル薄
膜の厚さは約３００オングストローム程度である。この
後、この基板を重クロム酸カリウムの５重量％水溶液に
１分間浸漬しニッケル薄膜表面にニッケル不動態化膜を
形成してスタンパ製造用マスター原盤を作製する。
【００１８】次に、第１図（ｈ）に示すようにこのマス
ター原盤上に電鋳処理を施しニッケル電鋳層５を０．３
ｍｍの厚さで形成する。その後、ニッケル電鋳層のみを
剥離して図１（ｉ）に示すようなスタンパ６とする。
ター原盤上に電鋳処理を施しニッケル電鋳層５を０．３
ｍｍの厚さで形成する。その後、ニッケル電鋳層のみを
剥離して図１（ｉ）に示すようなスタンパ６とする。
【００１９】実施例２
実施例１で使用したマスター原盤を再使用する場合につ
いて述べる。
いて述べる。
【００２０】一度使用されたマスター原盤は、ニッケル
不動態膜が、電鋳膜剥離時の洗浄工程等で痛んでいるお
それがあるので硝酸で洗浄することにより、ニッケル不
動態膜及びニッケル薄膜を除去する。
不動態膜が、電鋳膜剥離時の洗浄工程等で痛んでいるお
それがあるので硝酸で洗浄することにより、ニッケル不
動態膜及びニッケル薄膜を除去する。
【００２１】硝酸の濃度は、２０ｗｔ％である。この後
は、実施例１と同じ工程にてニッケル薄膜とニッケル不
動態膜を形成して、マスター原盤を作製し、スタンパを
作製する。
は、実施例１と同じ工程にてニッケル薄膜とニッケル不
動態膜を形成して、マスター原盤を作製し、スタンパを
作製する。
【００２２】得られるスタンパは、スタンパの信号面が
形成されるマスター原盤のニッケル不動態膜が、使用さ
れる度に更新されるので、Ｓ／Ｎ比の劣化がなく良質な
ものであり、１枚のマスター原盤から繰り返し得ること
ができる。
形成されるマスター原盤のニッケル不動態膜が、使用さ
れる度に更新されるので、Ｓ／Ｎ比の劣化がなく良質な
ものであり、１枚のマスター原盤から繰り返し得ること
ができる。
【００２３】
【発明の効果】この発明によれば、マスター原盤からの
ニッケル電鋳層の剥離がマスター原盤表面の導電膜を剥
離させることなく行うことのでき、Ｓ／Ｎ比の劣化がな
い良質のスタンパを１枚のマスター原盤から繰り返し得
ることができるスタンパの製造方法を提供することがで
きる。
ニッケル電鋳層の剥離がマスター原盤表面の導電膜を剥
離させることなく行うことのでき、Ｓ／Ｎ比の劣化がな
い良質のスタンパを１枚のマスター原盤から繰り返し得
ることができるスタンパの製造方法を提供することがで
きる。
【図１】この発明の実施例で作製したスタンパの製造方
法の説明図、
法の説明図、
【図２】従来のスタンパの製造方法の説明図である。
【図３】従来のスタンパの製造方法の説明図である。
１ ガラス基板、
２ａ 凹凸パターン、
３ タンタル薄膜、
４ ニッケル薄膜、
５ ニッケル電鋳層、
６ スタンパ、
７ レーザー光。
Claims (1)
- 【請求項１】 平坦な石英又はガラス基板の表面に、
フォトリソグラフィ法によってエッチングして所定の凹
凸パターンを形成し、この凹凸パターンの表面に沿って
タンタル薄膜とニッケル薄膜とを順に積層して二層から
なる導電膜を形成し、ニッケル不動態化処理を施すこと
によりニッケル不動態膜によって被覆された導電膜の凹
凸パターンを有するマスター原盤を作製し、このパター
ン面上に電鋳処理によって少なくとも凹凸パターンを埋
込むまでニッケル電鋳層を形成し、このニッケル電鋳層
をマスター原盤から離型することによって凹凸表面を有
するニッケルのスタンパを作製することを特徴とするス
タンパの製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41675490A JP2633088B2 (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | スタンパの製造方法 |
| EP91120307A EP0488239B1 (en) | 1990-11-28 | 1991-11-27 | Method for manufacturing a stamper |
| DE69127058T DE69127058T2 (de) | 1990-11-28 | 1991-11-27 | Herstellungsverfahren einer Matrize |
| CA002056307A CA2056307C (en) | 1990-11-28 | 1991-11-27 | Method of manufacturing a stamper |
| KR1019910021625A KR0141089B1 (ko) | 1990-11-28 | 1991-11-28 | 스탬퍼제조방법 |
| US08/056,612 US5385638A (en) | 1990-11-28 | 1993-05-03 | Method of manufacturing a stamper |
| US08/291,190 US5458985A (en) | 1990-11-28 | 1994-08-16 | Stamper |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41675490A JP2633088B2 (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | スタンパの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04229211A true JPH04229211A (ja) | 1992-08-18 |
| JP2633088B2 JP2633088B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=18524950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41675490A Expired - Fee Related JP2633088B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-12-27 | スタンパの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2633088B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5770120A (en) * | 1994-12-09 | 1998-06-23 | Olympus Optical Co., Ltd. | Method of manufacturing die and optical element performed by using the die |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4466074B2 (ja) | 2003-12-26 | 2010-05-26 | 株式会社日立製作所 | 微細金属構造体とその製造方法、並びに微細金型とデバイス |
| JP4905634B2 (ja) * | 2005-08-11 | 2012-03-28 | 株式会社カネカ | ナノインプリント用金型の製造方法 |
-
1990
- 1990-12-27 JP JP41675490A patent/JP2633088B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5770120A (en) * | 1994-12-09 | 1998-06-23 | Olympus Optical Co., Ltd. | Method of manufacturing die and optical element performed by using the die |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2633088B2 (ja) | 1997-07-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5458985A (en) | Stamper | |
| JPH04229211A (ja) | スタンパの製造方法 | |
| JPH03100942A (ja) | 光ディスク用スタンパの製造方法 | |
| JPH0243380A (ja) | 光ディスク基板成形用金型及びその製造方法 | |
| JPH0660441A (ja) | 光ディスク用スタンパの製造方法 | |
| EP0354773B1 (en) | Optical disk manufacture | |
| JPH05205321A (ja) | スタンパの製造方法 | |
| JP2520196B2 (ja) | スタンパの製造方法 | |
| JP3078368B2 (ja) | 微細凹凸パターン成形用成形型の製造方法 | |
| JPH0624747B2 (ja) | 微細加工を施した射出成形用コアの作成方法 | |
| JPH07113193A (ja) | 回折格子成形用金型の製造方法 | |
| JPH04351731A (ja) | スタンパーの製造方法 | |
| JP3221627B2 (ja) | 光ディスク用スタンパの製造方法 | |
| JPS60226042A (ja) | 情報ガラス基板およびその製造方法 | |
| JPS6055534A (ja) | 光学記録媒体の製造方法 | |
| JPH0339340B2 (ja) | ||
| JP2801456B2 (ja) | スタンパの製造方法およびスタンパ | |
| JPS61245161A (ja) | Ｘ線用マスクの製造方法 | |
| JPH02123536A (ja) | 光ディスク用スタンパの製造方法 | |
| JPS61284843A (ja) | 光デイスク成形用スタンパの製造方法 | |
| JPS61275839A (ja) | フオトレジスト膜の形成方法 | |
| JPS63266058A (ja) | 光デイスク用スタンパの製造方法 | |
| JPS63313332A (ja) | 光ディスク基板の製造法 | |
| JPH0348580B2 (ja) | ||
| JP2004354952A (ja) | スパッタリング用ターゲットの製造方法、スタンパの製造方法、成形品の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |