JPH0138963Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、誘電体同軸共振器の結合構造に関
する。

〔背景技術とその問題点〕

誘電体同軸共振器は、使用誘電体の比誘電率が
大きいほど、電磁界エネルギーが共振器内に閉じ
込められる割合が大きい。このため、カツトオフ
空間に電磁界エネルギーが漏洩しないように実際
の機器設計をし、Ｑの低下を防止しないと誘電体
共振器を用いた意味が失われてしまう。しかしな
がら、実際には、共振器を動作させるためには、
共振器にエネルギーを入出させるための構造が必
要であり、この構造によつてストレー容量などが
発生し、Ｑを低下させている。したがつて、誘電
体同軸共振器においては、極力ストレー容量を減
らしてＱの低下がない構造をとる必要がある。

一方、従来の誘電体同軸共振器は、第１図及び
第２図に示すような構造となつている。同図にお
いて、１，２，３，４は誘電体を内・外導体間に
存在させた誘電体同軸共振器で、その軸が平行に
なるように並べてある。５は誘電体基板で、誘電
体同軸共振器１〜４の軸に平行な向きに取り付け
られており、その一面にのみコンデンサ電極６，
７，８，９，１０，１１を設けてある。コンデン
サ電極６〜９は、各共振器１〜４の内導体に導通
固定されたターミナルに接続される。コンデンサ
電極１０，１１は外部回路に接続される。このよ
うに誘電体基板５の一面のみのコンデンサ電極６
〜９で共振器１〜４間の容量結合を得ているもの
では、両電極の対向長さが容量に関与しており、
それ以外の部分は必要な容量に関与しないので、
この不要部分を極力省略することによつてストレ
ー容量を小さくできる。しかしながら、この誘電
体同軸共振器をケース（図示せず）内に納めた場
合、従来例の構造ではコンデンサ電極６〜８はケ
ースの内面と対向することになり、このためスト
レー容量を発生させ、Ｑ低下の原因となつてい
る。また、通常、コンデンサ電極１０，６間、コ
ンデンサ電極９，１１間の静電容量値は、共振器
間の静電容量値に比べて大きな値（例えば、３〜
４倍）に設定するので、入出力部の構造が共振器
の段間結合と同様な構造だと、コンデンサ電極間
距離をきわめて小さくする必要があり、精度が得
にくいためにコンデンサ電極形成時の製造誤差に
よる静電容量値のばらつきが大きくなつて、製品
間の特性（フイルタなら通過帯域特性）のばらつ
きが目立つ欠点があり、結局必要容量を得るのが
困難であつた。

〔考案が解決しようとする課題〕

この考案の目的は、ストレー容量によるＱの低
下を小さくすることにあり、また上記のような静
電容量値のばらつきがなくて特性の安定な誘電体
同軸共振器の結合構造を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

この考案の誘電体同軸共振器の結合構造は、二
以上の誘電体同軸共振器と、誘電体同軸共振器の
軸に対して垂直に配置された誘電体基板とを備
え、前記誘電体基板の誘電体共振器が配置された
側の表面にのみ誘電体共振器と導通した二以上の
コンデンサ電極を配列し、前記誘電体基板の反対
側の表面に外部回路と接続されるコンデンサ電極
を設けると共にこの外部回路と接続されるコンデ
ンサ電極と前記誘電体同軸共振器と導通したコン
デンサ電極のうちいずれかとを互いにほぼ全面を
対向させたことを特徴としている。

〔作用〕

本考案は、基本的には、共振器の段間結合部分
では誘電体基板の一面だけにコンデンサ電極を設
けてストレー容量を小さくすると共に入出力部分
では誘電体基板の両面で対向するコンデンサ電極
を設けて比較的大きな静電容量を得るようにした
ものである。さらに、本考案にあつては、誘電体
基板を誘電体同軸共振器の軸と垂直に配置し、共
振器の配置された側の表面に共振器と導通したコ
ンデンサ電極を設けているので、この誘電体同軸
共振器をケース内に納めた場合、段間結合部分の
電極がケースの内面と近接して対向することがな
く、この部分に生じるストレー容量を一層小さく
でき、Ｑの低下を防止できるものである。また、
入出力部においては、基板の厚み間で発生する静
電容量によつて入出力段の結合を行えるように基
板の表裏で電極を対向させているので、初段ある
いは最終段の共振器と外部回路との結合静電容量
値のばらつきが小さくなつて特性が安定になる。
しかも、入出力部分で基板を挾んでいる対向電極
は互いにほぼ全面を対向させられているので、こ
の両電極間からの電磁界エネルギーの漏れが少な
く、従つてこの部分でのストレー容量も小さくな
つてＱの低下が防止される。

〔実施例〕

第３図及び第４図において、第１図及び第２図
と同一部分には同一番号を付して説明を省略す
る。

１２は誘電体基板、１３，１４は一対の対向電
極、１５，１６は別の一対の対向電極であり、電
極１３，１５には外部回路が接続される。いずれ
も一対の対向電極は、互いにほぼ全面で対向して
いる。誘電体基板１２は、その主平面が共振器１
〜４の軸に対し垂直になるように配置されてお
り、このため小形化が図られている。また、各共
振器１〜４に導通している電極７，８，１４，１
６は、誘電体基板１２の共振器側の表面に配列さ
れている。

このような構成により、外部回路と共振器１と
は、誘電体基板１２の対向面に設けたコンデンサ
電極１３，１４間に生じる静電容量が結合され、
共振器１，２は、誘電体基板１２の一方表面に位
置するコンデンサ電極１４，７間に生じる静電容
量で結合され、以下同様に、共振器２，３間はコ
ンデンサ電極７，８間に生じる静電容量で結合さ
れ、共振器３，４間はコンデンサ電極８，１６間
に生じる静電容量で結合され、共振器４と外部回
路とは、誘電体基板１２の対向面に設けたコンデ
ンサ電極１６，１５間に生じる静電容量で結合さ
れる。しかして、共振器１〜４の段間結合のため
の電極７，８，１４，１６は同じ面に隣接して配
列されているので、容量結合に必要な対向長さの
部分以外の部分を省略してストレー容量を小さく
でき、さらにケースに収納された時に電極７，
８，１４，１６がケースから離れた位置にあるの
で、一層ストレー容量を小さくできる。また、対
向電極１３，１４及び１５，１６によつて大きな
入出力容量を得ることができる。入出力部分では
電極１３，１５のためにある程度ストレー容量が
大きくなるが、入出力容量は段間の結合容量に比
べて大きな値をとるので、ストレー容量が増大し
ても段間部分ほど共振周波数に与える影響も少な
く、また外部Ｑ，Qeをとつているので、ストレ
ー容量の増加によるＱ低下が全体のＱの低下に占
める割合はある程度は無視できる。しかし、本考
案では、対向電極のほぼ全面を対向させることで
対向電極間からの電磁界エネルギーの漏れを小さ
くし、できるだけストレー容量を小さくし、Ｑの
改善を行つている。

〔効果〕

以上の実施例からも明らかなように、この考案
によると、共振器の段間結合部分においてはスト
レー容量が小さくてＱの低下が少なく、かつ入出
力部分においては必要な大きさの静電容量を得る
ことができる。しかも、初段あるいは最終段の共
振器と外部回路との結合静電容量値のばらつきが
小さくなつて特性が安定になる。また、入出力部
分及び段間結合部分のいずれにおいても、一層ス
トレー容量を小さくしているので、より一層Ｑの
低下を防止できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来例の平面図、第２図は同上の側面
図、第３図は本考案の一実施例の平面図、第４図
は第３図のＡ−Ａ線断面図である。 １〜４は誘電体同軸共振器、１２は誘電体基
板、７，８，１３〜１６はコンデンサ電極。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 二以上の誘電体同軸共振器と、誘電体同軸共振
   器の軸に対して垂直に配置された誘電体基板とを
   備え、前記誘電体基板の誘電体共振器が配置され
   た側の表面にのみ誘電体共振器と導通した二以上
   のコンデンサ電極を配列し、前記誘電体基板の反
   対側の表面に外部回路と接続されるコンデンサ電
   極を設けると共にこの外部回路と接続されるコン
   デンサ電極と前記誘電体同軸共振器と導通したコ
   ンデンサ電極のうちいずれかとを互いにほぼ全面
   を対向させたことを特徴とする誘電体同軸共振器
   の結合構造。