JPH0140711B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0140711B2 JPH0140711B2 JP57168168A JP16816882A JPH0140711B2 JP H0140711 B2 JPH0140711 B2 JP H0140711B2 JP 57168168 A JP57168168 A JP 57168168A JP 16816882 A JP16816882 A JP 16816882A JP H0140711 B2 JPH0140711 B2 JP H0140711B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- holder
- soft
- metal
- target material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/20—Preliminary treatment of work or areas to be soldered, e.g. in respect of a galvanic coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、スパツタリング用ターゲツトの製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
スパツタリング方式には、直流二極スパツタリ
ング、高周波スパツタリング、マグネトロンスパ
ツタリングなどがあり、いずれも被膜形成物質で
あるターゲツトを用いている。このターゲツト
は、ステンレス鋼や鉄合金などのターゲツトホル
ダーに金属や合金よりなるターゲツト材が接合さ
れている。従来このようなターゲツトを製造する
には、軟ろう材をはさんでターゲツト材とターゲ
ツトホルダーを押圧して固定し真空中で加熱接合
していた。このようにして製造されたターゲツト
材はArイオンなどの衝突で発熱し、またターゲ
ツトホルダーが冷却水で冷却されている。しかし
ながら従来の製造方法では、ターゲツト材やター
ゲツトホルダーの接合面を接合時に活性化してお
くことが困難なためPb−Sn基合金などの軟ろう
材にZn、Sb、Si、Cd等の活性化金属を添加して
接合面の活性化が図られていた。それでも、ター
ゲツト材とターゲツトホルダー材を同時に活性化
することが困難であり、かつ軟ろう材がターゲツ
ト材やターゲツトホルダー材とのなじみが悪いた
め接合面を均一に活性化することが困難であつ
た。そのため、スパツタリング用ターゲツトとし
て使用した場合接合が完全にされていない空隙部
分で電磁力線の乱れが生じ異常発熱や異常消耗し
たり、空隙部分が溶融したりするという欠点があ
つた。
ング、高周波スパツタリング、マグネトロンスパ
ツタリングなどがあり、いずれも被膜形成物質で
あるターゲツトを用いている。このターゲツト
は、ステンレス鋼や鉄合金などのターゲツトホル
ダーに金属や合金よりなるターゲツト材が接合さ
れている。従来このようなターゲツトを製造する
には、軟ろう材をはさんでターゲツト材とターゲ
ツトホルダーを押圧して固定し真空中で加熱接合
していた。このようにして製造されたターゲツト
材はArイオンなどの衝突で発熱し、またターゲ
ツトホルダーが冷却水で冷却されている。しかし
ながら従来の製造方法では、ターゲツト材やター
ゲツトホルダーの接合面を接合時に活性化してお
くことが困難なためPb−Sn基合金などの軟ろう
材にZn、Sb、Si、Cd等の活性化金属を添加して
接合面の活性化が図られていた。それでも、ター
ゲツト材とターゲツトホルダー材を同時に活性化
することが困難であり、かつ軟ろう材がターゲツ
ト材やターゲツトホルダー材とのなじみが悪いた
め接合面を均一に活性化することが困難であつ
た。そのため、スパツタリング用ターゲツトとし
て使用した場合接合が完全にされていない空隙部
分で電磁力線の乱れが生じ異常発熱や異常消耗し
たり、空隙部分が溶融したりするという欠点があ
つた。
本発明は上記欠点にかんがみなされたものであ
り、気泡の巻き込みのないスパツタリング用ター
ゲツトを提供するものである。
り、気泡の巻き込みのないスパツタリング用ター
ゲツトを提供するものである。
本発明は、ターゲツト材をターゲツトホルダー
に軟ろう材を介して接合するスパツタリング用タ
ーゲツトの製造方法において、あらかじめターゲ
ツト材とターゲツトホルダーの接合面に軟ろう材
に可溶の金属被膜を形成し、その後軟ろう材をは
さんで加熱し、ターゲツト材またはターゲツトホ
ルダーの自重により接合することを特徴とするス
パツタリング用ターゲツトの製造方法である。
に軟ろう材を介して接合するスパツタリング用タ
ーゲツトの製造方法において、あらかじめターゲ
ツト材とターゲツトホルダーの接合面に軟ろう材
に可溶の金属被膜を形成し、その後軟ろう材をは
さんで加熱し、ターゲツト材またはターゲツトホ
ルダーの自重により接合することを特徴とするス
パツタリング用ターゲツトの製造方法である。
本発明において、あらかじめターゲツト材とタ
ーゲツトホルダーの接合面に軟ろう材に可溶の金
属被膜を形成しておくのは、この被膜によりター
ゲツト材およびターゲツトホルダーの接合面を清
浄に保ち、かつ軟ろう材を溶かしたときに軟ろう
材がこの被膜に沿つて拡がり、この被膜成分が軟
ろう材中に溶けこむための結果として軟ろう材と
なじみの悪いターゲツト材やターゲツトホルダー
の接合を完全にするためである。
ーゲツトホルダーの接合面に軟ろう材に可溶の金
属被膜を形成しておくのは、この被膜によりター
ゲツト材およびターゲツトホルダーの接合面を清
浄に保ち、かつ軟ろう材を溶かしたときに軟ろう
材がこの被膜に沿つて拡がり、この被膜成分が軟
ろう材中に溶けこむための結果として軟ろう材と
なじみの悪いターゲツト材やターゲツトホルダー
の接合を完全にするためである。
また、ターゲツト材やターゲツトホルダーの材
質が軟ろう材に可溶の成分たとえばPb−Sn系は
んだに対してAu、Ag、Ptなどのターゲツト材を
用いる場合、接合面の境界層が不均一になるの
で、Feなど軟ろう材に不溶の金属被膜を形成し
ておくことが好ましい。
質が軟ろう材に可溶の成分たとえばPb−Sn系は
んだに対してAu、Ag、Ptなどのターゲツト材を
用いる場合、接合面の境界層が不均一になるの
で、Feなど軟ろう材に不溶の金属被膜を形成し
ておくことが好ましい。
ターゲツト材やターゲツトホルダーの被膜は通
常の湿式めつきや乾式めつきによりえられるが、
その被膜を軟ろう材に溶かして接合するため被膜
とターゲツト材やターゲツトホルダーとが、強固
に接合していることが必要でイオンプレーテイン
グ法により被膜粒子をターゲツト材表面に食い込
ませておくことが望ましい。
常の湿式めつきや乾式めつきによりえられるが、
その被膜を軟ろう材に溶かして接合するため被膜
とターゲツト材やターゲツトホルダーとが、強固
に接合していることが必要でイオンプレーテイン
グ法により被膜粒子をターゲツト材表面に食い込
ませておくことが望ましい。
以下、実施例及び従来例について説明する。
実施例
直径30cmφ、厚さ５cmのステンレス鋼よりなる
ターゲツトホルダーに銅を１ミクロンイオンプレ
ーテイングした。次に、直径30cmφ、厚さ１cmの
金よりなるターゲツト材に鉄を10ミクロンイオン
プレーテイングした後銅を１ミクロンイオンプレ
ーテイングした。次にこのターゲツト材とターゲ
ツトホルダーの間に直径30cmφ、厚さ0.5mmのPb
−Sn共晶はんだをはさみ大気中300℃で５分間保
持しターゲツトの自重で接合した。
ターゲツトホルダーに銅を１ミクロンイオンプレ
ーテイングした。次に、直径30cmφ、厚さ１cmの
金よりなるターゲツト材に鉄を10ミクロンイオン
プレーテイングした後銅を１ミクロンイオンプレ
ーテイングした。次にこのターゲツト材とターゲ
ツトホルダーの間に直径30cmφ、厚さ0.5mmのPb
−Sn共晶はんだをはさみ大気中300℃で５分間保
持しターゲツトの自重で接合した。
従来例
銅被膜を用いない以外実施例と同様にしてター
ゲツトホルダーにターゲツト材を接合した。
ゲツトホルダーにターゲツト材を接合した。
上記実施例と従来例で作成したターゲツトを透
過Ｘ線で観察した。第１図はこの透過Ｘ線模式図
でａは実施例を、ｂは従来例を示す。第１図から
あきらかなように実施例は全く空隙がないのに対
し、従来例は空隙があることがわかる。
過Ｘ線で観察した。第１図はこの透過Ｘ線模式図
でａは実施例を、ｂは従来例を示す。第１図から
あきらかなように実施例は全く空隙がないのに対
し、従来例は空隙があることがわかる。
次に、実施例と従来例で作成したターゲツトを
切断して接合面を観察したところ、いずれも銅被
膜は観察されず、また鉄被膜によりPb−Sn共晶
はんだは金中に侵入していなかつた。しかし、従
来例の接合面はところどころはんだがのつていな
いところが観察された。
切断して接合面を観察したところ、いずれも銅被
膜は観察されず、また鉄被膜によりPb−Sn共晶
はんだは金中に侵入していなかつた。しかし、従
来例の接合面はところどころはんだがのつていな
いところが観察された。
以上詳述されたように本発明のスパツタリング
用ターゲツトの製造方法によれば全く空隙のない
ターゲツトが容易に製造できスパツタリングした
ときも異常発熱や異常消耗しないことがうかがわ
れる。また、軟ろう材中への可溶な金属被膜のと
けこみも微量であるのではんだの接合性を阻害す
ることもない。
用ターゲツトの製造方法によれば全く空隙のない
ターゲツトが容易に製造できスパツタリングした
ときも異常発熱や異常消耗しないことがうかがわ
れる。また、軟ろう材中への可溶な金属被膜のと
けこみも微量であるのではんだの接合性を阻害す
ることもない。
第１図は透過Ｘ線模式図でａは実施例、ｂは従
来例を示す。 １……空隙。
来例を示す。 １……空隙。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ターゲツト材をターゲツトホルダーに軟ろう
材を介して接合するスパツタリング用ターゲツト
の製造方法において、あらかじめターゲツト材と
ターゲツトホルダーの接合面に軟ろう材に可溶の
金属被膜を形成し、その後軟ろう材をはさんで加
熱し、ターゲツト材またはターゲツトホルダーの
自重により接合することを特徴とするスパツタリ
ング用ターゲツトの製造方法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の製造方法におい
て、ターゲツト材またはターゲツトホルダーがそ
の接合面に軟ろう材に不溶の金属被膜を有してい
ることを特徴とするスパツタリング用ターゲツト
の製造方法。 ３ 特許請求の範囲第１項又は第２項記載の製造
方法において、貴金属又は貴金属合金板の一面に
鉄族元素が被覆されたターゲツト材と鉄又は鉄合
金板のターゲツトホルダーの接合面に銅を被覆
し、Pb−Sn共晶ハンダを用いて接合することを
特徴とするスパツタリング用ターゲツトの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16816882A JPS5956971A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16816882A JPS5956971A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5956971A JPS5956971A (ja) | 1984-04-02 |
| JPH0140711B2 true JPH0140711B2 (ja) | 1989-08-30 |
Family
ID=15863059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16816882A Granted JPS5956971A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5956971A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61127861A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-16 | Mitsubishi Metal Corp | スパツタリング用金タ−ゲツト |
| JPS6228063A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-06 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2353942A1 (de) * | 1973-10-27 | 1975-05-07 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur herstellung einer loetfesten kupferschicht |
| JPS5488885A (en) * | 1977-12-26 | 1979-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Insulator target for sputtering device |
| JPS6018749B2 (ja) * | 1979-01-16 | 1985-05-11 | 株式会社村田製作所 | スパツタリング用タ−ゲツト |
| DE2933835C2 (de) * | 1979-08-21 | 1987-02-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Befestigen von in Scheiben- oder Plattenform vorliegenden Targetmaterialien auf Kühlteller für Aufstäubanlagen |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP16816882A patent/JPS5956971A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5956971A (ja) | 1984-04-02 |
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