JPH0140917B2 - - Google Patents
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- JPH0140917B2 JPH0140917B2 JP55118550A JP11855080A JPH0140917B2 JP H0140917 B2 JPH0140917 B2 JP H0140917B2 JP 55118550 A JP55118550 A JP 55118550A JP 11855080 A JP11855080 A JP 11855080A JP H0140917 B2 JPH0140917 B2 JP H0140917B2
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C43/00—Ethers; Compounds having groups, groups or groups
- C07C43/30—Compounds having groups
- C07C43/315—Compounds having groups containing oxygen atoms singly bound to carbon atoms not being acetal carbon atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C45/00—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds
- C07C45/51—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by pyrolysis, rearrangement or decomposition
- C07C45/511—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by pyrolysis, rearrangement or decomposition involving transformation of singly bound oxygen functional groups to >C = O groups
- C07C45/515—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by pyrolysis, rearrangement or decomposition involving transformation of singly bound oxygen functional groups to >C = O groups the singly bound functional group being an acetalised, ketalised hemi-acetalised, or hemi-ketalised hydroxyl group
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C45/00—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds
- C07C45/61—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by reactions not involving the formation of >C = O groups
- C07C45/67—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by reactions not involving the formation of >C = O groups by isomerisation; by change of size of the carbon skeleton
- C07C45/673—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by reactions not involving the formation of >C = O groups by isomerisation; by change of size of the carbon skeleton by change of size of the carbon skeleton
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B3/00—Electrolytic production of organic compounds
- C25B3/01—Products
- C25B3/07—Oxygen containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B3/00—Electrolytic production of organic compounds
- C25B3/20—Processes
- C25B3/23—Oxidation
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- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、次式で表わされる４−三級ブトキシ
−ベンズアルデヒド−ジアルキルアセタール（式
中のＲは１〜４個の炭素原子を有するアルキル基
を意味する）の新規な製法に関する。
−ベンズアルデヒド−ジアルキルアセタール（式
中のＲは１〜４個の炭素原子を有するアルキル基
を意味する）の新規な製法に関する。
本発明によれば４−三級ブトキシ−ベンズアル
デヒド−ジアルキルアセタールは、４−三級ブト
キシトルオールを、式ROH（Ｒは前記の意味を有
する）で表わされるアルコールの存在下に、電気
化学的に酸化することにより簡単に製造される。
式ROHのアルコールとしては、好ましくはメタ
ノール、エタノール、ｎ−プロパノール及びｎ−
又はｉ−ブタノールが用いられる。
デヒド−ジアルキルアセタールは、４−三級ブト
キシトルオールを、式ROH（Ｒは前記の意味を有
する）で表わされるアルコールの存在下に、電気
化学的に酸化することにより簡単に製造される。
式ROHのアルコールとしては、好ましくはメタ
ノール、エタノール、ｎ−プロパノール及びｎ−
又はｉ−ブタノールが用いられる。
４−三級ブトキシ−ベンズアルデヒド−ジアル
キルアセタールの電気的合成は、分割された電槽
でも非分割の電槽でも行うことができる。この場
合電解液としては、導電性塩を含む使用のアルコ
ール中の４−三級ブトキシトルオールの溶液が役
立つ。導電性塩は、電解液に可溶で、処理条件下
でほぼ安定なものである。その例は、弗化物例え
ばKF、テトラフルオロ硼酸塩例えばEt4NBF4及
び過塩素酸塩例えばEt4NClO4である。陽極材料
としては、例えばグラフアイト又は貴金属例えば
白金が用いられる。電流密度及び変化率は広範囲
に選ぶことができる。電流密度は例えば１〜
20A／ｄm2で、電解は例えば２〜5F／モル４−三
級ブトキシトルオールを用いて15〜60℃の温度で
行われる。
キルアセタールの電気的合成は、分割された電槽
でも非分割の電槽でも行うことができる。この場
合電解液としては、導電性塩を含む使用のアルコ
ール中の４−三級ブトキシトルオールの溶液が役
立つ。導電性塩は、電解液に可溶で、処理条件下
でほぼ安定なものである。その例は、弗化物例え
ばKF、テトラフルオロ硼酸塩例えばEt4NBF4及
び過塩素酸塩例えばEt4NClO4である。陽極材料
としては、例えばグラフアイト又は貴金属例えば
白金が用いられる。電流密度及び変化率は広範囲
に選ぶことができる。電流密度は例えば１〜
20A／ｄm2で、電解は例えば２〜5F／モル４−三
級ブトキシトルオールを用いて15〜60℃の温度で
行われる。
電解液の組成も広範囲に選ぶことができる。電
解液は例えば下記の組成を有する。
解液は例えば下記の組成を有する。
４〜20重量％ ４−三級ブトキシトルオール
70〜95重量％ アルコール
0.4〜10重量％ 導電性塩
電解排出液は好ましくは蒸留により仕上げ処理
する。過剰のアルコール及び場合によりなお存在
する出発物質は、蒸留によりアセタールと分離さ
れ、電解に再供給される。４−三級ブトキシ−ベ
ンズアルデヒド−ジアルキルアセタールは、必要
ならば精留によりさらに精製することができる。
する。過剰のアルコール及び場合によりなお存在
する出発物質は、蒸留によりアセタールと分離さ
れ、電解に再供給される。４−三級ブトキシ−ベ
ンズアルデヒド−ジアルキルアセタールは、必要
ならば精留によりさらに精製することができる。
４−三級ブトキシ−ベンズアルデヒド−ジアル
キルアセタールは、４−ヒドロキシベンズアルデ
ヒドの製造に好適である。したがつて本発明は、
半合成ペニシリンを製造するために価値あるこの
中間体の新規で有利な入手法を開発するものであ
る。
キルアセタールは、４−ヒドロキシベンズアルデ
ヒドの製造に好適である。したがつて本発明は、
半合成ペニシリンを製造するために価値あるこの
中間体の新規で有利な入手法を開発するものであ
る。
４−ヒドロキシベンズアルデヒドを製造するた
めには多数の方法が知られている。すなわち４−
ヒドロキシベンズアルデヒドは、例えば下記の方
法により製造できる。
めには多数の方法が知られている。すなわち４−
ヒドロキシベンズアルデヒドは、例えば下記の方
法により製造できる。
１ ｐ−アミノベンズアルデヒドのジアゾ化及び
それに続く加水分解（レクイユ・デ・トラボ
ー・シミク・デ・ペイバ54，1935年97）。
それに続く加水分解（レクイユ・デ・トラボ
ー・シミク・デ・ペイバ54，1935年97）。
２ フエノールとホルムアルデヒドのアルカリ性
溶液中での縮合及び３−ニトロベンゾールスル
ホン酸のナトリウム塩による後処理（ドイツ特
許580981号明細書）。
溶液中での縮合及び３−ニトロベンゾールスル
ホン酸のナトリウム塩による後処理（ドイツ特
許580981号明細書）。
３ ｐ−ヒドロキシベンゾニトリルの水素化（ヘ
ルベチカ・シミカ・アクタ19、1936年588）。
ルベチカ・シミカ・アクタ19、1936年588）。
４ ｐ−トリルクロルホルミエートの塩素化及び
生成物のアルカリ性けん化（ドイツ特許出願公
開1925 195明細書）。
生成物のアルカリ性けん化（ドイツ特許出願公
開1925 195明細書）。
５ フエノールのグリオキシル酸による処理及び
生成物の塩化水銀溶液による仕上げ処理（ドイ
ツ特許621567号明細書）。
生成物の塩化水銀溶液による仕上げ処理（ドイ
ツ特許621567号明細書）。
６ ｐ−メトキシベンズアルデヒドを塩酸ピリジ
ニウムの存在下に200〜220℃に加熱する方法
（ベリヒテ・デル・ドイツチエン・ヘ−ミツシ
エン・ゲゼルシヤフト74，７，1941年1219）。
ニウムの存在下に200〜220℃に加熱する方法
（ベリヒテ・デル・ドイツチエン・ヘ−ミツシ
エン・ゲゼルシヤフト74，７，1941年1219）。
７ フエノールとトリクロル酢酸の反応及び生成
物のアルカリ性加水分解（ジヤーナル・オブ・
ケミカル・ソサエテイ1933，496）。
物のアルカリ性加水分解（ジヤーナル・オブ・
ケミカル・ソサエテイ1933，496）。
８ フエノールとクロロホルムのβ−シクロデキ
ストリンの存在下の反応（デイー・フアルマツ
イー1978，467頁）及び生成したサリチルアル
デヒドの例えば水蒸気蒸留による分離。
ストリンの存在下の反応（デイー・フアルマツ
イー1978，467頁）及び生成したサリチルアル
デヒドの例えば水蒸気蒸留による分離。
これらの方法は、異性体混合物が生成すること
（方法２，８）、出発物質が入手困難であること
（方法１，２，３，７）、工業的に実施すると著し
い還境汚染を生ずること（方法４，５，６，７，
８）などの欠点を有する。
（方法２，８）、出発物質が入手困難であること
（方法１，２，３，７）、工業的に実施すると著し
い還境汚染を生ずること（方法４，５，６，７，
８）などの欠点を有する。
本発明者らは、本発明により得られる４−三級
ブトキシ−ベンズアルデヒド−ジアルキルアセタ
ールを出発物質として、４−ヒドロキシベンズア
ルデヒドをきわめて有利に製造できることを見出
した。すなわち４−三級ブトキシ−ベンズアルデ
ヒド−ジアルキルアセタールを酸で処理すること
により、４−ヒドロキシベンズアルデヒドが簡単
な手段で製造される。この場合希水性酸を使用す
ることが特に有利である。希薄でない酸を使用す
ることもできるが、これは反応時間を短縮できる
ことを除いては、特別の利益を与えない。なぜな
らば、この場合は収率が向上しないからである。
酸処理は、例えば20〜140℃好ましくは60〜100℃
の温度で行われる。
ブトキシ−ベンズアルデヒド−ジアルキルアセタ
ールを出発物質として、４−ヒドロキシベンズア
ルデヒドをきわめて有利に製造できることを見出
した。すなわち４−三級ブトキシ−ベンズアルデ
ヒド−ジアルキルアセタールを酸で処理すること
により、４−ヒドロキシベンズアルデヒドが簡単
な手段で製造される。この場合希水性酸を使用す
ることが特に有利である。希薄でない酸を使用す
ることもできるが、これは反応時間を短縮できる
ことを除いては、特別の利益を与えない。なぜな
らば、この場合は収率が向上しないからである。
酸処理は、例えば20〜140℃好ましくは60〜100℃
の温度で行われる。
酸としては、例えば下記のものが用いられる。
鉱酸例えば塩酸、燐酸又は硫酸、脂肪族カルボン
酸例えば義酸、酢酸、プロピオン酸又はアクリル
酸、ジー及びポリカルボン酸例えばマレイン酸、
フマル酸、修酸又はブタンテトラカルボン酸、オ
キシカルボン酸例えば乳酸又は酒石酸、芳香族カ
ルボン酸例えば安息香酸、フタル酸又はマンデル
酸又はｐ−トルオールスルホン酸。酸性イオン交
換体も当然用いられる。
鉱酸例えば塩酸、燐酸又は硫酸、脂肪族カルボン
酸例えば義酸、酢酸、プロピオン酸又はアクリル
酸、ジー及びポリカルボン酸例えばマレイン酸、
フマル酸、修酸又はブタンテトラカルボン酸、オ
キシカルボン酸例えば乳酸又は酒石酸、芳香族カ
ルボン酸例えば安息香酸、フタル酸又はマンデル
酸又はｐ−トルオールスルホン酸。酸性イオン交
換体も当然用いられる。
用いられる酸のメチルエステル及び三級ブチル
エステルが揮発性でないとき、例えば硫酸、修酸
又はイオン交換体を使用する場合は、酸の触媒量
で足り、好ましくは４−三級ブトキシ−ベンズア
ルデヒド−ジアルキルアセタールに対し約１〜10
％を使用する。エステルが易揮発性のときは、少
なくとも化学量論的に必要な割合の量の酸を使用
する。なぜならばアセタール基のけん化に際し
て、使用した揮発性酸の少なくとも一部がアルキ
ルエステルとして失われるからである。このこと
はアセタール１モルにつき少なくとも３モルの揮
発性酸を使用することを意味する。約0.2ないし
３倍過剰の酸を使用することが好ましく、これに
よつて完全な反応が保証される。反応は通常は10
分ないし３時間後に終了する。冷却すると４−ヒ
ドロキシベンズアルデヒドの一部が溶液から晶出
し、残りの大部分は溶剤の蒸発後に分離される。
エステルが揮発性でないとき、例えば硫酸、修酸
又はイオン交換体を使用する場合は、酸の触媒量
で足り、好ましくは４−三級ブトキシ−ベンズア
ルデヒド−ジアルキルアセタールに対し約１〜10
％を使用する。エステルが易揮発性のときは、少
なくとも化学量論的に必要な割合の量の酸を使用
する。なぜならばアセタール基のけん化に際し
て、使用した揮発性酸の少なくとも一部がアルキ
ルエステルとして失われるからである。このこと
はアセタール１モルにつき少なくとも３モルの揮
発性酸を使用することを意味する。約0.2ないし
３倍過剰の酸を使用することが好ましく、これに
よつて完全な反応が保証される。反応は通常は10
分ないし３時間後に終了する。冷却すると４−ヒ
ドロキシベンズアルデヒドの一部が溶液から晶出
し、残りの大部分は溶剤の蒸発後に分離される。
４−三級ブトキシ−ベンズアルデヒド−ジアル
キルアセタールからの４−ヒドロキシベンズアル
デヒドの製造に際して、次のように操作すること
もできる。すなわち最初の反応工程において水と
の反応により４−三級ブトキシベンズアルデヒド
を製造し、次いでこれを酸処理する。その場合は
少なくとも３倍モル量の揮発性酸の代わりに、少
なくとも１モル量だけの酸を必要とする。この二
段操作法の場合は、４−三級ブトキシベンズアル
デヒドがほとんど定量的収率で得られる。
キルアセタールからの４−ヒドロキシベンズアル
デヒドの製造に際して、次のように操作すること
もできる。すなわち最初の反応工程において水と
の反応により４−三級ブトキシベンズアルデヒド
を製造し、次いでこれを酸処理する。その場合は
少なくとも３倍モル量の揮発性酸の代わりに、少
なくとも１モル量だけの酸を必要とする。この二
段操作法の場合は、４−三級ブトキシベンズアル
デヒドがほとんど定量的収率で得られる。
この場合は、４−ヒドロキシベンズアルデヒド
の酸への溶解性を減少するため、酸を希薄でない
形で使用し、そして水を反応の終了後に添加する
ように、操作することが好ましい。
の酸への溶解性を減少するため、酸を希薄でない
形で使用し、そして水を反応の終了後に添加する
ように、操作することが好ましい。
実施例 １
４−三級ブトキシ−ベンズアルデヒド−ジメチ
ルアセタールの製造： 装置：電極11個を有する分割されない電槽 陽極：グラフアイト 電解質：ｐ−三級ブトキシトルオール475.8ｇ、
メタノール2159ｇ、KF25ｇ 陰極：グラフアイト 温度：27〜31℃ 電流密度：4.7A／ｄm2 4.5F／モルｐ−三級ブトキシトルオールを用い
る電解 電解液は、電解の間、熱交換器を経てポンプ循
環する。
ルアセタールの製造： 装置：電極11個を有する分割されない電槽 陽極：グラフアイト 電解質：ｐ−三級ブトキシトルオール475.8ｇ、
メタノール2159ｇ、KF25ｇ 陰極：グラフアイト 温度：27〜31℃ 電流密度：4.7A／ｄm2 4.5F／モルｐ−三級ブトキシトルオールを用い
る電解 電解液は、電解の間、熱交換器を経てポンプ循
環する。
仕上げ処理：
電解の終了後メタノールを留去し、KF（20ｇ）
を別し、残査を１mmＨｇ及び50〜110℃で分留
する。こうして未反応ｐ−三級ブトキシトルオー
ル37.5ｇのほかに、ｐ−三級ブトキシベンジル−
メチルエーテル10.5ｇ（これは電解に再供給でき
る）及びｐ−三級ブトキシ−ベンズアルデヒド−
ジメチルアセタール480.3ｇが得られる。これは
全収率81.7％及び電流効率65.6％に相当する。
を別し、残査を１mmＨｇ及び50〜110℃で分留
する。こうして未反応ｐ−三級ブトキシトルオー
ル37.5ｇのほかに、ｐ−三級ブトキシベンジル−
メチルエーテル10.5ｇ（これは電解に再供給でき
る）及びｐ−三級ブトキシ−ベンズアルデヒド−
ジメチルアセタール480.3ｇが得られる。これは
全収率81.7％及び電流効率65.6％に相当する。
実施例 ２
４−三級ブトキシ−ベンズアルデヒド−ジエチ
ルアセタールの製造： 装置：電極11個を有する分割されない電槽 陽極：グラフアイト 電解質：ｐ−三級ブトキシトルオール328ｇ、
エタノール2340ｇ、KF15ｇ 陰極：グラフアイト 温度：25〜30％ 電流密度：1.2A／ｄm2 5F／モルｐ−三級ブトキシトルオールを用い
る電解 電解液は、電解の間、熱交換器を経てポンプ循
環される。
ルアセタールの製造： 装置：電極11個を有する分割されない電槽 陽極：グラフアイト 電解質：ｐ−三級ブトキシトルオール328ｇ、
エタノール2340ｇ、KF15ｇ 陰極：グラフアイト 温度：25〜30％ 電流密度：1.2A／ｄm2 5F／モルｐ−三級ブトキシトルオールを用い
る電解 電解液は、電解の間、熱交換器を経てポンプ循
環される。
仕上げ処理：
電解の終了後エタノールを留去し、KF（14ｇ）
を別し、残査を１〜２mmＨｇ及び60〜130℃で
分留する。こうして未反応ｐ−三級ブトキシトル
オール66.5ｇのほかに、ｐ−三級ブトキシベンジ
ル―エチルエーテル37.2ｇ（これは電解に再供給
できる）及び４−三級ブトキシ−ベンズアルデヒ
ド−ジエチルアセタール215.5ｇが得られる。こ
れは60.2％の収率に相当する。
を別し、残査を１〜２mmＨｇ及び60〜130℃で
分留する。こうして未反応ｐ−三級ブトキシトル
オール66.5ｇのほかに、ｐ−三級ブトキシベンジ
ル―エチルエーテル37.2ｇ（これは電解に再供給
できる）及び４−三級ブトキシ−ベンズアルデヒ
ド−ジエチルアセタール215.5ｇが得られる。こ
れは60.2％の収率に相当する。
使用例 １
４−三級ブトキシ−ベンズアルデヒド−ジメチ
ルアセタールの４−ヒドロキシベンズアルデヒ
ドの製造への使用： ａ ４−三級ブトキシ−ベンズアルデヒド−ジメ
チルアセタール224ｇ、酢酸360ｇ及び水150ｇ
を、蒸留装置内で加熱する。63〜100℃の移行
温度において450ｇが留出する。次いでさらに
還流下に0.5時間加熱する。水300ｇを添加し、
−５℃に冷却したのち、４−ヒドロキシベンズ
アルデヒド103ｇが単離される。母液からさら
に310ｇを留去したのち、残査を−５℃に冷却
すると、さらに４−ヒドロキシベンズアルデヒ
ドが14ｇ単離される（合計収率96％）。
ルアセタールの４−ヒドロキシベンズアルデヒ
ドの製造への使用： ａ ４−三級ブトキシ−ベンズアルデヒド−ジメ
チルアセタール224ｇ、酢酸360ｇ及び水150ｇ
を、蒸留装置内で加熱する。63〜100℃の移行
温度において450ｇが留出する。次いでさらに
還流下に0.5時間加熱する。水300ｇを添加し、
−５℃に冷却したのち、４−ヒドロキシベンズ
アルデヒド103ｇが単離される。母液からさら
に310ｇを留去したのち、残査を−５℃に冷却
すると、さらに４−ヒドロキシベンズアルデヒ
ドが14ｇ単離される（合計収率96％）。
ｂ ４−三級ブトキシ−ベンズアルデヒド−ジメ
チルアセタール200ｇ、硫酸15ｇ及び水800ml
を、精留装置内で窒素雰囲気で加熱する。蒸留
を続けて移行温度95℃に達せしめ、留出する液
体（約300ml）と同量の水を滴加する。続いて
なお１時間還流加熱する。室温に冷却したの
ち、純粋な４−ヒドロキシベンズアルデヒド
が、溶液から沈殿する。常法により仕上げ処理
したのち、98ｇが単離される（収率90.7％）。
チルアセタール200ｇ、硫酸15ｇ及び水800ml
を、精留装置内で窒素雰囲気で加熱する。蒸留
を続けて移行温度95℃に達せしめ、留出する液
体（約300ml）と同量の水を滴加する。続いて
なお１時間還流加熱する。室温に冷却したの
ち、純粋な４−ヒドロキシベンズアルデヒド
が、溶液から沈殿する。常法により仕上げ処理
したのち、98ｇが単離される（収率90.7％）。
ｃ ４−三級ブトキシ−ベンズアルデヒド−ジメ
チルアセタール400ｇ、ダウエツクス50wx8の
名で市販されているイオン交換体50ｇ（架橋さ
れた核スルホン化ポリスチロール樹肪から成
る）及び1.6を加熱する。以下3bと同様に操
作し、熱溶液をイオン交換体から傾斜分離す
る。冷却した溶液から４−ヒドロキシベンズア
ルデヒド190ｇが単離される（収率8.8％）。
チルアセタール400ｇ、ダウエツクス50wx8の
名で市販されているイオン交換体50ｇ（架橋さ
れた核スルホン化ポリスチロール樹肪から成
る）及び1.6を加熱する。以下3bと同様に操
作し、熱溶液をイオン交換体から傾斜分離す
る。冷却した溶液から４−ヒドロキシベンズア
ルデヒド190ｇが単離される（収率8.8％）。
ｄ ４−三級ブトキシ−ベンズアルデヒド−ジメ
チルアセタール200ｇ、修酸20ｇ及び水１を、
3bと同様に加熱処理する。４−ヒドロキシベ
ンズアルデヒド102ｇが単離される（収率94.4
％）。
チルアセタール200ｇ、修酸20ｇ及び水１を、
3bと同様に加熱処理する。４−ヒドロキシベ
ンズアルデヒド102ｇが単離される（収率94.4
％）。
使用例 ２
４−三級ブトキシ−ベンズアルデヒド−ジメチ
ルアセタールの中間体を分離する４−ヒドロキ
シベンズアルデヒドの製造への使用： ４−三級ブトキシ−ベンズアルデヒド−ジメチ
ルアセタール1028.3ｇを、水750ｇ中で撹拌しな
がら95℃に加熱する。次いで95℃で撹拌下に１時
間かけてメタノール及び水の混合物約500mlを留
去し、同時に新しい水500ｇを滴加する。次いで
層分離を行い、有機層を0.5〜1.5mmＨｇ及び87〜
107℃で分留する。４−三級ブトキシベンズアル
デヒド761.7ｇが得られ、これは93.2％の収率に
相当する。
ルアセタールの中間体を分離する４−ヒドロキ
シベンズアルデヒドの製造への使用： ４−三級ブトキシ−ベンズアルデヒド−ジメチ
ルアセタール1028.3ｇを、水750ｇ中で撹拌しな
がら95℃に加熱する。次いで95℃で撹拌下に１時
間かけてメタノール及び水の混合物約500mlを留
去し、同時に新しい水500ｇを滴加する。次いで
層分離を行い、有機層を0.5〜1.5mmＨｇ及び87〜
107℃で分留する。４−三級ブトキシベンズアル
デヒド761.7ｇが得られ、これは93.2％の収率に
相当する。
ａ ｐ−三級ブトキシベンズアルデヒド90ｇ及び
10％塩酸420ｇを、撹拌下に15分間加熱する。
０℃に冷却すると４−ヒドロキシベンズアルデ
ヒドが結晶析出する。乾燥後の重量は57ｇ、融
点115〜116℃（文献では117〜119℃）、収率は
理論値の92％。
10％塩酸420ｇを、撹拌下に15分間加熱する。
０℃に冷却すると４−ヒドロキシベンズアルデ
ヒドが結晶析出する。乾燥後の重量は57ｇ、融
点115〜116℃（文献では117〜119℃）、収率は
理論値の92％。
ｂ ｐ−三級ブトキシベンズアルデヒド90ｇ、酢
酸70ｇ及び水140ｇを、２時間還流加熱する。
反応混合物を回転蒸発器により蒸発乾固する。
白色残査60.5ｇが残留し、これはNMR分析に
よると純粋な４−ヒドロキシベンズアルデヒド
から成る。収率は理論値の98％である。
酸70ｇ及び水140ｇを、２時間還流加熱する。
反応混合物を回転蒸発器により蒸発乾固する。
白色残査60.5ｇが残留し、これはNMR分析に
よると純粋な４−ヒドロキシベンズアルデヒド
から成る。収率は理論値の98％である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ４−三級ブトキシトルオールを、式ROH（Ｒ
は後記の意味を有する）で表わされるアルコール
の存在下に、電気化学的に酸化することを特徴と
する、次式 （式中Ｒは１〜４個の炭素原子を有するアルキ
ル基を意味する）で表わされる４−三級ブトキシ
−ベンズアルデヒド−ジアルキルアセタールの製
法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19792935398 DE2935398A1 (de) | 1979-09-01 | 1979-09-01 | 4-tert.-butoxy-benzldehyddialkylacetale, ihre herstellung und verwendung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5636426A JPS5636426A (en) | 1981-04-09 |
| JPH0140917B2 true JPH0140917B2 (ja) | 1989-09-01 |
Family
ID=6079829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11855080A Granted JPS5636426A (en) | 1979-09-01 | 1980-08-29 | 44tertiaryybutoxyybenzaldehydeedialkylacetal* its manufacture and use |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0025883B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5636426A (ja) |
| DE (2) | DE2935398A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3107120A1 (de) * | 1981-02-26 | 1982-09-09 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Verfahren zur herstellung von 4-tert.-butoxybenzylalkohol |
| DE3644076A1 (de) * | 1986-12-23 | 1988-07-07 | Basf Ag | Neue benzaldehydderivate, ihre herstellung und verwendung |
| DE3913166A1 (de) * | 1989-04-21 | 1990-10-25 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung von benzaldehyddialkylacetalen und neue benzaldehyddialkylacetale und benzylester |
-
1979
- 1979-09-01 DE DE19792935398 patent/DE2935398A1/de not_active Withdrawn
-
1980
- 1980-08-21 DE DE8080104976T patent/DE3061631D1/de not_active Expired
- 1980-08-21 EP EP80104976A patent/EP0025883B1/de not_active Expired
- 1980-08-29 JP JP11855080A patent/JPS5636426A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5636426A (en) | 1981-04-09 |
| EP0025883A1 (de) | 1981-04-01 |
| EP0025883B1 (de) | 1983-01-12 |
| DE2935398A1 (de) | 1981-03-26 |
| DE3061631D1 (en) | 1983-02-17 |
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