JPH0141022B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0141022B2 JPH0141022B2 JP57168171A JP16817182A JPH0141022B2 JP H0141022 B2 JPH0141022 B2 JP H0141022B2 JP 57168171 A JP57168171 A JP 57168171A JP 16817182 A JP16817182 A JP 16817182A JP H0141022 B2 JPH0141022 B2 JP H0141022B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- wire
- alloy
- strand
- diameter
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/011—Apparatus therefor
- H10W72/0115—Apparatus for manufacturing bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/011—Apparatus therefor
- H10W72/0116—Apparatus for manufacturing strap connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
本発明は半導体素子用ボンデイング素線の製造
方法の改良に関する。 従来、半導体素子のチツプ電極と外部リードに
連なるリードフレーム又はケースの接続部との電
気的接続に使用するボンデイング線には、溶解、
鋳造したインゴツトを押出又は溝ロール等で素加
工し、次にダイスを使用して順次太線から細線ま
で押線、焼鈍等の塑性加工、熱処理工程を経て製
造された細線が用いられてきた。 然し乍ら、前記従来のボンデイング線は、イン
ゴツトサイズ、成分、温度等熱処理条件により時
として金属組織中のSiの分布が不均一となつて、
機械的強さ、とりわけ破断強さについては十分で
はなく、高速自動ボンデイング中に破断してシヨ
ートするという欠点があつた。また前記従来のボ
ンデイング線を製造する方法は工数が多くて、生
産性が悪いという欠点があつた。 本発明はかかる欠点を解消すべくなされたもの
であり、金属組織中のSiの分布が均一で機械的強
さ、とりわけ破断強さが強く、高速自動ボンデイ
ング中の破断を極めて少なくできる半導体素子用
ボンデイング素線を能率良く作ることのできる方
法を提供せんとするものである。 本発明の半導体素子用ボンデイング素線の製造
方法は0.1〜５重量％のSiを含み残部がAl及び不
純物から成るAl−Si合金を溶融し、これを噴出
急冷して細線に成形することを特徴とするもので
ある。 本発明の半導体素子用ボンデイング素線の製造
方法に於いて、Al−Si合金のSiの含有量を0.1〜
５重量％としたのは、0.1重量％末満ではボンデ
イングに適した十分な破断強さが得られず、５重
量％を超えると溶融状態から噴出急冷した際Siの
粗大粒が析出し、断線の恐れがあるからである。
またAl−Si合金を溶融状態から噴出急冷して細
線に成形するのは、結晶質に基づく欠陥、即ち粒
界、異相、析出物、偏析等を極度に少なくでき
て、破断強さを著しく強くできると共に工数が少
なく能率良くボンデイング素線を得ることができ
るからである。 以下本発明による半導体素子用ボンデイング素
線の製造方法の効果を明瞭ならしめる為にその具
体的な実施例及び従来例について説明する。 実施例 第１図に示す耐火容器１内にAl−Si1重量％合
金を入れ、誘導加熱炉２にて680℃〜700℃に加熱
溶融し、この溶湯３を耐火容器１の底の直径
200μｍのノズル４より周速25〜50ｍ／ｓで回転
する特殊Cu単ロール300φmm５の表面に接近させ
て噴出させ、直径190μｍのボンデイング素線６
を作つた。次にこのボンデイング素線６の表面を
仕上げ、寸法精度を上げる為に押線機にかけ、直
径50μｍの美麗なボンデイング線となした。 従来例 Al−Si1重量％合金を溶解、鋳造した直径30
mm、長さ70mmのインゴツトを押出加工して直径
2.5mmの太線になし、次にこの太線を押線、焼鈍
を10回繰返し行つて直径50μｍのボンデイング線
を作つた。 然してこれらの実施例及び従来例によるボンデ
イング線の金属製織をＸ線マイクロアナライザー
によるＸ線分布写真を撮つた処、実施例によるボ
ンデイング線は第２図ａに示す如くSiの分布は均
一であつたのに対し、従来例によるボンデイング
線は第２図ｂに示す如くSiの分布が不均一であつ
た。 さらに実施例によるボンデイング線と従来例に
よるボンデイング線の破断強さと押びを測定した
処、下記の表に示すような結果を得た。
方法の改良に関する。 従来、半導体素子のチツプ電極と外部リードに
連なるリードフレーム又はケースの接続部との電
気的接続に使用するボンデイング線には、溶解、
鋳造したインゴツトを押出又は溝ロール等で素加
工し、次にダイスを使用して順次太線から細線ま
で押線、焼鈍等の塑性加工、熱処理工程を経て製
造された細線が用いられてきた。 然し乍ら、前記従来のボンデイング線は、イン
ゴツトサイズ、成分、温度等熱処理条件により時
として金属組織中のSiの分布が不均一となつて、
機械的強さ、とりわけ破断強さについては十分で
はなく、高速自動ボンデイング中に破断してシヨ
ートするという欠点があつた。また前記従来のボ
ンデイング線を製造する方法は工数が多くて、生
産性が悪いという欠点があつた。 本発明はかかる欠点を解消すべくなされたもの
であり、金属組織中のSiの分布が均一で機械的強
さ、とりわけ破断強さが強く、高速自動ボンデイ
ング中の破断を極めて少なくできる半導体素子用
ボンデイング素線を能率良く作ることのできる方
法を提供せんとするものである。 本発明の半導体素子用ボンデイング素線の製造
方法は0.1〜５重量％のSiを含み残部がAl及び不
純物から成るAl−Si合金を溶融し、これを噴出
急冷して細線に成形することを特徴とするもので
ある。 本発明の半導体素子用ボンデイング素線の製造
方法に於いて、Al−Si合金のSiの含有量を0.1〜
５重量％としたのは、0.1重量％末満ではボンデ
イングに適した十分な破断強さが得られず、５重
量％を超えると溶融状態から噴出急冷した際Siの
粗大粒が析出し、断線の恐れがあるからである。
またAl−Si合金を溶融状態から噴出急冷して細
線に成形するのは、結晶質に基づく欠陥、即ち粒
界、異相、析出物、偏析等を極度に少なくでき
て、破断強さを著しく強くできると共に工数が少
なく能率良くボンデイング素線を得ることができ
るからである。 以下本発明による半導体素子用ボンデイング素
線の製造方法の効果を明瞭ならしめる為にその具
体的な実施例及び従来例について説明する。 実施例 第１図に示す耐火容器１内にAl−Si1重量％合
金を入れ、誘導加熱炉２にて680℃〜700℃に加熱
溶融し、この溶湯３を耐火容器１の底の直径
200μｍのノズル４より周速25〜50ｍ／ｓで回転
する特殊Cu単ロール300φmm５の表面に接近させ
て噴出させ、直径190μｍのボンデイング素線６
を作つた。次にこのボンデイング素線６の表面を
仕上げ、寸法精度を上げる為に押線機にかけ、直
径50μｍの美麗なボンデイング線となした。 従来例 Al−Si1重量％合金を溶解、鋳造した直径30
mm、長さ70mmのインゴツトを押出加工して直径
2.5mmの太線になし、次にこの太線を押線、焼鈍
を10回繰返し行つて直径50μｍのボンデイング線
を作つた。 然してこれらの実施例及び従来例によるボンデ
イング線の金属製織をＸ線マイクロアナライザー
によるＸ線分布写真を撮つた処、実施例によるボ
ンデイング線は第２図ａに示す如くSiの分布は均
一であつたのに対し、従来例によるボンデイング
線は第２図ｂに示す如くSiの分布が不均一であつ
た。 さらに実施例によるボンデイング線と従来例に
よるボンデイング線の破断強さと押びを測定した
処、下記の表に示すような結果を得た。
【表】
上記の表で明らかなように実施例によるボンデ
イング線は、従来例によるボンデイング線に比し
破断強さが強く、押びが大きいことが判る。 以上詳記した通りに本発明の半導体素子用ボン
デイング素線の製造方法によれば、金属組織中の
Siの分布が均一で、破断強さが強く、押びが大き
く、高速自動ボンデイング中の破断を極めて少な
くできる半導体素子用ボンデイング線を得ること
ができる。また本発明の半導体素子用ボンデイン
グ素線の製造方法は、工数が極めて少なく、半導
体素子用ボンデイング線を能率良く作ることがで
きるので、生産性が著しく向上する等の効果があ
る。 尚、本発明の実施例では耐火容器１の底のノズ
ル４より溶湯を回転するロール５の表面に噴出さ
せてボンデイング用素線６を作つているが、これ
に限るものでなく、回転液中紡糸法により製造さ
れたボンデイング用素線の断面形状はより真円に
近く、安定した細線が得られらることを付記して
おく。
イング線は、従来例によるボンデイング線に比し
破断強さが強く、押びが大きいことが判る。 以上詳記した通りに本発明の半導体素子用ボン
デイング素線の製造方法によれば、金属組織中の
Siの分布が均一で、破断強さが強く、押びが大き
く、高速自動ボンデイング中の破断を極めて少な
くできる半導体素子用ボンデイング線を得ること
ができる。また本発明の半導体素子用ボンデイン
グ素線の製造方法は、工数が極めて少なく、半導
体素子用ボンデイング線を能率良く作ることがで
きるので、生産性が著しく向上する等の効果があ
る。 尚、本発明の実施例では耐火容器１の底のノズ
ル４より溶湯を回転するロール５の表面に噴出さ
せてボンデイング用素線６を作つているが、これ
に限るものでなく、回転液中紡糸法により製造さ
れたボンデイング用素線の断面形状はより真円に
近く、安定した細線が得られらることを付記して
おく。
第１図は本発明の半導体素子用ボンデイング素
線の製造方法の一実施例を示す概略図、第２図ａ
は本発明の製造方法により得られた半導体素子用
ボンデイング線のSiの分布図、仝図ｂは従来の製
造方法により得られた半導体素子用ボンデイング
線のSiの分布図である。 １……耐火容器、２……加熱炉、３……溶湯、
４……ノズル、５……特殊Cu単ロール、６……
ボンデイング素線。
線の製造方法の一実施例を示す概略図、第２図ａ
は本発明の製造方法により得られた半導体素子用
ボンデイング線のSiの分布図、仝図ｂは従来の製
造方法により得られた半導体素子用ボンデイング
線のSiの分布図である。 １……耐火容器、２……加熱炉、３……溶湯、
４……ノズル、５……特殊Cu単ロール、６……
ボンデイング素線。
Claims (1)
- １ 0.1〜５重量％のSiを含み残部がAl及び不純
物から成るAl−Si合金を溶融し、これを噴出急
冷して細線に成形することを特徴とする半導体素
子用ボンデイング素線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57168171A JPS5957440A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 半導体素子用ボンデイング素線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57168171A JPS5957440A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 半導体素子用ボンデイング素線の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5957440A JPS5957440A (ja) | 1984-04-03 |
| JPH0141022B2 true JPH0141022B2 (ja) | 1989-09-01 |
Family
ID=15863113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57168171A Granted JPS5957440A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 半導体素子用ボンデイング素線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5957440A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112023005086T5 (de) | 2022-12-05 | 2025-10-23 | Nippon Micrometal Corporation | Al-Legierungs-Bonddraht |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP57168171A patent/JPS5957440A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5957440A (ja) | 1984-04-03 |
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