JPH0141258B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は半導体外囲器の取付部形成装置に係
り、特に機器に組込む際に高精度の位置合わせを
必要とする半導体装置の位置合わせ用端子に基準
切欠き又は基準孔を形成する装置に関する。

〔発明の技術的背景〕

CCD（Ｃharge Ｃoupled Ｄevice）等の光学
的半導体センサは、光学像が形成される位置に精
度良く位置決めして固定される必要があり、機器
に組込む際には高精度な位置合わせが要求され
る。

従来、この位置合わせのために、予め端部に基
準の切欠きを設けた積層形セラミツクパツケージ
が用いられている。そして、ダイマウント部のメ
タライズを半導体チツプの大きさに合わせて形成
し、半導体チツプのマウント時に位置合わせを行
つている。

〔背景技術の問題点〕

しかしながら、このような従来の方法では、セ
ラミツクパツケージに切欠き部を設けるときの位
置精度（±0.1mm）、セラミツクパツケージにメタ
ライズを形成するときの位置精度（±0.2mm）、及
びチツプマウント時の位置合わせ精度（±0.1mm）
が重なり、最終的な精度が±0.25〜0.3mm程度に
なつてしまい、要求される±0.05mmの位置精度が
得られないという問題があつた。このため、機器
に実装する時点で、切欠き部をねじ等で固定する
際、光軸合わせ調整作業を行う必要があつた。

また、従来のセラミツクパツケージで精度を上
げるためには、切欠き部を機械加工等により精度
良く形成し、かつ、半導体チツプをマウントする
際にその切欠き部を基準とした位置に正確に固定
できる作業者又はマウント装置が必要である。し
かし、セラミツクを機械加工するとパツケージは
非常に高価なものとなり、また、非常に正確なマ
ウント作業を要求したり、マウント装置の精度を
上げると歩留りが低下することになる。

〔発明の目的〕 この発明は上記実情に鑑みてなされたもので、
その目的は、半導体装置の位置合わせ用端子に対
し基準切欠き又は基準孔を高精度に形成すること
ができ、機器への実装時においてあらためて位置
合わせ調整作業を必要としない半導体外囲器の取
付部形成装置を提供することにある。

〔発明の概要〕

この発明は、位置合わせ用端子が一体化された
外囲器に半導体チツプが固定されてなる半導体装
置の当該位置合わせ用端子に基準切欠き又は基準
孔を形成するものにおいて、所定の位置に前記半
導体チツプの形状に対応した投影光パターンを照
射し、この投影光パターンに前記半導体チツプの
位置を一致させた後、前記位置合わせ用端子を固
定し、しかる後にこの位置合わせ用端子に前記半
導体チツプの位置を基準として基準切欠き又は基
準孔を形成する装置である。

〔発明の実施例〕

以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説
明する。この発明は、特願昭57−18969号明細書
（半導体素子の製造方法）に記載の位置合わせ用
端子が一体化された外囲器の当該位置合わせ用端
子に、位置合わせのための基準切欠き又は基準孔
を形成する装置であり、この基準切欠き又は基準
孔の形成を、外囲器に半導体チツプを固定した後
にその固定位置を基準として行うものである。

第１図はこの半導体外囲器の取付部形成装置の
具体的な構成を示している。同図において、支持
台１１上にはパターン投影器１２及び顕微鏡１３
がそれぞれ固定されている。顕微鏡１３の下方に
はダイ１４が固定されている。このダイ１４には
第２図に示すように収納部１５が設けられてお
り、この収納部１５内に半導体装置１６が収納さ
れ、位置合わせが行われるようになつている。顕
微鏡１３にはパターン投影器１２に対向してハー
フミラー１７が取り付けられている。すなわち、
パターン投影器１２から照射されたパターン光
は、第１図に一点鎖線ａで示すようにハーフミラ
ー１７で反射された後半導体装置１６上に投影さ
れるようになつている。半導体装置１６は前述の
ように位置合わせ用端子１８が一体化された外囲
器１９内にCCD等の半導体チツプ２０が固定さ
れたものである。半導体チツプ１６はＸ―Ｙ―θ
テーブル２１の先端部に設けられた回転台２２上
に載置されている。Ｘ―Ｙ―θテーブル２１は、
マイクロヘツド２３によりｘ方向、マイクロヘツ
ド２４によりｙ方向に回転台２２の位置を調整で
き、さらにマイクロヘツド２５により回転台２２
の回転を微調整できるようになつている。これに
より、半導体装置１６の位置を微調整し、半導体
チツプ２０の位置を上記パターン投影光に一致さ
せるものである。ダイ１４の上方部にはポンチホ
ルダ２６により保持された２個のポンチ２７（一
方は図示せず。）が配設されており、これらポン
チ２７間の絶対中央位置に前記パターン光が投影
されるようになつている。ポンチホルダ２６とダ
イ１４との間にはストリツパを兼ね、上下移動す
るクランプ２８が配設されており、このクランプ
２８に設けられたガイド孔２９を通してポンチ２
７が上下移動するようになつている。ポンチホル
ダ２６及びクランプ２８はそれぞれレバー３０，
３１を介してシリンダ３２により駆動されるよう
になつている。なお、第２図ににおいては、説明
の都合上、Ｘ―Ｙ―θテーブル２１の回転台２２
等をダイ１４の収納部１５から浮かして図示して
あるが、実際には回転台２２は収納部１５内に入
り、位置合わせ用端子１８の下面部とダイ１４の
上面部が一致するようになつている。

すなわち、この半導体外囲器の取付部形成装置
においては、パターン投影器１２により、第２図
に示すような半導体チツプ２０の形状に対応した
パターン光３３が照射され、ハーフミラー１７で
反射された後、半導体装置１６上に投影される。
このパターン光３３はポンチ２７間の絶対中央位
置に投影されるもので、作業者が顕微鏡１３を見
ながらマイクロヘツド２３〜２５により半導体チ
ツプ２０の位置をパターン光３３に合わせると、
位置合わせ用端子１８に形成される切欠き（又は
孔）は必然的に半導体チツプ２０を基準とするこ
とになる。

このような位置合わせが完了すると、次にクラ
ンプ２８が下降し、半導体装置１６の位置合わせ
用端子１８がダイ１４上に固定される。位置合わ
せ用端子１８が固定されると、次にポンチホルダ
２６と共にポンチ２７が下降し、位置合わせ用端
子１８を打抜く。これにより、位置合わせ用端子
１８にポンチ２７の断面形状と同形状の基準切欠
き（又は基準孔）が形成される。

このようにこの半導体外囲器の取付部形成装置
においては、外囲器１９に予め半導体チツプ２０
が固定された半導体装置１６に、その半導体チツ
プ２０の位置を基準とした切欠き（又は孔）を形
成するものであり、このため高精度（±0.05mm）
な加工が可能となる。従つて、従来、実装時に必
要であつた光軸合わせ調整作業が不要となる。ま
た、機械加工等によりセラミツクパツケージに切
欠き部を形成する方法に比べると、外囲器を安価
なものとすることができ、マウント精度自体は比
較的悪くしてもよく、従つて精度を要求して歩留
りを低下させることはない。

尚、上記実施例においては、作業者が顕微鏡１
３を目視観察しながらマイクロヘツド２３〜２５
を調整することにより、半導体チツプ２０の位置
合わせを行つているが、光学電気的装置を組合せ
ることにより自動的に位置合わせを行うことも可
能である。また、ポンチ２７の数は２個に限定す
るものではなく、位置合わせ用端子１８の数に対
応して設ければよく、更に、ポンチ１８の代りに
ドリルにより基準孔を形成するようにしてもよ
い。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明によれば、半導体装置の
位置合わせ用端子の基準切欠き又は基準孔を、半
導体チツプとの相対的位置において高精度に形成
することができるので、機器への実装時にあらた
めて位置合わせ調整作業をする必要がなくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例に係る半導体外囲
器の取付部形成装置の斜視図、第２図は第１図の
要部を拡大して示す斜視図である。 １２……パターン投影器、１３……顕微鏡、１
４……ダイ、１６……半導体装置、１７……ハー
フミラー、１８……位置合わせ用端子、１９……
外囲器、２０……半導体チツプ、２１……Ｘ―Ｙ
―θテーブル、２３〜２５……マイクロヘツド、
２７……ポンチ、２８……クランプ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 位置合わせ用端子が一体化された外囲器に半
   導体チツプが固定されてなる半導体装置の当該位
   置合わせ用端子に基準切欠き又は基準孔を形成す
   るものにおいて、位置決め用の投影光パターンを
   所定の位置に照射するパターン投影器と、前記半
   導体チツプが前記投影光パターンに一致するよう
   に前記半導体装置を移動させる移動機構と、前記
   投影光パターンと前記半導体チツプとの位置ずれ
   を検出して両者が一致するように前記移動機構を
   制御する手段と、前記半導体チツプの位置が前記
   投影光パターンに一致したとき、前記位置合わせ
   用端子を固定する固定手段と、前記固定された位
   置合わせ用端子に、前記半導体チツプの位置を基
   準とした基準切欠き又は基準孔を形成する手段と
   を具備したことを特徴とする半導体外囲器の取付
   部形成装置。