JPS59181700A - 半導体外囲器の取付部形成装置 - Google Patents
半導体外囲器の取付部形成装置Info
- Publication number
- JPS59181700A JPS59181700A JP5608783A JP5608783A JPS59181700A JP S59181700 A JPS59181700 A JP S59181700A JP 5608783 A JP5608783 A JP 5608783A JP 5608783 A JP5608783 A JP 5608783A JP S59181700 A JPS59181700 A JP S59181700A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- semiconductor
- envelope
- notch
- positioning
- Prior art date
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- Granted
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- Die Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体外囲器の取付部形成装置に係９、特に
機器に組込む際に８１Ｍ度の位置合わせを必要とする半
導体装置の位置合わせ用端子に基準切欠き又は基準孔を
形成する装置ばに関する。
機器に組込む際に８１Ｍ度の位置合わせを必要とする半
導体装置の位置合わせ用端子に基準切欠き又は基準孔を
形成する装置ばに関する。
ＣＣＤ （Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃ
ｅ ）等の光学的牛導体七ンサは、光学像が形成される
位置に精度良く位置決めして固定される必要がるり、機
器に組込む際には高精度な位置合わせが要求される。
ｅ ）等の光学的牛導体七ンサは、光学像が形成される
位置に精度良く位置決めして固定される必要がるり、機
器に組込む際には高精度な位置合わせが要求される。
従来、この位置合わせのために、予め端部に基準の切欠
きを設けた積層形セラミックパッケージが用いられてい
る。そして、ダイマウント部のメタライズを半導体チッ
プの太き芒に合わせて形成し、半導体チップのマウント
時に位置合わせを行っている。
きを設けた積層形セラミックパッケージが用いられてい
る。そして、ダイマウント部のメタライズを半導体チッ
プの太き芒に合わせて形成し、半導体チップのマウント
時に位置合わせを行っている。
しかしながら、このような従来の方法では之セラミック
パッケージに切欠き部を設けるときの位置４６度（±０
．１ ｖａｎ ） 、セラミノクパソケーソにメタライ
ズを形成するときの位置精度（±〇、 ２ ｗｎ） 、
及びチソゾマウント時の位置合わせ精度（±０．１ ｍ
ｍ ）が重なシ、最終的な精度が±０．２５〜０３咽程
度になってしまい、要求でれる±０．０５ｍ＋ｎの位置
精度が得られないという問題があった。このため、機器
に実装する時点で、切欠き部をねじ等で固定する際、光
１紬合わせ調兼作業を行う必要があった。
パッケージに切欠き部を設けるときの位置４６度（±０
．１ ｖａｎ ） 、セラミノクパソケーソにメタライ
ズを形成するときの位置精度（±〇、 ２ ｗｎ） 、
及びチソゾマウント時の位置合わせ精度（±０．１ ｍ
ｍ ）が重なシ、最終的な精度が±０．２５〜０３咽程
度になってしまい、要求でれる±０．０５ｍ＋ｎの位置
精度が得られないという問題があった。このため、機器
に実装する時点で、切欠き部をねじ等で固定する際、光
１紬合わせ調兼作業を行う必要があった。
また、従来のセラミックパンケージで精度を上げるため
には、切欠き部を機械加工等によシ鞘度良く形成し、か
つ、半導体チップをマウントする際にその切欠き部を基
暴とした位置に正確に固定できる作業者又はマウント装
置が必要である。しかし、セラミックを機械加工すると
パンケージは非常に高価なものとなり、また、非常に正
確なマウント作業をｇ氷した９、マウント装置の精度を
上げると歩留シが低下することになる。
には、切欠き部を機械加工等によシ鞘度良く形成し、か
つ、半導体チップをマウントする際にその切欠き部を基
暴とした位置に正確に固定できる作業者又はマウント装
置が必要である。しかし、セラミックを機械加工すると
パンケージは非常に高価なものとなり、また、非常に正
確なマウント作業をｇ氷した９、マウント装置の精度を
上げると歩留シが低下することになる。
この発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的
は、半導体装置の位置合わせ用端子に対し基準切欠き又
は基準孔を尚荀゛度に形成することができ、機器への実
装時においてあらためて位置合わせ調整作業を泌要とし
ない半導体外囲器の取付部形成製置を提供することに［
Ｆ］る。
は、半導体装置の位置合わせ用端子に対し基準切欠き又
は基準孔を尚荀゛度に形成することができ、機器への実
装時においてあらためて位置合わせ調整作業を泌要とし
ない半導体外囲器の取付部形成製置を提供することに［
Ｆ］る。
この発明は、位置合わせ用端子が一体化された外囲器に
半導体チップが固定されてなる半導体装置の当該位置合
わせ用端子に基準切欠き又は基準孔を形成するものにお
いて、所定の位置に前記半導体チップの形状に対応した
投影光ノソターンを照射し、この投影光パターンに６１
■記半導体チップの位置を一致させた後、前記位置合わ
せ用端子を固定し、しかる後にこの位置合わせ用端子に
前記半導体チップの位置を基帖として基準切欠き又は基
準孔を形成する装置である。
半導体チップが固定されてなる半導体装置の当該位置合
わせ用端子に基準切欠き又は基準孔を形成するものにお
いて、所定の位置に前記半導体チップの形状に対応した
投影光ノソターンを照射し、この投影光パターンに６１
■記半導体チップの位置を一致させた後、前記位置合わ
せ用端子を固定し、しかる後にこの位置合わせ用端子に
前記半導体チップの位置を基帖として基準切欠き又は基
準孔を形成する装置である。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
この発明は、特願昭５７−１８９６６号明細書（半導体
素子の製造方法）に記載の位置合わせ用端子が一体化さ
れた外囲器の当該位置合わせ用端子に、位置合わせのた
めの基準切欠き又は基準孔を形成する装置であり、この
基準切欠き又は基準孔の形成を、外囲器に半導体チップ
を固定した後にその固定位置を基準として行うものであ
る。
素子の製造方法）に記載の位置合わせ用端子が一体化さ
れた外囲器の当該位置合わせ用端子に、位置合わせのた
めの基準切欠き又は基準孔を形成する装置であり、この
基準切欠き又は基準孔の形成を、外囲器に半導体チップ
を固定した後にその固定位置を基準として行うものであ
る。
第１図はこの半導体外囲器の数句部形成装置の具体的な
構成を示している。同図において、支持台１１上にはパ
ターン投影器１２及び■倣鏡１３がそれぞれ固定されて
いる。顕微鏡１３の下方にはダイ１４が固定されている
。このダイ１４には第２図に示すように収納部１５が設
けられておシ、この収納部１５内に半導体装置１６が収
納され、位置合わせが行われるようになっている。顕微
鏡１３にはパターン投影器１２に対向してハーフミラ−
１７が取シ付けられている。すなわち、パターン投影器
１２から照射されたパターン光は、第１図に一点鎖線ａ
で示すようにノ・−フミラー１７で反射された後半導体
装置１６上に投影されるようになっている。半導体装置
１６１１−１：前述のように位置合わせ用端子１８が一
体化された外囲器１９内にＣＣＤ等の半導体チップ２０
が固定されたものである。
構成を示している。同図において、支持台１１上にはパ
ターン投影器１２及び■倣鏡１３がそれぞれ固定されて
いる。顕微鏡１３の下方にはダイ１４が固定されている
。このダイ１４には第２図に示すように収納部１５が設
けられておシ、この収納部１５内に半導体装置１６が収
納され、位置合わせが行われるようになっている。顕微
鏡１３にはパターン投影器１２に対向してハーフミラ−
１７が取シ付けられている。すなわち、パターン投影器
１２から照射されたパターン光は、第１図に一点鎖線ａ
で示すようにノ・−フミラー１７で反射された後半導体
装置１６上に投影されるようになっている。半導体装置
１６１１−１：前述のように位置合わせ用端子１８が一
体化された外囲器１９内にＣＣＤ等の半導体チップ２０
が固定されたものである。
半導体チノ７’１６はＸ−＝Ｙ−θテーブル２１の先端
部に設けられた回転台２２上に載Ｉ道されている。Ｘ−
Ｙ−θテーブル２１は、マイクロヘッド２３によりＸ方
向、マイクロヘッド２４によシｙ方向に回転台２２の位
置をｐＩばき、さらにマイクロヘッド２５によシ回転台
２２の回転を微調整できるようになっている。これによ
り、半導体装置１６の位置を微調整し、半導体チップ２
０の位置を上記パターン投影光に一致させるものである
。ダイ１４の上方部にはポンチホルダ２６によシ保持さ
れた２個のポンチ２７（一方は図示せず。）が配設され
ており、これらポンチ２７間の絶対中央位置に前記パタ
ーン元が投影されるようになっている。ポンチホルダ２
６とダイ１４との間にはス） ＩＪソバを兼ね、上下移
動するクランプ２８が配設されておシ、このクランプ２
８に設けられたガイド孔２９を通してポンチ２７が上下
移動するようになっている。ポンチホルダ２６及びクラ
ンプ２８はそれぞれレバー３θ、３１を介してシリンダ
３２により駆動されるようになっている。
部に設けられた回転台２２上に載Ｉ道されている。Ｘ−
Ｙ−θテーブル２１は、マイクロヘッド２３によりＸ方
向、マイクロヘッド２４によシｙ方向に回転台２２の位
置をｐＩばき、さらにマイクロヘッド２５によシ回転台
２２の回転を微調整できるようになっている。これによ
り、半導体装置１６の位置を微調整し、半導体チップ２
０の位置を上記パターン投影光に一致させるものである
。ダイ１４の上方部にはポンチホルダ２６によシ保持さ
れた２個のポンチ２７（一方は図示せず。）が配設され
ており、これらポンチ２７間の絶対中央位置に前記パタ
ーン元が投影されるようになっている。ポンチホルダ２
６とダイ１４との間にはス） ＩＪソバを兼ね、上下移
動するクランプ２８が配設されておシ、このクランプ２
８に設けられたガイド孔２９を通してポンチ２７が上下
移動するようになっている。ポンチホルダ２６及びクラ
ンプ２８はそれぞれレバー３θ、３１を介してシリンダ
３２により駆動されるようになっている。
なお、第２図においては、説明の都合上、ｘ−Ｙ−〇テ
ーブル２１の回転台２２号をダイ１４の収納部１５から
ａかして図示しであるが、笑−除には回転台２２は収納
部１５内に人９、位置合わせ用端子Ｊ８の下面部とダイ
１４の上面部が一致するようになっている。
ーブル２１の回転台２２号をダイ１４の収納部１５から
ａかして図示しであるが、笑−除には回転台２２は収納
部１５内に人９、位置合わせ用端子Ｊ８の下面部とダイ
１４の上面部が一致するようになっている。
すなわち？”Ｂ７’ｊｉｌｈ体外囲器の取イ・」部形成
装置においては、ノセターン投影器１２によ５． 第２
１ｄに示すような半導体チップ２θの形状に対応したパ
ターン光３３が照射され、−・−フミラー１７で反射さ
れた後、半導体装置１６上に投影される。このパターン
光３３はポンチ２７同の絶対中央位置に投影されるもの
で、作業者が顕Ｍｔ、＠ｚｓを見ながらマイクロヘッド
２３〜２５によｐ半導体チップ２０の位置をパターン光
３３に合わせると、位置合わせ用端子１８″に形成され
る切欠き（又は孔）は必然的に半畳体チップ２０を基準
とすることになる。
装置においては、ノセターン投影器１２によ５． 第２
１ｄに示すような半導体チップ２θの形状に対応したパ
ターン光３３が照射され、−・−フミラー１７で反射さ
れた後、半導体装置１６上に投影される。このパターン
光３３はポンチ２７同の絶対中央位置に投影されるもの
で、作業者が顕Ｍｔ、＠ｚｓを見ながらマイクロヘッド
２３〜２５によｐ半導体チップ２０の位置をパターン光
３３に合わせると、位置合わせ用端子１８″に形成され
る切欠き（又は孔）は必然的に半畳体チップ２０を基準
とすることになる。
このような位置合わせが完了すると、次にクランプ２８
が下降し、半導体装置１６の位置合わせ用端子１８がダ
イ１４上に固定される。位置合わせ用端子１８が固定さ
れると、次にポンチホルダ２６と共にポンチ２７が下降
し、位置合わせ用端子１８を打抜く。これによシ、位置
合わせ用端子１８にポンチ２７の断面形状と同形状の基
準切欠き（又は基準孔）が形成される。
が下降し、半導体装置１６の位置合わせ用端子１８がダ
イ１４上に固定される。位置合わせ用端子１８が固定さ
れると、次にポンチホルダ２６と共にポンチ２７が下降
し、位置合わせ用端子１８を打抜く。これによシ、位置
合わせ用端子１８にポンチ２７の断面形状と同形状の基
準切欠き（又は基準孔）が形成される。
このようにこの半導体外囲器の取付部プレ成装置におい
ては、外囲器１９に予め半畳体チップ２０が固定式れた
半導体装置１６に、その半導体チノ７°２０の位置を基
準とした切欠き（又は孔）を形成するものでりり、この
ため旨鞠度（±０．０５ ｔｔａｎ ）な加工が可能と
なる。従って、従来、実装時に必要であった元軸合わせ
調整作業が不要となる。また、機械加工等によりセラミ
ノクパノケーノに切欠き部を形成する方法に比べると、
外囲器を安価なものとすることができ、マウント鞘度自
体は比較的悪くしてもよく、従って鞘゛度を要求して歩
貿りを低下させることはない。
ては、外囲器１９に予め半畳体チップ２０が固定式れた
半導体装置１６に、その半導体チノ７°２０の位置を基
準とした切欠き（又は孔）を形成するものでりり、この
ため旨鞠度（±０．０５ ｔｔａｎ ）な加工が可能と
なる。従って、従来、実装時に必要であった元軸合わせ
調整作業が不要となる。また、機械加工等によりセラミ
ノクパノケーノに切欠き部を形成する方法に比べると、
外囲器を安価なものとすることができ、マウント鞘度自
体は比較的悪くしてもよく、従って鞘゛度を要求して歩
貿りを低下させることはない。
尚、上記実施例においては、作業者が顕倣鏡１３を目ネ
光観察しながらマイクロヘッド２３〜２５を調整するこ
とによυ、半導体チップ２０の位置合わ＋！：を行って
いるが、光学電気的装置を組合せることにより自動的に
位置合わせを行うことも可能である。また、ポンチ２７
の数は２個に限定するものではなく、位１錠合わせ用端
子１８の数に★′り応して設ければよく、更に、ポンチ
１８の代りにドリルによｐ基準孔を形ｂｙ、″ｊるよう
にしてもよい。
光観察しながらマイクロヘッド２３〜２５を調整するこ
とによυ、半導体チップ２０の位置合わ＋！：を行って
いるが、光学電気的装置を組合せることにより自動的に
位置合わせを行うことも可能である。また、ポンチ２７
の数は２個に限定するものではなく、位１錠合わせ用端
子１８の数に★′り応して設ければよく、更に、ポンチ
１８の代りにドリルによｐ基準孔を形ｂｙ、″ｊるよう
にしてもよい。
以上のようにこの発明によれば、半導体装置の位置合わ
せ用端子の基準切欠き又は基準孔を、半導体チップとの
相対的位置において尚１８度に形成することができるの
で、機器への実装時にあらためて位置合わせｒＡ整作業
をする必侵がなくなる。
せ用端子の基準切欠き又は基準孔を、半導体チップとの
相対的位置において尚１８度に形成することができるの
で、機器への実装時にあらためて位置合わせｒＡ整作業
をする必侵がなくなる。
紀１図はこの発明の一災施例に係る半導体外囲器の取付
部形成装置の斜視図、第２図は第１図の要部を拡大して
示ｆ−斜視図である。 １２・・・パターン投影器、１３・・・嗣倣鋭、１４・
・・ダイ、１６・・・半導体装置、１７・・ハーフミラ
−１１８・・・位置合わせ用端子、１９・・・外囲器、
２０・・・半導体チップ、２ノ・・・Ｘ−Ｙ−θテーブ
ル、２３〜２５・・・マイクロヘッド、２７・・・ポン
チ、２８・・・クランプ。
部形成装置の斜視図、第２図は第１図の要部を拡大して
示ｆ−斜視図である。 １２・・・パターン投影器、１３・・・嗣倣鋭、１４・
・・ダイ、１６・・・半導体装置、１７・・ハーフミラ
−１１８・・・位置合わせ用端子、１９・・・外囲器、
２０・・・半導体チップ、２ノ・・・Ｘ−Ｙ−θテーブ
ル、２３〜２５・・・マイクロヘッド、２７・・・ポン
チ、２８・・・クランプ。
Claims (1)
- 位置合わせ用端子が一体化された外囲器に半導体チップ
が固定されてなる半導体装置の当該位置合わせ用端子に
基準切欠き又は基準孔を形成するものにおいて、位置決
め用の投影光パターンを所定の位置に照射するパターン
投影器と、前記半導体チップが前記投影光パターンに一
致するように前記半導体装置を移動させる移動機構と、
前記投影光・やターンと前記半導体チップとの位置ずれ
を検出して両者が一致するように前記移動機構を制御す
る手段と、前記半導体チップの位置が前記投影光パター
ンに一致したとき、前記位置合わせ用端子を固定する固
定生膜と、前記固定された位置合わせ用端子に、前記半
導体チップの位Ｍ’ｆｃ基準とした基準切欠き又は基準
孔全形成する手段とを具備したことを特徴とする半導体
外囲器の取付部形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5608783A JPS59181700A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 半導体外囲器の取付部形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5608783A JPS59181700A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 半導体外囲器の取付部形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59181700A true JPS59181700A (ja) | 1984-10-16 |
| JPH0141258B2 JPH0141258B2 (ja) | 1989-09-04 |
Family
ID=13017307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5608783A Granted JPS59181700A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 半導体外囲器の取付部形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59181700A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3519848A1 (de) * | 1985-06-03 | 1986-12-04 | Veit GmbH & Co, 8910 Landsberg | Dampfbuegelstation |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP5608783A patent/JPS59181700A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3519848A1 (de) * | 1985-06-03 | 1986-12-04 | Veit GmbH & Co, 8910 Landsberg | Dampfbuegelstation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0141258B2 (ja) | 1989-09-04 |
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