JPH0141273B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は二つの伝導体層の間にはさまれた誘電
体すなわち絶縁体の層を貫いて伝導性の貫通孔を
形成するための改良方法に関する。この方法は、
殊にプリント回路板の形成に有用なものである。 米国特許第3969815号明細書には、基体の対向
した側面上に配置された２つの金属層に電気的連
結を生ぜしめる方法が開示されている。そこでは
この２つの金属層および中間の絶縁体層を貫いて
孔がはじめにドリルによつてか又は孔あけによつ
て作られる。この絶縁体層中の孔は絶縁体層のみ
をエツチングする選択的エツチング法によつて拡
大され、絶縁体層中に拡大された環状孔を形成し
て、これによつて金属層部分をアンダーカツトす
る。その後で絶縁体層の対向した側のこれら張り
出した金属部分は圧力をかけることにより互に接
触するか又はほとんど接触するに至るまでに変形
される。この変形された金属部分は好ましくは亜
鉛による薄層のオーバーコートである、電気メツ
の金属（galvanic metal）により被覆されて伝
導通路を形成する。 本発明は２つの伝導体層の間にはさまれた誘電
体層中に導電性通路を作るための方法であつて、 (a) 誘電体層からは実質的に何らの物質を取り去
ることなく伝導体層のうちの少なくとも１つを
完全に貫いて環状の孔を形成させ、 (b) この孔を通してこの誘電体層をエツチングす
ることができる液体を用いてこの誘電体層を化
学的にエツチングしそれによつて伝導体層の間
の誘電体層を完全に貫通して通路（pathway）
を形成させ、そしてまた伝導体層はその伝導体
層中の孔に近接した誘電体物質のところでアン
ダーカツトし、 (c) このアンダーカツトした伝導体層を他方の伝
導体層に向つて変形させて互いに接触させ、そ
して (d) この２つの伝導体層の間に上記の通路を通つ
て導電性通路を形成させる、 ことからなる。 第１Ａ図は電気伝導体層、誘電体層および電気
伝導体層とからなり、導電体層の１つを貫いて孔
が設けられている複合物品の断面図である。 第１Ｂ図は第１Ａ図に示された物品であつて、
その誘電体層を貫いて付加的にエツチングにり孔
が形成された断面図である。 第１Ｃ図は第１Ｂ図に示された物品であつて、
誘電体層中の孔へ導電体層が変形されて入りこん
でいることを示す断面図である。 第２Ａ図は導電体層、誘電体層および導電体層
とからなり、各々の導電体層を貫いて孔が設けら
れている複合物品の断面図である。 第２Ｂ図は、第２Ａ図の物品であつて、その誘
電体層中にエツチングによつて付加的に孔が形成
された断面図である。 第２Ｃ図は第２Ｂ図に示された物品であつて、
その誘電体層中の孔へ導電体層が変形されて入り
こんでいることを示す断面図である。 第３Ａ図は導電体層、誘電体層および導電体層
とからなる複合物品であつて、この複合物品を貫
いて孔が設けられている断面図である。 第３Ｂ図は第３Ａ図の物品であつて、その誘電
体層中に拡大された孔が付加された断面図であ
る。 第３Ｃ図は第３Ｂ図に示された物品であつて、
孔の中へ導電体層が変形されて入りこんでいるこ
とを示す断面図である。 本発明は特に２つの導電性物質の間にはさまれ
た誘電体層を貫いて設けられる伝導性の貫通孔の
形成、とりわけ、多数の精密に位置ぎめされた貫
通孔の形成に、使用されるものである。一般に、
導電体層は金属、好ましくは銅であり、一方誘電
体物質は通常は電気絶縁性の重合体である。 誘電体物質によつて隔てられた導電体物質の２
つの層からなる複合材料は、回路板を形成するた
めの慣用の出発材料であるが、ここでも好適な材
料である。一般にこの誘電体層は厚さが少くとも
１ミルであり、また伝導体層は厚さが0.7から2.8
ミルである、例えば銅箔であるが、より薄いか又
はより厚い層の両者について用いることができ
る。絶縁層の構成材料については限定的ではな
く、ただこれら材料は液体化学のエツチングの技
法によつて除去しうるものであれば良い。 本発明においては誘電体層の材料のいかなる実
質的な除去を伴うことなしに伝導体層の少なくと
も１つに孔を形成することが必要である。伝導体
層中に孔を形成するのには好ましくはプリント回
路の形成において良く知られた化学エツチングが
用いられる。このような化学エツチング法の１つ
の例には、ネガ型感光性フイルムを誘電体層とは
面していない伝導体表面に積層し、この感光性重
合体をフオトマスクを通して化学線に露光させ、
現像し、未露光の感光性重合体を取り除いて金属
層の部分を露出させ、その後でこの露出された伝
導体層をその厚みの全体にわたつて完全に化学的
にエツチングする方法が含まれる。この化学的エ
ツチング工程によつては感光性重合体層からはほ
とんど物質を除かないか又は全く物質を除くこと
はない。好ましい方法は米国特許第3469982号明
細書中に開示されている。またポジ型フオトポリ
マーはその現像方法と共に当該技術分野ではよく
知られており、例えば米国特許第4193797号明細
書中に開示されており、これらも同様に用いるこ
とができる。 伝導体層中に化学的にエツチングされた孔の直
径は小さいもの、例えば25から250ミクロンの範
囲にすることができる。また伝導体層の化学エツ
チングは非常に多数の孔を同時に、例えば数百又
は数千の孔を容易に12インチ×12インチの大きさ
の回路板の複合材の空所に形成させることができ
る。存外、機械ドリルによる孔あけ又はパンチに
よる孔あけは孔の数の増加に従つてエラーの機会
が増大する面倒な工程である。またドリルによる
孔あけ又はパンチによる孔あけによつては325ミ
クロンよりも小さくない直径の孔が一般に得られ
る。 誘電体層を構成する材料については限定的では
なく、ただこれらの材料は液体の化学エツチング
剤によつてエツチングしうるものであれば良い。
液体によつて誘電体材料を通して選択的にエツチ
ングすることができるこのようなエツチング剤及
びエツチング技法は当該技術分野では良く知られ
ている。このエツチング剤は伝導性物質の実質的
な除去を生じさせることはない。適当なエツチン
グ剤には米国特許第3969815号明細書中で開示さ
れたものがあり、例えばポリエステル及びエポキ
シド樹脂に対しては硫酸溶液を用いることができ
る一方、ポリイミドに対しては苛性アルカリのア
ルコール溶液が適当である。伝導体金属によつて
マスクされていない重合体の領域はエツチングし
て取り去つてしまうが、金属にはなんらの有害な
作用を及ぼさないような、任意の溶媒を用いるこ
とができる。溶媒の例としてはテトラクロロエチ
レン、メチルクロロホルム、容量で90％のテトラ
クロロエチレンと10％のイソブチルアルコールと
の混合物およびクロム酸が挙げられる。 図面について説明すると、第１Ａ図の態様では
伝導体層１２に化学的にエツチングされて作られ
た孔１４を有する複合材料を示している。この伝
導体層に対するエツチング剤は誘電体層１１には
認められるようなエツチング作用は及ぼしていな
い。 その後で、この伝導体層中に形成された孔を通
して誘電体層を化学的にエツチングするために選
択的な液体エツチング法が用いられる。これによ
つて形成された複合材料は第１Ｂ図に示される
が、この図中には伝導体層１２中において張り出
し部分１５が存在している。このエツチング法に
よつて誘電体の壁の構造１６は角度をなしたもの
となつており、これによりこの液体エツチング剤
は誘電体層の厚みの全体にわたつて完全に物質を
除去し、かつその間に同時に貫通孔の形成に当り
誘電体を横方向にもエツチングする。 孔が誘電体を完全に貫いて完成した後で、アン
ダーカツトされた伝導体層１５（すなわち張り出
し部分）は変形されて層１３と接触するようにさ
れるか又は密接に接触するようにされる。適当な
方法はアンダーカツトされた伝導体部分に直接圧
力をかけることである。これの態様は第１Ｃ図に
示されるが、この図において伝導体部分１５はエ
ツチングされた誘電体表面１６を被覆する。この
後で、もしも必要ならばこの変形された電気伝導
体材料は銅のような金属で電解的にメツキされる
か、はんだづけされるか、又は溶接されて誘電体
層を貫通した導電性通路が完成されるか又は確実
なものとされる。本発明による技法に基づく貫通
孔の形成によつて薄い伝導体層、例えば3.0ミル
又はそれ以下のものが使用できるようになつた
が、誘電体層を貫いて孔がドリルであけられるこ
れまでのドリルによる孔あけの技法では第２の伝
導体層の保全性を破壊する、すなわちこの第２の
伝導体層にも孔が形成されるのでこのような薄い
伝導体層には使用することができなかつたのであ
る。 本発明のその他の態様は第２Ａ図、第２Ｂ図及
び第２Ｃ図に示される。これらの図中では第１Ａ
図中に示された１つの伝導体に孔が設けられたも
のとは異なり、孔２４ａ及び２４ｂは互に対向し
た伝導体層２２及び２３の両方に設けられる。こ
の変更を除いては同一の操作工程が用いられる
が、但し誘電体のエツチングは両側の表面から同
時に進行させることができる。金属伝導体は２５
ａ及び２５ｂのところでアンダーカツトされる。
誘電体の対向する側からの同時にエツチングによ
つて誘電体壁２６中に２つの明確な角度をなした
壁の部分が存在する。この誘電体のエツチングの
完了後、アンダーカツトされた伝導体部分は他の
夫々の伝導体部分の方向に変形せしめられて接触
させられるか又はほぼ接触させられる。第２Ｃ図
は圧縮された伝導体部分２５ｃ及び２５ｄを誘電
体表面２６ａと対比して示すものである。その後
で、もし所望ならば電解メツキ、はんだづけ又は
溶接を行なつて電気伝導体性を確実なものにす
る。 第３Ａ図、第３Ｂ図及び第３Ｃ図の態様は米国
特許第3969815号明細書記載の方法に従つて作ら
れた物品及び貫通孔を例示するものである。導電
体層３２、誘電体層３１及び導電体層３３からな
る複合体はその中にドリル又はパンチであけられ
た孔３４を有し、これは第３Ａ図に示されてい
る。第３Ｂ図に示される態様では誘電体層を選択
的にエツチングして取り去るために液体の化学エ
ツチング剤が用いられて壁３６が形成されるが、
この壁は導電性の張り出し部分３５ａ及び３５ｂ
とは実質的に平坦な壁をなしている。第３Ｃ図に
示される態様ではこれらの伝導体層を誘電体中の
孔の中に押し込む変形によつて、押しつけられた
伝導体部分３５ｃ及び３５ｄの形成が生じ、そし
て誘電体の表面部分３６ａはこの伝導体層の変形
の力によつて外方に屈曲される。 先行技術によるドリルでの孔あけ操作によつて
は、たつた１つの伝導体のみがその中に任意の孔
を形成せしめられる第１Ａ図、第１Ｂ図及び第１
Ｃ図に示される態様のものとは異なり、両方の伝
導体中に孔の形成が起つてしまうのである。伝導
体としては箔、及び他の薄いシートを使用するこ
とができ、そしてこの伝導体はその完全な形状を
留めるものである。また先行技術との比較では、
第１Ｃ図、及び第２Ｃ図に示される態様の物品は
その通路のところで伝導体部分に対するひずみを
より小さくすることができる。先行技術の第３Ｃ
図に示された伝導通路の形成に当つて起きる誘電
体の変形はこの発明の態様のものよりも大きな残
留ひずみを引き起すことになる。また一般に云つ
て機械ドリルによる孔あけで実用的に形成させる
ことができる最も小さい孔は325ミクロンのオー
ダーのものである。これと対比して本発明におい
て用いられる好ましい化学的エツチング技法では
伝導体層中の孔は可なり小さい例えば25〜250ミ
クロンの範囲とすることができる。勿論のことで
あるが、もし必要であればより大きい孔を形成さ
せることもできる。 本発明の方法は殊に多層の回路構成要素の形成
に適用されるものである。例示的に述べれば誘電
体層を貫いて１つの伝導性の通路が完成した後に
新たな誘電体層を少くとも１つの伝導体層に適用
することができ、そしてこの誘電体層の上に新た
な伝導体層を適用することができるのである。こ
の新たな誘電体層と伝導体層とは導電性貫通孔を
有する物品に同時に施すこともできるのである。
すなわち、事前に処理して少くとも１つの貫通孔
を形成させておいた伝導体層上に誘電体層と伝導
体層との複合体を積層させるのである。その後で
この新たに適用した誘電体層を貫いてこれ迄に開
示された技法に従つて導電性通路が形成される。 以下の実施例では、特記しないかぎりすべての
部と百分率は重量によるものとする。 実施例 １ 0.001インチ（0.0025cm）のポリエチレンテレ
フタレートのシート上に、熱硬化しうる重合体を
82％のメチレンクロライド18％のエチルセロソル
ブ（固体含有量47％）から被覆し、乾燥させ、そ
してポロプロピレンカバーシートに積層した。こ
の3.0ミル（0.0076cm）の厚さの乾燥した重合体
は次の組成よりなるものであつた。 スチレン―ブタジエン／アクリロニトリル／メ
チルメタクリレートの共重合体 23.6％ メチルメタクリレート（95.5）／エチルアクリ
レート（4.5）の共重合体 8.0％ ビスフエノールＡのジ―（３―アクリロキシ―
２―ヒドロキシプロピルエーテル 15.1％ ペンタエリスリトールトリアクリレート 25.0％ ベンゾフエノン 5.3％ ビスフエノールＡのビスアクリロキシエチルテ
トラブロモ 10.0％ ４，4′ビスジメチルアミノベンゾフエノン
0.3％ モナストラール（Monastral） 緑色顔料
0.5％ ３―メルカプト―１，２，４―トリアゾール
12.0％ ポリプロピレンカバーシートをはずし、この粘
稠なフオトポリマーを一枚の銅張りエポキシガラ
スの積層体に積層した。そしてポリエチレンテレ
フタレートシートをはずし、一枚の厚さ1.0ミル
（0.0025cm）の銅箔をこの重合体が被覆されてい
る銅張り基体に積層した。この銅箔中にリストン
（Riston） 1210を用い、そして米国特許第
3469982号明細書に記載された方法で小さな10ミ
ル（0.025cm）の孔を形成させた。この試料をメ
チルクロロホルムを満した超音波洗浄機中に45秒
間浸漬し、それで重合体を孔から除去して約５ミ
ル（0.0127cm）の銅の張り出し部分を残した。こ
の試料は水中ですすぎ洗いして現像を停止し、
150℃で16時間熱硬化した。 現像および硬化の後この銅／重合体／銅のサン
ドイツチ状物を積層プレス中に置きゴム製のパツ
ドで覆つた。このパツドはポスト４ミル
（17000／平方インチ）の普通のパターンを有する
ものであつた。このプレスは1000psiに加圧され
て銅の張り出し部分を下の銅の層上に押しつぶさ
れた。この銅／重合体／銅のサンドイツチ状物は
酸性の硫酸銅鍍金浴中で15分間30アンペア／平方
フイートの条件下に電気メツキされた。 このメツキしたサンドイツチ状物の上部をリス
トン 1210で被覆し、70ミル（0.1778cm）のパツ
ドは米国特許第3469982号明細書に記載された回
路エツチング技法を用いて押しつぶされそしてメ
ツキされた孔にそつてエツチングされた。出来上
つた通路は導電性を有していた。 実施例 ２ シリコンで処理された１ミル（0.0025cm）のポ
リエチレンテレフタレートフイルム上に、熱硬化
しうる重合体組成物をメチレンクロライド（固体
含有量35％）から被覆し、乾燥させて2.0ミル
（0.005cm）の厚さにした。この重合体組成物は次
の構成々分からなるものであつた。 ビスフエノールＡのジアクリレートエステルエ
ポキシ樹脂（25℃の粘度1000000cp比重＝1.2）
15.0％ ペンタエリスリトールトリアクリレート 10.0％ トリメチロールプロパントリアクリレート
15.0％ エチルアクリレート（56）／メチルメタクリレ
ート（37）／アクリル酸(7)の共重合体（分子量
260000、酸価76〜85） 25.0％ ヘキサメトキシメチルメラミン 9.0％ メチルメタクリレート／ブタジエン／スチレン
共重合体（比重＝1.0） 20.0％ ベンゾフエノン 5.0％ ４，4′ビスジメチルアミノベンゾフエノン
0.3％ モナストラール緑色顔料 0.7％ 〔４―〔ビス―〔ｐ―（ジメチルアミノ）―フ
エニル〕メチレン〕―２，５―シクロヘキサジ
エン―１―イリデン―Ｎ―メタニウムクロライ
ド 0.015％ この重合体組成物を7.62cm×7.62cmの大きさの
１枚の銅張りエポキシガラスの積層体に積層し
た。ポリエチレンテレフタレートフイルムをはず
し、1.0ミル（0.0025cm）の厚さの銅箔をこの重
合体組成物に積層した。この銅箔中に実施例１に
記載した方法を用いて10ミル（0.025cm）の孔を
形成させ、この集積されたサンドイツチ状物をメ
チルクロロホルムの噴霧の中に浸漬してて上記孔
から重合体組成物を除き、そして銅箔中の孔にす
べての方向に約３ミル（0.0076cm）の大きさのア
ンダーカツトを形成させた。現像後、全体
（package）を150℃で１時間加熱することにより
熱硬化させた。 銅箔の張り出し部分は次いで個々に小さな金属
のさぐり針（probe）を用いて押しつぶした。 この部品は次いで標準的な酸性の銅メツキ浴中
で電気メツキされ、銅張り積層体上に銅箔の張り
出し部分を押しつぶすことによつて生じた相互の
結合を更に強固にすることもできる。 この上部の銅箔は次いでリストン 1210で被覆
されても良く、そして所望の回路パターンを確定
するために実施例１に記載のように処理される。 この処理工程は隠れた相互連絡路を有する多層
の回路板を組み立てるために繰り返し行うことも
できる。 実施例 ３ 銅張りエポキシガラスの積層体上にメチレンク
ロライド（固体含有量35％）からフイルムを被覆
した。乾燥後このフイルムの厚さは２ミル
（0.005cm）であり、そして次の組成を有するもの
であつた。

【表】

【表】 １ミルの厚さの銅箔を上記の被覆の上に熱を加
えて積層した。この上部の銅箔中に、回路板製造
の技術分野でよく知られた技法を用いて、10ミル
（0.025cm）の孔をエツチングによつて作つた。こ
の試料板をメチルクロロホルムを満した超音波ク
リーナー中に１分間浸漬して重合体―エポキキシ
被覆を除去し、銅の５ミル（0.0127cm）の張り出
し部分を残すようにした。10ミル（0.025cm）の
厚さの厚紙のシートと、40ミル（0.10cm）のシリ
コンゴムのパツドをこの現像処理した試料の上に
載置した。積層プレスを用いて20000psiの圧力を
加えて銅の張り出し部分を下部の銅張りエポキシ
ガラス積層体上におしつぶした。この試料は150
℃で１時間硬化処理された。この試料に慣用のメ
ツキ技術を用いて1/2ミル（0.00127cm）の銅を電
気メツキして良好な電気結合を確実にするように
した。最後に上部の銅箔に標準的な回路エツチン
グ技法を用いて所望の回路パターンを形成させ、
回路板を完成した。 実施例 ４ ポリエチレンテレフタレートフイルム上へ熱硬
化性重合体をメチレンクロライド（35％固体含有
量）から被覆した。この重合体は次の成分組成を
有するものであつた。 成 分 ビスフエノールＡのジアクリレートエステル
20％ ペンタエリスリトールトリアクリレート 20％ メチルメタクリレート（95.5）／エチルアクリ
レート（4.5）の共重合体 ６％ スチレン―ブタジエン／アクリロニトリル／メ
チルメタクリレートの共重合体 27％ ベンゾフエノン 4.0％ ４，4′ビスジメチルアミノベンゾフエノン
0.5％ 白土（0.5ミクロン） 22.0％ モナストラール緑色顔料 0.5％ この乾燥した被覆は0.002インチ（0.0051cm）
の厚さであつた。この層の２つ（0.004インチす
なわち0.0102cm）を銅張りエポキシガラスの一枚
の板に積層した。各々の積層の後で被覆シートを
取り除いた。そして粘稠な重合体に0.001インチ
（0.00254cm）の厚さの銅箔の一枚を積層し、銅／
重合体／銅張り積層体の構造物を得た。 この積層した銅箔にリストン 1210を用いて実
施例１に記載した方法で0.01インチ（0.0254cm）
の孔のパターンを形成させた。この部品を次いで
超音波クリーナー中のメチルクロロホルムに１分
間浸漬し、孔から重合体を取り除いて少くとも
0.005インチ（0.0127cm）の銅の張り出し部分を
残した。次いでこの部品は150℃で８時間熱硬化
させた。硬化の後、部品を積層プレス中に、孔の
側を上にし、実施例１に記載したようにくぼみの
あるゴムのパツドシートと共に載置した。
1000psiの圧力を10秒間かけて銅箔の張り出しを
押しつぶし、そうして銅の積層体にそれが接触す
るようにした。この部品をプレスから取り出し、
標準的な酸性の銅の電気メツキ浴中で電気メツキ
して結合を増大させた。この部品の押しつぶされ
た張り出し部分のある側をリストン 1210で被覆
し、実施例１に記載した方法によつて処理し、所
望の回路パターンを確定した。 実施例 ５ 実施例４を銅箔の張り出しを個々に小さい金属
のさぐり針（probe）で押しつぶすことを除いて
繰り返した。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図は本発明の実施の態様を示す複合物品
の断面図であり、第１Ｂ図は第１Ａ図に示された
物品であつて、誘電体層を貫いて付加的にエツチ
ングにより孔が形成された断面図であり、第１Ｃ
図は第１Ｂ図に示された物品であつて、誘電体層
中の孔へ導電体層が変形されて入りこんでいるこ
とを示す断面図であり、第２Ａ図は本発明の別の
実施の態様を示す複合物品の断面図であり、第２
Ｂ図は第２Ａ図の物品であつて、誘電体層中にエ
ツチングによつて付加的に孔が形成された断面図
であり、第２Ｃ図は第２Ｂ図に示された物品であ
つて、誘電体層中の孔へ導電体層が変形されて入
りこんでいることを示す断面図であり、第３Ａ図
は従来技術による複合物品の断面図であり、第３
Ｂ図は第３Ａ図の物品であつて、誘電体層中に拡
大された孔が付加された断面図であり、第３Ｃ図
は第３Ｂ図に示された物品であつて、孔の中へ導
電体層が変形されて入りこんでいることを示す断
面図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ２つの伝導体層の間にはさまれた誘電体層中
   に導電性通路を形成するための方法であつて、 (a) 誘電体層からは実質的に何らの物質を取り去
   ることなくこの伝導体層のうちの少くとも１つ
   を完全に貫いて環状の孔を形成させ、 (b) この孔を通してこの誘電体層をこの誘電体層
   をエツチングすることができる液体を用いてエ
   ツチングし、それによつて伝導体層の間の誘電
   体層を完全に貫いて通路を形成させ、またそれ
   によつて伝導体層はその伝導体層中の孔に近接
   した誘電体物質のところをアンダーカツトし、 (c) このアンダーカツトした伝導体層を他の伝導
   体層に向つて変形させて互いに接触させ、そし
   て、 (d) この２つの伝導体層の間に上記の通路を通つ
   て導電性通路を形成させる ことからなる方法。 ２ 工程(a)において１つの伝導体層にのみ孔を形
   成させる特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ３ 工程(a)において形成される孔をその中に有し
   ない伝導体層が3.0ミルよりも大きくない厚さを
   有する特許請求の範囲第２項に記載の方法。 ４ 伝導体層が銅である特許請求の範囲第２項に
   記載の方法。 ５ 工程(a)において重合体誘電体層の両側の伝導
   体層に孔を形成させ、そして工程(b)において伝導
   体層中のこの両側の孔を通して誘電体層が液体を
   用いてエツチングされる特許請求の範囲第１項に
   記載の方法。 ６ 工程(d)における電気的接続が２つの伝導体層
   の接触によつて形成される特許請求の範囲第１項
   に記載の方法。 ７ 工程(d)における電気的接続の形成が導電性材
   料の電気メツキ、はんだづけまたは溶接によつて
   確実にされる特許請求の範囲第１項に記載の方
   法。 ８ 工程(a)において複数個の孔が同時に形成さ
   れ、そして工程(b)において複数個の通路が同時に
   形成される特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ９ 絶縁体層が少くとも１ミルの厚さを有する特
   許請求の範囲第１項に記載の方法。 １０ 工程(a)のエツチングが化学的エツチングで
   ある特許請求の範囲第１項に記載の方法。 １１ 工程(c)及び工程(d)が実質的に同時に行なわ
   れる特許請求の範囲第１項に記載の方法。 １２ ２つの銅の伝導体層の間にはさまれた誘電
   体層を貫いた導電性通路を形成するための方法で
   あつて、 (a) 化学的エツチングによつて誘電体層から実質
   的に何らの物質を取り去ることなく１つの銅の
   伝導体層を完全に貫いて孔を形成させ、 (b) この孔を通してこの重合体の誘電体層をこの
   誘電体層をエツチングすることができる液体の
   エツチング剤を用いてエツチングし、それによ
   つて１つの銅の伝導体層はその銅の伝導体層中
   の孔に近接した誘電体物質のところをアンダー
   カツトし、 (c) このアンダーカツトした銅の伝導体層を第２
   の銅の伝導体層に向つて変形させて互いに接触
   させ、 (d) この２つの銅の伝導体層の間に通路を通つて
   導電通路を形成させる ことからなる特許請求の範囲第１項に記載の方
   法。 １３ 複数の伝導体層の間に交互にはさまれた複
   数の誘電体層中に導電性通路を形成するための方
   法であつて、 (イ) ２つの伝導体層の間にはさまれた誘電体層か
   らなるものに対して、 (a) 誘電体層からは実質的に何らの物質を取り
   去ることなくこの伝導体層のうちの少くとも
   １つを完全に貫いて環状の孔を形成させ、 (b) この孔を通してこの誘電体層をこの誘電体
   層をエツチングすることができる液体を用い
   てエツチングし、それによつて伝導体層の間
   の誘電体層を完全に貫いて通路を形成させ、
   またそれによつて伝導体層はその伝導体層中
   の孔に近接した誘電体物質のところをアンダ
   ーカツトし、 (c) このアンダーカツトした伝導体層を他の伝
   導体層に向つて変形させて互いに接触させ、
   そして (d) この２つの伝導体層の間に上記の通路伝導
   体層のうちの１つにこの新たな誘電体層が２
   つの伝導体層によつてはさまれるように適用
   し、次いで下記の工程 （a′） 新たな誘電体層からは実質的に何らの
   物質を取り去ることなくこの新たな伝導体層
   を完全に貫いて環状の孔を形成させ、 （b′） この孔を通してこの新たな誘電体層に
   プラズマエツチングを行ない、それによつて
   伝導体層の間の新たな誘電体層を完全に貫通
   して通路を形成させ、そしてそれによつてこ
   の新たな伝導体層はその新たな伝導体層中の
   孔に近接した誘電体物質のところをアンダー
   カツトし、 （c′） このアンダーカツトした新たな伝導体
   層をもう一方の伝導体層の方向に向つて変形
   させて互いに接触させ、そして （d′） この２つの伝導体層の間に上記の通路
   を通つて導電性通路を形成させ、次に (ロ) 新たな誘電体層と新たな伝導体層とを、伝導
   体層のうちの１つに、この新たな誘電体層が２
   つの伝導体層によつてはさまれるように適用
   し、次いで下記の工程 （a′） 新たな誘電体層からは実質的に何らの
   物質を取り去ることなくこの新たな伝導体層
   を完全に貫いて環状の孔を形成させ、 （b′） この孔を通してこの新たな誘電体層に
   この新たな誘電体層をエツチングすることが
   できる液体を用いてエツチングを行ない、そ
   れによつて伝導体層の間の新たな誘電体層を
   完全に貫通して通路が形成され、またそれに
   よつて新たな伝導体層はその新たな伝導体層
   中の孔に近接した誘電体物質のところをアン
   ダーカツトし、 （c′） このアンダーカツトした新たな伝導体
   層を他の伝導体層に向つて変形させて互いに
   接触させ、そして （d′） この２つの伝導体層の間に上記の通路
   を通つて導電通路を形成させる ことを行なうことからなる方法。