JPH0141962B2 - - Google Patents
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- JPH0141962B2 JPH0141962B2 JP54117844A JP11784479A JPH0141962B2 JP H0141962 B2 JPH0141962 B2 JP H0141962B2 JP 54117844 A JP54117844 A JP 54117844A JP 11784479 A JP11784479 A JP 11784479A JP H0141962 B2 JPH0141962 B2 JP H0141962B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- light
- object surface
- light beam
- predetermined
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Automatic Focus Adjustment (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は物体の表面の位置検出方法及び装置に
関し、特に物体表面に方向性のあるパターンが形
成されている場合に好適な位置検出方法及び装置
に関する。
関し、特に物体表面に方向性のあるパターンが形
成されている場合に好適な位置検出方法及び装置
に関する。
従来、半導体ウエハ等の表面にIC、LSIのパタ
ーン等を焼付けるための焼付装置では、ウエハ表
面を正確に所定の焼付け面（所定平面）に合致さ
せるために、光学式の焦点位置ずれ検出方式を採
用するものがある。この光学式の焦点位置ずれ検
出の一方法として、被検面たるウエーハ上に斜め
方向より細長い断面を有する光束を照射し、その
反射光を振動するスリツトを介して集光し、その
集光された光信号を光電変換した後電気的な処理
をされた出力によつて焦点位置を検出することが
考えられていた。この方式は被検面からの反射光
が振動スリツトの振動中心に対してどれくらいず
れた位置で受光されるのかを検出することによつ
て、被検面が所定平面に対してどれぐらいずれた
かを知るものである。しかし、この方法において
ICパターンの方向性の影響によつて検出精度が
悪化してしまうことが判明した。
ーン等を焼付けるための焼付装置では、ウエハ表
面を正確に所定の焼付け面（所定平面）に合致さ
せるために、光学式の焦点位置ずれ検出方式を採
用するものがある。この光学式の焦点位置ずれ検
出の一方法として、被検面たるウエーハ上に斜め
方向より細長い断面を有する光束を照射し、その
反射光を振動するスリツトを介して集光し、その
集光された光信号を光電変換した後電気的な処理
をされた出力によつて焦点位置を検出することが
考えられていた。この方式は被検面からの反射光
が振動スリツトの振動中心に対してどれくらいず
れた位置で受光されるのかを検出することによつ
て、被検面が所定平面に対してどれぐらいずれた
かを知るものである。しかし、この方法において
ICパターンの方向性の影響によつて検出精度が
悪化してしまうことが判明した。
ここでICパターンの方向性とは、被検面であ
るウエハ表面に形成された線条パターンの多く
が、ウエハ外形に対して特定の方向（例えば直交
する２方向）に伸びていることを意味する。
るウエハ表面に形成された線条パターンの多く
が、ウエハ外形に対して特定の方向（例えば直交
する２方向）に伸びていることを意味する。
本発明の目的は、ICパターン等の方向性の影
響を抑制した光学的な物体表面の位置検出方法及
び検出装置を提供することにある。
響を抑制した光学的な物体表面の位置検出方法及
び検出装置を提供することにある。
以下、図面を参照して本発明の実施例について
説明する。
説明する。
第１図は本発明の方法を実施するための物体表
面の位置検出装置を焦点位置検出装置に適用した
ものであり、アはその側面図でありイはその上面
図である。光源１（例えばLED）からの光を集
光レンズ２で光束にして細長い矩形であるスリツ
ト３に照射する。そしてスリツト３の像６を第１
の結像レンズ４で斜めに被検面となるウエハ５上
に照射してつくる。スリツト像６のウエハ５から
の反射光は第２の結像レンズ７を通り振動ミラー
８で反射し細長い矩形の検知スリツト９上に再び
結像される。振動ミラー８により再結像された像
１０は左右に振られる。ウエハ５が焦点位置、す
なわち焼付け面ともなる所定平面にあるとき、像
１０の振動中心が丁度検知スリツト９の位置と一
致するように配置されている。振動する像１０の
光の検知スリツト９を通過したものは光電変換素
子１１により電気信号に変換されて信号処理系へ
伝達される。
面の位置検出装置を焦点位置検出装置に適用した
ものであり、アはその側面図でありイはその上面
図である。光源１（例えばLED）からの光を集
光レンズ２で光束にして細長い矩形であるスリツ
ト３に照射する。そしてスリツト３の像６を第１
の結像レンズ４で斜めに被検面となるウエハ５上
に照射してつくる。スリツト像６のウエハ５から
の反射光は第２の結像レンズ７を通り振動ミラー
８で反射し細長い矩形の検知スリツト９上に再び
結像される。振動ミラー８により再結像された像
１０は左右に振られる。ウエハ５が焦点位置、す
なわち焼付け面ともなる所定平面にあるとき、像
１０の振動中心が丁度検知スリツト９の位置と一
致するように配置されている。振動する像１０の
光の検知スリツト９を通過したものは光電変換素
子１１により電気信号に変換されて信号処理系へ
伝達される。
光電変換素子１１によつて得られる変調出力信
号を第２図に示す。ａはウエハ５が焦点位置から
かなり離れている時である。再結像された像１０
の振動中心は検知スリツト９からかなり離れた位
置にあり、従つて像１０の振動の振幅が検知スリ
ツト９迄達しないために検知スリツト９を通過す
る光はないから信号は得られない。ｂはやゝ離れ
た位置に像１０がある時であり、像１０の振動振
幅の一部が検知スリツト９を通過している。ｃは
像１０の振動振幅の左端（又は右端）が検知スリ
ツト９の左端に一致した時である。ｄは像１０の
振動振幅の左端（又は右端）が検知スリツト９の
左端を通り過ぎてしまつている時であり、通り過
ぎた部分の光は検知スリツト９を通過できないの
で変調出力信号は減少して谷Ｖが生じている。ｅ
は像１０の振動中心が検知スリツト９の中心と一
致した場合、即ちウエハ５の表面が焦点位置（所
定平面）と一致している場合である。ｆ，ｇ，ｈ
及びｉはｄ，ｃ，ｂ及びａに対応するものであ
る。こゝで、注意すべきは、ウエハ５が焦点位置
にある時の変調出力信号ｅは振動ミラー８の振動
周期（即ち、像１０の振動周期）Ｔの1/2倍の周
期であり、そして出力信号ｃの場合の周期は振動
周期Ｔと同じ振動周期であるということである。
従つて、振動ミラー８の振動周期Ｔの基準波で変
調出力波形ａ〜ｉを位相検波すれば第３図のよう
な出力を得ることができる。即ち、信号ｅには振
動周期Ｔの成分がなく出力はゼロであり、信号ｃ
の場合最大でなる。焦点合せのためには、出力が
ゼロとなるようにウエハ５の位置を調整すればよ
い。
号を第２図に示す。ａはウエハ５が焦点位置から
かなり離れている時である。再結像された像１０
の振動中心は検知スリツト９からかなり離れた位
置にあり、従つて像１０の振動の振幅が検知スリ
ツト９迄達しないために検知スリツト９を通過す
る光はないから信号は得られない。ｂはやゝ離れ
た位置に像１０がある時であり、像１０の振動振
幅の一部が検知スリツト９を通過している。ｃは
像１０の振動振幅の左端（又は右端）が検知スリ
ツト９の左端に一致した時である。ｄは像１０の
振動振幅の左端（又は右端）が検知スリツト９の
左端を通り過ぎてしまつている時であり、通り過
ぎた部分の光は検知スリツト９を通過できないの
で変調出力信号は減少して谷Ｖが生じている。ｅ
は像１０の振動中心が検知スリツト９の中心と一
致した場合、即ちウエハ５の表面が焦点位置（所
定平面）と一致している場合である。ｆ，ｇ，ｈ
及びｉはｄ，ｃ，ｂ及びａに対応するものであ
る。こゝで、注意すべきは、ウエハ５が焦点位置
にある時の変調出力信号ｅは振動ミラー８の振動
周期（即ち、像１０の振動周期）Ｔの1/2倍の周
期であり、そして出力信号ｃの場合の周期は振動
周期Ｔと同じ振動周期であるということである。
従つて、振動ミラー８の振動周期Ｔの基準波で変
調出力波形ａ〜ｉを位相検波すれば第３図のよう
な出力を得ることができる。即ち、信号ｅには振
動周期Ｔの成分がなく出力はゼロであり、信号ｃ
の場合最大でなる。焦点合せのためには、出力が
ゼロとなるようにウエハ５の位置を調整すればよ
い。
第４図は信号処理系の回路ブロツク図である。
光電変換素子１１からの変調信号は増幅器４１で
増幅後、１部がピークホールド回路４２に入力さ
れる。ピークホールド回路４２は所定の時間減衰
係数を有し、変調信号のピーク値を維持すること
により変調信号のピーク値に対応するDC信号を
得ている。このDC信号は割算器４３に入力され、
割算器４３においては増幅器４１からの変調信号
をピークホールド回路４２からのDC信号で割算
している。この事によつて割算器４３からの変調
信号の振幅は一定に保れ、光源光量の変化ウエハ
の反射率、及び検知スリツト通過量の変化によら
ずほゞ一定の値となるAGC作用をなしている。
そして振幅一定の変調信号は位相検波器４４にお
いて周器Ｔの基準波により位相検波される。この
位相検波器４４の出力は第３図に示すごときもの
であり、ウエハ５が焦点位置にある時に出力がゼ
ロとなる。
光電変換素子１１からの変調信号は増幅器４１で
増幅後、１部がピークホールド回路４２に入力さ
れる。ピークホールド回路４２は所定の時間減衰
係数を有し、変調信号のピーク値を維持すること
により変調信号のピーク値に対応するDC信号を
得ている。このDC信号は割算器４３に入力され、
割算器４３においては増幅器４１からの変調信号
をピークホールド回路４２からのDC信号で割算
している。この事によつて割算器４３からの変調
信号の振幅は一定に保れ、光源光量の変化ウエハ
の反射率、及び検知スリツト通過量の変化によら
ずほゞ一定の値となるAGC作用をなしている。
そして振幅一定の変調信号は位相検波器４４にお
いて周器Ｔの基準波により位相検波される。この
位相検波器４４の出力は第３図に示すごときもの
であり、ウエハ５が焦点位置にある時に出力がゼ
ロとなる。
しかし、このような物体表面の位置検出方法及
び装置では、さらに以下の点について考慮するこ
とが重要である。すなわち、１つはウエハ５表面
のパターンの方向性とスリツト像６の伸びる方向
（ウエハ上での照射光束による帯状分布の方向）
との関係であり、もう１つはスリツト像６の伸び
る方向と、スリツト像の反射像の変位を検出する
方向との関係、すなわちパターンの方向性と検出
の方向性との関係が重要である。ウエハ上に照射
される光束はスリツト像即ちその断面が細長い矩
形（あるいは線）である。従つて、もしウエハ上
のパターンがこのスリツト像の細長い方向と一致
するような線条のものであると、照射光束のウエ
ハ上の位置によつて再結像された像１０の形状が
変つてくる。即ち、もしウエハ５から反射された
再結像の再結像されたスリツト状の像１０の幅方
向についての左半分（又は右半分）がパターンの
線（光を吸収する部分）であるならばスリツト状
の像１０と検知スリツト９とは互いに平行であ
り、かつ検知スリツト９に対する像１０の変位検
出方向は像１０の幅方向に合致しているため、光
電変換素子１１からは、実質上右方向（又は左方
向）にずれた状態の変調出力信号を生ずる。焦点
位置におけるウエハを左右方向に（水平に）移動
させたときの出力を第５図に示す。本来この出力
はゼロでなければならない。しかし、ウエハ上の
光束の照射位置によつて出力が変化する。これは
前述のようにウエハ上の方向性あるパターンによ
る影響である。一般にICパターン等においては
直交する２つの方向に線条のパターンを多く含
む。従つて、この線条パターンの方向（２方向）
を第１図イに示すようにφとすると、方向φと照
射光束の断面の細長い方向が一致した時最も大き
い影響を受け検出精度が劣化する。また、このよ
うにウエハ５表面への照射光束を斜めに入射さ
せ、その反射光を受光する方式では、その照射光
束のウエハ表面での照射領域内に、反射率の差に
より光量分布が変化するような方向性パターン
（線条パターン群等）が存在すると、これも検出
精度を劣化させる原因となる。本発明における実
施例の装置においては、方向性を有するパターン
の方向と異なる方向に、照射光束及び反射光束の
進行方向を合わせるようにスリツト３、結像レン
ズ４，７及び検知スリツト９の全体配置を、第１
図イに示す如く方向φと異なる方向に例えば45゜
だけ回しておくものである。さらにこのような方
向性を有する線条パターンの場合に、照射光束の
断面の細長い方向を線条パターンの方向φと異な
るよう、例えば45゜の角度をなして照射すること
により方向性線条パターンによる検出精度に与え
る悪影響を抑制するものである。即ち、線条パタ
ーンの方向φと交叉するように細長い断面の像が
そのパターン上（ウエハ上）にできれば、反射光
は一般的に平均化されその照射位置による影響が
低減される。またこの際、検知スリツト９はウエ
ハ５上のスリツト状の像６（又は再結像した像１
０）の方向と平行であるから、検知スリツト９に
よる変位検出方向もパターンの方向φに対してほ
ぼ45゜の角度をなしている。本発明の方法に従つ
て照射して得られた出力を第６図に示す。図から
明らかなようにウエハの水平方向の移動によつて
出力はほゞゼロに維持され検出精度を劣化させる
程度が改善されている。
び装置では、さらに以下の点について考慮するこ
とが重要である。すなわち、１つはウエハ５表面
のパターンの方向性とスリツト像６の伸びる方向
（ウエハ上での照射光束による帯状分布の方向）
との関係であり、もう１つはスリツト像６の伸び
る方向と、スリツト像の反射像の変位を検出する
方向との関係、すなわちパターンの方向性と検出
の方向性との関係が重要である。ウエハ上に照射
される光束はスリツト像即ちその断面が細長い矩
形（あるいは線）である。従つて、もしウエハ上
のパターンがこのスリツト像の細長い方向と一致
するような線条のものであると、照射光束のウエ
ハ上の位置によつて再結像された像１０の形状が
変つてくる。即ち、もしウエハ５から反射された
再結像の再結像されたスリツト状の像１０の幅方
向についての左半分（又は右半分）がパターンの
線（光を吸収する部分）であるならばスリツト状
の像１０と検知スリツト９とは互いに平行であ
り、かつ検知スリツト９に対する像１０の変位検
出方向は像１０の幅方向に合致しているため、光
電変換素子１１からは、実質上右方向（又は左方
向）にずれた状態の変調出力信号を生ずる。焦点
位置におけるウエハを左右方向に（水平に）移動
させたときの出力を第５図に示す。本来この出力
はゼロでなければならない。しかし、ウエハ上の
光束の照射位置によつて出力が変化する。これは
前述のようにウエハ上の方向性あるパターンによ
る影響である。一般にICパターン等においては
直交する２つの方向に線条のパターンを多く含
む。従つて、この線条パターンの方向（２方向）
を第１図イに示すようにφとすると、方向φと照
射光束の断面の細長い方向が一致した時最も大き
い影響を受け検出精度が劣化する。また、このよ
うにウエハ５表面への照射光束を斜めに入射さ
せ、その反射光を受光する方式では、その照射光
束のウエハ表面での照射領域内に、反射率の差に
より光量分布が変化するような方向性パターン
（線条パターン群等）が存在すると、これも検出
精度を劣化させる原因となる。本発明における実
施例の装置においては、方向性を有するパターン
の方向と異なる方向に、照射光束及び反射光束の
進行方向を合わせるようにスリツト３、結像レン
ズ４，７及び検知スリツト９の全体配置を、第１
図イに示す如く方向φと異なる方向に例えば45゜
だけ回しておくものである。さらにこのような方
向性を有する線条パターンの場合に、照射光束の
断面の細長い方向を線条パターンの方向φと異な
るよう、例えば45゜の角度をなして照射すること
により方向性線条パターンによる検出精度に与え
る悪影響を抑制するものである。即ち、線条パタ
ーンの方向φと交叉するように細長い断面の像が
そのパターン上（ウエハ上）にできれば、反射光
は一般的に平均化されその照射位置による影響が
低減される。またこの際、検知スリツト９はウエ
ハ５上のスリツト状の像６（又は再結像した像１
０）の方向と平行であるから、検知スリツト９に
よる変位検出方向もパターンの方向φに対してほ
ぼ45゜の角度をなしている。本発明の方法に従つ
て照射して得られた出力を第６図に示す。図から
明らかなようにウエハの水平方向の移動によつて
出力はほゞゼロに維持され検出精度を劣化させる
程度が改善されている。
このような方向性あるパターンの被検面の焦点
検出の問題は、他の光学的方法に関しても生ず
る。例えば、第７図アでは、反射光を振動させる
ことなく検知スリツト９′に再結像している。被
検面が焦点位置にある時再結像された像１０′が
検知スリツト９′上にあるようにしてある場合、
被検面が焦点位置にある時検知スリツト９′を通
過する光量が最大となることからその最大値をも
つて焦点位置とするものであるが、もし被検面へ
の照射位置（スリツト像６のできる位置）が変る
ことにより被検面上のパターンにより反射特性が
変われば誤差が生ずることになる。又、第７図イ
では光電変換素子１１″は２つのセグメント１
１″ａと１１″ｂとに分割されており、素子１１″
の中心の上下のセグメント１１″ａと１１″ｂの出
力を差動的に取り出しているものである。もし被
検面が焦点位置にあれば再結像された像１０″は
素子１１″の中心にあり差動出力信号はゼロにな
るが、被検面が焦点位置からずれると再結像の像
１０″は素子１１″の中心からずれるので差動出力
信号が生ずる。この場合もやはり、同様に被検面
のパターンの影響を受ける。従つて、本発明の適
用範囲は、結像レンズ等で作られた集束した光束
（結像光束）を斜めにを被検面に照射し、その反
射光を利用して焦点位置を検出する方法に一般的
に適用され得るものである。以上、本発明のよう
に方向性を有するパターンが形成された物体表面
に斜めに結像光束を照射し、その反射光を受光す
る方式の位置検出方法及び装置において、パター
ンの方向性と異なる方向に帯状に伸びた光束を照
射すること、あるいはパターンの方向性と異なる
方向に反射光束の変位を検出することにより、複
雑で微細なパターン構造の表面での反射特性の変
化による影響を受けにくく、極めて精度の高い位
置検出が可能である。
検出の問題は、他の光学的方法に関しても生ず
る。例えば、第７図アでは、反射光を振動させる
ことなく検知スリツト９′に再結像している。被
検面が焦点位置にある時再結像された像１０′が
検知スリツト９′上にあるようにしてある場合、
被検面が焦点位置にある時検知スリツト９′を通
過する光量が最大となることからその最大値をも
つて焦点位置とするものであるが、もし被検面へ
の照射位置（スリツト像６のできる位置）が変る
ことにより被検面上のパターンにより反射特性が
変われば誤差が生ずることになる。又、第７図イ
では光電変換素子１１″は２つのセグメント１
１″ａと１１″ｂとに分割されており、素子１１″
の中心の上下のセグメント１１″ａと１１″ｂの出
力を差動的に取り出しているものである。もし被
検面が焦点位置にあれば再結像された像１０″は
素子１１″の中心にあり差動出力信号はゼロにな
るが、被検面が焦点位置からずれると再結像の像
１０″は素子１１″の中心からずれるので差動出力
信号が生ずる。この場合もやはり、同様に被検面
のパターンの影響を受ける。従つて、本発明の適
用範囲は、結像レンズ等で作られた集束した光束
（結像光束）を斜めにを被検面に照射し、その反
射光を利用して焦点位置を検出する方法に一般的
に適用され得るものである。以上、本発明のよう
に方向性を有するパターンが形成された物体表面
に斜めに結像光束を照射し、その反射光を受光す
る方式の位置検出方法及び装置において、パター
ンの方向性と異なる方向に帯状に伸びた光束を照
射すること、あるいはパターンの方向性と異なる
方向に反射光束の変位を検出することにより、複
雑で微細なパターン構造の表面での反射特性の変
化による影響を受けにくく、極めて精度の高い位
置検出が可能である。
第１図ア，イは本発明の実施例による方法を実
施するのに好適な位置検出装置の構成を示す図第
２図は第１図の装置から得られた変調信号の波形
を示す図、第３図は変調信号を位相検波して得ら
れた出力を示す図、第４図は第１図の装置から得
られた変調信号を処理する回路のブロツク図、第
５図及び第６図は被検面が焦点位置（所定平面）
にあるときの雑音（ノイズ）の様子を示す波形
図、第７図ア，イは他の実施例による位置検出方
式の受光系の構成を示す図である。 〔主要部分の符号の説明〕、１……光源、５…
…被検面（ウエハ）、６……細長い断面の光束、
７……結像レンズ、８……振動ミラー、９……ス
リツト。
施するのに好適な位置検出装置の構成を示す図第
２図は第１図の装置から得られた変調信号の波形
を示す図、第３図は変調信号を位相検波して得ら
れた出力を示す図、第４図は第１図の装置から得
られた変調信号を処理する回路のブロツク図、第
５図及び第６図は被検面が焦点位置（所定平面）
にあるときの雑音（ノイズ）の様子を示す波形
図、第７図ア，イは他の実施例による位置検出方
式の受光系の構成を示す図である。 〔主要部分の符号の説明〕、１……光源、５…
…被検面（ウエハ）、６……細長い断面の光束、
７……結像レンズ、８……振動ミラー、９……ス
リツト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所定の方向性を有するパターンが形成された
物体の表面に集束した光束を斜めに照射し、該物
体表面からの反射光を受光してその受光位置の変
化に応じて変化する電気信号を作り、該電気信号
に基づいて前記物体表面の所定平面に対する位置
を検出する方法であつて、 前記物体表面を照射する光束の前記物体表面で
の形状を、前記パターンの所定の方向と異なる方
向に細長く伸びた帯状にしたことを特徴とする物
体の表面位置検出方法。 ２ 前記物体表面のパターンが互いに直交する２
方向に伸びた線条パターンを多く含むとき、前記
照射光束の前記物体表面での帯状方向を該線条パ
ターンの２方向のいずれとも異なる方向に定めた
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方
法。 ３ 前記物体表面からの反射光を受光してその受
光位置の変化を検出する際、該受光位置の変化の
検出方向を前記パターンの所定の方向と異ならせ
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第
２項記載の方法。 ４ 所定の方向性を有するパターンが形成された
物体の表面に集束した光束を斜めに照射し、該物
体面からの反射光束を受光して、その受光位置の
変化に応じて変化する電気信号を作り、該電気信
号に基づいて前記物体表面の所定平面に対する位
置を検出する方法であつて、 前記反射光束の受光位置の変化を検出する方向
を、前記物体表面上でみたとき、前記パターンの
方向と異ならせたことを特徴とする物体の表面位
置検出方法。 ５ 前記物体表面のパターンが互いに直交する２
方向に伸びた線条パターンを多く含むとき、前記
受光位置の変化を検出する方向を、該線条パター
ンの２方向のいずれとも異なる方向に定めたこと
を特徴とする特許請求の範囲第４項記載の方法。 ６ 所定の方向性を有するパターンが形成された
物体の表面の所定平面に対する位置を検出する装
置において、 光源からの光を前記物体表面に斜めに入射する
結像光束に変換するとともに、 前記物体表面上でみたとき前記パターンの所定
の方向と異なる方向に光軸を配置した第１の結像
光学系と； 前記結像光束のうち前記物体表面で反射した反
射光束を受光して所定の検出面に再結像するとと
もに、前記物体表面上でみたとき前記第１の結像
光学系の光軸とほぼ同じ方向に光軸を配置した第
２の結像光学系と； 前記再結像した反射光束の前記所定の検出面で
の受光位置の変化に対応した電気信号を出力する
光電検出手段と； 前記第１の結像光学系から射出した 前記結像光束の前記物体表面での形状を一方向
に伸びた帯状に整形する光束整形部材とを設け、 前記電気信号に基づいて前記物体表面の所定平
面に対する位置を検出することを特徴とする物体
の表面位置検出装置。 ７ 前記物体表面のパターンが互いに直交する２
方向に伸びた線条パターンを多く含むとき、 前記第１の結像光学系の前記物体表面上での光
軸方向を、前記線条パターンの２方向のいずれと
も異なる方向に定めるとともに、前記光束整形部
材により整形された前記結像光束の前記物体表面
での帯状方向を、前記線条パターンの２方向のい
ずれとも異なる方向に定めたことを特徴とする特
許請求の範囲第６項記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11784479A JPS5642205A (en) | 1979-09-17 | 1979-09-17 | Focus detecting method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11784479A JPS5642205A (en) | 1979-09-17 | 1979-09-17 | Focus detecting method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5642205A JPS5642205A (en) | 1981-04-20 |
| JPH0141962B2 true JPH0141962B2 (ja) | 1989-09-08 |
Family
ID=14721663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11784479A Granted JPS5642205A (en) | 1979-09-17 | 1979-09-17 | Focus detecting method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5642205A (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4650983A (en) * | 1983-11-07 | 1987-03-17 | Nippon Kogaku K. K. | Focusing apparatus for projection optical system |
| JPH0652708B2 (ja) * | 1984-11-01 | 1994-07-06 | 株式会社ニコン | 投影光学装置 |
| JPS61183928A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-16 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学装置 |
| JPS61287229A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-17 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 露光装置、及び該露光装置を用いた回路パターン製造方法 |
| US5162642A (en) * | 1985-11-18 | 1992-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for detecting the position of a surface |
| JPH07113548B2 (ja) * | 1986-06-19 | 1995-12-06 | 株式会社ニコン | 表面変位検出装置 |
| US4748333A (en) * | 1986-03-31 | 1988-05-31 | Nippon Kogaku K. K. | Surface displacement sensor with opening angle control |
| US4864123A (en) * | 1987-05-08 | 1989-09-05 | Nikon Corporation | Apparatus for detecting the level of an object surface |
| JPH0732118B2 (ja) * | 1990-11-28 | 1995-04-10 | 松下電器産業株式会社 | 合焦装置 |
| JP3158446B2 (ja) * | 1990-12-13 | 2001-04-23 | 株式会社ニコン | 表面位置検出装置及び表面位置検出方法、並びに露光装置、露光方法及び半導体製造方法 |
| US5488230A (en) * | 1992-07-15 | 1996-01-30 | Nikon Corporation | Double-beam light source apparatus, position detecting apparatus and aligning apparatus |
| US5559582A (en) * | 1992-08-28 | 1996-09-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| US5602399A (en) * | 1993-06-23 | 1997-02-11 | Nikon Corporation | Surface position detecting apparatus and method |
| US6034780A (en) * | 1997-03-28 | 2000-03-07 | Nikon Corporation | Surface position detection apparatus and method |
| US6768124B2 (en) | 1999-10-19 | 2004-07-27 | Nikon Corporation | Reticle-focus detector, and charged-particle-beam microlithography apparatus and methods comprising same |
| JP2001296105A (ja) | 2000-04-12 | 2001-10-26 | Nikon Corp | 面位置検出装置、並びに該検出装置を用いた露光装置および露光方法 |
| JP2002194302A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-10 | Nitto Denko Corp | 粘着剤式鑑識用シート |
| JP4737617B2 (ja) * | 2006-01-05 | 2011-08-03 | 日東電工株式会社 | 鑑識用粘着シートおよびその製造方法、ならびに痕跡採取方法 |
| JP4737618B2 (ja) * | 2006-01-10 | 2011-08-03 | 日東電工株式会社 | 鑑識用粘着シート |
| CN103365099B (zh) * | 2012-03-31 | 2015-02-11 | 上海微电子装备有限公司 | 一种调焦调平信号处理方法 |
| CN109426093B (zh) * | 2017-08-31 | 2020-12-11 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 一种调焦调平检测装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51131648A (en) * | 1975-05-13 | 1976-11-16 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Optical height measuring apparatus |
| JPS522547A (en) * | 1975-06-24 | 1977-01-10 | Toshiba Corp | Optical method to measure displacement of plane |
| JPS5232324A (en) * | 1975-09-08 | 1977-03-11 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Photoelectric detecting device for in or out of focus in the optical s ystem |
| JPS5267323A (en) * | 1975-12-02 | 1977-06-03 | Nippon Chemical Ind | Device for photoelectrically detecting propriety of focus in optical system |
| JPS6029161B2 (ja) * | 1976-10-12 | 1985-07-09 | ユリアン・ボリソヴイチ・アイゼンベルグ | 照明装置 |
-
1979
- 1979-09-17 JP JP11784479A patent/JPS5642205A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5642205A (en) | 1981-04-20 |
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