JPH0142530B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0142530B2
JPH0142530B2 JP58183712A JP18371283A JPH0142530B2 JP H0142530 B2 JPH0142530 B2 JP H0142530B2 JP 58183712 A JP58183712 A JP 58183712A JP 18371283 A JP18371283 A JP 18371283A JP H0142530 B2 JPH0142530 B2 JP H0142530B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
resistor
level
diode
output
Prior art date
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Expired
Application number
JP58183712A
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English (en)
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JPS6075122A (ja
Inventor
Kenzo Tsun
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP58183712A priority Critical patent/JPS6075122A/ja
Publication of JPS6075122A publication Critical patent/JPS6075122A/ja
Publication of JPH0142530B2 publication Critical patent/JPH0142530B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/003Changing the DC level

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、レベルシフト量を任意に設定可能
なレベルシフト回路に関する。
第1図のA及びBは従来のレベルシフト回路を
示す。Aに示す回路は、電源端子2と基準電位点
との間にトランジスタ4及び抵抗6を接続したも
のであり、トランジスタ4のベースに形成された
入力端子8にレベルシフトすべき入力電圧を与え
ると、エミツタに形成された出力端子10からレ
ベルシフト出力が取り出される。
また、Bに示す回路は、電源端子2と基準電位
点との間に定電流源12、ダイオード14及び定
電流源16が接続されるとともに、ダイオード1
4に可変抵抗18が接続されたものであり、ダイ
オード14のアノード側に形成された入力端子2
0にレベルシフトすべき入力電圧を与えると、可
変抵抗18に形成された出力端子22からレベル
シフト出力を取り出すことができる。
ところで、Aに示す回路では、トランジスタ4
のベース・エミツタ間に生じる順方向降下電圧
VFのレベルシフトが可能であり、また、Bに示
す回路では、順方向降下電圧VFの範囲でレベル
シフト量の調整が可能であり、何れの回路におい
ても、前記順方向降下電圧VFを越える任意のレ
ベルシフト量を設定することができない。
そこで、この発明は、レベルシフト量を任意に
調整可能にしたレベルシフト回路の提供を目的と
する。
即ち、この発明のレベルシフト回路は、第1及
び第2のトランジスタ32,34からなる差動対
が設置され、前記第1のトランジスタから出力を
取り出すとともに、前記第2のトランジスタのベ
ースに帰還する第3のトランジスタ38が設置さ
れ、この第3のトランジスタに流れる電流を第1
の抵抗50を介して引き込む第4のトランジスタ
40が設置された差動増幅器30と、ダイオード
61に抵抗58,60を接続して電圧を発生さ
せ、前記ダイオードのアノード側の電圧を前記第
1のトランジスタのベースに加えるとともに、前
記ダイオードのカソード側の電圧を前記第1の抵
抗を介して前記第2のトランジスタのベースに加
えるレベル設定回路と56と、任意の電流能力を
持ち前記第1のトランジスタから出力を取り出す
第5のトランジスタ64と、この第5のトランジ
スタに対応した電流能力を持ち前記第4のトラン
ジスタに流れる電流に対応した電流を引き込む第
6のトランジスタ66とを第2の抵抗68を介し
て接続し、この第2の抵抗の一端側にレベルシフ
トすべき入力信号を加え、その他端側から第1及
び第2の抵抗の抵抗比並びに前記第5及び第6の
トランジスタの前記電流能力に応じて定まるレベ
ルシフト量を持つ出力信号を取り出す出力回路
(倍率設定回路62)とを備えたものである。
以下、この発明を図面に示した実施例を参照し
て詳細に説明する。
第2図は、この発明のレベルシフト回路の実施
例を示す。
差動増幅器30には、第1のトランジスタ32
及び第2のトランジスタ34からなる差動対が設
置され、この差動対には能動負荷としてのトラン
ジスタ36及びダイオード44が接続されている
とともに、定電流源48が接続されている。そし
て、前記差動対の出力を取り出すとともにトラン
ジスタ34のベースに帰還するために第3のトラ
ンジスタ38が設置され、トランジスタ38のベ
ースがトランジスタ32のコレクタに接続されて
いる。トランジスタ38のコレクタはトランジス
タ34のベースに接続されるとともに、第1の抵
抗50を介して第4のトランジスタ40のコレク
タに接続されている。また、トランジスタ38と
ベースが共通に接続されたトランジスタ42が設
置されており、このトランジスタ42のコレクタ
はトランジスタ40のベースに接続され、トラン
ジスタ40のベース・エミツタ間にはダイオード
46が接続されている。したがつて、差動増幅器
30は、直流全帰還増幅器を構成している。
この差動増幅器30の一方の入力部、即ちトラ
ンジスタ32のベースには、電源端子52から駆
動電圧VCCが印加される電源ラインと、接地され
る基準電位点端子54が形成された基準電位ライ
ンとの間には、基準レベルを設定するためのレベ
ル設定回路56が設置されている。このレベル設
定回路56は、抵抗58,60及びダイオード6
1で構成され、ダイオード61に発生する順方向
降下電圧VFによつて基準レベルが得られる。即
ち、ダイオード61のアノード側の電圧がトラン
ジスタ32のベースに加えられ、また、ダイオー
ド61のカソード側の電圧が抵抗50を介してト
ランジスタ34のベースに加えられている。
そして、差動増幅器30の出力側には、レベル
シフト倍率を設定し、その倍率によつて得られる
レベルシフト量を持つ出力信号を取り出す出力回
路を成す倍率設定回路62が設置されている。こ
の倍率設定回路62は第5のトランジスタ64、
第6のトランジスタ66及び第2の抵抗68で構
成されており、抵抗68の両端には、レベルシフ
トすべき入力信号を加え、レベルシフトされた出
力信号を取り出すための入出力端子として端子7
0A,70Bが形成されている。
以上の構成において、動作を説明する。
抵抗50,68の抵抗値をRa、Rb、両者の抵
抗比をRb/Raとし、ベースが共通にされたトラ
ンジスタ38,42の電流能力を同一、カレント
ミラー回路を構成しているトランジスタ40及び
ダイオード46の電流能力も同一に設定するとと
もに、トランジスタ64はトランジスタ38,4
2に対してエミツタ面積をN倍に、また、トラン
ジスタ66もトランジスタ40に対してエミツタ
面積をN倍にすることにより、各トランジスタ6
4,66にはトランジスタ42,40に対してN
倍の電流能力が設定される。
そして、ダイオード61に発生する順方向降下
電圧VFと等しい電圧が抵抗50に発生するよう
に差動出力電流がトランジスタ38,42に流れ
るとき、トランジスタ32,34が平衡状態とな
る。
ところで、トランジスタ64,66のエミツタ
面積は、トランジスタ42,40のそれに対して
N倍に設定されているので、トランジスタ42に
流れる電流をI0とすると、トランジスタ64,6
6には電流I0のN倍の電流N・I0が流れる。この
電流N・I0が抵抗68に流れるので、端子70
A,70Bにはレベルシフト量VLが設定され、
このレベルシフト量VLは、 VL=VF・Rb/Ra・N ……(1) となる。このように、レベルシフト量VLは、抵
抗比Rb/Raと、倍率Nで表されるトランジスタ
64,66に設定された電流能力との積に比例し
たものとなり、その値はトランジスタ64,66
の電流能力、抵抗50,68の抵抗値等の回路条
件に応じて任意の値に設定される。
そこで、抵抗68の一端側に端子70Aからレ
ベルシフトすべき入力信号を加えると、抵抗68
に設定されているレベルシフト量VLでレベルシ
フトされた出力信号がその他端側の端子70Bを
通して取り出される。また、端子70Bにレベル
シフトすべき入力信号を加えた場合にも、レベル
シフト量VLでレベルシフトされた出力信号を端
子70Aから取り出すことができる。
以上説明したように、この発明によれば、ダイ
オードの順方向降下電圧を基準にして第1及び第
2の抵抗の抵抗比並びに第5及び第6のトランジ
スタの電流能力に応じて任意のレベルシフト量を
設定でき、レベルシフトすべき入力信号を第2の
抵抗の一端側に加え、その他端側から任意の前記
レベルシフト量を持つ出力信号を取り出すことが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のレベルシフト回路を示す回路
図、第2図はこの発明のレベルシフト回路の実施
例を示す回路図である。 30……差動増幅器、32……第1のトランジ
スタ、34……第2のトランジスタ、38……第
3のトランジスタ、40……第4のトランジス
タ、50……第1の抵抗、56……レベル設定回
路、58,60……抵抗、61……ダイオード、
62……倍率設定回路(出力回路)、64……第
5のトランジスタ、66……第6のトランジス
タ、68……第2の抵抗。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 第1及び第2のトランジスタからなる差動対
    が設置され、前記第1のトランジスタから出力を
    取り出すとともに、前記第2のトランジスタのベ
    ースに帰還する第3のトランジスタが設置され、
    この第3のトランジスタに流れる電流を第1の抵
    抗を介して引き込む第4のトランジスタが設置さ
    れた差動増幅器と、 ダイオードに抵抗を接続して電圧を発生させ、
    前記ダイオードのアノード側の電圧を前記第1の
    トランジスタのベースに加えるとともに、前記ダ
    イオードのカソード側の電圧を前記第1の抵抗を
    介して前記第2のトランジスタのベースに加える
    レベル設定回路と、 任意の電流能力を持ち前記第1のトランジスタ
    から出力を取り出す第5のトランジスタと、この
    第5のトランジスタに対応した電流能力を持ち前
    記第4のトランジスタに流れる電流に対応した電
    流を引き込む第6のトランジスタとを第2の抵抗
    を介して接続し、この第2の抵抗の一端側にレベ
    ルシフトすべき入力信号を加え、その他端側から
    第1及び第2の抵抗の抵抗比並びに前記第5及び
    第6のトランジスタの前記電流能力に応じて定ま
    るレベルシフト量を持つ出力信号を取り出す出力
    回路とを備えたことを特徴とするレベルシフト回
    路。
JP58183712A 1983-10-01 1983-10-01 レベルシフト回路 Granted JPS6075122A (ja)

Priority Applications (1)

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JP58183712A JPS6075122A (ja) 1983-10-01 1983-10-01 レベルシフト回路

Applications Claiming Priority (1)

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JP58183712A JPS6075122A (ja) 1983-10-01 1983-10-01 レベルシフト回路

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Publication Number Publication Date
JPS6075122A JPS6075122A (ja) 1985-04-27
JPH0142530B2 true JPH0142530B2 (ja) 1989-09-13

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ID=16140636

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JP58183712A Granted JPS6075122A (ja) 1983-10-01 1983-10-01 レベルシフト回路

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2661358B2 (ja) * 1990-10-04 1997-10-08 日本電気株式会社 レベルシフト回路

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JPS6075122A (ja) 1985-04-27

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