JPH0142623B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0142623B2 JPH0142623B2 JP58027057A JP2705783A JPH0142623B2 JP H0142623 B2 JPH0142623 B2 JP H0142623B2 JP 58027057 A JP58027057 A JP 58027057A JP 2705783 A JP2705783 A JP 2705783A JP H0142623 B2 JPH0142623 B2 JP H0142623B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- phosphorus
- glass layer
- manufacturing
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に半
導体基板上に接着強度の強いホトレジスト膜が形
成され得るようにした半導体装置の製造方法に関
するものである。
導体基板上に接着強度の強いホトレジスト膜が形
成され得るようにした半導体装置の製造方法に関
するものである。
［発明の技術的背景］
半導体基板にリン拡散した後、その基板上にホ
トレジストを塗布する場合、その形成されたホト
レジスト膜を接着強度を維持するために半導体基
板上に形成されたリンガラス表面上の水溶性物質
を除去する必要がある。
トレジストを塗布する場合、その形成されたホト
レジスト膜を接着強度を維持するために半導体基
板上に形成されたリンガラス表面上の水溶性物質
を除去する必要がある。
そのため従来では、上記の半導体基板をフツ化
アンモニユームとフツ酸との混合液（バツフアフ
ツ酸）中に侵漬するかあるいは上記半導体基板を
750〜1250℃程度の高温の水蒸気雰囲気中に投入
している。
アンモニユームとフツ酸との混合液（バツフアフ
ツ酸）中に侵漬するかあるいは上記半導体基板を
750〜1250℃程度の高温の水蒸気雰囲気中に投入
している。
［背景技術の問題点］
しかしながら、半導体基板上に形成されるリン
ガラスがきわめて薄い場合には、バツフア液にて
腐食処理を行なうと、リンガラス上の水溶性物質
のみならずリンガラス層までも腐食されて除去さ
れてしまう欠点がある。
ガラスがきわめて薄い場合には、バツフア液にて
腐食処理を行なうと、リンガラス上の水溶性物質
のみならずリンガラス層までも腐食されて除去さ
れてしまう欠点がある。
このガラス層は、たとえばトランジスタのエミ
ツタ−ベース間電圧に影響を与える等、半導体装
置の電気的特性を一定に維持するために腐食され
ないことが必要である。
ツタ−ベース間電圧に影響を与える等、半導体装
置の電気的特性を一定に維持するために腐食され
ないことが必要である。
また、半導体基板を高温の水蒸気雰囲気中に投
入する場合には、高温処理のために既拡散不純物
の半導体基板への再拡散により拡散層の寸法にバ
ラツキを生じさせ設計通りの特性が得られなくな
る等の問題点があつた。
入する場合には、高温処理のために既拡散不純物
の半導体基板への再拡散により拡散層の寸法にバ
ラツキを生じさせ設計通りの特性が得られなくな
る等の問題点があつた。
［発明の目的］
本発明は、上記の事情に基づきなされたもの
で、リン拡散後の半導体基板をバツフア液への浸
漬、あるいは高温水蒸気中での処理を施こすこと
なく、強固な接着強度を有するホトレジスト膜を
形成し得るようにした半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
で、リン拡散後の半導体基板をバツフア液への浸
漬、あるいは高温水蒸気中での処理を施こすこと
なく、強固な接着強度を有するホトレジスト膜を
形成し得るようにした半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
［発明の概要］
すなわち、本発明は、半導体基板にリンを熱拡
散する第１の工程と、この半導体基板を所定温度
に加熱した硫酸と硝酸との混合液中に浸漬して上
記第１の工程によつて上記半導体基板のリンガラ
ス層の表面に生成された水溶性物質を除去する第
２の工程と、次いで上記半導体基板を清浄する第
３の工程と、次いで上記半導体基板を乾燥させる
第４の工程と、さらにこの半導体基板の表面にホ
トレジストを塗布する第５の工程とを含むことを
特徴とする半導体装置の製造方法である。
散する第１の工程と、この半導体基板を所定温度
に加熱した硫酸と硝酸との混合液中に浸漬して上
記第１の工程によつて上記半導体基板のリンガラ
ス層の表面に生成された水溶性物質を除去する第
２の工程と、次いで上記半導体基板を清浄する第
３の工程と、次いで上記半導体基板を乾燥させる
第４の工程と、さらにこの半導体基板の表面にホ
トレジストを塗布する第５の工程とを含むことを
特徴とする半導体装置の製造方法である。
［発明の実施例］
まず、第１の工程として通常の方法にしたが
い、半導体基板上にリンを熱拡散する。
い、半導体基板上にリンを熱拡散する。
この場合、半導体基板上にリンガラス層が形成
され、このガラス層の表面に五酸化リン水溶性物
質が生成される。
され、このガラス層の表面に五酸化リン水溶性物
質が生成される。
次いで、第２の工程として硫酸と硝酸との容量
比が約４：１で、かつ70℃以上に加熱された硫
酸、硝酸の混合液中に上記半導体基板を約５分間
浸漬させる。
比が約４：１で、かつ70℃以上に加熱された硫
酸、硝酸の混合液中に上記半導体基板を約５分間
浸漬させる。
この第２の工程により、リンガラス表面に付着
した上記水溶性物質を分解除去される。
した上記水溶性物質を分解除去される。
なお、硫酸、硝酸混合液は、バツフアフツ酸等
とは異なり、リンガラス自体を腐食させる作用が
ないのできわめて薄いリンガラス層でも何ら侵さ
れることがなく、半導体装置の特性を劣化させる
ことがない。
とは異なり、リンガラス自体を腐食させる作用が
ないのできわめて薄いリンガラス層でも何ら侵さ
れることがなく、半導体装置の特性を劣化させる
ことがない。
次いで、第３の工程として、上記半導体基板を
水洗等により清浄する。
水洗等により清浄する。
さらに第４の工程としてたとえば200〜600℃に
加熱された空気中、あるいは酸素ガスおよび不活
性雰囲気中で乾燥し、上記半導体基板の水蒸気を
除去する。
加熱された空気中、あるいは酸素ガスおよび不活
性雰囲気中で乾燥し、上記半導体基板の水蒸気を
除去する。
最後に、第５の工程として、上記半導体基板に
通常の方法にしたがつてホトレジストコート材を
塗布し、ホトレジスト膜を形成する。
通常の方法にしたがつてホトレジストコート材を
塗布し、ホトレジスト膜を形成する。
［発明の効果］
上記の工程を経て形成されたホトレジスト膜
は、リンガラス上の水溶性物質が除去されている
ので、接着強度がきわめて強固であり、後の処理
工程中に剥離するようなことがなく、設計通りの
半導体装置を製作する場合、良好な結果を得るこ
とができる。
は、リンガラス上の水溶性物質が除去されている
ので、接着強度がきわめて強固であり、後の処理
工程中に剥離するようなことがなく、設計通りの
半導体装置を製作する場合、良好な結果を得るこ
とができる。
また、薄いガラス層が残るので、トランジスタ
等の電気的特性が悪化することがない効果もあ
る。
等の電気的特性が悪化することがない効果もあ
る。
なお、本発明の実施例では、硫酸、硝酸の混合
容量比を４：１にしたが、リン拡散の条件によつ
て種々に変化させ得ることはいうまでもない。
容量比を４：１にしたが、リン拡散の条件によつ
て種々に変化させ得ることはいうまでもない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板にリンを熱拡散する第１の工程
と、この半導体基板を所定温度に加熱した硫酸と
硝酸との混合液中に浸漬して上記第１の工程によ
つて上記半導体基板のリンガラス層の表面に生成
された水溶性物質層のみを除去し、リンガラス層
は残す第２の工程と、次いで上記半導体基板を清
浄する第３の工程と、次いで上記半導体基板を乾
燥させる第４の工程と、さらにこの半導体基板の
表面にホトレジストを塗布する第５の工程とを含
むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 ２ 上記硫酸と硝酸との混合液は、その容量比が
４：１であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58027057A JPS59154022A (ja) | 1983-02-22 | 1983-02-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58027057A JPS59154022A (ja) | 1983-02-22 | 1983-02-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59154022A JPS59154022A (ja) | 1984-09-03 |
| JPH0142623B2 true JPH0142623B2 (ja) | 1989-09-13 |
Family
ID=12210432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58027057A Granted JPS59154022A (ja) | 1983-02-22 | 1983-02-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59154022A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100436007B1 (ko) * | 1996-07-19 | 2004-10-14 | 삼성전자주식회사 | 에치설비및에치방법 |
| KR20010056794A (ko) * | 1999-12-16 | 2001-07-04 | 박종섭 | 패턴의 불량을 감소시키기 위한 리소그라피 공정 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51114276A (en) * | 1975-03-20 | 1976-10-07 | Ajinomoto Kk | Method of collecting cocoons |
| JPS5330876A (en) * | 1976-09-03 | 1978-03-23 | Akai Electric | Method of cleaning surface of semiconductor |
-
1983
- 1983-02-22 JP JP58027057A patent/JPS59154022A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59154022A (ja) | 1984-09-03 |
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