JPH04113620A - 半導体基板の洗浄方法 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法Info
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- JPH04113620A JPH04113620A JP23297190A JP23297190A JPH04113620A JP H04113620 A JPH04113620 A JP H04113620A JP 23297190 A JP23297190 A JP 23297190A JP 23297190 A JP23297190 A JP 23297190A JP H04113620 A JPH04113620 A JP H04113620A
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Landscapes
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はシリコン半導体集積回路を製造する工程におけ
るシリコン半導体基板の洗浄方法に関する。
るシリコン半導体基板の洗浄方法に関する。
［発明の概要］
本発明は、シリコン半導体集積回路を製造する工程にお
いてシリコン半導体基板を洗浄するにあたり、該シリコ
ン半導体基板をオゾンを含む純水中に入れることにより
、該シリコン半導体基板のシリコン露出部分の表面に厚
さ２０Å以下の清浄なシリコン酸化膜を形成することを
特徴とする。
いてシリコン半導体基板を洗浄するにあたり、該シリコ
ン半導体基板をオゾンを含む純水中に入れることにより
、該シリコン半導体基板のシリコン露出部分の表面に厚
さ２０Å以下の清浄なシリコン酸化膜を形成することを
特徴とする。
［従来の技術］
シリコン半導体集積回路を製造するに際し、シリコン半
導体基板上に酸化膜を形成し選択的にＮ゛あるいはＰ゛
不純物の拡散を行う。これらは、既存の方法である熱酸
化法および熱拡散法を用いる。また、これら熱処理の前
に該シリコン半導体基板は、化学薬品−たとえば希フッ
酸、アンモニア水／過酸化水素水、塩酸／過酸化水素水
による洗浄が行われる。この洗浄は、該化学薬品に浸せ
きする工程、純水に浸せきする工程、乾燥する工程から
なる。
導体基板上に酸化膜を形成し選択的にＮ゛あるいはＰ゛
不純物の拡散を行う。これらは、既存の方法である熱酸
化法および熱拡散法を用いる。また、これら熱処理の前
に該シリコン半導体基板は、化学薬品−たとえば希フッ
酸、アンモニア水／過酸化水素水、塩酸／過酸化水素水
による洗浄が行われる。この洗浄は、該化学薬品に浸せ
きする工程、純水に浸せきする工程、乾燥する工程から
なる。
［発明が解決しようとする課題］
先の洗浄により洗浄されるシリコン半導体基板は、大気
中に放置されることにより、シリコン露出部分の表面に
厚さ５人から２０Åのシリコン酸化膜が自然に形成され
る。このシリコン酸化膜は、該シリコン半導体基板毎不
均−であったり、大気中からＡＩ、Ｆｅ、Ｎａといった
不純物を取り込む。
中に放置されることにより、シリコン露出部分の表面に
厚さ５人から２０Åのシリコン酸化膜が自然に形成され
る。このシリコン酸化膜は、該シリコン半導体基板毎不
均−であったり、大気中からＡＩ、Ｆｅ、Ｎａといった
不純物を取り込む。
前記シリコン酸化膜形成を抑制するため、該シリコン半
導体基板をＮ２雰囲気中に保管しても、熱処理の前に短
時間−たとえば１０分−大気に曝されることにより、所
期の目的を達成することはできない。
導体基板をＮ２雰囲気中に保管しても、熱処理の前に短
時間−たとえば１０分−大気に曝されることにより、所
期の目的を達成することはできない。
シリコン半導体基板のシリコン露出部分に、この様な薄
いシリコン酸化膜があると、熱酸化により一定膜厚のシ
リコン酸化膜−たとえば１００Ａ位−を形成しようとし
ても、均一なシリコン酸化膜を形成することができない
。また Ａ１、Ｆｅ、Ｎａといった不純物は、シリコン
酸化膜の初期耐圧を劣化させるとともに膜特性の信頼性
をも低下させる。さらにＦｅ不純物は、あらゆる熱処理
工程においてシリコン半導体基板中を拡散しＰＮ接合特
性を劣化せしめる。
いシリコン酸化膜があると、熱酸化により一定膜厚のシ
リコン酸化膜−たとえば１００Ａ位−を形成しようとし
ても、均一なシリコン酸化膜を形成することができない
。また Ａ１、Ｆｅ、Ｎａといった不純物は、シリコン
酸化膜の初期耐圧を劣化させるとともに膜特性の信頼性
をも低下させる。さらにＦｅ不純物は、あらゆる熱処理
工程においてシリコン半導体基板中を拡散しＰＮ接合特
性を劣化せしめる。
本発明の目的は、これらの特性劣化ななくし高品質の半
導体集積回路を得ることにある。
導体集積回路を得ることにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、シリコン半導体基板の熱処理工程の前洗浄に
おいて、該シリコン半導体基板を一定オシン濃度の純水
中に浸せきすることにより、該シリコン半導体基板のシ
リコン露出部分に均一で清浄なシリコン酸化膜を形成す
ることにより、かかる不具合を解消した。
おいて、該シリコン半導体基板を一定オシン濃度の純水
中に浸せきすることにより、該シリコン半導体基板のシ
リコン露出部分に均一で清浄なシリコン酸化膜を形成す
ることにより、かかる不具合を解消した。
［実施例］
以下、本発明の実施例を示す。シリコン半導体基板を熱
処理−たとえば公知の熱酸化あるいは熱拡散−するにあ
たり、本発明の前洗浄をおこなう。この洗浄は、 先
ず該シリコン半導体基板を既存の方法である化学薬品−
たとえば希フッ酸、アンモニア水／過酸化水素水、塩酸
／過酸化水素水 −に浸せきする。次に、本発明である
をオゾンを含む純水中に浸せきする。その後、公知の方
法であるスピンドライヤーまたはイソプロピルアルコー
ル蒸気により乾燥をおこなう。この洗浄の時、純水中の
オゾン濃度は５．．１、純水の温度は２３℃、浸せき時
間は５分で、該シリコン半導体基板のシリコン露出部分
の表面に厚さ２０Åの均一で清浄なシリコン酸化膜が形
成される。
処理−たとえば公知の熱酸化あるいは熱拡散−するにあ
たり、本発明の前洗浄をおこなう。この洗浄は、 先
ず該シリコン半導体基板を既存の方法である化学薬品−
たとえば希フッ酸、アンモニア水／過酸化水素水、塩酸
／過酸化水素水 −に浸せきする。次に、本発明である
をオゾンを含む純水中に浸せきする。その後、公知の方
法であるスピンドライヤーまたはイソプロピルアルコー
ル蒸気により乾燥をおこなう。この洗浄の時、純水中の
オゾン濃度は５．．１、純水の温度は２３℃、浸せき時
間は５分で、該シリコン半導体基板のシリコン露出部分
の表面に厚さ２０Åの均一で清浄なシリコン酸化膜が形
成される。
このシリコン酸化膜厚とオゾン濃度、浸せき時間の関係
を第１図にしめす。オゾン濃度は高いほど短時間に、浸
せき時間は長いほど厚く、該シリコン酸化膜は成長する
が３０八より厚くなることはない。
を第１図にしめす。オゾン濃度は高いほど短時間に、浸
せき時間は長いほど厚く、該シリコン酸化膜は成長する
が３０八より厚くなることはない。
［発明の効果］
この洗浄をおこなったシリコン半導体基板をクリーンル
ーム内にて３時間大気中に放置した後、該シリコン半導
体基板の表面を分析した結果Ａｌ １６ Ｘ １０ ”
ａｔｏｍｓ／ｃｍ２Ｆ ｅ ２ Ｘ １０ ”ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ２Ｃｒ ２ Ｘ １０ ”ａｔｏｍｓ／ｃ
ｕ＋２Ｎ ｉ ３ ｘ １０１１Ｉａｔｏｍｓ／ｃｍ
２Ｎ ａ １ ｘ １０ ”ａｔｏｍｓ／ｃｍ２とな
った。この値は、従来洗浄 −オゾンを含まない純水に
浸せきする工程を有する洗浄−をおこなった後クリーン
ルーム内にて３時間大気中に放置したシリコン半導体基
板の表面分析値の３分の１から１０分の１である。
ーム内にて３時間大気中に放置した後、該シリコン半導
体基板の表面を分析した結果Ａｌ １６ Ｘ １０ ”
ａｔｏｍｓ／ｃｍ２Ｆ ｅ ２ Ｘ １０ ”ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ２Ｃｒ ２ Ｘ １０ ”ａｔｏｍｓ／ｃ
ｕ＋２Ｎ ｉ ３ ｘ １０１１Ｉａｔｏｍｓ／ｃｍ
２Ｎ ａ １ ｘ １０ ”ａｔｏｍｓ／ｃｍ２とな
った。この値は、従来洗浄 −オゾンを含まない純水に
浸せきする工程を有する洗浄−をおこなった後クリーン
ルーム内にて３時間大気中に放置したシリコン半導体基
板の表面分析値の３分の１から１０分の１である。
本発明により洗浄された直径１５０ｖｎのシリコン半導
体基板に１２０Ａのシリコン熱酸化膜を形成した場合、
該シリコン半導体基板内でのシリコン熱酸化膜の膜厚バ
ラツキは標準偏差で３八であった。
体基板に１２０Ａのシリコン熱酸化膜を形成した場合、
該シリコン半導体基板内でのシリコン熱酸化膜の膜厚バ
ラツキは標準偏差で３八であった。
第１図は純水温度２３℃におけるシリコン酸化膜厚と純
水中のオゾン濃度、浸せき時間の関係を示すグラフ。ａ
はオゾン濃度５゜。１、ｂはオゾン濃度１゜１、Ｃはオ
ゾン濃度０． ２．、。 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
水中のオゾン濃度、浸せき時間の関係を示すグラフ。ａ
はオゾン濃度５゜。１、ｂはオゾン濃度１゜１、Ｃはオ
ゾン濃度０． ２．、。 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- シリコン半導体基板を洗浄するにあたり、該シリコン半
導体基板をオゾンを含む純水中に入れて、該シリコン半
導体基板のシリコン露出部分の表面に厚さ２０Å以下の
清浄なシリコン酸化膜を形成することを特徴とする半導
体基板の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23297190A JPH04113620A (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 半導体基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23297190A JPH04113620A (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 半導体基板の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04113620A true JPH04113620A (ja) | 1992-04-15 |
Family
ID=16947753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23297190A Pending JPH04113620A (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 半導体基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04113620A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1990
- 1990-09-03 JP JP23297190A patent/JPH04113620A/ja active Pending
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