JPH0143403B2 - - Google Patents

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JPH0143403B2
JPH0143403B2 JP10853481A JP10853481A JPH0143403B2 JP H0143403 B2 JPH0143403 B2 JP H0143403B2 JP 10853481 A JP10853481 A JP 10853481A JP 10853481 A JP10853481 A JP 10853481A JP H0143403 B2 JPH0143403 B2 JP H0143403B2
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JP
Japan
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weight
parts
powder
film
glass
Prior art date
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Expired
Application number
JP10853481A
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English (en)
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JPS5810302A (ja
Inventor
Shiro Tsunoda
Tooru Myoshi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
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Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority to JP10853481A priority Critical patent/JPS5810302A/ja
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  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明はメツキ処理が可能な低温焼成用厚膜導
電ペーストに関する。 厚膜技術を用いて導体、抵抗体、誘電体を基板
上に回路として形成する場合、最後の工程で導体
による外部電極の形成を行なうことがある。この
場合焼成温度が高いと特に抵抗体においてその特
性値が著るしく変化する。このため、この外部電
極となる導体の焼成を500〜650℃程度の温度で行
なうのが一般的である。所が従来のこのような低
温焼成用の導電ペーストには次のような欠点があ
つた。即ち、従来一般の導電ペーストはAg、
Pd、Pt、Au等の貴金属粉末(合金を含む)、ガ
ラス粉末、酸化ビスマス及び有機質ビヒクルで構
成されており、このような構成の導電ペーストは
750〜950℃焼成用に適し、焼成膜と基板との接着
強度が強く、半田付けも可能である。しかしなが
らこのような導電ペーストを基板上に500〜650℃
程度の温度で焼付けても充分な接着強度が得られ
ない。その原因はこのような低温度では酸化ビス
マスは軟化せず、導電皮膜と基板との接着に何ら
寄与しないからである。このため500〜650℃で焼
成するための導電ペーストは酸化ビスマスを添加
せず、その代りにガラス粉末を増量して接着強度
の改善を図つている。 しかしながらこのような組成の導電ペーストで
形成される導電皮膜は半田付け性が劣るのが通例
であり、そのため半田付けが必要な場合は導電皮
膜に半田メツキを施すのであるが、半田メツキ処
理すると該皮膜の接着強度が著るしく低下する傾
向があつた。この原因はガラス中のPbO及び
B2O3がメツキ液中の酸で侵されるためと考えら
れる。 本発明は上記欠点を解消し、メツキ処理に耐え
られる低温焼成用導電ペーストを提供するもので
ある。 この目的を達成するため本発明の導電ペースト
は、貴金属粉末100重量部、PbO−B2O3−SiO2
ガラス粉末2.5〜20重量部、アルミナ粉末1〜12
重量部からなる基材を有機質ビヒクルに分散せし
めた点に特徴がある。 本発明に用いる貴金属粉末は、従来の厚膜導電
ペーストに用いられているのと同様であつて、
Ag、Pd、Pt、Au等の単体、合金又はこれらの
混合物である。価格の点でAg、Ag−Pd、Ag−
Pt等が好ましい。貴金属粉末の粒径は1〜10μm
が適当である。 ガラス粉末は、焼成時に軟化ないし熔融して貴
金属粉末を基板に強固に接着せしめるものでなけ
ればならない。このため軟化点が焼成温度より10
〜200℃低いガラスが必要である。この目的のた
めにPbO−B2O3−SiO2系ガラスが適当である。 例えば600℃で焼成する場合は、PbO60、
B2O310、SiO230各重量%のガラス(軟化点約560
℃)を用いることができる。PbO−B2O3−SiO2
系ガラスはZnO、BaO、Al2O3、TiO2、ZrO2
の酸化物を少量含んでいても良い。 ガラス粉末の粒度は−325メツシユ程度に粉砕
したものが適当である。ガラス粉末の添加割合は
貴金属粉末100重量部当り2.5〜20重量部とする必
要がある。2.5重量部未満では基板との接着力が
不足であり、20重量部を超えると焼成膜の導電性
が低下し、該焼成膜表面に均一にメツキできな
い。 アルミナ粉末は焼成皮膜の耐酸性を向上するた
めに添加される。アルミナ粉末の添加割合は、貴
金属粉末100重量部当り1〜12重量部とする必要
がある。1重量部未満では耐酸性向上の効果は少
なく、12重量部を超えると焼成膜の導電性が低下
し、該焼成膜に均一にメツキできなくなる上、基
板と該焼成膜の接着力が低下する。アルミナ粉末
としては、平均粒径1〜3μmの熔融アルミナが
適当である。 上記の貴金属粉末、ガラス粉末、アルミナ粉末
からなる基材は有機質ビヒクルと共に混練し、均
一なペースト状とされる。この有機質ビヒクルは
従来の厚膜ペーストに用いられているもので良
い。1例としてエチルセルロースをブチルカルビ
トールアセテート、ターピネオールに10〜20重量
%程度溶解したものが挙げられる。基材とビヒク
ルの添加割合は最終的に得られるペースト粘度と
の関連で決めれば良い。標準的な添加割合は、主
成分となる貴金属粉末100重量部当り約40重量部
である。 このように調整されたペーストは従来の導電ペ
ーストと同様に塗布、焼成ができる。 本発明の導電ペーストはガラス、又はセラミツ
ク基板に直接に焼付けても良いし、既に基板上に
形成された導体、抵抗体、誘電体等の上に重ねて
焼付けることもできる。 以下に実験例を示す。 実験No.1〜30 貴金属粉末として銀粉95重量部、パラジウム粉
5重量部を用い、PbO:B2O3:SiO2−60:10:
30(重量比)のガラス粉1、2.5、5、10、20及び
25重量部、アルミナ粉0、1、5、12、及び15重
量部の全ての組合わせについてペーストを作製
し、焼成後の特性を測定した。有機質ビヒクルは
エチルセルロースを20重量%含有するターピネオ
ール溶液を用い、上記すべての組合せについて
各々40重量部を適用した。 作製したペーストは1インチ角のアルミナ基板
にライン幅625ミクロン、全長312.5mmのジグザグ
パターンでスクリーン印刷し、約130℃で10分間
乾燥後600℃で焼成し、焼成した試料について下
記の均一メツキ性及び耐酸性の試験を行なつた。 (1) メツキ性;ワツト浴(硫酸ニツケル、塩化ニ
ツケル、硼酸を含有する)を用いてメツキ処理
し、焼成膜表面に均一にニツケルが電着してい
るかどうかを調べた。メツキが一部分でも付い
ていない場合は不可(×印)とし、一応全面に
メツキが付いていれば可(〇印)、特に良好な
ものは優(◎印)とした。 (2) 耐酸性;試料を3.5%塩酸水溶液に40℃にて
5分間浸漬後水洗し、垂直に立てたステンレス
針に100gの荷重をかけながら試料面をこすり、
皮膜が基板から剥離するかどうかを調べた。 針が通過した跡に皮膜の割れ、剥離が認めら
れたもの、皮膜が全く接着していないものは不
可(×印)とした。接着力が維持されているも
のは皮膜面に針の条痕が残るだけである。条痕
が光沢を有し、硬度が充分保たれていると認め
られるものは優(◎印)とした。ペースト組成
と試験結果を表にまとめて示した。 上記試験結果から、貴金属粉末100重量部当り
ガラス粉末2〜20重量部でかつアルミナ粉末1〜
12重量部のとき、均一メツキ性、耐酸性いずれも
良好であることが分る。 実験No.31〜33 実験No.31は貴金属粉末として銀粉95重量部、白
金粉5重量部、実験No.32は銀粉95重量部、金粉5
重量部、実験No.33は銀粉を100重量部とし、それ
ぞれガラス粉5重量部、アルミナ粉5重量部、ビ
ヒクル40重量部としてペーストを作製し、実験No.
1〜30と同様に塗布焼成してメツキ性、耐酸性を
調べた。ペースト組成と試験結果を表に示す。い
ずれの場合も均一メツキ性、耐酸性共に満足すべ
き結果が得られた。
【表】
【表】

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 貴金属粉末100重量部、PbO−B2O3−SiO2
    ガラス粉末2.5〜20重量部、アルミナ粉末1〜12
    重量部からなる基材を有機質ビヒクルに分散せし
    めてなる導電ペースト。
JP10853481A 1981-07-10 1981-07-10 導電ペ−スト Granted JPS5810302A (ja)

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JP10853481A JPS5810302A (ja) 1981-07-10 1981-07-10 導電ペ−スト

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JP10853481A JPS5810302A (ja) 1981-07-10 1981-07-10 導電ペ−スト

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JPS5810302A JPS5810302A (ja) 1983-01-20
JPH0143403B2 true JPH0143403B2 (ja) 1989-09-20

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6355807A (ja) * 1986-08-27 1988-03-10 古河電気工業株式会社 導電性ペ−スト
JPH0515794Y2 (ja) * 1987-06-25 1993-04-26

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JPS5216229B2 (ja) * 1973-03-14 1977-05-07
JPS5251413A (en) * 1975-10-23 1977-04-25 Okuno Chem Ind Co Composite of enameled glass
JPS5585439A (en) * 1978-09-18 1980-06-27 Toshiba Corp Glass adhering conductor paste

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JPS5810302A (ja) 1983-01-20

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