JPH0143409B2 - - Google Patents

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JPH0143409B2
JPH0143409B2 JP54081136A JP8113679A JPH0143409B2 JP H0143409 B2 JPH0143409 B2 JP H0143409B2 JP 54081136 A JP54081136 A JP 54081136A JP 8113679 A JP8113679 A JP 8113679A JP H0143409 B2 JPH0143409 B2 JP H0143409B2
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JP
Japan
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compound
superconducting wire
manufacturing
alloy
compound superconductor
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JP54081136A
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English (en)
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JPS566320A (en
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Takuya Suzuki
Hitoshi Terai
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Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

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  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は多芯状の化合物超電導体層を形成した
化合物超電導線の製造方法に関するものである。
従来、化合物超電導線の製造方歩としては、例
えば第1図乃至第3図に示すいわゆるブロンズ法
が行なわれており、ここではNb3Sn化合物超電導
体を製造する場合について説明する。
() 第1図Aに示すように平角棒状のNb1の
表面にSn2を鍍金した後、この複合体3を拡
散熱処理して同図Bに示すように表面にNb3Sn
化合物超電導体層4を形成し、更に同図Cに示
すように安定化金属5を鍍金または貼合接合す
る方法。
() 第2図Aに示すようにCu−Sn合金棒6中
にNb1を複数本埋込んだ複合体3を、同図B
に示すように拡散熱処理してNb1の周りに
Nb3Sn化合物超電導体層4を形成する方法。
() 第3図Aに示すようにCu−Sn合金棒6中
にNb1を複数本埋込み、外側にNb、Taなど
の隔壁材7を介して安定化金属5を設けた複合
体3を拡散熱処理して同図Bに示すようにNb
1の周りにNb3Sn化合物超電導体層4を形成す
る方法。
しかしながら第1図に示す方法では基材となる
Nb1の表面に単一のNb3Sn化合物超電導体層4
が形成されているため、幅方向に電流分布が生
じ、印加磁界の方向に対する異方性があり、高均
質なマグネツトを作ることができない。またこの
化合物超電導線8は所謂る単芯線であるため、本
質的安定化条件を満足できず、使い易いマグネツ
トが得られない。
また第2図および第3図に示すブロンズ法によ
るものは構造が複雑なためフイラメントの断線が
生じ易い。またCu−Sn合金中のSn量に制限があ
るため生成されるNb3Sn化合物超電導体層4が十
分でなく、また最終的に残るCu−Sn合金は特性
に関与しないため超電動線8の臨界電流値(Ic)
が低くなる問題がある。特に第3図に示すように
隔壁材7を設けた構造のものは、これが加工中に
破れる虞れがあり、このままの状態で拡散熱処理
すると不良材となり、また隔壁材7は特性に無関
係なため、その分だけ特性が低下し、しかも外部
からSn2を供給できないなどの欠点があつた。
本発明は、かかる点に鑑み種々研究を行なつた
結果、基材が単一でありながら、この表面に形成
される化合物超電導体層を複数に分割して多芯状
に形成することにより、本質的安定化と電流分布
の均一化を図ると共に、臨界電流を向上させ、し
かも加工性に優れた化合物超電導線の製造方法を
見い出したものである。
即ち、本発明方法は化合物超電導体を形成する
元素のうち、融点の高い棒状金属の表面に周方向
に沿つて所定の間隔で、長手方向に沿つた複数本
のスリツトを形成し、超電導作用に寄与しない金
属条からなる隔壁材を前記スリツトに嵌入した
後、これを化合物超電導体を形成する融点の低い
他方の元素を含む金属管内に挿入し、次いでこの
複合体の両端を密閉した後、減面加工して所望の
形状とし、しかる後熱処理を行なつて前記隔壁材
によつて多芯状に隔離された化合物超電導体層を
形成することを特徴とするものである。
以下本発明を図面を参照して詳細に説明する。
第4図はNb3Sn化合物超電導線を製造する場合
の本発明の一方法を示すものである。
第4図Aに示すようにNb3Sn化合物超電導体を
形成する元素のうち、融点の高い丸棒状のNb1
を用意し、この表面の周方向に沿つて所定の間隔
で、長手方向に沿つた複数本のスリツト9を形成
する。
次いで同図Bに示すように各スリツト9にTa
条からなる隔壁材10を嵌入する。この隔壁材1
0は超電導作用に寄与しない金属条、即ち拡散熱
処理によつて他の構成元素と超電導性を有する合
金や化合物を形成しない元素、あるいは超電導性
のある化合物を形成しても使用される条件下では
超電導特性を示さない合金や化合物となるもので
あり、上記Ta条に限らずNi条のようなものでも
良い。
このように隔壁材10を嵌込んだNb1を、第
4図Cに示すように、Nb3Sn化合物超電導体を形
成する元素のうち、融点の低いSnを含んだCu−
Sn合金管11内に挿入する。次いでこのCu−Sn
合金管11の両端に、これとほぼ熱膨張率が等し
い同種または異種の金属からなる蓋を被せて、真
空中で溶接して密閉し、複合体3を形成する。
次いで、この複合体3を圧縮加工して、同図D
に示すようにNb1とCu−Sn合金管11とを密着
させて加熱中における界面の酸化防止を行なう。
次にこの複合体3を押出し、伸線などの減面加
工を行なつて、テープ状、あるいは平角状または
丸線に形成する。なおこの場合、適宜中間焼鈍を
行ないながら減面加工を行なう。
なおSn量が不足する場合、減面加工した複合
体3の表面に、必要に応じて純Snを鍍金して、
Cu−Sn合金のSn量を増加させても良い。
このようにして複合体3をテープ状に成形した
場合、次にこの複合体3を拡散熱処理して、同図
Eに示すようにNb1とCu−Sn合金11aとの間
にNb3Sn化合物超電導体層4を形成させる。また
必要に応じて、更に表面にCuなど安定化金属5
を鍍金または半田により貼合接合して同図Fに示
す如きNb3Sn化合物超電導線8を製造する。
このようにして得られたNb3Sn化合物超電導線
8は第5図に拡大して示す如く、形成された
Nb3Sn化合物超電導体層4がTa条からなる隔壁
材10により複数個に隔離されている。なお隔壁
材10の表面には反応生成物12が形成されてい
るが、これは超電導作用に寄与しない無害なもの
である。
従つて、化合物超電導体層4が多芯状に形成さ
れていることから本質的安定化が得られ、また幅
方向における電流分布の均一化が図れるため磁場
に対する異方性がなく、特に超電導マグネツトを
製造する場合に、特性の安定したものが得られ
る。また隔壁材10は間隔をおいて化合物超電導
体層4と垂直に設けられているので、第3図に示
す従来方法に比べて表面の損失を数割低減でき、
その分臨界電流密度の向上を図れると共に、外部
からのSnの供給を行なえるため、生成される
Nb3Sn化合物超電導体層4も多くでき、この結
果、特性の向上を図ることができる。
また基材となるNbは単一体でありながら、一
連の減面加工によつてNb3Sn化合物超電導体層4
を多芯化できるため、従来のブロンズ法に比べ
て、フイラメントの断線や隔壁材10の破れがな
く極めて加工性に優れている。
なお本発明は、Nb3Sn化合物超電導線を製造す
る方法に限らず例えばV3Ga、Nb3Alなどの固相
間の熱拡散により形成される化合物超電導線を製
造する場合にも適用することができる。なお、
V3Ga化合物超電導線を製造する場合には、融点
の高い棒状金属としてVを用い、融点の低い元素
を含む金属管として例えばCu−Ga合金管を用い
る。またNb3Al化合物超電導線を製造する場合に
は、融点の高い棒状金属としてNbを用い、融点
の低い元素を含む金属管として、例えばCu−Al
合金管などを用いる。
次に本発明の具体的な実施例について説明す
る。
第4図Aに示すように直径150mmの純Nb1の表
面に10mmおきに、長手方向に沿つて深さ3mm、幅
1mmのスリツト9を47本形成し、このスリツトに
幅6mm、厚さ1mmのTa条からなる隔壁材10を
嵌込んで同図Bのように形成した。次いでこれを
同図Cに示すように外径198mm、内径157mmのCu
−13.5重量%Sn合金管11内に挿入し、この両端
をCu−13.5重量%Sn合金板で蓋をして、これを
真空中で溶接して内部を密閉した。次にこの複合
体3を700℃で1時間加熱した後、外径25mmに押
出し加工して複合体3の内部を密着させ、しかる
後、減面率65%加工毎に中間焼鈍を入れながら、
厚さ100μ×幅5mmのテープ状に加工した。
次にこのテープ状の複合体3の表面に、不活性
雰囲気中で鈍Snを鍍金後、直ちに拡散熱処理し
て表層のCu−Sn合金11aのSn量を増加させ
た。次いでこれを650℃×80時間の拡散熱処理を
行ない同図Eに示すようにCu−Sn合金11aと
Nb1との界面に、隔壁材10で隔離された多芯
状のNb3Sn化合物超電導体層4を形成した。更に
Cu−Sn合金11aの表面に安定化金属5として
厚さ60μmのCu箔を半田で貼合接合して、同図F
に示す如きNb3Sn化合物超電導線8を製造した。
このようにして得られた化合物超電導線8につ
いて電流容量を測定したところ12T(テスラー)
で200Aであり、数サンプルの測定のバラツキも
±5%以内であり、またこれを用いて作成した超
電導マグネツトも、磁場に対する異方性が少ない
ため従来のものに比べて、高い磁場の均質化を図
ることができた。
以上説明した如く本発明に係る化合物超電導線
の製造方法によれば化合物超電導体層を隔壁材に
より複数に分割して多芯状に形成されているの
で、超電導特性の本質的安定化と電流分布の均一
化を図ることができると共に高い臨界電流が得ら
れ、しかも一連の減面加圧によつて多芯状に形成
できるので従来のブロンズ法に比べて加工性にも
優れているなどの顕著な効果を有するものであ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第3図は従来方法を示すもので、第
1図A乃至同図Cは単芯型の化合物超導線を製造
する工程に従つて順次示した断面図、第2図Aお
よび同図Bはブロンズ型の化合物超電導線を製造
する工程に従つて示した断面図、第3図Aおよび
同図Bは安定化金属を設けたブロンズ型の化合物
超電導線を製造する工程に従つて示した断面図、
第4図A乃至同図Fは本発明方法により化合物超
電導線を製造する工程に従つて順次示した断面
図、第5図は第4図Fの要部を拡大して示す断面
図である。 1……Nb、2……Sn、3……複合体、4……
化合物超電導体層、5……安定化金属、8……化
合物超電導線、9……スリツト、10……隔壁
材、11……Cu−Sn合金管、11a……Cu−Sn
合金。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 化合物超電導体を形成する元素のうち、融点
    の高い棒状金属の表面に周方向に沿つて所定の間
    隔で、長手方向に沿つた複数本のスリツトを形成
    し、超電導作用に寄与しない金属条からなる隔壁
    材を前記スリツトに嵌入した後、これを化合物超
    電導体を形成する融点の低い他方の元素を含む金
    属管内に挿入し、次いでこの複合体の両端を密閉
    した後、減面加工して所望の形状とし、しかる
    後、熱処理を行なつて前記隔壁材によつて多芯状
    に隔離された化合物超電導体層を形成することを
    特徴とする化合物超電導線の製造方法。 2 複合材を熱処理した後、この表面に安定化金
    属を鍍金または貼合接合することを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載の化合物超電導線の製造
    方法。
JP8113679A 1979-06-27 1979-06-27 Method of manufacturing compound superconductor Granted JPS566320A (en)

Priority Applications (1)

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JP8113679A JPS566320A (en) 1979-06-27 1979-06-27 Method of manufacturing compound superconductor

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