JPH0143933B2 - - Google Patents
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- JPH0143933B2 JPH0143933B2 JP56108587A JP10858781A JPH0143933B2 JP H0143933 B2 JPH0143933 B2 JP H0143933B2 JP 56108587 A JP56108587 A JP 56108587A JP 10858781 A JP10858781 A JP 10858781A JP H0143933 B2 JPH0143933 B2 JP H0143933B2
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- etching
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/153—Constructional details
- G02F1/1533—Constructional details structural features not otherwise provided for
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
本発明は、エレクトロクロミツク表示装置の製
造方法に関する。 近年、エレクトロクロミツク材料例えばWO3，
MoO3等の遷移金属酸化物の電気化学的酸化還元
反応を利用したエレクトロクロミツク表示装置
（以下ECDと称す）が開発されている。かかる
ECDの一般的な構造は、第１図ａに示すように
透明基板１に酸化インジウム又は酸化スズの透明
導電膜２を形成し、その膜上にエレクトロクロミ
ツク層（以下EC層と称す）としての酸化タング
ステン（WO3）膜３を蒸着し表示電極を形成し
ている。又第１図ｂのように透明導電膜２の保護
のために、表示部（WO3）以外の導電膜上に絶
縁保護膜４を設けることもある。 従来、かかるECD表示極の表示部（例えば
WO3）のパターン化は、メタルマスクを用いて
蒸着時に行なうのが一般的であるが、この場合、
機械的なマスク重ね合せ誤差が大きく、かつパタ
ーン周辺部の膜厚が均一にならず表示ボケを生じ
るという欠点を有する。 故に、精度の良いパターンを必要とする場合は
エレクトロクロミツク材料を全面蒸着した後、エ
ツチング法によつてパターン化する方法がとられ
る。 遷移金属酸化物（例えばWO3，MoO3）をエツ
チングする方法としては、主にケミカル法、プラ
ズマ法、リアクテイブスパツター法がある。ケミ
カルエツチング法は他の方法に較べ量産性に富み
安価な方法であるが、従来、サイドエツチング
（第１図ｂの６に示す）が大きいこととエツチン
グ材料の金属残渣で基板を汚すことにより採用さ
れ難かつた。 本発明は、表示部をパターン化するケミカルエ
ツチング法において、サイドエツチングが少なく
かつ、エツチング後の金属残渣のないエツチング
材料を見い出したことにより、量産性に富んだパ
ターン化方法を利用して安価なECDを提供する
ものである。 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明
する。 （実施例 １） 第２図ｅは本発明製造方法による一例のECセ
ルの要部断面を示し、図において、１は透明基
板、２はIn2O3，SnO2などの透明導電膜、３は
WO3，MoO3などの遷移金属酸化物EC層、４は
酸化シリコン、MgF2などの絶縁性保護膜、５は
レジストである。 第２図ａ〜ｅは本発明の一例によるWO3膜
ECDを用いた場合の表示極作成工程を説明する
ための説明図である。 以下、各工程について説明する。 (a) まず、ガラス基板１にIn2O3から成る透明導
電膜２を形成し、その基板面上にWO3膜３を
約3000Å程度蒸着法により形成する。 (b) さらにスクリーンレジンレジストもしくはフ
オトエツチングレジスト等のレジスト５を表示
パターン状に作成する。レジスト５は好ましく
は後の剥離工程が簡単に行なえるポジタイプの
レジストが良い。 (c) この工程はWO3膜をパターン化するエツチ
ング工程である。エツチング材料はNH4Cl―
NH4OH混合水溶液（PH10程度）を用いて行な
う。この時のサイドエツチングは1μm程度であ
つた。エツチング終了後基板を流水洗浄する。 (d) 絶縁膜コーテイングの工程である。SiOを蒸
着法により形成する。 (e) この工程はレジストを剥離すると同時に、絶
縁性保護膜をリフトオフエツチングする工程で
ある。 以上、(a)〜(e)の工程において、WO3膜のサイ
ドエツチ（オーバーエツチ）を1μm程度に制御す
ることが可能でかつ、WO3エツチング工程にお
ける金属残渣もなく、表示メモリ性のよい表示極
が得られた。 （実施例 ２） 実施例１と同様の表示極作成工程において、エ
ツチング材料を種々変えて、WO3膜のサイドエ
ツチングの程度と、金属残渣による表示メモリ性
の度合を表１に示す。
造方法に関する。 近年、エレクトロクロミツク材料例えばWO3，
MoO3等の遷移金属酸化物の電気化学的酸化還元
反応を利用したエレクトロクロミツク表示装置
（以下ECDと称す）が開発されている。かかる
ECDの一般的な構造は、第１図ａに示すように
透明基板１に酸化インジウム又は酸化スズの透明
導電膜２を形成し、その膜上にエレクトロクロミ
ツク層（以下EC層と称す）としての酸化タング
ステン（WO3）膜３を蒸着し表示電極を形成し
ている。又第１図ｂのように透明導電膜２の保護
のために、表示部（WO3）以外の導電膜上に絶
縁保護膜４を設けることもある。 従来、かかるECD表示極の表示部（例えば
WO3）のパターン化は、メタルマスクを用いて
蒸着時に行なうのが一般的であるが、この場合、
機械的なマスク重ね合せ誤差が大きく、かつパタ
ーン周辺部の膜厚が均一にならず表示ボケを生じ
るという欠点を有する。 故に、精度の良いパターンを必要とする場合は
エレクトロクロミツク材料を全面蒸着した後、エ
ツチング法によつてパターン化する方法がとられ
る。 遷移金属酸化物（例えばWO3，MoO3）をエツ
チングする方法としては、主にケミカル法、プラ
ズマ法、リアクテイブスパツター法がある。ケミ
カルエツチング法は他の方法に較べ量産性に富み
安価な方法であるが、従来、サイドエツチング
（第１図ｂの６に示す）が大きいこととエツチン
グ材料の金属残渣で基板を汚すことにより採用さ
れ難かつた。 本発明は、表示部をパターン化するケミカルエ
ツチング法において、サイドエツチングが少なく
かつ、エツチング後の金属残渣のないエツチング
材料を見い出したことにより、量産性に富んだパ
ターン化方法を利用して安価なECDを提供する
ものである。 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明
する。 （実施例 １） 第２図ｅは本発明製造方法による一例のECセ
ルの要部断面を示し、図において、１は透明基
板、２はIn2O3，SnO2などの透明導電膜、３は
WO3，MoO3などの遷移金属酸化物EC層、４は
酸化シリコン、MgF2などの絶縁性保護膜、５は
レジストである。 第２図ａ〜ｅは本発明の一例によるWO3膜
ECDを用いた場合の表示極作成工程を説明する
ための説明図である。 以下、各工程について説明する。 (a) まず、ガラス基板１にIn2O3から成る透明導
電膜２を形成し、その基板面上にWO3膜３を
約3000Å程度蒸着法により形成する。 (b) さらにスクリーンレジンレジストもしくはフ
オトエツチングレジスト等のレジスト５を表示
パターン状に作成する。レジスト５は好ましく
は後の剥離工程が簡単に行なえるポジタイプの
レジストが良い。 (c) この工程はWO3膜をパターン化するエツチ
ング工程である。エツチング材料はNH4Cl―
NH4OH混合水溶液（PH10程度）を用いて行な
う。この時のサイドエツチングは1μm程度であ
つた。エツチング終了後基板を流水洗浄する。 (d) 絶縁膜コーテイングの工程である。SiOを蒸
着法により形成する。 (e) この工程はレジストを剥離すると同時に、絶
縁性保護膜をリフトオフエツチングする工程で
ある。 以上、(a)〜(e)の工程において、WO3膜のサイ
ドエツチ（オーバーエツチ）を1μm程度に制御す
ることが可能でかつ、WO3エツチング工程にお
ける金属残渣もなく、表示メモリ性のよい表示極
が得られた。 （実施例 ２） 実施例１と同様の表示極作成工程において、エ
ツチング材料を種々変えて、WO3膜のサイドエ
ツチングの程度と、金属残渣による表示メモリ性
の度合を表１に示す。
【表】
表１において明らかなようにアルカリ性有機化
合物水溶液（No.５〜No.10）をエツチング材料に用
いてWO3のエツチングを行なつた場合、従来の
アルカリ金属塩基を用いた場合（No.１〜No.４）に
較べて、サイドエツチングを1μm以下に制御する
ことができ、かつ金属残渣による基板の汚れもな
く表示メモリ性の良い表示極が得られることが判
明した。 又、EC材料として、MoO3を利用した場合の
表示極のパターン化にも同様な効果が認められ
た。 以上説明したように本発明は、表示極のパター
ン化をケミカルエツチング法で精度よく行なえる
ようにしたことにより、表示品位の問題もなく、
量産性に富んだ安価なECDを提供するものであ
る。
合物水溶液（No.５〜No.10）をエツチング材料に用
いてWO3のエツチングを行なつた場合、従来の
アルカリ金属塩基を用いた場合（No.１〜No.４）に
較べて、サイドエツチングを1μm以下に制御する
ことができ、かつ金属残渣による基板の汚れもな
く表示メモリ性の良い表示極が得られることが判
明した。 又、EC材料として、MoO3を利用した場合の
表示極のパターン化にも同様な効果が認められ
た。 以上説明したように本発明は、表示極のパター
ン化をケミカルエツチング法で精度よく行なえる
ようにしたことにより、表示品位の問題もなく、
量産性に富んだ安価なECDを提供するものであ
る。
第１図ａ，ｂは従来のECセルの要部断面図、
第２図ａ〜ｅは本発明のECDに係るECセルの作
成工程の説明図である。 １…透明基板、２…透明導電膜、３…EC層、
４…絶縁性保護膜、５…レジスト。
第２図ａ〜ｅは本発明のECDに係るECセルの作
成工程の説明図である。 １…透明基板、２…透明導電膜、３…EC層、
４…絶縁性保護膜、５…レジスト。
Claims (1)
- １ 透明基板に設けた透明導電膜上にエレクトロ
クロミツク層を設け、該エレクトロクロミツク層
をアンモニウムイオンもしくはアミンを含有する
溶液により選択的にエツチングして残されたエレ
クトロクロミツク層を表示極とすることを特徴と
するエレクトロクロミツク表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56108587A JPS5810722A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | エレクトロクロミツク表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56108587A JPS5810722A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | エレクトロクロミツク表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5810722A JPS5810722A (ja) | 1983-01-21 |
| JPH0143933B2 true JPH0143933B2 (ja) | 1989-09-25 |
Family
ID=14488582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56108587A Granted JPS5810722A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | エレクトロクロミツク表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5810722A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62272208A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-26 | Fujikura Ltd | 定偏波光フアイバの融着接続装置 |
| US5149350A (en) * | 1986-05-20 | 1992-09-22 | Fujikura Ltd. | Apparatus for fusion-splicing a pair of polarization maintaining optical fibers |
| EP0246636B1 (en) * | 1986-05-20 | 1993-03-03 | Fujikura Ltd. | Apparatus for fusion-splicing a pair of polarization maintaining optical fibers |
-
1981
- 1981-07-10 JP JP56108587A patent/JPS5810722A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5810722A (ja) | 1983-01-21 |
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