JPH0145803B2 - - Google Patents
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- JPH0145803B2 JPH0145803B2 JP57004195A JP419582A JPH0145803B2 JP H0145803 B2 JPH0145803 B2 JP H0145803B2 JP 57004195 A JP57004195 A JP 57004195A JP 419582 A JP419582 A JP 419582A JP H0145803 B2 JPH0145803 B2 JP H0145803B2
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- transistor
- display
- voltage
- emitter
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- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は配電線に複数装着して過電流発生時、
これを表示するようにした過電流表示装置に関す
るものである。
これを表示するようにした過電流表示装置に関す
るものである。
従来、配電線に短絡事故等による過電流が発生
すると、これを変電所に設置した過電流継電器に
より検出して変電所のしや断器をトリツプさせ、
再閉路継電器により一定時間後に上記しや断器を
再閉路させ、この再閉路が成功すればそのまゝ電
力を供給し、再閉路が不成功即ち再びしや断器が
トリツプした場合はその時点で故障区間のいわゆ
る選択しや断を行なわせて故障区間の分離を図り
健全区間へしや断器のいわゆる再々閉路により送
電して、停電区域の縮少化を図る方式が配電線に
採用されている。しかし乍ら、近時配電線の絶縁
電線化に伴なつて、落雷による短絡事故が発生す
るとアークが集中し配電線が溶断しても絶縁被覆
により絶縁されて地絡検出ができず、このためし
や断器を再閉路させると、あたかも健全であるか
のごとく再閉路成功という状態になつて電力が供
給され、保守員をして一時的な短絡事故と思わ
せ、そのまゝ電力供給を続ければ、断線した配電
線によつて感電し、人身事故を惹起するおそれが
あるという問題を有する。又、配電線が溶断に至
らない場合であつてもアークの集中により損傷が
著しくその後の機械的な外力により断線してしま
うこともあつて過電流によりしや断器がトリツプ
した場合、自動再閉路をロツクして、過電流の発
生した配電線の事故復旧を図ることが配電線の保
守管理上必要となつてくる。しかし、一方では、
過電流発生時、自動再閉路をロツクすることは、
事故復旧まで広域に亘つて停電することになるの
で、電力供給面でのサービス低下につながるとい
う問題がある。
すると、これを変電所に設置した過電流継電器に
より検出して変電所のしや断器をトリツプさせ、
再閉路継電器により一定時間後に上記しや断器を
再閉路させ、この再閉路が成功すればそのまゝ電
力を供給し、再閉路が不成功即ち再びしや断器が
トリツプした場合はその時点で故障区間のいわゆ
る選択しや断を行なわせて故障区間の分離を図り
健全区間へしや断器のいわゆる再々閉路により送
電して、停電区域の縮少化を図る方式が配電線に
採用されている。しかし乍ら、近時配電線の絶縁
電線化に伴なつて、落雷による短絡事故が発生す
るとアークが集中し配電線が溶断しても絶縁被覆
により絶縁されて地絡検出ができず、このためし
や断器を再閉路させると、あたかも健全であるか
のごとく再閉路成功という状態になつて電力が供
給され、保守員をして一時的な短絡事故と思わ
せ、そのまゝ電力供給を続ければ、断線した配電
線によつて感電し、人身事故を惹起するおそれが
あるという問題を有する。又、配電線が溶断に至
らない場合であつてもアークの集中により損傷が
著しくその後の機械的な外力により断線してしま
うこともあつて過電流によりしや断器がトリツプ
した場合、自動再閉路をロツクして、過電流の発
生した配電線の事故復旧を図ることが配電線の保
守管理上必要となつてくる。しかし、一方では、
過電流発生時、自動再閉路をロツクすることは、
事故復旧まで広域に亘つて停電することになるの
で、電力供給面でのサービス低下につながるとい
う問題がある。
これに対処するため、配電線に過電流表示器を
取付け、過電流発生時事故点を迅速に見つけて早
急に事故復旧を図り、停電時間の短絡を図るよう
にしたものがある。この過電流表示器は過電流が
流れるとリレーを動作させて表示片のロツクを除
いて器外に突出表示せしめるようにしたもので、
このように構成されたものにあつては、表示動作
後、その都度柱上において手動による復帰が必要
となり、柱上への昇降、活線状態での復帰操作等
多くの手間を要し、かつ危険性もともなうという
欠点を有していた。
取付け、過電流発生時事故点を迅速に見つけて早
急に事故復旧を図り、停電時間の短絡を図るよう
にしたものがある。この過電流表示器は過電流が
流れるとリレーを動作させて表示片のロツクを除
いて器外に突出表示せしめるようにしたもので、
このように構成されたものにあつては、表示動作
後、その都度柱上において手動による復帰が必要
となり、柱上への昇降、活線状態での復帰操作等
多くの手間を要し、かつ危険性もともなうという
欠点を有していた。
本発明は、上述した点にかんがみてなされたも
ので、その目的とするところは簡略化した構成
で、過電流を的確に検出表示させ、これを所定時
間保持した後自動復帰せしめるようにしたものを
提供することにある。
ので、その目的とするところは簡略化した構成
で、過電流を的確に検出表示させ、これを所定時
間保持した後自動復帰せしめるようにしたものを
提供することにある。
以下、本発明の実施例を図によつて説明する。
1は配電線、2は配電線1に着脱可能に装着した
電流検出部で、2分割して配電線1をその両側か
ら挾着して貫通させるようにした貫通形の変流器
CT1より構成されておる。3は電流検出部2から
接続されて配電線1に過電流が流れたとき表示部
4を表示せしめるようにした制御部である。そし
て、上記制御部3の出力端に接続された表示部4
はエレクトロクロミツクスデイスプレイと称せら
れる表示素子ECDからなつている。これは容器
基板内に表示電極P1と対極電極P2とを対向させ、
この両極間に水素イオンが移動するための電解液
ELが封入されて形成され、上記表示電極P1に
(−)極性、対極電極P2に(+)極性の電圧を印
加すると、電解液EL中の水素イオンが表示電極
P1に付着して青色に発色表示し、上記電極P1、
P2に上述とは逆極性の電圧をかけて電流を逆に
流すことにより表示電極P1に付着した水素イオ
ンが電離して上記青色の発色表示が消色されるよ
うになつておる。又、表示素子ECDは印加電圧
時間と書込電気量との関係を第3図に示すよう
に、時間の経過と共に書込電気量は増大する特性
を示し、電圧を印加してから数秒で発色表示する
ようになつており、書込電気量が増大して起電力
をもち、メモリー機能を有して印加電圧を除去し
ても表示状態を保持するようになつている。
1は配電線、2は配電線1に着脱可能に装着した
電流検出部で、2分割して配電線1をその両側か
ら挾着して貫通させるようにした貫通形の変流器
CT1より構成されておる。3は電流検出部2から
接続されて配電線1に過電流が流れたとき表示部
4を表示せしめるようにした制御部である。そし
て、上記制御部3の出力端に接続された表示部4
はエレクトロクロミツクスデイスプレイと称せら
れる表示素子ECDからなつている。これは容器
基板内に表示電極P1と対極電極P2とを対向させ、
この両極間に水素イオンが移動するための電解液
ELが封入されて形成され、上記表示電極P1に
(−)極性、対極電極P2に(+)極性の電圧を印
加すると、電解液EL中の水素イオンが表示電極
P1に付着して青色に発色表示し、上記電極P1、
P2に上述とは逆極性の電圧をかけて電流を逆に
流すことにより表示電極P1に付着した水素イオ
ンが電離して上記青色の発色表示が消色されるよ
うになつておる。又、表示素子ECDは印加電圧
時間と書込電気量との関係を第3図に示すよう
に、時間の経過と共に書込電気量は増大する特性
を示し、電圧を印加してから数秒で発色表示する
ようになつており、書込電気量が増大して起電力
をもち、メモリー機能を有して印加電圧を除去し
ても表示状態を保持するようになつている。
次に、上記制御部3について説明する。上記変
流器CT1の2次側に、ダイオードをブリツジ接続
して全波整流するようにした整流回路DB1を接続
し、この整流回路DB1の出力端には、複数のダイ
オード(例えば11個)を順方向に直列に接続した
電圧非直線性素子NLEと低抵抗のの電圧変換用
固定抵抗R1と直列に挿入しこの抵抗R1の端子間
に過電流検出用の可変抵抗VR1と温度補償回路
CC1ととを直列に挿入した回路と、定電圧回路
CVC1と、この定電圧回路CVC1の出力端に逆流
阻止用のダイオードD1と充電用抵抗R2とを介し
た表示用コンデンサC1とを並列に接続し、上記
コンデンサC1の端子間に表示部4をPNP形の主
トランジスタQ1のエミツタ・コレクタとこのコ
レクタに接続した保護用抵抗R3を介して接続し
て、コンデンサC1の充電々圧を主トランジスタ
Q1を介して放電により表示素子ECDに印加させ
るようになつておる。そして表示部4の端子間に
は、過電圧保護用のダイオードD2,D3を順方向
に直列に接続した回路と、放電用抵抗R4と、表
示復帰用トランジスタQ2のコレクタ・エミツタ
間とを並列に挿入し、このトランジスタQ2のベ
ースに定電圧回路CVC1の出力端子間に直列に挿
入した分圧抵抗R5とR6の接続点(a点)を接続
し、このa点に復帰制御用のトランジスタQ3の
コレクタを接続し、このトランジスタQ3のエミ
ツタは上記トランジスタQ2のエミツタと共通接
続して、トランジスタQ3が不導通となつたとき、
トランジスタQ2を導通せしめて表示部4の表示
素子ECDの端子間を短絡するように形成し、上
記トランジスタQ3のベースには、定電圧回路
CVC1の出力端子間にN形の電界効果トランジス
タ(以下FETと略称する)Q4のドレイン・ソー
ス間と復帰制御用の可変抵抗VR2と温度補償回路
CC2とを直列に挿入した回路の上記可変抵抗VR2
の摺動子を、ベース抵抗R7を介して接続し、上
記FETQ4のゲートを主トランジスタQ1のコレク
タに接続して、FETQ4をソースフオロワに形成
し、ゲート電圧の変化に応じてソース電圧を変化
させこれを可変抵抗VR2を介してトランジスタ
Q3のベースに加えるようにし、表示素子ECDの
端子間電圧VECDがトランジスタQ3のベース・エ
ミツタ間電圧VBE3のレベル以下になつたとき、ト
ランジスタQ3を不導通にしてトランジスタQ2を
導通せしめるようになつておる。従つて、主トラ
ンジスタQ1が不導通となつて表示素子ECDがそ
の書込んだ電気量による起電力を放電抵抗R4を
通じて放電しはじめてから所定時間(例えば4時
間)たつたとき、可変抵抗VR2の出力がトランジ
スタQ3のベース・エミツタ間電圧VBE3以下とな
るように、放電抵抗R4と可変抵抗VR2が設定さ
れておる。又、上記可変抵抗VR1の出力端(摺動
子)に、エミツタ接地のトランジスタQ5のベー
スをベース抵抗R8を介して接続し、このトラン
ジスタQ5のコレクタ・エミツタ間に低抵抗の放
電用抵抗R9を介してコンデンサC2を挿入し、こ
のコンデンサC2の端子間に整流回路DB1の出力端
子間を充電用抵抗R10を介して接続して上記コン
デンサC2をDB1→R10→C2→DB1の回路で充電し、
C2→R9→Q5→C2の回路で放電せしめるようにな
つている。そして、上記放電用抵抗R9と充電用
抵抗R10は抵抗値をR9≪R10(例えば1/1000)の関
係に設定して、コンデンサC2の放電時定数が充
電時定数より極めて小さくなるようになつてお
る。又、上記コンデンサC2の端子間にはベース
抵抗R11を介してトランジスタQ6のベース・エミ
ツタ間を接続し、このトランジスタQ6のコレク
タをエミツタ接地のトランジスタQ7のベースに
接続して、コンデンサC2の充電々圧によりトラ
ンジスタQ6を導通させてトランジスタQ7のベー
ス電位を低下せしめるようになつておる。そして
上記トランジスタQ7のベースに可変抵抗VR1の
出力端をベース抵抗R12を介して接続すると共
に、エミツタが抵抗R13を介してエミツタ・ベー
ス間に抵抗R14を挿入した主トランジスタQ1のベ
ースに接続されたPNP形トランジスタQ8のコレ
クタを接続し、このトランジスタQ8のベースを
トランジスタQ7のコレクタに接続してトランジ
スタQ6の不導通によりトランジスタQ7,Q8を導
通させ、トランジスタQ8のコレクタ電流をトラ
ンジスタQ7のベースに流入させて、可変抵抗
VR1の出力VOCが零になつても導通を保持するラ
ツチ機能を有したスイツチング回路をトランジス
タQ7とQ8によつて形成し、これの導通保持によ
つて主トランジスタQ1の導通を保持し、コンデ
ンサC1の放電回路の閉成を維持させ、表示素子
ECDにコンデンサC1の充電々圧を放電により印
加して発色表示せしめるようになつている。又、
上記可変抵抗VR1に接続した温度補償回路CC1は
サーミスタTh1と抵抗R15とを並列に接続して形
成され、上記スイツチング回路を形成するトラン
ジスタQ5,Q7のベース・エミツタ間電圧VBE5、
VBE7の常温(例えば25℃)に対する温度変化に対
応して可変抵抗VR1の出力VOCを補償するように
なつている。そして、上記可変抵抗VR1の出力
VOCは、常温(例えば25℃)において、配電線1
に過電流(例えば600Aの電流)が流れたとき、
トランジスタQ5,Q7のベース・エミツタ間電圧
VBE5、VBE7のレベルに達するように設定されてお
る。又、抵抗R1の端子間には複数のダイオード
(本例では2個)を整流回路DB1の出力に対して
順方向となるように直列に接続した保護用の定電
圧素子CVEを挿入して、抵抗R1の端子間電圧が
該定電圧素子CVEの順方向電圧(例えばダイオ
ード1個の順方向電圧を0.6Vとすれば、本例で
は1.2V)以上となると、該定電圧素子CVEを導
通させて順方向電圧に保持して可変抵抗VR1の出
力側を保護すると共に、上記電圧非直線性素子
NLEと定電圧素子CVEの導通により定電圧回路
CVC1に加わる電圧が一定値以上に上昇するのを
抑制して保護するようになつている。又、上記定
電圧回路CVC1は整流回路DB1の出力端子間にト
ランジスタQ9のコレクタ・ベース間と定電圧ダ
イオードZD1を直列に挿入し、上記コレクタ・ベ
ース間に抵抗R16を挿入して、トランジスタQ9の
エミツタから出力VS1を送出するようになつてい
る。更に、可変抵抗VR2に接続された温度補償回
路CC2はサーミスタTh2と抵抗R17を並列に接続
して形成され、トランジスタQ3のベース・エミ
ツタ間電圧VBE3の温度変化に対応して可変抵抗
VR2の出力を補償するようになつている。
流器CT1の2次側に、ダイオードをブリツジ接続
して全波整流するようにした整流回路DB1を接続
し、この整流回路DB1の出力端には、複数のダイ
オード(例えば11個)を順方向に直列に接続した
電圧非直線性素子NLEと低抵抗のの電圧変換用
固定抵抗R1と直列に挿入しこの抵抗R1の端子間
に過電流検出用の可変抵抗VR1と温度補償回路
CC1ととを直列に挿入した回路と、定電圧回路
CVC1と、この定電圧回路CVC1の出力端に逆流
阻止用のダイオードD1と充電用抵抗R2とを介し
た表示用コンデンサC1とを並列に接続し、上記
コンデンサC1の端子間に表示部4をPNP形の主
トランジスタQ1のエミツタ・コレクタとこのコ
レクタに接続した保護用抵抗R3を介して接続し
て、コンデンサC1の充電々圧を主トランジスタ
Q1を介して放電により表示素子ECDに印加させ
るようになつておる。そして表示部4の端子間に
は、過電圧保護用のダイオードD2,D3を順方向
に直列に接続した回路と、放電用抵抗R4と、表
示復帰用トランジスタQ2のコレクタ・エミツタ
間とを並列に挿入し、このトランジスタQ2のベ
ースに定電圧回路CVC1の出力端子間に直列に挿
入した分圧抵抗R5とR6の接続点(a点)を接続
し、このa点に復帰制御用のトランジスタQ3の
コレクタを接続し、このトランジスタQ3のエミ
ツタは上記トランジスタQ2のエミツタと共通接
続して、トランジスタQ3が不導通となつたとき、
トランジスタQ2を導通せしめて表示部4の表示
素子ECDの端子間を短絡するように形成し、上
記トランジスタQ3のベースには、定電圧回路
CVC1の出力端子間にN形の電界効果トランジス
タ(以下FETと略称する)Q4のドレイン・ソー
ス間と復帰制御用の可変抵抗VR2と温度補償回路
CC2とを直列に挿入した回路の上記可変抵抗VR2
の摺動子を、ベース抵抗R7を介して接続し、上
記FETQ4のゲートを主トランジスタQ1のコレク
タに接続して、FETQ4をソースフオロワに形成
し、ゲート電圧の変化に応じてソース電圧を変化
させこれを可変抵抗VR2を介してトランジスタ
Q3のベースに加えるようにし、表示素子ECDの
端子間電圧VECDがトランジスタQ3のベース・エ
ミツタ間電圧VBE3のレベル以下になつたとき、ト
ランジスタQ3を不導通にしてトランジスタQ2を
導通せしめるようになつておる。従つて、主トラ
ンジスタQ1が不導通となつて表示素子ECDがそ
の書込んだ電気量による起電力を放電抵抗R4を
通じて放電しはじめてから所定時間(例えば4時
間)たつたとき、可変抵抗VR2の出力がトランジ
スタQ3のベース・エミツタ間電圧VBE3以下とな
るように、放電抵抗R4と可変抵抗VR2が設定さ
れておる。又、上記可変抵抗VR1の出力端(摺動
子)に、エミツタ接地のトランジスタQ5のベー
スをベース抵抗R8を介して接続し、このトラン
ジスタQ5のコレクタ・エミツタ間に低抵抗の放
電用抵抗R9を介してコンデンサC2を挿入し、こ
のコンデンサC2の端子間に整流回路DB1の出力端
子間を充電用抵抗R10を介して接続して上記コン
デンサC2をDB1→R10→C2→DB1の回路で充電し、
C2→R9→Q5→C2の回路で放電せしめるようにな
つている。そして、上記放電用抵抗R9と充電用
抵抗R10は抵抗値をR9≪R10(例えば1/1000)の関
係に設定して、コンデンサC2の放電時定数が充
電時定数より極めて小さくなるようになつてお
る。又、上記コンデンサC2の端子間にはベース
抵抗R11を介してトランジスタQ6のベース・エミ
ツタ間を接続し、このトランジスタQ6のコレク
タをエミツタ接地のトランジスタQ7のベースに
接続して、コンデンサC2の充電々圧によりトラ
ンジスタQ6を導通させてトランジスタQ7のベー
ス電位を低下せしめるようになつておる。そして
上記トランジスタQ7のベースに可変抵抗VR1の
出力端をベース抵抗R12を介して接続すると共
に、エミツタが抵抗R13を介してエミツタ・ベー
ス間に抵抗R14を挿入した主トランジスタQ1のベ
ースに接続されたPNP形トランジスタQ8のコレ
クタを接続し、このトランジスタQ8のベースを
トランジスタQ7のコレクタに接続してトランジ
スタQ6の不導通によりトランジスタQ7,Q8を導
通させ、トランジスタQ8のコレクタ電流をトラ
ンジスタQ7のベースに流入させて、可変抵抗
VR1の出力VOCが零になつても導通を保持するラ
ツチ機能を有したスイツチング回路をトランジス
タQ7とQ8によつて形成し、これの導通保持によ
つて主トランジスタQ1の導通を保持し、コンデ
ンサC1の放電回路の閉成を維持させ、表示素子
ECDにコンデンサC1の充電々圧を放電により印
加して発色表示せしめるようになつている。又、
上記可変抵抗VR1に接続した温度補償回路CC1は
サーミスタTh1と抵抗R15とを並列に接続して形
成され、上記スイツチング回路を形成するトラン
ジスタQ5,Q7のベース・エミツタ間電圧VBE5、
VBE7の常温(例えば25℃)に対する温度変化に対
応して可変抵抗VR1の出力VOCを補償するように
なつている。そして、上記可変抵抗VR1の出力
VOCは、常温(例えば25℃)において、配電線1
に過電流(例えば600Aの電流)が流れたとき、
トランジスタQ5,Q7のベース・エミツタ間電圧
VBE5、VBE7のレベルに達するように設定されてお
る。又、抵抗R1の端子間には複数のダイオード
(本例では2個)を整流回路DB1の出力に対して
順方向となるように直列に接続した保護用の定電
圧素子CVEを挿入して、抵抗R1の端子間電圧が
該定電圧素子CVEの順方向電圧(例えばダイオ
ード1個の順方向電圧を0.6Vとすれば、本例で
は1.2V)以上となると、該定電圧素子CVEを導
通させて順方向電圧に保持して可変抵抗VR1の出
力側を保護すると共に、上記電圧非直線性素子
NLEと定電圧素子CVEの導通により定電圧回路
CVC1に加わる電圧が一定値以上に上昇するのを
抑制して保護するようになつている。又、上記定
電圧回路CVC1は整流回路DB1の出力端子間にト
ランジスタQ9のコレクタ・ベース間と定電圧ダ
イオードZD1を直列に挿入し、上記コレクタ・ベ
ース間に抵抗R16を挿入して、トランジスタQ9の
エミツタから出力VS1を送出するようになつてい
る。更に、可変抵抗VR2に接続された温度補償回
路CC2はサーミスタTh2と抵抗R17を並列に接続
して形成され、トランジスタQ3のベース・エミ
ツタ間電圧VBE3の温度変化に対応して可変抵抗
VR2の出力を補償するようになつている。
そして、上記制御部3と表示部4は図示しない
函体内に収納され、この函体の下部に表示窓を設
けて、表示部4の発色表示が地上から的確に識別
できるようになし、かつ、函体の上部には2分割
した貫通形の交流器CT1を配電線1の両側から着
脱可能に挾着して接続するようにした電流検出部
2を一体に取付けて、本装置を形成し、これを配
電線1の複数個所に吊下取付けて過電流表示によ
り事故点を表示するようになつている。
函体内に収納され、この函体の下部に表示窓を設
けて、表示部4の発色表示が地上から的確に識別
できるようになし、かつ、函体の上部には2分割
した貫通形の交流器CT1を配電線1の両側から着
脱可能に挾着して接続するようにした電流検出部
2を一体に取付けて、本装置を形成し、これを配
電線1の複数個所に吊下取付けて過電流表示によ
り事故点を表示するようになつている。
次に過電流表示動作について説明する。今、制
御部3のトランジスタQ1〜Q9はすべて不導通、
コンデンサC1,C2はすべて零にあり、この状態
で変流器CT1を配電線1に挾着接続すると、交流
器CT1の2次電流は整流回路DB1により全波整流
された電流になり、コンデンサC2は充電用抵抗
R10を通じてC2R10時定数で充電される。同時に
上記電流は定電圧回路CVC1の抵抗R16を通じて
流れてトランジスタQ9が導通し、その出力によ
りダイオードD1を介して表示用コンデンサC1が
充電される。そして、上記コンデンサC2の充
電々圧の上昇によりトランジスタQ6のベース電
位も上昇し、トランジスタQ6が導通する。これ
によりトランジスタQ7のベース・エミツタ間は
短絡されて、スイツチング回路を形成するトラン
ジスタQ7,Q8は不導通状態に保持される。一方
電圧非直線性素子NLEもその複数のダイオード
の順方向電圧以上の電圧が印加されると導通し電
流が流れ、この電流は抵抗R1と、可変抵抗VR1
と温度補償回路CC1を接続した回路とに分流す
る。この際抵抗R1に流れる電流によつて生ずる
端子間電圧をうけた可変抵抗VR1の出力VOCはト
ランジスタQ5のベース・エミツタ電圧VBE5より
小さい(VOC<VBE5)ので、トランジスタQ5は導
通しない。又、トランジスタQ3はFETQ4のゲー
ト電圧が零にあるので、不導通状態にあり、従つ
て、トランジスタQ2は導通して表示素子ECDの
端子間を短絡している。
御部3のトランジスタQ1〜Q9はすべて不導通、
コンデンサC1,C2はすべて零にあり、この状態
で変流器CT1を配電線1に挾着接続すると、交流
器CT1の2次電流は整流回路DB1により全波整流
された電流になり、コンデンサC2は充電用抵抗
R10を通じてC2R10時定数で充電される。同時に
上記電流は定電圧回路CVC1の抵抗R16を通じて
流れてトランジスタQ9が導通し、その出力によ
りダイオードD1を介して表示用コンデンサC1が
充電される。そして、上記コンデンサC2の充
電々圧の上昇によりトランジスタQ6のベース電
位も上昇し、トランジスタQ6が導通する。これ
によりトランジスタQ7のベース・エミツタ間は
短絡されて、スイツチング回路を形成するトラン
ジスタQ7,Q8は不導通状態に保持される。一方
電圧非直線性素子NLEもその複数のダイオード
の順方向電圧以上の電圧が印加されると導通し電
流が流れ、この電流は抵抗R1と、可変抵抗VR1
と温度補償回路CC1を接続した回路とに分流す
る。この際抵抗R1に流れる電流によつて生ずる
端子間電圧をうけた可変抵抗VR1の出力VOCはト
ランジスタQ5のベース・エミツタ電圧VBE5より
小さい(VOC<VBE5)ので、トランジスタQ5は導
通しない。又、トランジスタQ3はFETQ4のゲー
ト電圧が零にあるので、不導通状態にあり、従つ
て、トランジスタQ2は導通して表示素子ECDの
端子間を短絡している。
この状態で、配電線1に落雷等による短絡事故
が発生し、過電流が流れると、可変抵抗VR1の出
力VOCが上昇し、トランジスタQ5のベース・エミ
ツタ間電圧VBE5のレベルに例えば第2図のt0の時
点で達して、トランジスタQ5が導通する(第2
図Q5)。
が発生し、過電流が流れると、可変抵抗VR1の出
力VOCが上昇し、トランジスタQ5のベース・エミ
ツタ間電圧VBE5のレベルに例えば第2図のt0の時
点で達して、トランジスタQ5が導通する(第2
図Q5)。
これにより、コンデンサC2はC2→R9→Q5→C2
の回路で瞬時的に放電し、トランジスタQ6のベ
ース電位を低下させてトランジスタQ6を不導通
とし、これによりトランジスタQ7が導通しトラ
ンジスタQ8のベース電位が低下して該トランジ
スタQ8が導通する(第2図、Q7,Q8)。トランジ
スタQ8の導通により該トランジスタQ8のコレク
タ電流がトランジスタQ7のベースに流入するこ
とになり、トランジスタQ7,Q8がラツチされて、
可変抵抗VR1の出力VOCが整流回路DB1の全波整
流波形の出力によりトランジスタQ5のベース・
エミツタ間電圧VBE5のレベルより一旦低下して、
トランジスタQ5が一旦不導通となつてもコンデ
ンサC2はその充電時定数が放電時定数より極め
て大きく設定されている(C2R10≫C2R9)から、
コンデンサC2は充放電を繰返えしてもその充
電々圧がトランジスタQ6のベース・エミツタ間
電圧VBE6のレベルに達することはなく、スイツチ
ング回路を形成するトランジスタQ7,Q8は導通
状態を保持する(第2図C2、Q7Q8)。そして、上
記トランジスタQ7,Q8の導通により主トランジ
スタQ1のベース電位が低下し、該トランジスタ
Q1が導通してこれを保持する。この導通によつ
てFETQ4のゲートにコンデンサC1の充電々圧VC1
が印加され、そのソース電圧を分圧した可変抵抗
VR2の出力によりトランジスタQ3が導通し、こ
れによりトランジスタQ2のベース電位が低下し
て該トランジスタQ2が不導通となり、コンデン
サC1はC1→Q1→R3→ECD→C1の回路で放電し、
その充電々圧VC1が表示素子ECDに図示極性で印
加される。これをうけた表示素子ECDは電解液
EL中の水素イオンが還元により表示電極P1に付
着し青色に発色し過電流発生を表示する。
の回路で瞬時的に放電し、トランジスタQ6のベ
ース電位を低下させてトランジスタQ6を不導通
とし、これによりトランジスタQ7が導通しトラ
ンジスタQ8のベース電位が低下して該トランジ
スタQ8が導通する(第2図、Q7,Q8)。トランジ
スタQ8の導通により該トランジスタQ8のコレク
タ電流がトランジスタQ7のベースに流入するこ
とになり、トランジスタQ7,Q8がラツチされて、
可変抵抗VR1の出力VOCが整流回路DB1の全波整
流波形の出力によりトランジスタQ5のベース・
エミツタ間電圧VBE5のレベルより一旦低下して、
トランジスタQ5が一旦不導通となつてもコンデ
ンサC2はその充電時定数が放電時定数より極め
て大きく設定されている(C2R10≫C2R9)から、
コンデンサC2は充放電を繰返えしてもその充
電々圧がトランジスタQ6のベース・エミツタ間
電圧VBE6のレベルに達することはなく、スイツチ
ング回路を形成するトランジスタQ7,Q8は導通
状態を保持する(第2図C2、Q7Q8)。そして、上
記トランジスタQ7,Q8の導通により主トランジ
スタQ1のベース電位が低下し、該トランジスタ
Q1が導通してこれを保持する。この導通によつ
てFETQ4のゲートにコンデンサC1の充電々圧VC1
が印加され、そのソース電圧を分圧した可変抵抗
VR2の出力によりトランジスタQ3が導通し、こ
れによりトランジスタQ2のベース電位が低下し
て該トランジスタQ2が不導通となり、コンデン
サC1はC1→Q1→R3→ECD→C1の回路で放電し、
その充電々圧VC1が表示素子ECDに図示極性で印
加される。これをうけた表示素子ECDは電解液
EL中の水素イオンが還元により表示電極P1に付
着し青色に発色し過電流発生を表示する。
他方、図示しない変電所においては、配電線1
に発生した過電流を過電流継電器により検出して
しや断器がトリツプし(第2図tCB)、一定時間後
(例えば1分後)に再閉路する。この再閉路によ
りしや断器が再びトリツプした場合、その時点で
配電線1の事故区間を分離し、しや断器は一定時
間後に再々閉路して健全区間に電力を供給する。
この過電流発生により保守員は配電線1の事故点
を本装置の過電流表示により探査し、事故復旧が
迅速に行われ、事故復旧後、事故区間へ電力が供
給される。
に発生した過電流を過電流継電器により検出して
しや断器がトリツプし(第2図tCB)、一定時間後
(例えば1分後)に再閉路する。この再閉路によ
りしや断器が再びトリツプした場合、その時点で
配電線1の事故区間を分離し、しや断器は一定時
間後に再々閉路して健全区間に電力を供給する。
この過電流発生により保守員は配電線1の事故点
を本装置の過電流表示により探査し、事故復旧が
迅速に行われ、事故復旧後、事故区間へ電力が供
給される。
一方、上記過電流の発生によるしや断器のトリ
ツプによつて、本装置に対する電力供給が停止す
ることになるが、過電流発生からしや断器がトリ
ツプするまでに(例えば過電流検出してから3サ
イクル後にトリツプするまでに)、トランジスタ
Q7,Q8を導通させこれを保持せしめているので
主トランジスタQ1は導通を保持されコンデンサ
C1の放電は継続して行なわれる。そして、コン
デンサC1の充電々圧VC1が放電により低下し、表
示素子ECDは印加電圧時間の経過に伴なつて書
込電気量も増大し端子間電圧VECDが上昇するの
で、この端子間電圧VECDより上記充電々圧VC1が
小さくなればトランジスタQ1が不導通となり、
更に充電々圧VC1がトランジスタQ7とQ8のベー
ス・エミツタ間電圧の和(VBE7+VBE8)のレベル
以下になればトランジスタQ7,Q8も不導通とな
る。上記トランジスタQ1の不導通により表示素
子ECDはその書込電気量による起電力を放電抵
抗R4を通じて放電する(即ち表示素子ECDに逆
向きの電流が流れる)。この放電によつて表示素
子ECDの端子間電圧VECDは第4図に示すように、
低下し、これにつれてFETQ4のゲート電圧も低
下することになるので、そのソース電圧も低下
し、上記主トランジスタQ1が不導通となつてか
ら所定時間(例えば4時間)経過すると(第4図
T1)、ソース電圧を分圧して出力する可変抵抗
VR2の出力電圧がトランジスタQ3のベース・エ
ミツタ間電圧VBE3以下となつてトランジスタQ3
が不導通となり、上記所定時間(例えば4時間)
までに事故復旧し、電力が供給されていると、こ
れによつてトランジスタQ2のベース電位が上昇
してトランジスタQ2が導通して表示素子ECDの
端子間を短絡する。これにより表示素子ECDは
その超電力を急速に放電し、表示素子ECDの表
示電極P1に付着した水素イオンの電離が括撥に
行なわれて発色表示が消色される。即ち、過電流
表示が自動的に復帰する。換言すれば、過電流発
生による事故が復旧して配電線1に電力が供給さ
れても、表示素子ECDはその発色表示を所定時
間保持し、復帰制御用トランジスタQ3により、
表示復帰用トランジスタQ2を導通制御して、過
電流表示を自動復帰させることになる。
ツプによつて、本装置に対する電力供給が停止す
ることになるが、過電流発生からしや断器がトリ
ツプするまでに(例えば過電流検出してから3サ
イクル後にトリツプするまでに)、トランジスタ
Q7,Q8を導通させこれを保持せしめているので
主トランジスタQ1は導通を保持されコンデンサ
C1の放電は継続して行なわれる。そして、コン
デンサC1の充電々圧VC1が放電により低下し、表
示素子ECDは印加電圧時間の経過に伴なつて書
込電気量も増大し端子間電圧VECDが上昇するの
で、この端子間電圧VECDより上記充電々圧VC1が
小さくなればトランジスタQ1が不導通となり、
更に充電々圧VC1がトランジスタQ7とQ8のベー
ス・エミツタ間電圧の和(VBE7+VBE8)のレベル
以下になればトランジスタQ7,Q8も不導通とな
る。上記トランジスタQ1の不導通により表示素
子ECDはその書込電気量による起電力を放電抵
抗R4を通じて放電する(即ち表示素子ECDに逆
向きの電流が流れる)。この放電によつて表示素
子ECDの端子間電圧VECDは第4図に示すように、
低下し、これにつれてFETQ4のゲート電圧も低
下することになるので、そのソース電圧も低下
し、上記主トランジスタQ1が不導通となつてか
ら所定時間(例えば4時間)経過すると(第4図
T1)、ソース電圧を分圧して出力する可変抵抗
VR2の出力電圧がトランジスタQ3のベース・エ
ミツタ間電圧VBE3以下となつてトランジスタQ3
が不導通となり、上記所定時間(例えば4時間)
までに事故復旧し、電力が供給されていると、こ
れによつてトランジスタQ2のベース電位が上昇
してトランジスタQ2が導通して表示素子ECDの
端子間を短絡する。これにより表示素子ECDは
その超電力を急速に放電し、表示素子ECDの表
示電極P1に付着した水素イオンの電離が括撥に
行なわれて発色表示が消色される。即ち、過電流
表示が自動的に復帰する。換言すれば、過電流発
生による事故が復旧して配電線1に電力が供給さ
れても、表示素子ECDはその発色表示を所定時
間保持し、復帰制御用トランジスタQ3により、
表示復帰用トランジスタQ2を導通制御して、過
電流表示を自動復帰させることになる。
そして、事故復旧後の配電線1に対する電力供
給によつて、コンデンサC1は定電圧回路CVC1を
介して充電されるが、同時にコンデンサC2が抵
抗R10を介して充電され、その充電電圧の上昇に
よりトランジスタQ6が導通して、トランジスタ
Q7とQ8から成るスイツチング回路の不導通状態
を保持し、主トランジスタQ1の不導通を保持し
て、次の過電流発生に備える。
給によつて、コンデンサC1は定電圧回路CVC1を
介して充電されるが、同時にコンデンサC2が抵
抗R10を介して充電され、その充電電圧の上昇に
よりトランジスタQ6が導通して、トランジスタ
Q7とQ8から成るスイツチング回路の不導通状態
を保持し、主トランジスタQ1の不導通を保持し
て、次の過電流発生に備える。
又、配電線1に取付けられた本装置が外気温の
影響により函体内の温度が常温(例えば25℃)よ
り上昇あるいは降下したときは、温度補償回路
CC1,CC2のサーミスタTh1,Th2がこれを検出
し、その温度変化に応じて抵抗値を変化させて可
変抵抗VR1,VR2の出力を温度変化に応じて可変
することになるので、トランジスタQ5,Q3のベ
ース・エミツタ間電圧VBE5,VBE3の温度変化によ
る動作電流値のバラツキが補償され、予め設定し
た配電線1の過電流検出値(例えば変流器CT1の
1次側で600A)及び所定時間(例えば4時間)
で的確に動作する。その表示動作については上述
と同様に動作するので説明を省略する。
影響により函体内の温度が常温(例えば25℃)よ
り上昇あるいは降下したときは、温度補償回路
CC1,CC2のサーミスタTh1,Th2がこれを検出
し、その温度変化に応じて抵抗値を変化させて可
変抵抗VR1,VR2の出力を温度変化に応じて可変
することになるので、トランジスタQ5,Q3のベ
ース・エミツタ間電圧VBE5,VBE3の温度変化によ
る動作電流値のバラツキが補償され、予め設定し
た配電線1の過電流検出値(例えば変流器CT1の
1次側で600A)及び所定時間(例えば4時間)
で的確に動作する。その表示動作については上述
と同様に動作するので説明を省略する。
本発明によれば、配電線に過電流が発生したと
き、これを変電所のしや断器がトリツプする前に
迅速に検出して、定常時に充電させた表示用コン
デンサを放電させ、その充電々圧を表示素子に印
加させて発色表示せしめて過電流発生を表示せし
めるようにしてあるから、しや断器がトリツプし
て電力の供給が停止しても、過電流発生を的確に
表示することができる。しかも表示素子は書込電
気量によつてその表示を保持しているので、過電
流表示を維持せしめることができ、過電流発生の
配電線を容易に見つけることができる。又、過電
流表示時間は表示素子自体に蓄積した書込電気量
による起電力を放電抵抗を通じて放電させ、この
放電によつて低下する表示素子の端子間電圧を、
復帰制御用の可変抵抗を介して、ベースに印加す
るようにした復帰制御用トランジスタの不導通に
より、表示素子の端子間に挿入した表示復帰用ト
ランジスタを導通制御せしめるまでの時間によつ
て設定するようにしてあるから、上記可変抵抗抗
の設定値によつて表示時間を任意に設定すること
ができる。このことは、過電流発生時、保守員に
よる事故点の探査に要する時間と事故復旧に要す
る時間との所要時間が、配電線の送電端と末端と
で大きく異なつてもそれに対応した表示時間にあ
らかじめ設定することができるという大きな利点
となる。
き、これを変電所のしや断器がトリツプする前に
迅速に検出して、定常時に充電させた表示用コン
デンサを放電させ、その充電々圧を表示素子に印
加させて発色表示せしめて過電流発生を表示せし
めるようにしてあるから、しや断器がトリツプし
て電力の供給が停止しても、過電流発生を的確に
表示することができる。しかも表示素子は書込電
気量によつてその表示を保持しているので、過電
流表示を維持せしめることができ、過電流発生の
配電線を容易に見つけることができる。又、過電
流表示時間は表示素子自体に蓄積した書込電気量
による起電力を放電抵抗を通じて放電させ、この
放電によつて低下する表示素子の端子間電圧を、
復帰制御用の可変抵抗を介して、ベースに印加す
るようにした復帰制御用トランジスタの不導通に
より、表示素子の端子間に挿入した表示復帰用ト
ランジスタを導通制御せしめるまでの時間によつ
て設定するようにしてあるから、上記可変抵抗抗
の設定値によつて表示時間を任意に設定すること
ができる。このことは、過電流発生時、保守員に
よる事故点の探査に要する時間と事故復旧に要す
る時間との所要時間が、配電線の送電端と末端と
で大きく異なつてもそれに対応した表示時間にあ
らかじめ設定することができるという大きな利点
となる。
しかも、上記復帰制御用の可変抵抗には過度補
償回路を設けてあるので、外気温により、函体内
の温度が変化し、これにより復帰制御用トランジ
スタのベース・エミツタ間電圧の動作電流値にバ
ラツキが生じてもこれを補償し、設定した表示時
間で的確に動作させることができる。そして、表
示時間に達した後は、事故復旧後の事故区間への
電力供給と復帰制御用トランジスタの不導通とに
よつて、表示復帰用トランジスタを導通し表示素
子の端子間を短絡して、表示素子の起電力を急速
に放電させるようにしてあるから、発色表示を急
速に消色せしめることができ、表示状態と復帰状
態を明確に区別し保守員による探査時の誤認を防
止して過電流表示を的確に識別することができ、
かつ、表示は自動的に復帰するので、柱上での復
帰操作も不要となつて手間を軽減し、配電線の保
守管理の合理化に一段と寄与することができる。
又、過電流発生の表示は表示用コンデンサの充
電々圧を表示素子に放電によつて印加せしめて行
ない、復帰は表示素子自体の放電によつて行なう
ようにしてあるから、変電所のしや断器の再閉路
又は再閉路ロツク動作に関係なく過電流表示とそ
の復帰を行なうことができ、その適用範囲を拡大
することができる。
償回路を設けてあるので、外気温により、函体内
の温度が変化し、これにより復帰制御用トランジ
スタのベース・エミツタ間電圧の動作電流値にバ
ラツキが生じてもこれを補償し、設定した表示時
間で的確に動作させることができる。そして、表
示時間に達した後は、事故復旧後の事故区間への
電力供給と復帰制御用トランジスタの不導通とに
よつて、表示復帰用トランジスタを導通し表示素
子の端子間を短絡して、表示素子の起電力を急速
に放電させるようにしてあるから、発色表示を急
速に消色せしめることができ、表示状態と復帰状
態を明確に区別し保守員による探査時の誤認を防
止して過電流表示を的確に識別することができ、
かつ、表示は自動的に復帰するので、柱上での復
帰操作も不要となつて手間を軽減し、配電線の保
守管理の合理化に一段と寄与することができる。
又、過電流発生の表示は表示用コンデンサの充
電々圧を表示素子に放電によつて印加せしめて行
ない、復帰は表示素子自体の放電によつて行なう
ようにしてあるから、変電所のしや断器の再閉路
又は再閉路ロツク動作に関係なく過電流表示とそ
の復帰を行なうことができ、その適用範囲を拡大
することができる。
第1図は本発明の実施例を示すブロツク図、第
2図は第1図の動作を説明するタイムチヤート
図、第3図は第1図の表示素子の通電々気量の特
性図、第4図は第1図の表示素子の放電特性図で
ある。 1:配電線、CT1:変流器、Q1:主トランジ
スタ、Q2:表示復帰用トランジスタ、Q3:復帰
制御用のトランジスタ、Q4:電界効果トランジ
スタ、R4:放電抵抗。
2図は第1図の動作を説明するタイムチヤート
図、第3図は第1図の表示素子の通電々気量の特
性図、第4図は第1図の表示素子の放電特性図で
ある。 1:配電線、CT1:変流器、Q1:主トランジ
スタ、Q2:表示復帰用トランジスタ、Q3:復帰
制御用のトランジスタ、Q4:電界効果トランジ
スタ、R4:放電抵抗。
Claims (1)
- 1 配電線に接続した変流器の2次側に整流回路
を介して接続された定電圧回路と、この定電圧回
路の出力端に逆流阻止用のダイオードを介して接
続された表示用コンデンサと、この表示用コンデ
ンサの端子間にPNP形の主トランジスタのエミ
ツタ・コレクタ間を介して接続されて電圧の印加
により発色表示しこれを保持する表示素子と、上
記整流回路から接続されて、上記主トランジスタ
のベースに出力するようにした過電流検出用の可
変抵抗とを備えて、過電流発生時、主トランジス
タを導通して表示用コンデンサの放電により表示
素子を発色表示せしめるようにしたものにおい
て、上記表示素子の端子間に、放電抵抗と表示復
帰用トランジスタのコレクタ・エミツタ間とを並
列に挿入し、この表示復帰用トランジスタのベー
ス・エミツタ間に、上記定電圧回路の出力端と復
帰制御用のトランジスタのコレクタ・エミツタ間
とを接続し、この復帰制御用トランジスタのベー
スには、定電圧回路の出力端にドレイン・ソース
間を接続しゲートを主トランジスタのコレクタに
接続した電界効果トランジスタの上記ソースを、
復帰制御用の可変抵抗を介して接続し、上記復帰
制御用の可変抵抗に、サーミスタと抵抗を並設し
てなる温度補償回路を接続して、上記復帰制御用
トランジスタにより、表示素子の発色を所定時間
後に急速に消色せしめるよう制御することを特徴
とする配電線の過電流表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57004195A JPS58123311A (ja) | 1982-01-13 | 1982-01-13 | 配電線の過電流表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57004195A JPS58123311A (ja) | 1982-01-13 | 1982-01-13 | 配電線の過電流表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58123311A JPS58123311A (ja) | 1983-07-22 |
| JPH0145803B2 true JPH0145803B2 (ja) | 1989-10-04 |
Family
ID=11577897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57004195A Granted JPS58123311A (ja) | 1982-01-13 | 1982-01-13 | 配電線の過電流表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58123311A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62184598A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-12 | 株式会社高岳製作所 | 電気機器の故障表示器 |
| JPS62154748U (ja) * | 1986-03-24 | 1987-10-01 | ||
| JPS62153581U (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | ||
| JPS646738U (ja) * | 1987-07-01 | 1989-01-13 | ||
| JPH01146734U (ja) * | 1988-03-18 | 1989-10-11 | ||
| JPH071294B2 (ja) * | 1993-04-02 | 1995-01-11 | エナジーサポート株式会社 | 配電線事故点探査システム |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58116013A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-11 | 愛知電機株式会社 | 配電線の過電流表示装置 |
-
1982
- 1982-01-13 JP JP57004195A patent/JPS58123311A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58123311A (ja) | 1983-07-22 |
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