JPH0147222B2 - - Google Patents
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- JPH0147222B2 JPH0147222B2 JP10178181A JP10178181A JPH0147222B2 JP H0147222 B2 JPH0147222 B2 JP H0147222B2 JP 10178181 A JP10178181 A JP 10178181A JP 10178181 A JP10178181 A JP 10178181A JP H0147222 B2 JPH0147222 B2 JP H0147222B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の製造に用いられる気相
成長装置及び気相成長方法に関し、特に気相から
シリコン・ウエーハなどの半導体基板等の基体表
面に光化学反応により生成したSi3N4等の物質を
成長させる気相化学成長装置及び気相成長方法に
関し、主として光源の光学系に関する。
成長装置及び気相成長方法に関し、特に気相から
シリコン・ウエーハなどの半導体基板等の基体表
面に光化学反応により生成したSi3N4等の物質を
成長させる気相化学成長装置及び気相成長方法に
関し、主として光源の光学系に関する。
光化学反応により気相化学成長を行なう場合に
は、反応室内に基体を置き、反応ガスを反応室内
に導きながら、基体の一主表面方向に水銀ランプ
からの紫外線を照射するのが通例である。上記の
如き従来技術による光化学反応による気相化学成
長では、被膜の沈着が基体の一主表面に限つて、
主として成長し、例えば基体の他の面（例えば裏
面）への被膜の沈着が充分でないという欠点があ
る。さらに、従来技術では基体の片面のみに光照
射を行うことにより膜形成するので、基体への熱
の加わり方に均一さを欠き、基体の反りを誘発さ
せる問題があつた。また、従来は基体の両面にト
ランジスタを形成できなかつたり、基体がモール
ド途中のICチツプなどの場合、完全に周囲を信
頼性良くSi3N4膜等で覆えないので耐湿性の点で
劣つていた。
は、反応室内に基体を置き、反応ガスを反応室内
に導きながら、基体の一主表面方向に水銀ランプ
からの紫外線を照射するのが通例である。上記の
如き従来技術による光化学反応による気相化学成
長では、被膜の沈着が基体の一主表面に限つて、
主として成長し、例えば基体の他の面（例えば裏
面）への被膜の沈着が充分でないという欠点があ
る。さらに、従来技術では基体の片面のみに光照
射を行うことにより膜形成するので、基体への熱
の加わり方に均一さを欠き、基体の反りを誘発さ
せる問題があつた。また、従来は基体の両面にト
ランジスタを形成できなかつたり、基体がモール
ド途中のICチツプなどの場合、完全に周囲を信
頼性良くSi3N4膜等で覆えないので耐湿性の点で
劣つていた。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくするた
め、光化学反応装置において、光照射を多方向か
ら行ない、基体のあらゆる面に均一な膜の被着を
行なう装置を提供する事を目的とする。
め、光化学反応装置において、光照射を多方向か
ら行ない、基体のあらゆる面に均一な膜の被着を
行なう装置を提供する事を目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的構成
は、気相から基体表面に光化学反応により生成す
る物質の被膜を沈着する装置において、上記光化
学反応を進行させるための光照射を基体に対して
多方向から行なう光源または光学系を具備するこ
とを特徴とする。
は、気相から基体表面に光化学反応により生成す
る物質の被膜を沈着する装置において、上記光化
学反応を進行させるための光照射を基体に対して
多方向から行なう光源または光学系を具備するこ
とを特徴とする。
以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明す
る。
る。
第１図は、本発明の一実施例を示す気相化学反
応装置の要部の横断面図で、石英反応管１にはモ
ノシラン（SiH4）ガスとアンモニア（NH4）ガ
スが導入され、支持台２の上にはシリコン・ウエ
ハ３が設置され、反応管の上部水銀ランプ４と下
部水銀ランプ５から紫外線がシリコン・ウエーハ
表面内で裏面方向に照射され、光化学反応により
シリコン・ウエーハ表面のSi3N4膜６とシリコ
ン・ウエーハ裏面のSi3N4膜７が形成された状態
を示す。
応装置の要部の横断面図で、石英反応管１にはモ
ノシラン（SiH4）ガスとアンモニア（NH4）ガ
スが導入され、支持台２の上にはシリコン・ウエ
ハ３が設置され、反応管の上部水銀ランプ４と下
部水銀ランプ５から紫外線がシリコン・ウエーハ
表面内で裏面方向に照射され、光化学反応により
シリコン・ウエーハ表面のSi3N4膜６とシリコ
ン・ウエーハ裏面のSi3N4膜７が形成された状態
を示す。
第２図は、本発明の他の実施例を示す気相化学
反応装置の要部の縦断面図で、石英反応管１１、
支持台１２、シリコン・ウエーハ１３、周囲型水
銀ランプ１４により構成され、シリコン・ウエー
ハ表面と側面に板着したSi3N4膜１５とシリコ
ン・ウエーハ裏面に板着したSi3N4膜１６を示
す。この場合、紫外線はシリコーン・ウエーハに
対し、周囲から照射されるため、一層つきまわり
良くSi3N7膜が形成される。
反応装置の要部の縦断面図で、石英反応管１１、
支持台１２、シリコン・ウエーハ１３、周囲型水
銀ランプ１４により構成され、シリコン・ウエー
ハ表面と側面に板着したSi3N4膜１５とシリコ
ン・ウエーハ裏面に板着したSi3N4膜１６を示
す。この場合、紫外線はシリコーン・ウエーハに
対し、周囲から照射されるため、一層つきまわり
良くSi3N7膜が形成される。
第３図は、本発明のその他の実施例を示す気相
化学反応装置の要部の縦断面図であり、石英反応
管２１、支持台２２、シリコン・ウエーハ２３、
水銀ランプ２４と、石英反応管の一部を変形させ
た裏面にアルミニウム蒸着により形成した反射鏡
２５により、石英反応管２１の表面からの照射光
は、反射鏡２５によりその一部が反射し、シリコ
ン・ウエーハ２３の裏面をも照射し、表面Si3N4
膜２６と裏面Si3N4膜２７を同時につきまわり良
く形成した状態を示す。
化学反応装置の要部の縦断面図であり、石英反応
管２１、支持台２２、シリコン・ウエーハ２３、
水銀ランプ２４と、石英反応管の一部を変形させ
た裏面にアルミニウム蒸着により形成した反射鏡
２５により、石英反応管２１の表面からの照射光
は、反射鏡２５によりその一部が反射し、シリコ
ン・ウエーハ２３の裏面をも照射し、表面Si3N4
膜２６と裏面Si3N4膜２７を同時につきまわり良
く形成した状態を示す。
この様に、気相からの基体表面に光化学反応に
よる物質の被膜を沈着する装置において、上記光
化学反応を進行させるための光照射を基体に対し
て多方向から行なう光源または光学系として２個
以上の光源、変形光源あるいは反射光学系等を具
備することにより、基体の表面のみならず裏面ま
でもつきまわりの良い膜形成を行なうことができ
る。これにより、本発明の次のような効果を有す
る。
よる物質の被膜を沈着する装置において、上記光
化学反応を進行させるための光照射を基体に対し
て多方向から行なう光源または光学系として２個
以上の光源、変形光源あるいは反射光学系等を具
備することにより、基体の表面のみならず裏面ま
でもつきまわりの良い膜形成を行なうことができ
る。これにより、本発明の次のような効果を有す
る。
(1) 基体の周囲全てが光照射を受けるので、基体
に加わる熱が均一化され、基体の反りが防止で
きる。これにより、信頼性の高い膜形成が行え
る。
に加わる熱が均一化され、基体の反りが防止で
きる。これにより、信頼性の高い膜形成が行え
る。
(2) 基体、例えばシリコン・ウエーハの片面だけ
でなく両面に素子の形成を行うことが可能とな
り、半導体装置の一層の高集積化が達成でき
る。
でなく両面に素子の形成を行うことが可能とな
り、半導体装置の一層の高集積化が達成でき
る。
(3) また、基体が例えばモールドの途中のICチ
ツプである場合、さらに具体的には、例えばリ
ードフレームにワイヤーボンドされた状態の
ICチツプであれば、全周囲にSi3N4膜等を形成
することにより、非常に耐湿性の向上した半導
体装置が得られる。
ツプである場合、さらに具体的には、例えばリ
ードフレームにワイヤーボンドされた状態の
ICチツプであれば、全周囲にSi3N4膜等を形成
することにより、非常に耐湿性の向上した半導
体装置が得られる。
(4) プリント基板等の基体の両側にそれぞれIC
チツプを形成した状態で全周囲にSi3N4膜等を
形成することができるので、非常に耐湿性等の
向上した信頼性の高い半導体装置が得られる。
チツプを形成した状態で全周囲にSi3N4膜等を
形成することができるので、非常に耐湿性等の
向上した信頼性の高い半導体装置が得られる。
本発明は、光化学反応により物質の被膜を形成
する場合に限らず、光化学反応により物質をエツ
チングしたり、洗浄したりする場合にも同様に適
用できる。
する場合に限らず、光化学反応により物質をエツ
チングしたり、洗浄したりする場合にも同様に適
用できる。
第１図は本発明の一実施例を示す２光源方式の
光化学反応装置の要部の横断面図である。第２図
は周囲光源を有する光化学反応装置の要部の縦断
面図である。第３図は反射光学系を用いた光化学
反応装置の要部の縦断面図である。 １，１１，２１……石英反応管、２，１２，２
２……支持台、３，１３，２３……基体、４，
５，１４，２４……光源、２５……反射鏡、６，
７，１５，１６，２６，２７……被膜。
光化学反応装置の要部の横断面図である。第２図
は周囲光源を有する光化学反応装置の要部の縦断
面図である。第３図は反射光学系を用いた光化学
反応装置の要部の縦断面図である。 １，１１，２１……石英反応管、２，１２，２
２……支持台、３，１３，２３……基体、４，
５，１４，２４……光源、２５……反射鏡、６，
７，１５，１６，２６，２７……被膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 気相から基体上に光化学反応により生成する
物質の被膜を形成する気相成長装置において、前
記光化学反応を進行させる光照射を前記基体に対
して多方向から行う光源または光学系を具備する
ことを特徴とする気相成長装置。 ２ 前記光源または光学系は、２方向以上から光
照射する２個以上の光源または光学系であること
をを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の気相
成長装置。 ３ 前記光源または光学系は、多方向から光照射
する１個の光源または光学系であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の気相成長装置。 ４ 前記光源または光学系は、光を反射して光路
を変化させる反射光学系を具備することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の気相成長装置。 ５ 光源または光学系から基体に対して多方向か
ら光照射を行う工程、前記多方向から光照射する
ことにより、気相から前記基体のあらゆる面にほ
ぼ均一な膜を光化学反応により形成する工程を有
することを特徴とする気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10178181A JPS583636A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10178181A JPS583636A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS583636A JPS583636A (ja) | 1983-01-10 |
| JPH0147222B2 true JPH0147222B2 (ja) | 1989-10-12 |
Family
ID=14309728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10178181A Granted JPS583636A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS583636A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60186499A (ja) * | 1984-03-05 | 1985-09-21 | Mitsubishi Metal Corp | 人工ダイヤモンドの析出生成方法 |
-
1981
- 1981-06-29 JP JP10178181A patent/JPS583636A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS583636A (ja) | 1983-01-10 |
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