JPS583636A - 気相成長装置及び気相成長方法 - Google Patents
気相成長装置及び気相成長方法Info
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- JPS583636A JPS583636A JP10178181A JP10178181A JPS583636A JP S583636 A JPS583636 A JP S583636A JP 10178181 A JP10178181 A JP 10178181A JP 10178181 A JP10178181 A JP 10178181A JP S583636 A JPS583636 A JP S583636A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
-
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- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、気相から基体表面に光化学反応により生成し
た物質を成長させる気相化学成長装置に関し、主として
光源の光学系に関する。
た物質を成長させる気相化学成長装置に関し、主として
光源の光学系に関する。
光化学反応により気相化学成長を行なう場合には、反応
室内に基体を置き、反応ガスを反応室内に導きながら、
基体の一主表面方向に水銀ランプからの紫外線を照射す
るのが通例である。上記の如き従来技術による光化学反
応による気相化学成長では、被膜の沈着が基体の一主表
面に限って、主として成長し、例えば基体の他の面（例
えば裏面）への被膜の沈着が充分でないという欠点があ
る。
室内に基体を置き、反応ガスを反応室内に導きながら、
基体の一主表面方向に水銀ランプからの紫外線を照射す
るのが通例である。上記の如き従来技術による光化学反
応による気相化学成長では、被膜の沈着が基体の一主表
面に限って、主として成長し、例えば基体の他の面（例
えば裏面）への被膜の沈着が充分でないという欠点があ
る。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくするため、光化
学反応装置において、光照射を多方向から行ない、基体
のあらゆる面に均一な膜の被着を行なう装置を提供する
事を目的とする。
学反応装置において、光照射を多方向から行ない、基体
のあらゆる面に均一な膜の被着を行なう装置を提供する
事を目的とする。
上記目的な達成するための本発明の基本的構成は、気相
から基体表面に光化学反応により生成する物質の被膜を
沈着する装置において、上記光化学反応を進行させるた
めの光照射を基体に対して多方向から行なう光源または
光学系を具備することを特徴とする。
から基体表面に光化学反応により生成する物質の被膜を
沈着する装置において、上記光化学反応を進行させるた
めの光照射を基体に対して多方向から行なう光源または
光学系を具備することを特徴とする。
以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
＠ １ ＠は、本発明の一実施例を示す気相化学反応装
置の要部の横断面図で、石英反応管１にはモノシラン（
ｇｌｇ、）ガスとアンモニア（ＮＨ，）ガスが導入され
、支持台２の上にはシリコン・ウェハ３が設置され、反
応管の上部水銀ランプ４と下部水銀ランプ５から紫外線
がシリコン・ウェーハ表面内で裏面方向に照射され、光
化学反応によりシリコン・ウェーハ表面の８１．ｌｉ４
膜６とシリコン・ウェーハ裏面の８１．Ｎ、膜７が形成
された状態を示す。
置の要部の横断面図で、石英反応管１にはモノシラン（
ｇｌｇ、）ガスとアンモニア（ＮＨ，）ガスが導入され
、支持台２の上にはシリコン・ウェハ３が設置され、反
応管の上部水銀ランプ４と下部水銀ランプ５から紫外線
がシリコン・ウェーハ表面内で裏面方向に照射され、光
化学反応によりシリコン・ウェーハ表面の８１．ｌｉ４
膜６とシリコン・ウェーハ裏面の８１．Ｎ、膜７が形成
された状態を示す。
第２図は、本発明の他の実施例を示す気相化学反応装置
の要部の縦断面図で、石英反応管１１、支持台１２、シ
リコン・ウェーハ１３、周題型水銀ラン”ｊ １４によ
り構成され、シリコン・ウェーハ表面と側面に板着した
８１．Ｎ、膜１５とシリコン・ウェーハ裏面に板着した
１９１ｓｌＪｔ ＩＩ ｊ ６を示す。
の要部の縦断面図で、石英反応管１１、支持台１２、シ
リコン・ウェーハ１３、周題型水銀ラン”ｊ １４によ
り構成され、シリコン・ウェーハ表面と側面に板着した
８１．Ｎ、膜１５とシリコン・ウェーハ裏面に板着した
１９１ｓｌＪｔ ＩＩ ｊ ６を示す。
この場合、紫外線はシリコーン・ウェーハに対シ、周囲
から照射されるため、一層つきまわり良くＢ ｉｓＭ、
膜が形成される。
から照射されるため、一層つきまわり良くＢ ｉｓＭ、
膜が形成される。
第３図は、本発明のその他の実施例を示す気相化学反応
装置の要部の縦断面図であり、石英反応管２１、支持台
２２、シリコン・ウェーハ２３、水銀ランプ２４と、石
英反応管の一部を変形させた裏面にアルミニウム蒸着に
より形成した反射鏡２５により、石英反応管２１の表面
からの照射光は、反射鏡２５により・その一部が反射し
、シリコン・ウェーハ２３の裏面をも照射し、表面８１
．Ｍ４膜２６と裏面Ｓｉ、Ｎ、膜２７を同時につきまわ
り良く形成した状態を示す。
装置の要部の縦断面図であり、石英反応管２１、支持台
２２、シリコン・ウェーハ２３、水銀ランプ２４と、石
英反応管の一部を変形させた裏面にアルミニウム蒸着に
より形成した反射鏡２５により、石英反応管２１の表面
からの照射光は、反射鏡２５により・その一部が反射し
、シリコン・ウェーハ２３の裏面をも照射し、表面８１
．Ｍ４膜２６と裏面Ｓｉ、Ｎ、膜２７を同時につきまわ
り良く形成した状態を示す。
この様に、気相からの基本表面に光化学反応による物質
の被膜を沈着する装置において、上記光化学反応を進行
させるための光照射を基体に対して多方向から行なう光
源または光学系として２個以上の光源、変形光源あるい
は反射光学系等を具備することにより、１体の表面のみ
ならず裏面までもつきまわりの良い膜形成を行なうこと
ができる。
の被膜を沈着する装置において、上記光化学反応を進行
させるための光照射を基体に対して多方向から行なう光
源または光学系として２個以上の光源、変形光源あるい
は反射光学系等を具備することにより、１体の表面のみ
ならず裏面までもつきまわりの良い膜形成を行なうこと
ができる。
本発明は、光化学反応により物質の被膜を形成する場合
に限らず、光化学反応により物質をエツチングしたり、
洗浄したりする場合にも同様に適用できる。
に限らず、光化学反応により物質をエツチングしたり、
洗浄したりする場合にも同様に適用できる。
第１ｗＪは本発明の一実施例を示す２光源方式の光化学
反応装置の要部の横断面図である。 第２図は肩囲光源を有する光化学反応装置の要部の縦断
面図である。 第３図は反射光学系を用いた光化学反応装置の要部の縦
断ｌ１１ｇである。 １．１１．２１・・・・・・石英反応管２．１２．２２
・・・・・・支持台 ５．１Ｓ、２５・・・・・・基体 ４．５，１４．２４・・・・・・光源 ２５・・・・・・・・・反射鏡 ６ 、７ 、１５ 、１６ 、２６ 、２７・・・・・
・被膜以 上 出願人 株式金社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
反応装置の要部の横断面図である。 第２図は肩囲光源を有する光化学反応装置の要部の縦断
面図である。 第３図は反射光学系を用いた光化学反応装置の要部の縦
断ｌ１１ｇである。 １．１１．２１・・・・・・石英反応管２．１２．２２
・・・・・・支持台 ５．１Ｓ、２５・・・・・・基体 ４．５，１４．２４・・・・・・光源 ２５・・・・・・・・・反射鏡 ６ 、７ 、１５ 、１６ 、２６ 、２７・・・・・
・被膜以 上 出願人 株式金社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔｇＩＬｗ′から基体表面に光イヒ学反応により生成す
る物質の［Ｈを沈着する装置において、上記光化学反応
を進行させるための光照射を基体に対して多方向から行
なう光源または光学系を具備することを特徴とする気相
成長装置。 ２、 光化学反応による気相成長装置において、２方向
以上からの光照射のための２個以上の光源を具備するこ
とを特徴とする特許請求の範−第１項記戦の気相成長装
置。 １ 光化学反応による気相成長装置において、多方向か
らの光照射のための変形光源を具備することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記職の気相成長装置。 ４、 光化学反応による気相成長装置において、光源と
、該光源を反射して光路等を変化させる反射光学系を具
備することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の気
相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10178181A JPS583636A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10178181A JPS583636A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS583636A true JPS583636A (ja) | 1983-01-10 |
| JPH0147222B2 JPH0147222B2 (ja) | 1989-10-12 |
Family
ID=14309728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10178181A Granted JPS583636A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS583636A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60186499A (ja) * | 1984-03-05 | 1985-09-21 | Mitsubishi Metal Corp | 人工ダイヤモンドの析出生成方法 |
-
1981
- 1981-06-29 JP JP10178181A patent/JPS583636A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60186499A (ja) * | 1984-03-05 | 1985-09-21 | Mitsubishi Metal Corp | 人工ダイヤモンドの析出生成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0147222B2 (ja) | 1989-10-12 |
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