JPH0147901B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、第１導電型のエミツタ領域およびコ
レクタ領域とこれらの中間に位置する第２導電型
のベース領域とを有するトランジスタを表面に設
けた半導体本体を具える半導体装置を製造するに
当り、底部層およびこの底部層上に形成した第２
層であつて互いに選択的に腐食しうる少くとも２
つの層を有するマスクを前記の表面上に設け、こ
のマスクがエミツタ領域と、このエミツタ領域の
周囲にあるベース領域の非本質的部分の領域とを
被覆する第１マスク部分を具え、この第１マスク
部分を前記の第２層および底部層を貫通する孔に
よつて画成するようにし、この孔を経て第２導電
型の接続区域を半導体本体内に形成し、前記の底
部層を選択腐食処理して横方向腐食により第１マ
スク部分の底部層の縁部を除去し、その後に上記
の縁部の除去により露出された表面の部分を経て
第２導電型の不純物を再び半導体本体内に導入し
てベース領域の前記の非本質的部分を形成し、前
記の底部層が除去された個所に、第１マスク部分
の層を選択的に腐食しうる材料より成る絶縁層を
形成し、その後に第１マスク部分を完全に除去し
てこれにより形成された孔を経てエミツタ領域と
ベース領域の本質的部分とを形成しうるようにす
る半導体装置の製造方法に関するものである。

半導体装置の特性は半導体材料中に形成する
種々の素子の形状および寸法に依存することは既
知である。極めて高い周波数での半導体装置の作
動を改善する為に、寸法を減少せしめたり領域の
位置決め精度を高めることに努力が払われてい
る。

上述した種類の方法は特に米国特許第940288号
明細書に記載されており既知である。この既知の
方法においては、互いに重畳して位置し交互に酸
化珪素および窒化珪素より成る３つの層を有する
マスクを用いている。この場合、極めて小さな寸
法のエミツタに加えてベース抵抗値r_bbが低いベ
ースを得ることができる。しかし、同じ方法によ
つてはベース接点孔、エミツタ接点孔およびコレ
クタ接点孔の、場合によつては絶縁区域の同時的
な自己整合（位置合せ）を得ることができず、従
つて順次のマスクの自己整合公差を考慮すること
なくこれらの孔を互いに最小間隔で設けるにすぎ
ない。

本発明の目的は特に、上述した欠点を軽減さ
せ、エミツタ、ベースおよびコレクタの接点孔を
自己整合的に得ることができ、接点孔と拡散窓或
いは注入窓とを、これらの孔やこれらの窓間の距
離を最小にして同時に製造しうる方法を提供せん
とするにある。

本発明は、順次に設けるべき領域を原理的に完
全に決定する多層ベースマスクを用いる。この方
法に際しては、位置決めが妨害なくある公差を満
足する被覆層により前記のマスクの一部分を保護
或いは除去する。更に本発明においては、マスク
の複数個の層の１つを選択的にアンダーカツテイ
ングし、極めて小さな寸法の孔を得る。

本発明は、第１導電型のエミツタ領域およびコ
レクタ領域とこれらの中間に位置する第２導電型
のベース領域とを有するトランジスタを表面に設
けた半導体本体を具える半導体装置を製造するに
当り、底部層およびこの底部層上に形成した第２
層であつて互いに選択的に腐食しうる少くとも２
つの層を有するマスク前記の表面上に設け、この
マスクがエミツタ領域と、このエミツタ領域の周
囲にあるベース領域の非本質的部分の領域とを被
覆する第１マスク部分を具え、この第１マスク部
分を前記の第２層および底部層を貫通する孔によ
つて画成するようにし、この孔を経て第２導電型
の接続区域を半導体本体内に形成し、前記の底部
層を選択腐食処理して横方向腐食により第１マス
ク部分の底部層の縁部を除去し、その後に上記の
縁部の除去により露出された表面の部分を経て第
２導電型の不純物を再び半導体本体内に導入して
ベース領域の前記の非本質的部分を形成し、前記
の底部層が除去された個所に、第１マスク部分の
の層を選択的に腐食しうる材料より成る絶縁層を
形成し、その後に第１マスク部分を完全に除去し
てこれにより形成された孔を経てエミツタ領域と
ベース領域の本質的部分とを形成しうるようにす
る半導体装置の製造方法において、マスク中の前
記の孔により前記の第１マスク部分から分離した
第２マスク部分を有するマスクを用い、前記の第
２マスク部分の底部層をも選択腐食処理し、この
選択腐食処理における横方向腐食によりこの第２
マスク部分における底部層の縁部を少くとも２個
所で除去し、これにより２つの窓を形成し、これ
らの窓のうち、マスクにおける前記の孔の側に位
置する１つの窓をベース接点を形成する為の窓と
し、第２マスク部分の、前記の孔の側とは反対側
に位置する他の１つの窓をコレクタ接点を形成す
る為の窓とし、前者の窓を経て第２導電型の接点
区域を半導体本体内に形成し、この接点区域を前
記の孔を経て設けた接続区域に接続することを特
徴とする。

本発明の方法により形成する種々の領域の境界
や接点孔はすべて、処理の開始に形成したマスク
によつて決まる。

下方の層の２つの縁部を選択的に除去すること
により前記の第２マスク部分の両側に形成される
窓は底部層のアンダーカツテイング部の深さにほ
ぼ等しい幅を有する為、接点孔として作用する必
要のある前記の窓を最小寸法とすることができ
る。

第２マスク部分の両側にそれぞれ形成するベー
ス接点窓およびコレクタ接点窓間の距離はこの第
２マスク部分の幅に依存する。この距離は最適値
とすることができ、この最適値は所望に応じ極め
て小さくすることができ、またこの距離はベース
接点およびコレクタ接点間の絶縁状態によつての
み制限される。同様に、エミツタおよびベース接
点間の距離は前記のマスクの２つのマスク部分間
の距離によつて決まる。この距離は極めて小さな
値とすることができる。

本発明方法によれば、エミツタ幅を最小にでき
るとともに内部ベース抵抗値r_bbを極めて小さく
できるという利点以外に、エミツタ接点、ベース
接点およびコレクタ接点に対し必要な窓や区域を
自己整合せしめるという利点が得られる。

本発明の好適例では、前記のマスクが、特に前
記の底部層の下側に補助層が設けられた少くとも
３つの層を有するようにし、前記の補助層が前記
の絶縁層に対して選択的に腐食されうるとともに
底部層の前記の横方向腐食処理の結果として前記
の補助層の縁部が露出されるように前記の補助層
を選択し前記の補助層の縁部を前記の絶縁層に対
して選択的に除去し、これによりベース接点およ
びコレクタ接点に対して用いる前記の窓を形成す
るようにする。この好適例の利点の１つは、マス
クを形成する種々の材料を広く選択しうるという
ことであり、従つて最も簡単な作動条件の下で選
択的に腐食せしめうる層の組合せを決定すること
ができる。

本発明の他の好適例では、底部層の少くとも１
つが半導体本体の酸化に耐えうるマスクを用い、
前記の絶縁層を半導体本体の自由表面の局部酸化
により形成しうるようにする。

本発明による方法は、トランジスタの能動領域
および区域や、接点に対する窓を自己整合させる
ばかりではなく、集積回路の島絶縁領域をも、特
にこれらの島絶縁領域が誘電体材料より成る場合
に自己整合させる。本発明による方法の特に好適
な例によれば、トランジスタの周辺に島絶縁領域
を形成するのを、この島絶縁領域の少くともある
境界を前記のマスクの形状の第１腐食中に位置決
めして行なうのが好ましい。すなわち、まず最初
に第１および第２マスク部分の形状を前記の第２
層で形成し、次にドーピング窓を前記の底部層に
腐食形成し、この窓を経て島絶縁領域を形成し、
その後にベースの非本質的部分の上方に位置する
前記の孔を底部層においてマスクに形成する。

従つて、島絶縁領域はトランジスタの能動領域
の位置や接点の為の孔と正確に一致する。

能動領域や接点区域はイオン注入によつて形成
するのが好ましく、この場合には被覆層を感光性
のラツカー或いはポリイミド形の有機材料から造
ることができ、またこれらの被覆層は領域や孔の
寸法を決定しない為、これらの被覆層の場合その
寸法や、マスク自体に対する位置の双方或いはい
ずれか一方の精度を大きくする必要がない。

本発明は、半導体装置を前述した方法によつて
得るという事実ばかりではなく、この半導体装置
を構成する複数個のトランジスタの少くとも１個
のトランジスタのベース領域がその本質的部分か
らベース接点にかけて、非本質的部分、接続区域
および接点区域を有するようにした半導体装置の
構成をも特徴とする半導体装置にも関するもので
ある。

本発明による方法によつて製造した半導体装置
は、特に高周波で用いるのに適した構造、すなわ
ち寸法が最小で且つ正確であり、内部ベース抵抗
値が極めて小さい構造の半導体装置となる。更
に、ベース接点区域とコレクタ接点区域との間の
距離が極めて正確に得られる。

図面につき本発明を説明する。

図面中各部分寸法は実際に比例したものではな
い。

第１Ａ〜１Ｈ図は、導電型が交互に異なる３つ
の順次の領域、すなわち極めて幅狭なエミツタ、
ベースおよびコレクタを有する少くとも１個のト
ランジスタを具える半導体装置をその種々の製造
工程で示す。本発明によれば、ベース領域は数個
の部分、すなわちエミツタの下側にありベース領
域の本質的（intrinsic）部分と称する実際のベー
ス区域と、非本質的（extrinsic）部分とを有し、
この非本質的部分は本質的なベースの延長部中に
延在する第１部分と、ベース接点区域と、これら
第１部分および接点区域間の接続区域とを有す
る。

半導体装置は平坦な半導体本体、一般に珪素本
体から造り、この半導体本体のうち少くともコレ
クタを形成すべき表面部分を第１導電型とする。
半導体本体のこの表面部分を第１Ａ〜１Ｈ図に１
で示す。以後この表面部分を半導体本体と称す
る。

この半導体本体１の上側面上にはマスクを形成
し、このマスクは、少くとも底部層２とその上に
設けた第２層３とを有する数個の保護層を以つて
構成する。これらの層は互いに選択的に腐食しう
る数個の材料から造り、底部層２を第２層３に対
して選択的に腐食しうるとともに、その逆に選択
的に腐食しうるようにする。

底部層としては例えば厚さが0.06〜0.1μmの窒
化珪素層２を用いることができ、第２層としては
厚さが0.1〜0.2μmの酸化珪素層３を用いることが
できる。

マスクは既知の方法の腐食により層２および３
から形成する。このマスクを第１Ａ図に示し、こ
のマスクは第１マスク部分４と、このマスク部分
４の縁部に隣接する孔、例えば孔５とを有する。

本発明によれば、第１マスク部分４の付近に位
置し、孔５により或いはこの孔の少くとも一部分
により第１マスク部分から離間させた第２マスク
部分８をも上記のマスクが有するようにする。

第２導電型のドーピング不純物をマスクの孔５
を経て半導体本体１内に導入し、ベース領域に対
する接続区域９を構成するベース区域の部分を得
る。

この不純物は例えばイオン注入により高濃度で
導入させるのが好ましい。不純物を導入したくな
いマスクの孔の部分５ａを保護する為に感光性ラ
ツカー或いはポリイミド形の有機材料から成る被
覆層１０を用いることができる。接続区域９を得
る為には拡散方法を用いることもでき、この場合
には底部層２をマスクの孔の部分５ａ上に位置さ
せる必要がある。このことを第１Ａ図に破線１１
で示す。第２マスク部分８の位置はこの第２マス
ク部分８の第２層３によつて決まる。拡散後第２
マスク部分８を第１Ａ図に実線で示すような形状
にすることができ、この場合第２層３の部分を底
部層２を選択的に除去する為の位置決め用の基準
部材として用いる。

第１Ｂ図に示すように、底部層２の縁部１２を
第１マスク部分４の範囲における孔５からの横方
向腐食により底部層から除去する。この処理中、
第２マスク部分８は例えば感光性の重合ラツカー
より成る適当な特性を有する被覆層１３によつて
保護する。次に、被覆層１３或いは第１Ｃ図に示
すような同様な形状の他の被覆層１３ａを用いて
第１マスク部分４の第２層３を選択的に除去す
る。従つて、第１マスク部分４は底部層２のみが
残る。次に、例えばイオン注入により半導体本体
１の自由面から第２導電型のドーピングを行な
い、第１マスク部分４の周辺にトランジスタのベ
ース領域の非本質的部分１４を形成する。この非
本質的部分（イオン注入領域）は、底部層２側と
は反対側において、この非本質的部分と同一導電
型の接続区域９の一部分内で被覆層１３ａの境界
まで延在し、非本質的部分と接続区域との共通部
分１４ａにより接続区域９とベース領域の非本質
的部分１４との間の電気的連続性を優れたものと
する。

被覆層１３ａの境界（および被覆層１３の境
界）は大きな精度を必要としないこと明らかであ
る。

層１３ａを除去した後、窒化珪素の底部層２を
第１Ｄ図に示すように第１および第２マスク部分
４および８の個所で半導体本体１をマスクするマ
スクとして作用させて半導体本体１の自由表面全
体に亘つて例えば高温度での酸化により絶縁性マ
スク層１５を設ける。この絶縁性マスク層１５は
第２層３と底部層２との双方が除去されている個
所に形成される。本例の場合窒化珪素より成る底
部層２は酸化物の絶縁性マスク層１５に対して選
択的に腐食でき、これにより後に説明するように
底部層２を数回腐食しても極めて正確に設ける保
護層を必要とすることなく絶縁性マスク層１５が
維持される。

一方、半導体本体の自由表面を熱酸化すること
により絶縁性マスク層１５を得る例で述べた事実
により、上記の層１５を必要としない第２マスク
部分の個所にこの層１５が形成されないという利
点が得られる。これと同じ結果を、半導体本体の
自由表面を陽極酸化することにより得ることがで
きる。

しかし、このことは、正確なフオトマスク処理
を行なうことなくマスク部分４，８の表面を被覆
する絶縁マスク層の部分を除去しうるいかなる他
の既知の方法の使用までも排除するものではな
く、材料を選択的に堆積させたり、除去させたり
するようにすることもできる。

本発明によれば、次に第１Ｅ図に示すように第
２マスク部分８の底部層２を横方向腐食処理し、
この底部層の両側縁部１７および１８を除去し、
これらの縁部の個所に２つの窓１７ａおよび１８
ａを形成する。窓１７ａはトランジスタのベース
接点を形成する作用をし、窓１８ａはコレクタ接
点を形成する作用をする。これらの２つの窓は第
２マスク部分８の両側に位置する。第２マスク部
分８における底部層２の２つの縁部１７および１
８の横方向腐食中、第１マスク部分４は例えば被
覆層１３（第１Ｂ図）と同じ特性の被覆層２０に
より被覆しておく。この被覆層２０は第１の島の
残部の周囲を充分に越えて突出せしめうる為、こ
の被覆層の極めて正確な位置決めは必要としなく
なる。

次に、被覆層２０を除去し、また第２マスク部
分８のうちの第２層３の部分を除去する。この後
者の腐食処理は、例えば第２層３が不純物を有し
これにより弗化素酸中での第２層３の融解速度が
層１５を形成する純粋な酸化珪素に比べて著しく
速くなるようにすることにより絶縁性マスク層１
５を保護することなく行なうことができる。これ
により絶縁性マスク層１５の充分に肉厚な部分が
残る。他の例ではこの層１５を第２層３よりも肉
厚にすることもできる。

次に、例えば感光性の重合ラツカーより成る新
たな被覆層２１（第１Ｆ図参照）によりベース接
点の為の窓１７ａを選択する。この窓を経てイオ
ン注入することにより第２導電型の不純物を半導
体本体内に導入させ、トランジスタのベース領域
の接続区域９に隣接する接点区域２２を形成す
る。

次に、被覆層２１を除去し、窓１８ａを他の被
覆層２３（第1F図に破線で示す）により選択す
る。この窓を経て（同様にイオン注入により）第
１導電型の不純物を導入し、トランジスタのコレ
クタの為の接点区域２４を得る。被覆層２１およ
び２３は大きな位置決め精度を必要としないこと
明らかである。

最後に第１Ｇ図に示すように、感光性の重合ラ
ツカーより成る被覆層２５によりトランジスタの
エミツタのエミツタの位置を選択し、第１マスク
部分の残存部４ａ（第１Ｆ図）を選択的に除去し、
これにより窓４ｂを露出させる。この窓の幅は、
前述したように第１マスク部分の底部層が横方向
腐食されたことによりマスクの第１マスク部分の
最初の幅よりも減少している。

窓４ｂを経てまず最初に第１導電型の不純物
を、次に第２導電型の不純物を２回の順次のイオ
ン注入により半導体本体内に導入する。この後者
の不純物は前者の不純物よりも深く注入し且つこ
の後者の不純物を、その熱拡散係数が前者の不純
物の熱拡散係数よりも大きくなるように選択する
か或いはこれらの双方の処理のいずれか一方を行
なう。このようにしてトランジスタのエミツタ領
域２６と、ベース領域の本質的部分２７とが形成
される。

被覆層２５を除去した後、熱処理を行なつて、
注入された不純物を再分布させ、この処理中これ
らの不純物が予め決定した最適な深さまで拡散す
るようにする。

半導体装置の製造は、トランジスタの３つの領
域と接点を形成する導体、すなわちエミツタ領域
２６と直接接触する導体２８と、（接続区域９お
よび接点区域２２を介して）ベース領域２７と接
触する導体２９と、半導体本体１の最初の材料よ
り成るコレクタ領域と接触する導体３０とを設け
ることにより終了する。完成した半導体本体を第
１Ｈ図に示す。

第１Ｉ図は上述した場合と同様にして製造した
トランジスタの断面図であり、そのベースおよび
コレクタはエミツタ領域２６の両側に対称的に延
在する。従つて、このトランジスタは２つのベー
ス接点２９および２９′と２つのコレクタ接点３
０および３０′とを有する。このトランジスタの
場合、エミツタが極めて小さな寸法となるという
利点に加えて、ベース抵抗値r_bbが極めて小さく
なる。上述した方法での上述した半導体装置の構
造は、第２マスク部分８を中央の島４の各側に対
称的に位置する２つの同一のマスク部分に分割す
ることにより得ることができる。

第２Ａ〜２Ｎ図の断面図および第３Ａ〜３Ｉ図
の平面図につき後述する例は集積化したバイポー
ラトランジスタの製造に関するものであり、この
場合トランジスタを、同一の半導体結晶に集積化
された他の素子から絶縁する深い絶縁領域を上記
のトランジスタの領域と同時に位置決めする。

第２Ａ図はわずかにドーピングしたＰ型の基板
４１を有する珪素本体４０を示す。埋込層、例え
ば層４２はｎ型不純物、例えばアンチモンを堆積
し、この不純物を拡散することにより形成し、こ
の層４２は製造すべきトランジスタの個所に位置
させる。次に、基板４１上にｎ型珪素のエピタキ
シアル層４３を設け、このエピタキシアル層４３
に例えば砒素をドーピングし、このエピタキシア
ル層の固有抵抗を0.5〜2.5Ω−cm程度とする。

多量にドーピングした埋込層４２は、例えば硼
素注入により得た区域４４により分離し、この区
域４４により後の工程で半導体材料と絶縁区域と
の間の界面に生じるおそれのあるチヤネルの形成
を防止するようにする。このようなチヤネルが形
成されると、これらのチヤネルにより、互いに絶
縁状態に維持すべき領域間を短絡するおそれがあ
る。層４２は、バイポーラトランジスタのコレク
タ接点に電流を通す為のコレクタ電流通路を形成
する為のものである。

エピタキシアル層４３の上側表面上には厚さが
0.02μm程度の酸化珪素の肉薄層４５を形成する。
この肉薄層４５は珪素の表面を保護する為のもの
である。次に、窒化珪素補助層４６を設ける。層
４５および４６は一般的に既知の方法（例えば酸
化物に対しては900℃での熱酸化、窒化物に対し
てはプラズマ堆積）によつて形成しうる。

層４６上にはアルミニウム層の陽極酸化により
或いは陰極スパツタリングにより酸化アルミニウ
ムの層４７を形成する。

最後に窒化珪素の第２層４８を形成する。この
層４８は、底部層４７の酸化アルミニウムを、腐
食するのが極めて困難な同素体変種（Al₂O₃）と
してしまうおそれのある通常の高温度（750〜900
℃）ではなく例えば300℃程度の温度でプラズマ
反応管内で得る。

最後の３つの層の厚さは、補助層４６に対し
0.05および0.08μm間、底部層４７に対し0.10およ
び0.20μm間、第２層４８に対し0.10および
0.16μm間とする。

層４８上には感光性ラツカーにより被覆層４９
をベースマスクの形状に応じて設ける。この被覆
層４９は特に製造すべきトランジスタのエミツタ
およびベースの一部分の面の上方に位置する部分
４９１と、トランジスタのベース接点からコレク
タ接点まで延在する面の上方に位置する部分４９
２と、トランジスタを囲んで形成すべき深い絶縁
領域の周辺に位置する２つの側方部分４９３およ
び４９４（これらの２つの部分４９３および４９
４は第２Ａ図には部分的にのみ示す）とを有す
る。

部分４９１は例えば8μm×4μmの矩形にするこ
とができ、例えば正方形とした部分４９２は8μm
×8μmとする。部分４９１および４９２の縁部は
互いに4μmだけ離間させ、部分４９３および４９
４は部分４９２および４９１からそれぞれ例えば
7μmだけ離間させる。

第２層４８は第２Ｂ図に示すように被覆層４９
にあけた孔を経て腐食する。この腐食処理の為に
は、、四弗化炭素および酸素に基づいたプラズマ
を用いるのが好ましい。この方法では高温度を用
いないですみ、下側の酸化アルミニウム層（底部
層）４７が殆んど悪影響を受けない。第２層４８
には部分４８１および４８２が形成され、これら
の部分が、第２Ｂ図で部分４８２の左側および部
分４８１の右側に形成すべき深い絶縁領域の境界
の印となる。

次に、被覆層４９を除去し、窒化物４８１およ
び４８２の表面を酸化する（第２Ｃ図参照）。こ
の酸化は、底部層４７の酸化アルミニウムが化学
的に安定な同素体底部層に変換されるのが防止さ
れるような比較的低い温度（＜700℃）で行なう。
すなわちこの酸化は、温度を630℃および690℃間
として25バール程度の圧力で酸素および水素の雰
囲気中で行なう。このようにして形成された肉薄
のオキシナイトライド（oxynitride）層５０の厚
さは0.01μm程度である。

次に、第２Ｄ図（およびこの第２Ｄ図の２つの
縦の線Ａ間に位置する部分に一致する第３Ａ図
の平面図）に示すように、感光性の重合ラツカー
の被覆層５１を形成する。この被覆層は部分４８
１および４８２間に存在する凹所を部分的に保護
し、形成すべき絶縁領域の位置に相当する層４８
の他の凹所内に位置する底部層４７の部分を自由
に処理しうるように残す。

次に、酸化アルミニウムの底部層４７を酢酸中
に弗化アンモニウムを入れた溶液により腐食す
る。この腐食処理は窒化珪素の層４６で終了さ
れ、底部層の部分４６１が残る。次に、層４６を
例えば弗化物のプラズマにより、層４８に対して
行なつたようにして腐食する。この腐食処理は、
珪素本体を保護する酸化珪素の肉薄層４５で終了
される。この腐食工程中層５０が第２層の部分４
８１および４８２をマスクする。このようにして
補助層の部分４６１が残る。

第２Ｅ図および（この第２Ｅ図の２つの縦の線
Ｂ間に位置する部分に相当する平面図である）
第３Ｂ図に示すように、、感光性の重合ラツカー
の新たな被覆層５２を形成する。この被覆層は部
分４８１および４８２間に存在する凹所を保護す
るとともに、第２図の断面に平行なこれらの部分
４８１および４８２の側面４８１ａ，４８１ｂお
よび４８２ａ，４８２ｂ（第３Ｂ図参照）を大部
分被覆し、且つ部分４７１および４６１の対応す
る側面をも被覆する。次に、酸化アルミニウムの
部分４７１を横方向に腐食する。この腐食は燐酸
溶液により60℃の温度で行なう。この温度では窒
化珪素は腐食されず、酸化物層４５がその下側の
珪素を保護する。この腐食により、第２Ｅ図にお
いて底部層４７の縁部５３ａ（部分４７１の右側）
および５３ｂ（部分４７１の左側）に相当し、約
2μmの深さを有するアンダーカツテイング部分を
生ぜしめる。この腐食により部分４６１の右側お
よび左側の補助層縁部５８ａおよび５８ｂを露出
させる。

この工程での第３Ｂ図の平面図における破線
T₁およびT₁′は酸化アルミニウム部分４７１の表
面の横方向境界を示す。第３Ｂ図に示すようにこ
の表面の隅部には化学的腐食により既知のように
わずかに深いへこみが生じる。

次に、被覆層５２を除去し、半導体本体を弗化
水素酸の浴内に浸すことによりオキシナイトライ
ド層５０や酸化物層４５の露出部分を選択的に除
去する。これによりマスクの第１孔５４ａが得ら
れる。

弗化水素酸、硝酸、酢酸およびヨー素の溶液に
より第１孔５４ａを経て腐食することにより半導
体本体から珪素を除去する。この溶液は窒化珪素
および酸化アルミニウム層を全く或いは殆んど腐
食しない。この腐食処理は、エピタキシアル層４
３を経て基板４１内に到達する深い絶縁領域が有
すべき厚さの半分ないし2/3の深さを有する溝が
得られるまで続ける。次にこれらの溝を熱酸化に
より酸化珪素で充填する。この処理は、700℃よ
りも低い温度で圧力下での酸化により行ない、前
述したように酸化アルミニウム層の変換を防止す
るようにする。この酸化は例えば650℃の温度で
且つ90気圧での飽和水蒸気の雰囲気中で行なう。
この酸化は層４３の厚さに応じて２〜10時間続け
る。このように形成された深い絶縁領域（島絶縁
領域）を第２Ｆ図に５５で示す。第２Ｆ図に示す
ようにこの領域（酸化物）５５の表面にはその横
方向に約1μmの“鳥のくちばし”状の部分が形成
される。

この領域５５は層４３において、トランジスタ
を形成しうる領域を絶縁する。

第２Ｇ図および（この第２Ｇ図の２つのＣ線
間に位置する部分に相当する平面図である）第３
Ｃ図に示すように、感光性の重合ラツカーより成
る新たな被覆層５６を設け、この被覆層５６によ
り孔５４ａを充填するも窒化物部分４８１および
４８２間の孔は被覆しない。この孔を経て60℃の
燐酸溶液により酸化アルミニウム部分４７１の表
面を腐食し、このアルミニウム部分４７１を２部
分４７１１および４７１２に分割する。次に、酸
化アルミニウム部分４７１の下側の窒化珪素部分
４６１をも弗化物および酸素に基づくプラズマを
用いて腐食し、この部分４６１を２部分４６１１
および４６１２に分割する。この腐食処理中部分
４８１および４８２の露出縁部も腐食の影響を受
ける。しかし、層４８を最初に層４６よりも肉厚
に設けた為、部分４８１および４８２の縁部には
充分な厚さの材料が最終的に残る。

これにより、肉薄の酸化物層４５を除いたマス
ク中に第２孔５４ｂが形成され、２つのマスク部
分がこの第２孔５４ｂの両側に位置する。トラン
ジスタのエミツタ領域を被覆する第１マスク部分
５７ａは第２Ｇ図における上部から底部にかけて
部分４８１（第２層）と、部分４７１１（底部
層）と、補助部分４６１１とを有し、領域４３ａ
の一部分より成るトランジスタのコレクタ領域を
特に被覆する第２マスク部分５７ｂは部分４８２
（第２層）と、部分４７１２（底部層）と、補助
部分４６１２とを有する。

次に、マスクの第２孔５４ｂにおいて部分４７
１１および４７１２を横方向に腐食する。このよ
うにして、第１マスク部分５７ａの部分４７１１
の底部層縁部５３ｃが除去され、補助層の縁部５
８ｃが部分４６１１上で露出され、また第２マス
ク部分５７ｂの部分４７１１の底部層縁部５３ｂ
も除去され、補助層の縁部５８ｄが部分４６１２
上で露出される。60℃で燐酸溶液中で行なわれる
この横方向腐食は1μmの深さまで続ける。

第３ｃ図の平面図における破線T₂，T₁および
T₂′，T₁′はこの工程における部分４７１１および
４７１２の境界をそれぞれ示す。腐食はこれらの
部分の隅部においてわずかに強く行なわれ、この
ことを上記の破線の端部の湾曲により示す。

トランジスタのベース領域の接続区域５９はマ
スクの孔５４ｂおよび肉薄酸化物層４５を経て硼
素イオンを注入することにより半導体本体内に形
成する。条件（エネルギーおよびドーズ）は、上
記の接続区域５９が多くとも50オームのシート抵
抗値を有するように選択する。

次に、第２Ｈ図および（この第２Ｈ図の２つの
縦の線Ｄ間に位置する部分に相当する平面図で
ある）第３Ｄ図に示すように、例えば感光性の重
合ラツカーより成る新たな被覆層６０を設け、こ
の被覆層６０により第２マスク部分５７ｂを保護
し、第１マスク部分５７ａは処理しうるようにす
る。

次に、第２層４８の部分４８１や補助層４６の
部分４６１１の縁部５８ａ（第２Ｅ図）および５
８ｃを、弗化物および酸素のプラズマを用いて腐
食することにより除去する。

第１マスク部分５７ａの底部層４７１１も60℃
で燐酸の溶液により除去する。第１マスク部分の
残部を構成する補助層の部分４６１３は、トラン
ジスタのベース領域の非本質的部分６１を設ける
硼素イオンの次の注入中マスクとして作用する。
注入条件は、上記の部分６１におけるシート抵抗
値が約400オームとなるように選択する。

補助層の部分４６１３の両側にあるベースの部
分６１の幅は約1μmである。

第２Ｈ図には、例えば隣接のトランジスタのベ
ースの非本質的部分を構成する区域６２をも示
し、この区域６２は部分６１と同時に形成しう
る。

次に、第２Ｉ図に示すように被覆層６０を除去
する。また、肉薄酸化物層４５の露出部分をも、
例えば弗化アンモニウムを添加した弗化水素酸の
溶液内に急激に浸すことにより除去する。層４５
は比較的肉薄である為、この層４５の除去中絶縁
領域５５の特性は殆んど変化しない。絶縁領域５
５に関連して前述したように第２マスク部分５７
の酸化アルミニウムの変換が防止されるように
650℃での加圧の下で酸化することにより、0.1お
よび0.3μm間の厚さを有する絶縁層６３を珪素本
体の露出表面上に形成する。

次に、第２Ｊ図および（この第2J図の２つの縦
の線Ｅ間に位置する部分に相当する平面図であ
る）第３Ｅ図に示すように、感光性の重合ラツカ
ーより成る新たな被覆層６６を設け、この被覆層
６６により窒化珪素の部分４６１３を被覆し、こ
の被覆層６６によつては第２マスク部分５７ｂを
被覆しない。次に、窒化珪素部分４８２や、補助
層４６の部分４６１２の縁部５８ｂおよび５８ｄ
を弗化物および酸素に基づたプラズマを用いた腐
食により除去する。第２マスク部分５７ｂの底部
層部分４７１２も60℃で燐酸の溶液により除去す
る。

次に、エピタキシアル層の領域４３ａの表面に
２つの窓６７および６８を得る（これらの窓中の
肉薄酸化物層４５は除去する必要がない）。これ
らの窓の幅は、アンダーカツテイング深さや、絶
縁領域５５の“鳥のくちばし”状の部分を有する
窓６７をも考慮して約1μmである。

次に、被覆層６６を除去し、第２Ｋ図および
（この第２Ｋ図の２つの縦の線Ｆ間に存在する
部分に相当する平面図である）第３Ｆ図に示すよ
うに、感光性の重合ラツカーより成る新たな被覆
層７０を形成し、この被覆層７０により、窓６８
を除いた全表面を保護する。この窓６８を経て硼
素イオンを注入することによりベース接点区域７
１を形成する。この区域７１は接続区域５９によ
つてベース領域の非本質的部分６１に接続され
る。

次に、被覆層７０を除去し、第２Ｌ図および
（この第２Ｌ図の２つの縦の線Ｇ間に存在する
部分に相当する平面図である）第３Ｇ図に示すよ
うに、窓６７を被覆しない感光性の重合ラツカー
より成る他の被覆層７２を用いて砒素イオンを注
入することによりコレクタ接点区域７３を設け
る。第２Ｌ図には更に隣接のトランジスタに対す
るコレクタ接点区域７４をも示し、このコレクタ
接点区域７４はコレクタ接点区域７３と同時に形
成することができる。

次に、被覆層７２を除去し、第２Ｍ図および
（この第2M図の２つの縦の線Ｈ間に位置する部
分に相当する平面図である）第３Ｈ図に示すよう
に、感光性の重合ラツカーより成る新たな被覆層
７７を形成する。この被覆層７７によつては窒化
珪素の補助層４６の部分４６１３（第１マスク部
分の残部）を被覆せしめない。この部分４６１３
と、この下側の肉薄酸化物層４５の部分とを通常
のようにして除去する。これにより窓が得られ、
この窓を経てトランジスタのエミツタ領域７８と
ベース領域の本質的部分７９とをそれぞれ砒素注
入および硼素イオン注入により珪素内に設ける。
後者の注入は800オームのシート抵抗値が得られ
るようなドーズで行なう。底部層の部分４７１１
の幅、補助層の部分４６１３の幅およびアンダー
カツテイング部の深さは、約1μmの幅を有するエ
ミツタ領域が得られるように選択することができ
る。

第２Ｍ図は更に、隣接のトランジスタのエミツ
タ領域８０およびベース領域の本質的部分８１を
も示し、これらは前記のエミツタ領域７８および
部分７９と同時に注入により形成することができ
る。

次に被覆層７７を除去し、その後に熱処理を行
なつて、注入された不純物を再分布させる。この
熱処理は例えば窒素の中性雰囲気中で900℃およ
び1050℃間の温度で約30分間行なう。この熱処理
の結果として、半導体装置の種々の領域とそれら
の所望の深さおよび最終的な最適ドーピング濃度
に到達せしめる必要がある。

トランジスタの製造は通常アルミニウムより成
る導体を形成することにより終了される。上記の
トランジスタの製造に対しては既知の方法を用い
ることができる。第２Ｎ図はエミツタ領域７８に
接触する導体９０と、ベース領域（正確にはベー
ス接点区域）に接触する導体９１と、コレクタ領
域４３ａに接触する導体９２とを示す。上述した
場合には、前記の導体の幅を4μmとし、これらの
導体相互間の距離を2μmとすることができる。

完成されたトランジスタを第２Ｎ図の断面図お
よび第３Ｉ図の平面図に示す。これらの図には更
に、隣接のトランジスタのコレクタ領域に接触す
る導体９３と、隣接の他のトランジスタのエミツ
タ領域に接触する導体９４とをも示す。

次に、上述した例の変形例を第４Ａ〜４Ｄ図に
つき説明する。

この変形例では、底部層４７に対する材料とし
て酸化アルミニウムの代りに酸化珪素を用い、深
い絶縁領域５５を形成するのに酸化珪素の代りに
酸化アルミニウムを用いる。

前述した例では、用いる温度、特に窒化珪素を
形成する温度に対してある注意を払い、底部層４
７の酸化アルミニウムが耐腐食性とならないよう
にする必要があつたが、本例の場合このような注
意を払う必要がない。

第４図は第２図につき説明した方法に比べ可成
り相違する製造工程のみを示す。第２図の部分と
対応する部分には同じ符号を付した。

第２層４８のみを腐食によりパターン化した工
程（第２Ｂ図に相当する）を第４Ａ図に示す。

第４Ａ図は特に、エピタキシアル層４３と、酸
化珪素の肉薄層４５と、窒化珪素の補助層４６
と、本例の場合酸化珪素より成る底部層４７（こ
の底部層には燐をドーピングし、その腐食速度を
純粋な酸化物の腐食速度よりも増大させる）と、
窒化珪素の第２層４８とを示す。部分４８１およ
び４２は、主マスクの形態の被覆層４９の孔を経
て前記の第２層に形成した。

窒化珪素と酸化物とは成長温度に関していかな
る制限をも課することなく通常のようにして堆積
しうる。堆積体４５，４６，４７および４８の厚
さは第２図につき説明した例とほぼ同じとする。

第４Ｂ図に示すように、被覆層５１を用いて、
酸化物の底部層４７を弗化アンモニウムと弗化水
素酸との溶液により通常のように腐食し、次に窒
化物の補助層４６を四弗化炭素および酸素のプラ
ズマにより或いはその他の適当な方法により腐食
する。これらの処理は場合に応じて高温度で行な
う必要がある（その理由は底部層４７は酸化アル
ミニウムより成るものではなく酸化珪素から成つ
ている為である）。第２図の層５０のようにオキ
シナイトライドの層を部分４８１および４８２上
に設けなかつた。従つて、これらの部分４８１お
よび４８２はこれらの部分のように窒化珪素より
成る補助層４６の腐食中わずかに腐食される。

この製造工程において、被覆層５１を除去し
た。次に、この構造のプレートを弗化水素酸の浴
中に浸すことにより酸化物層４５の露出部分を除
去する。この腐食処理によりこの酸化物層４５よ
りも著るしく肉厚な底部層部分４７１をほんのわ
ずかだけアンダーカツテイングするも、このこと
は重要なことではない。

これにより第１孔５４ａが得られ、この孔を経
て弗化水素酸、硝酸、酢酸およびヨー素の溶液に
より半導体本体の珪素を腐食する（窒化珪素に対
して中性なこの溶液は酸化珪素に対してはほんの
わずかだけ腐食性がある）。従つて、層４３を横
切つてその下側の基板４１まで延在する溝２００
が得られる（この溝の深さは層４２を1μmとした
場合約1.3μmである）。この溝２００の壁部上に
は1000℃の温度で乾燥酸素中で酸化珪素の層２０
１を設ける。

次に、第４Ｃ図に示すように、表面上にアルミ
ニウムの層２０３を0.7〜0.8μmの厚さに堆積させ
る（エピタキシアル層の場合にはその厚さを約
1μmとする）。この層は連続的としない。すなわ
ち溝２００内に堆積したアルミニウム２０３Ａと
をこの層の残部から分離させる。

このアルミニウム２０３Ａ上にのみ密な酸化ア
ルミニウム層の肉薄層２０４を約0.1μmの厚さで
形成する。この層２０４を得る為に、既知のよう
に陽極酸化を行なう。すなわち、珪素本体４０を
約25℃の温度での酒石酸或いは酒石酸アンモニウ
ムの溶液の浴中に浸し、アルミニウム層２０３Ａ
を直流電圧発生器の正端子に接続し、例えばアル
ミニウムより成り浴中に浸した他の電極を直流電
圧発生器の負端子に接続し、40〜120Vの電位差
を使用するこの電圧に応じて１〜５分の間上記の
２つの電極間に加える。この条件で形成された酸
化アルミニウムは密である為、陽極酸化は自動的
に終了する。

次に、陽極酸化されなかつたアルミニウムを例
えば塩化鉄の溶液中で腐食することにより選択的
に除去する。この処理中、密な酸化アルミニウム
の層２０４がその下側のアルミニウム層２０３Ａ
を保護する。次に、この構造のプレートを、弗化
アンモニウム（10〜40ｇ／）を添加した純粋な
無水酢酸の溶液中に浸すことにより、層２０４を
除去する。この溶液は窒化珪素および珪素に対し
ては中性であり、酸化珪素のみをほんのわずかだ
け腐食する。

次に、露出したアルミニウム２０３Ａを完全に
酸化する。この時点でアルミニウム２０３Ａは多
孔性の酸化アルミニウムに変換される為、残存す
る層２０３Ａの全体がAl₂O₃に変換される。アル
ミニウムは硫酸、好ましくは修酸（水１リツトル
当り80ｇ）を基にした浴中で12〜15ボルトの電圧
を供給して陽極酸化することによりAl₂O₃に変換
することができる。0.7〜0.8μmの厚さを有するア
ルミニウム２０３Ａは、電流を約60mAにするこ
とにより約３分間で多孔性の酸化アルミニウムに
変換される。

Al₂O₃へのこのアルミニウム層（Al）の変換に
より体積が増大する為、この処理の後には酸化ア
ルミニウム層が溝２００の体積全体を占める。こ
のようにして絶縁領域５５を形成した。本例の場
合、この絶縁領域の表面は第２図の例の場合より
も平坦となり、特に“鳥くちばし”状の部分が生
じない。この製造工程のものを第４Ｄ図に示す。

次に、弗化アンモニウムを添加した弗化水素酸
の通常の溶液中で部分４７１に横方向腐食処理を
行ない、第２Ｆ図に示すような工程のものにする
ことができる。

次に、第２Ｇ〜２Ｎ図につき説明したようにし
て、トランジスタの製造を終了させることができ
る。勿論、酸化アルミニウムの底部層４７を腐食
するのには最初に用いた溶液の代りに、弗化アン
モニウムを添加した弗化水素酸の溶液を用いる必
要がある。このことは底部層が酸化珪素から成つ
ている為に必要なことである。しかし、以下の２
つの細かな点に注意する必要がある。

補助層４６（第２Ｇ図）の部分４６１１および
４６１２における縁部５８ｃおよび５８ｄを露出
せしめるようになる酸化物の部分４７１１および
４７１２の横方向腐食処理中、マスクの孔５４ｂ
の底部上に位置する酸化物層４５の部分も除去さ
れる。この酸化物層は再び回復させて、後に窒化
物の部分４８１と同じく窒化物の部分４６１１の
縁部５８ａおよび５８ｃとを除去する際に上記の
酸化物層の下側の珪素を保護するようにする必要
がある。層４５を回復させる為には、過酸化水素
を添加した発煙硝酸或いは硫酸内に本体４０を10
〜15分間浸すだけで充分であり、その後に第２Ｈ
図以後につき説明した製造処理を再び開始するこ
とができる。

酸化物層部分４７１２の除去中（第２Ｊ図参
照）、酸化物より成る絶縁性のマスク層６３が腐
食されるのを防止することができない。しかし、
層６３のこの腐食は極めてわずかである。その理
由は、部分４７１２のドーピングされた酸化物は
上記の層６３よりも極めて急速に腐食される為で
ある。酸化物４５は窓６７および６８内において
も除去されるが、このことによつては残りの製造
処理に対して決して妨害を及ぼさない。

本発明による方法はバイポーラトランジスタ以
外の集積回路用回路素子の製造を除外するもので
はない。例えば抵抗を同一の本体内に同時に設け
ることができる。また、小型の電界効果トランジ
スタも製造でき、この場合、特にソースおよびド
レイン間の距離を極めて短かくすることができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ〜１Ｈ図は本発明方法による主な順次の
製造工程に相当する半導体装置を示す線図的断面
図、第１Ｉ図は本発明方法によつて製造しうる他
の型のトランジスタをその最終工程で示す線図的
断面図、第２Ａ〜２Ｎ図は本発明の他の例により
製造した半導体装置を示す線図的断面図、第３Ａ
〜３Ｉ図は第２Ａ〜２Ｎ図の断面図に相当する平
面図、第４Ａ〜４Ｄ図は第２図につき説明した方
法の変形例を示す断面図である。 １……半導体本体の表面部分、２……底部層、
３……第２層、４……第１マスク部分、５……
孔、８……第２マスク部分、９……接続区域、１
０……被覆層、１２……２の縁部、１３，１３ａ
……被覆層、１４……ベース領域の非本質的部
分、１４ａ……９と１４との共通部分、１５……
絶縁性マスク層、１７，１８……２の縁部、１７
ａ，１８ａ……窓、２０……被覆層、２１，２３
……被覆層、２２，２４……接点区域、２６……
エミツタ領域、２７……ベース領域の本質的部
分、２８，２９，３０……導体、４０……珪素本
体、４１……基板、４２……埋込層、４３……エ
ピタキシアル層、４４……分離区域、４５……肉
薄層、４６……窒化珪素補助層、４７……底部層
（酸化アルミニウム層、酸化珪素層）、４８……窒
化珪素第２層、４９，５１，５２，５６，６０，
６６，７０，７２，７７……被覆層、５０……オ
キシナイトライド層、５４ａ……第１孔、５４ｂ
……第２孔、５５……深い絶縁領域（島絶縁領
域）、５７ａ……第１マスク部分、５７ｂ……第
２マスク部分、５９……接続区域、６１，６２…
…ベース領域の非本質的部分、６３……絶縁層、
６７，６８……窓、７１……ベース接点区域、７
３……コレクタ接点区域、７８，８０……エミツ
タ領域、７９，８１……ベース領域の本質的部
分、９０，９１，９２，９３，９４……導体、２
００……溝、２０１……酸化珪素層、２０３……
アルミニウム層、２０４……酸化アルミニウムの
肉薄層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 第１導電型のエミツタ領域およびコレクタ領
   域とこれらの中間に位置する第２導電型のベース
   領域とを有するトランジスタを表面に設けた半導
   体本体を具える半導体装置を製造するに当り、底
   部層およびこの底部層上に形成した第２層であつ
   て互いに選択的に腐食しうる少くとも２つの層を
   有するマスクを前記の表面上に設け、このマスク
   が、エミツタ領域と、このエミツタ領域の周囲に
   あるベース領域の非本質的部分の領域とを被覆す
   る第１マスク部分を具え、この第１マスク部分を
   前記の第２層および底部層を貫通する孔によつて
   画成するようにし、この孔を経て第２導電型の接
   続区域を半導体本体内に形成し、前記の底部層を
   選択腐食処理して横方向腐食により第１マスク部
   分の底部層の縁部を除去し、その後に上記の縁部
   の除去により露出された表面の部分を経て第２導
   電型の不純物を再び半導体本体内に導入してベー
   ス領域の前記の非本質的部分を形成し、前記の底
   部層が除去された個所に、第１マスク部分の層を
   選択的に腐食しうる材料より成る絶縁層を形成
   し、その後に第１マスク部分を完全に除去してこ
   れにより形成された孔を経てエミツタ領域とベー
   ス領域の本質的部分とを形成しうるようにする半
   導体装置の製造方法において、マスク中の前記の
   孔により前記の第１マスク部分から分離した第２
   マスク部分を有するマスクを用い、前記の第２マ
   スク部分の底部層をも選択腐食処理し、この選択
   腐食処理における横方向腐食によりこの第２マス
   ク部分における底部層の縁部を少くとも２個所で
   除去し、これにより２つの窓を形成し、これらの
   窓のうち、マスクにおける前記の孔の側に位置す
   る１つの窓をベース接点を形成する為の窓とし、
   第２マスク部分の、前記の孔の側とは反対側に位
   置する他の１つの窓をコレクタ接点を形成する為
   の窓とし、前者の窓を経て第２導電型の接点区域
   を半導体本体内に形成し、この接点区域を前記の
   孔を経て設けた接続区域に接続することを特徴と
   する半導体装置の製造方法。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置の
   製造方法において、前記のマスクが、特に前記の
   底部層の下側に補助層が設けられた少くとも３つ
   の層を有するようにし、前記の補助層が前記の絶
   縁層に対して選択的に腐食されうるとともに底部
   層の前記の横方向腐食処理の結果として前記の補
   助層の縁部が露出されるように前記の補助層を選
   択し、前記の補助層の縁部を前記の絶縁層に対し
   て選択的に除去し、これによりベース接点および
   コレクタ接点に対して用いる前記の窓を形成する
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 ３ 特許請求の範囲第１項または第２項記載の半
   導体装置の製造方法において、前記のマスクの層
   のうちの少くとも１つの層が半導体本体の酸化を
   防止し、前記の絶縁層を前記の半導体本体の自由
   表面の酸化により形成することを特徴とする半導
   体装置の製造方法。 ４ 特許請求の範囲第２項に記載の半導体装置の
   製造方法において、前記のマスクの層のうちの少
   くとも１つの層が半導体本体の酸化を防止し、前
   記の絶縁層を前記の半導体本体の自由表面の酸化
   により形成し、前記の補助層をも半導体本体の酸
   化を防止する層とすることを特徴とする半導体装
   置の製造方法。 ５ 特許請求の範囲第１〜４項のいずれか一項に
   記載の半導体装置の製造方法において、トランジ
   スタの周囲に沿つて形成すべき島絶縁領域の境界
   を、前記の第１および第２マスク部分の形状を前
   記の第２層中に規定する腐食工程と同時に規定
   し、次に、設けるべき島絶縁領域の区域で前記の
   底部層に第１の孔を設け、この際この底部層は前
   記のベース領域の前記の接続区域の領域では残存
   しており、その後前記の第１の孔を経て前記の島
   絶縁領域を設け、その後前記の底部層に第２の孔
   を設け、この第２の孔が設けるべきベース領域の
   前記の接続区域の領域を含んでいるようにするこ
   とを特徴とする半導体装置の製造方法。 ６ 特許請求の範囲第５項に記載の半導体装置の
   製造方法において、前記の島絶縁領域を誘電体材
   料で造ることを特徴とする半導体装置の製造方
   法。 ７ 特許請求の範囲第６項に記載の半導体装置の
   製造方法において、半導体本体を珪素とし、島絶
   縁領域を形成する前記の誘電体材料を700℃より
   も低い温度で加圧下で珪素を酸化することにより
   得、マスクの前記の底部層を形成するのに酸化ア
   ルミニウムを用いることを特徴とする半導体装置
   の製造方法。 ８ 特許請求の範囲第７項に記載の半導体装置の
   製造方法において、酸化アルミニウムより成る前
   記の底部層をアルミニウム層の陽極酸化により得
   ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 ９ 特許請求の範囲第６項に記載の半導体装置の
   製造方法において、半導体本体を珪素とし、前記
   の島絶縁領域の前記の誘電体材料を形成するのに
   酸化アルミニウムを用い、マスクの前記の底部層
   を形成するのに、ドーピングした酸化珪素を用い
   ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 １０ 特許請求の範囲第９項に記載の半導体装置
   の製造方法において、島絶縁領域の酸化アルミニ
   ウムをアルミニウムの層の陽極酸化により得るこ
   とを特徴とする半導体装置の製造方法。 １１ 特許請求の範囲第５〜１０項のいずか一項
   に記載の半導体装置の製造方法において、マスク
   の底部層の前記の横方向腐食を２つの別個の工程
   で行ない、これら２つの工程のうちの一方の工程
   を前記の島絶縁領域に隣接する底部層の縁部に関
   するものとし、他方の工程をベース領域の前記の
   接続区域に隣接する底部層の縁部に関するものと
   することを特徴とする半導体装置の製造方法。 １２ 特許請求の範囲第１〜１１項のいずれか一
   項に記載の半導体装置の製造方法において、コレ
   クタ接点区域およびベース接点区域を、それぞれ
   第１導電型および第２導電型のドーピング不純物
   をイオン注入することにより各別の孔内に設ける
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 １３ 特許請求の範囲第７〜１２項のいずれか一
   項に記載の半導体装置の製造方法において、窒化
   珪素の第２層を用いることを特徴とする半導体装
   置の製造方法。 １４ 特許請求の範囲第２項に記載の半導体装置
   の製造方法において、窒化珪素の補助層を用いる
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。