JPH0148055B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0148055B2 JPH0148055B2 JP17559383A JP17559383A JPH0148055B2 JP H0148055 B2 JPH0148055 B2 JP H0148055B2 JP 17559383 A JP17559383 A JP 17559383A JP 17559383 A JP17559383 A JP 17559383A JP H0148055 B2 JPH0148055 B2 JP H0148055B2
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- Japan
- Prior art keywords
- gas
- line
- trioxane
- vaporizer
- dilution
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- Expired
Links
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 27
- BGJSXRVXTHVRSN-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trioxane Chemical compound C1OCOCO1 BGJSXRVXTHVRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims description 20
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims description 20
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 claims description 19
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 13
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 37
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100493710 Caenorhabditis elegans bath-40 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本考案はホルムアルデヒド標準ガス発生機の改
良に関する。
良に関する。
従来のホルムアルデヒド標準ガス発生機におい
ては、第１図に示すように、ベーパライザ１の出
力側１は、ベーパライザ１を収納している恒温槽
２の外部において触媒筒へのライン４と接続し、
電磁弁５，６の切換え操作にてN2ガスによる、
ベーパライザ１からのトリオキサン蒸気の希釈と
触媒筒３のパージとを行うようにしていた。
ては、第１図に示すように、ベーパライザ１の出
力側１は、ベーパライザ１を収納している恒温槽
２の外部において触媒筒へのライン４と接続し、
電磁弁５，６の切換え操作にてN2ガスによる、
ベーパライザ１からのトリオキサン蒸気の希釈と
触媒筒３のパージとを行うようにしていた。
しかしながら、このように構成したものでは、
トリオキサン蒸気がN2ガスで希釈される点Ｐ付
近の温度はベーパライザ１よりも低く、飽和蒸気
圧のトリオキサン蒸気を希釈すると、凝縮しやす
くなりこれがため触媒筒でトリオキサン蒸気を分
解して得られるホルムアルデヒド標準ガスの発生
濃度が不安定なものとなり、安定性のある高精度
のホルムアルデヒドを得ることが困難であつた。
トリオキサン蒸気がN2ガスで希釈される点Ｐ付
近の温度はベーパライザ１よりも低く、飽和蒸気
圧のトリオキサン蒸気を希釈すると、凝縮しやす
くなりこれがため触媒筒でトリオキサン蒸気を分
解して得られるホルムアルデヒド標準ガスの発生
濃度が不安定なものとなり、安定性のある高精度
のホルムアルデヒドを得ることが困難であつた。
本発明は上述の点を考慮して提案されたもの
で、触媒筒をパージするためのガスを導入する触
媒筒パージラインと、前記トリオキサン蒸気を希
釈するためのガスを導入するトリオキサン希釈ラ
インとを互いに分離して設け、このトリオキサン
希釈ラインの出力端を前記ベーパライザの出力端
に接続して、トリオキサン蒸気の希釈時における
凝縮を防止するようにしたものである。
で、触媒筒をパージするためのガスを導入する触
媒筒パージラインと、前記トリオキサン蒸気を希
釈するためのガスを導入するトリオキサン希釈ラ
インとを互いに分離して設け、このトリオキサン
希釈ラインの出力端を前記ベーパライザの出力端
に接続して、トリオキサン蒸気の希釈時における
凝縮を防止するようにしたものである。
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
第２図は本発明に係るホルムアルデヒド標準ガ
ス発生機のフローシートを示すもので、１１は図
外のボンベから供給されキヤリアガス、希釈ガス
又はバージガスとして使用される窒素ガス（以
下、N2ガスという）用のフイルタ、１２は電磁
弁である。この電磁弁１２の出力側には二次圧レ
ギユレータ１３とレギユレータ１４とが並設され
ている。二次圧レギユレータ１３の出力側に層流
素子１５が設けられている。この層流素子１５の
出力側に触媒筒３０で発生したホルムアルデヒド
標準ガス（以下、漂準ガスという）の重合を防止
するためのN2ガスを該触媒筒３０の出力側に供
給する標準ガス希釈ラインＡ（以下、ラインＡと
いう）と、前記触媒筒３０のパージを行なうため
のN2ガスを該触媒筒３０の入力側に供給する触
媒筒パージラインＢ（以下、ラインＢという）と
が並設されている。なお、１６は電磁弁、１７，
１８は毛細管であり、１９は圧力計である。
ス発生機のフローシートを示すもので、１１は図
外のボンベから供給されキヤリアガス、希釈ガス
又はバージガスとして使用される窒素ガス（以
下、N2ガスという）用のフイルタ、１２は電磁
弁である。この電磁弁１２の出力側には二次圧レ
ギユレータ１３とレギユレータ１４とが並設され
ている。二次圧レギユレータ１３の出力側に層流
素子１５が設けられている。この層流素子１５の
出力側に触媒筒３０で発生したホルムアルデヒド
標準ガス（以下、漂準ガスという）の重合を防止
するためのN2ガスを該触媒筒３０の出力側に供
給する標準ガス希釈ラインＡ（以下、ラインＡと
いう）と、前記触媒筒３０のパージを行なうため
のN2ガスを該触媒筒３０の入力側に供給する触
媒筒パージラインＢ（以下、ラインＢという）と
が並設されている。なお、１６は電磁弁、１７，
１８は毛細管であり、１９は圧力計である。
前記触媒筒３０はヒーター３２を内蔵し、反応
筒３２を一定温度に保温するように構成されてい
る。なお、ラインＡの終端A′は触媒筒３０の外
部において接続してあつてもよい。
筒３２を一定温度に保温するように構成されてい
る。なお、ラインＡの終端A′は触媒筒３０の外
部において接続してあつてもよい。
而して、前記レギユレータ１４の出力側には、
恒温槽４０内に設置されたベーパライザ４１の出
力端に発生したトリオキサン蒸気を希釈するため
のN2ガスを供給するトリオキサン希釈ラインＣ
（以下、ラインＣとい）と、前記ベーパライザ４
１に所定量のN2ガスを供給するキヤリアガスラ
インＤ（以下、ラインＤという）とが並設されて
いる。なお、２１，２２，２３は毛細管、２４，
２５は電磁弁であり、この電磁弁２４，２５の開
閉を適宜行うことにより、高濃度又は低濃度の標
準ガスが得られるよう構成されている。
恒温槽４０内に設置されたベーパライザ４１の出
力端に発生したトリオキサン蒸気を希釈するため
のN2ガスを供給するトリオキサン希釈ラインＣ
（以下、ラインＣとい）と、前記ベーパライザ４
１に所定量のN2ガスを供給するキヤリアガスラ
インＤ（以下、ラインＤという）とが並設されて
いる。なお、２１，２２，２３は毛細管、２４，
２５は電磁弁であり、この電磁弁２４，２５の開
閉を適宜行うことにより、高濃度又は低濃度の標
準ガスが得られるよう構成されている。
前記ラインＣの出力端C′は例えばベーパライザ
４１の出力側に設けられる希釈管４２と接続され
ており、これらベーパライザ４１、希釈管４２は
ヒーター４３によつて一定温度に保温される。そ
して前記希釈管４２の出力側は電磁弁４５を介し
て前記ラインＢに接続されている。なお、４６は
電磁弁である。
４１の出力側に設けられる希釈管４２と接続され
ており、これらベーパライザ４１、希釈管４２は
ヒーター４３によつて一定温度に保温される。そ
して前記希釈管４２の出力側は電磁弁４５を介し
て前記ラインＢに接続されている。なお、４６は
電磁弁である。
上記のように構成したホルムアルデヒド標準ガ
ス発生機の動作について説明すると、まず、標準
ガスを発生するときは、例えば高濃度の標準ガス
を発生するときは、ラインＡ、ラインＣ及びライ
ンD1にN2ガスが流れるよう各電磁弁を開閉し、
固体のトリオキサンを収容したベーパライザ４１
を所定温度に加熱する。そして、ベーパライザ４
１には一定量のN2ガスがキヤリアガスとして流
入しているから、前記加熱とこのキヤリアガスに
より飽和量のトリオキサン蒸気が発生し、希釈管
４２に流入する。この希釈管４２にはラインＣの
出力端C′が接続されているから前記トリオキサン
蒸気はこの希釈管４２内においてラインＣから供
給されるN2ガスにより希釈される。この場合希
釈管４２は恒温槽４０内に設置されているので、
希釈時トリオキサン蒸気が凝縮することがない。
そして、希釈されたトリオキサン蒸気は電磁弁４
５及びラインＢを経て触媒筒３０内の一定温度に
保持された反応筒３２に導入され、反応筒３２内
に充填された触媒（たとえばカーボランダム担持
固体リン酸）によりホルムアルデヒドに分解され
る。この分解により生成されたホルムアルデヒド
は重合しやすいので、触媒筒３０の出力側にライ
ンＡによつて供給されたN2ガスにより希釈され
る。
ス発生機の動作について説明すると、まず、標準
ガスを発生するときは、例えば高濃度の標準ガス
を発生するときは、ラインＡ、ラインＣ及びライ
ンD1にN2ガスが流れるよう各電磁弁を開閉し、
固体のトリオキサンを収容したベーパライザ４１
を所定温度に加熱する。そして、ベーパライザ４
１には一定量のN2ガスがキヤリアガスとして流
入しているから、前記加熱とこのキヤリアガスに
より飽和量のトリオキサン蒸気が発生し、希釈管
４２に流入する。この希釈管４２にはラインＣの
出力端C′が接続されているから前記トリオキサン
蒸気はこの希釈管４２内においてラインＣから供
給されるN2ガスにより希釈される。この場合希
釈管４２は恒温槽４０内に設置されているので、
希釈時トリオキサン蒸気が凝縮することがない。
そして、希釈されたトリオキサン蒸気は電磁弁４
５及びラインＢを経て触媒筒３０内の一定温度に
保持された反応筒３２に導入され、反応筒３２内
に充填された触媒（たとえばカーボランダム担持
固体リン酸）によりホルムアルデヒドに分解され
る。この分解により生成されたホルムアルデヒド
は重合しやすいので、触媒筒３０の出力側にライ
ンＡによつて供給されたN2ガスにより希釈され
る。
低濃度の標準ガスを生成されるときはライン
D1に代えD2を使用すればよい。
D1に代えD2を使用すればよい。
次に、触媒筒３２をパージするときは、ライン
ＢによりN2ガスを触媒筒３２に供給すればよい
のであるが、このパージの際にもラインＡにN2
を供給し、ゼロガス時においても所定流量が得ら
れるようにし、所定の触媒筒パージを行い、次の
ホルムアルデヒドの発生に備える。
ＢによりN2ガスを触媒筒３２に供給すればよい
のであるが、このパージの際にもラインＡにN2
を供給し、ゼロガス時においても所定流量が得ら
れるようにし、所定の触媒筒パージを行い、次の
ホルムアルデヒドの発生に備える。
以上説明したように、本発明においては恒温槽
内に設置されたベーパライザからのトリオキサン
蒸気を触媒筒に導入するようにしたホルムアルデ
ヒド標準ガス発生機において、前記触媒筒をパー
ジするためのガスを導入する触媒筒パージライン
と、前記トリオキサン蒸気を希釈するためのガス
を導入するトリオキサン希釈ラインを互いに分離
して設け、このトリオキサン希釈ラインの出力端
を前記ベーパライザの出力端に接続しているの
で、ベーパライザにおいて発生する飽和量のトリ
オキサン蒸気をN2ガスで希釈しても凝縮するこ
とがなく、従つて、触媒管の入力側のパイプに詰
りが生じたりすることがなくなるので、所定の発
生濃度を有するホルムアルデヒド標準ガスを確実
に生成することができ、この種発生機の安定性を
向上することができ、高品質のホルムアルデヒド
標準ガスを得ることができる。
内に設置されたベーパライザからのトリオキサン
蒸気を触媒筒に導入するようにしたホルムアルデ
ヒド標準ガス発生機において、前記触媒筒をパー
ジするためのガスを導入する触媒筒パージライン
と、前記トリオキサン蒸気を希釈するためのガス
を導入するトリオキサン希釈ラインを互いに分離
して設け、このトリオキサン希釈ラインの出力端
を前記ベーパライザの出力端に接続しているの
で、ベーパライザにおいて発生する飽和量のトリ
オキサン蒸気をN2ガスで希釈しても凝縮するこ
とがなく、従つて、触媒管の入力側のパイプに詰
りが生じたりすることがなくなるので、所定の発
生濃度を有するホルムアルデヒド標準ガスを確実
に生成することができ、この種発生機の安定性を
向上することができ、高品質のホルムアルデヒド
標準ガスを得ることができる。
第１図は従来のベーパライザの出力側近傍を示
すフローシート、第２図は本発明に係るホルムア
ルデヒド標準ガス発生機のフローシートである。 ３０……触媒筒、４０……恒温槽、４１……ベ
ーパライザ、Ｂ……触媒筒パージライン、Ｃ……
トリオキサン希釈ライン。
すフローシート、第２図は本発明に係るホルムア
ルデヒド標準ガス発生機のフローシートである。 ３０……触媒筒、４０……恒温槽、４１……ベ
ーパライザ、Ｂ……触媒筒パージライン、Ｃ……
トリオキサン希釈ライン。
Claims (1)
- １ 恒温槽内に設置されたベーパライザからのト
リオキサン蒸気を触媒筒に導入するようにしたホ
ルムアルデヒド標準ガス発生機において、前記触
媒筒をパージするためのガスを導入する触媒筒パ
ージラインと、前記トリオキサン蒸気を希釈する
ためのガスを導入するトリオキサン希釈ラインと
を互いに分離して設け、このトリオキサン希釈ラ
インの出力端を、前記ベーパライザの出力端に接
続したことを特徴とするホルムアルデヒド標準ガ
ス発生機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17559383A JPS6067441A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | ホルムアルデヒド標準ガス発生機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17559383A JPS6067441A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | ホルムアルデヒド標準ガス発生機 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6067441A JPS6067441A (ja) | 1985-04-17 |
| JPH0148055B2 true JPH0148055B2 (ja) | 1989-10-17 |
Family
ID=15998789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17559383A Granted JPS6067441A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | ホルムアルデヒド標準ガス発生機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6067441A (ja) |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP17559383A patent/JPS6067441A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6067441A (ja) | 1985-04-17 |
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