JPS6067441A - ホルムアルデヒド標準ガス発生機 - Google Patents
ホルムアルデヒド標準ガス発生機Info
- Publication number
- JPS6067441A JPS6067441A JP17559383A JP17559383A JPS6067441A JP S6067441 A JPS6067441 A JP S6067441A JP 17559383 A JP17559383 A JP 17559383A JP 17559383 A JP17559383 A JP 17559383A JP S6067441 A JPS6067441 A JP S6067441A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- trioxane
- line
- gas
- vapor
- catalyst cylinder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本考案はホルムアルデヒド標準ガス発生機の改良に関す
る。
る。
従来のホルムアルデヒド標準ガス発生機においてＧＪ１
第１図に示すように、ベーパライザ（１）の出力側（１
１は、ベーパライザ＋１１を収納している恒温槽（２）
の外部において触媒筒（３）へのライン（４）と接続し
、電磁弁Ｇ５Ｌ ｔ６）の切換え操作にてＮ２ガスによ
る、ベーパライザｉｌｌからのトリオキサン蒸気の希釈
と触媒筒（３）のパージとを行うようにしていた。
第１図に示すように、ベーパライザ（１）の出力側（１
１は、ベーパライザ＋１１を収納している恒温槽（２）
の外部において触媒筒（３）へのライン（４）と接続し
、電磁弁Ｇ５Ｌ ｔ６）の切換え操作にてＮ２ガスによ
る、ベーパライザｉｌｌからのトリオキサン蒸気の希釈
と触媒筒（３）のパージとを行うようにしていた。
しかしながら、このように構成したものでは、トリオキ
サン蒸気がＮ２ガスで希釈される点Ｐ付近の温度はベー
パライザｆ＋１よりも低く、飽和蒸気圧のトリオキサン
蒸気を希釈すると、凝縮しやすくなりこれがため触媒筒
でトリオキサン蒸気を分解して役られるホルムアルデヒ
ド標準ガスの発生濃度が不安定なものとなり、安定性の
ある高精度のホルムアルデヒドを得ることが困難であっ
た。
サン蒸気がＮ２ガスで希釈される点Ｐ付近の温度はベー
パライザｆ＋１よりも低く、飽和蒸気圧のトリオキサン
蒸気を希釈すると、凝縮しやすくなりこれがため触媒筒
でトリオキサン蒸気を分解して役られるホルムアルデヒ
ド標準ガスの発生濃度が不安定なものとなり、安定性の
ある高精度のホルムアルデヒドを得ることが困難であっ
た。
本発明は上述の点を考慮して提案されたもので、触媒筒
なパージするためのガスを導入する触媒筒パージライン
と、前記トリオキサン蒸気を希釈するためのガスを導入
するトリオキサン希釈ラインとを互いに分離して設け、
このトリオキサン希釈ラインの出力端を前記ベーパライ
ザの出力端に接続して、トリオキサン蒸気の希釈時にお
ける凝縮を防止するようにしたものである。
なパージするためのガスを導入する触媒筒パージライン
と、前記トリオキサン蒸気を希釈するためのガスを導入
するトリオキサン希釈ラインとを互いに分離して設け、
このトリオキサン希釈ラインの出力端を前記ベーパライ
ザの出力端に接続して、トリオキサン蒸気の希釈時にお
ける凝縮を防止するようにしたものである。
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第２図は本発明に係るホルムアルデヒド標準ガス発生機
のフローシートを示すもので、（０）は図外のボンベか
ら供給されキャリアガス、希釈ガス又はパージガスとし
て使用される窒素ガス（以下、Ｎ２ガスという）用のフ
ィルタ、（ｉは電磁弁である。この電磁弁（１２）の出
力側には二次圧レギュレータ（１３）とレギュレータ（
１４）とが並設されている。二次圧レギュレータ（１３
）の出力側に層流素子（１５）が設けられている。この
層流素子（１５）の出力側に触媒筒（洩））で発生した
ホルムアルデヒド標準ガス（以下、標準ガスという）の
重合を防止するためのＮ２ガスを該触媒筒（３０＋ Ｃ
・出力側に供給する標準ガス希釈ラインＡ（以下、ライ
ンＡという）と、前記触媒筒（友））のパージを行なう
ためのＮ２ガスを該触媒筒（３０）の入力側に供給する
触媒筒パージラインＢ（以下、ラインＢという）とが並
設されている。なお、（１Ｇ）は電磁弁、０ηｌ （＋
８）は毛細管であり、（１９）は圧力計である。
のフローシートを示すもので、（０）は図外のボンベか
ら供給されキャリアガス、希釈ガス又はパージガスとし
て使用される窒素ガス（以下、Ｎ２ガスという）用のフ
ィルタ、（ｉは電磁弁である。この電磁弁（１２）の出
力側には二次圧レギュレータ（１３）とレギュレータ（
１４）とが並設されている。二次圧レギュレータ（１３
）の出力側に層流素子（１５）が設けられている。この
層流素子（１５）の出力側に触媒筒（洩））で発生した
ホルムアルデヒド標準ガス（以下、標準ガスという）の
重合を防止するためのＮ２ガスを該触媒筒（３０＋ Ｃ
・出力側に供給する標準ガス希釈ラインＡ（以下、ライ
ンＡという）と、前記触媒筒（友））のパージを行なう
ためのＮ２ガスを該触媒筒（３０）の入力側に供給する
触媒筒パージラインＢ（以下、ラインＢという）とが並
設されている。なお、（１Ｇ）は電磁弁、０ηｌ （＋
８）は毛細管であり、（１９）は圧力計である。
前記触媒筒（３０）はヒーターＯ１）を内蔵し、反応筒
０４を一定温度に保温するように構成されている。なお
、ラインＡの終端Ａ′は触媒＠（３０１の外部において
接続してあってもよい。
０４を一定温度に保温するように構成されている。なお
、ラインＡの終端Ａ′は触媒＠（３０１の外部において
接続してあってもよい。
而して、前記レギュレータ（１４）の出力側には、恒温
槽（４０）内に設置されたベーパライザ（４］）の出力
端に発生したトリオキサン蒸気を希釈するためのＮ２ガ
スを供給するトリオキサン希釈ラインＣ（以下、ライン
Ｃという）と、前記ベーパライザ（４１）に所定量のＮ
２ガスを供給するキャリアがスラインＤ（以下、ライン
Ｄという）とが並設されている。
槽（４０）内に設置されたベーパライザ（４］）の出力
端に発生したトリオキサン蒸気を希釈するためのＮ２ガ
スを供給するトリオキサン希釈ラインＣ（以下、ライン
Ｃという）と、前記ベーパライザ（４１）に所定量のＮ
２ガスを供給するキャリアがスラインＤ（以下、ライン
Ｄという）とが並設されている。
なお、（２］１ 、シフ、 ＋２３）は毛細管、シ４ｊ
、 ’（２６１は電磁弁であり、この電磁弁（”４１１
（２５ｊの開閉を適宜行うことにより、高濃度又は低
り度の標準ガスが得られるよう構成されている。
、 ’（２６１は電磁弁であり、この電磁弁（”４１１
（２５ｊの開閉を適宜行うことにより、高濃度又は低
り度の標準ガスが得られるよう構成されている。
前記ラインＣの出力端Ｃ′は例えばベーパライザ（４１
）の出力側に設けられる希釈管（傍と接続されており、
これらベーパライザ（４１ｉ、希釈管（４２１はヒータ
ー（４：（＋’によって一定温度に保温される。そして
前記希釈管（４匈の出力側は電磁弁（快を介して前記ラ
インＢに接続されている。なお、（４６）は電磁弁であ
る。、上記のように構成したホルムアルデヒド標準ガス
発生機の動作について忌明すると、まず、標準ガスを発
生するときは、例えば高澁度の標準ガスを発生するとき
は、ラインＡ１ラインＣ及びラインＤ１にＮ２ガスが流
れるよう各ｍｍ弁を開閉し、固体のトリオキサンを収容
したベーパライザ（４１）を１４／ｊ定温度に加熱する
。そして、ベーパライザ（４１）には一定址のＮ２ガス
が：キャリアガスとして流入しているから、前記加熱と
このキャリアガスにより飽和血のトリオキサン蒸気が発
生し、希釈管（勅に流入する。この希釈管ｆ４Ｊにはラ
インＣの出力端Ｃ′が接続されているから前記トリオキ
サン蒸気はこの希釈管（４２ｒ内においてラインＣから
供給されるＮカスにより希釈される。この場合希釈管（
４２１は恒温槽１４ｆｊ７内に設置されているので、希
釈時トリオキサン蒸気が凝縮することがない。そして、
希釈されたトリオキサン蒸気は電磁弁（傾及びラインＢ
を経て触媒筒（ｊｉｌｌ内の一定温度に保持された反応
筒（３力に導入され、反応筒（３２１内に充填された触
媒（たとえばカーボランダム担持固体リン酸）によりホ
ルムアルデヒドに分解される。この分解により生成され
たホルムアルデヒドは重合しやすいので、触媒筒（＊）
）の出力側にラインＡによって供給されたＮ２ガスによ
り希釈される。
）の出力側に設けられる希釈管（傍と接続されており、
これらベーパライザ（４１ｉ、希釈管（４２１はヒータ
ー（４：（＋’によって一定温度に保温される。そして
前記希釈管（４匈の出力側は電磁弁（快を介して前記ラ
インＢに接続されている。なお、（４６）は電磁弁であ
る。、上記のように構成したホルムアルデヒド標準ガス
発生機の動作について忌明すると、まず、標準ガスを発
生するときは、例えば高澁度の標準ガスを発生するとき
は、ラインＡ１ラインＣ及びラインＤ１にＮ２ガスが流
れるよう各ｍｍ弁を開閉し、固体のトリオキサンを収容
したベーパライザ（４１）を１４／ｊ定温度に加熱する
。そして、ベーパライザ（４１）には一定址のＮ２ガス
が：キャリアガスとして流入しているから、前記加熱と
このキャリアガスにより飽和血のトリオキサン蒸気が発
生し、希釈管（勅に流入する。この希釈管ｆ４Ｊにはラ
インＣの出力端Ｃ′が接続されているから前記トリオキ
サン蒸気はこの希釈管（４２ｒ内においてラインＣから
供給されるＮカスにより希釈される。この場合希釈管（
４２１は恒温槽１４ｆｊ７内に設置されているので、希
釈時トリオキサン蒸気が凝縮することがない。そして、
希釈されたトリオキサン蒸気は電磁弁（傾及びラインＢ
を経て触媒筒（ｊｉｌｌ内の一定温度に保持された反応
筒（３力に導入され、反応筒（３２１内に充填された触
媒（たとえばカーボランダム担持固体リン酸）によりホ
ルムアルデヒドに分解される。この分解により生成され
たホルムアルデヒドは重合しやすいので、触媒筒（＊）
）の出力側にラインＡによって供給されたＮ２ガスによ
り希釈される。
低濃度の標準ガスを生成させるときはラインＤ１に代え
ラインＤ２を使用すれはよい。
ラインＤ２を使用すれはよい。
次に、触媒筒（３縁パージするときは、ラインＢ′によ
りＮ２ガスを触媒筒（３４に供給すれはよいのであるが
、このパージの際にもラインＡにＮ２を供給し、ゼロガ
ス時においても所定流量が得られるようにし、所定の触
媒筒パージを行い、次のホルムアルデヒドの発生に備え
る。
りＮ２ガスを触媒筒（３４に供給すれはよいのであるが
、このパージの際にもラインＡにＮ２を供給し、ゼロガ
ス時においても所定流量が得られるようにし、所定の触
媒筒パージを行い、次のホルムアルデヒドの発生に備え
る。
以上説明したように、本発明においては恒温槽内に設置
されたベーパライザからのトリオキサン蒸気を触媒筒に
導入するようにしたホルムアルデヒド標準ガス発生機に
おいて、前記触媒筒をパージするためのガスを導入する
触媒筒パージラインと、前記トリオキサン蒸気を希釈す
るためのガスを導入するトリオキサン希釈ラインを互い
に分離して設け、このトリオキサン希釈ラインの出力端
を前記ベーパライザの出力端に接続しているので、ベー
パライザにおいて発生ずる飽和量のトリオキサン蒸気を
Ｎ２ガスで希釈しても凝縮することがなく、従って、触
媒管の入力側のパイプに詰りか生じたりすることがなく
なるので、所定の発生濃度を有するホルムアルデヒド標
準ガスを確実に生成することができ、この種発生機の安
定性を向上することができ、高品質のホルムアルデヒド
標準ガスを得ることができる。
されたベーパライザからのトリオキサン蒸気を触媒筒に
導入するようにしたホルムアルデヒド標準ガス発生機に
おいて、前記触媒筒をパージするためのガスを導入する
触媒筒パージラインと、前記トリオキサン蒸気を希釈す
るためのガスを導入するトリオキサン希釈ラインを互い
に分離して設け、このトリオキサン希釈ラインの出力端
を前記ベーパライザの出力端に接続しているので、ベー
パライザにおいて発生ずる飽和量のトリオキサン蒸気を
Ｎ２ガスで希釈しても凝縮することがなく、従って、触
媒管の入力側のパイプに詰りか生じたりすることがなく
なるので、所定の発生濃度を有するホルムアルデヒド標
準ガスを確実に生成することができ、この種発生機の安
定性を向上することができ、高品質のホルムアルデヒド
標準ガスを得ることができる。
第１図は従来のベーパライザの出力側近傍を示すフロー
シート、第２図は本発明に係るホルムアルデヒド標準ガ
ス発生機のフローシートである。 （３０）・・・触媒筒、（４０）・・・恒温槽、姐）・
・・ベーパライザ、Ｂ・・・触媒筒パージライン、Ｃ・
・・トリオキサン希釈ライン。 第１図
シート、第２図は本発明に係るホルムアルデヒド標準ガ
ス発生機のフローシートである。 （３０）・・・触媒筒、（４０）・・・恒温槽、姐）・
・・ベーパライザ、Ｂ・・・触媒筒パージライン、Ｃ・
・・トリオキサン希釈ライン。 第１図
Claims (1)
- 恒温槽内に設置されたベーパライザからのトリオキサン
蒸気を触媒筒に導入するようにしたホルムアルデヒド標
準ガス発生機において、前記触Ｉｓ筒をパージするだめ
のガスを導入する触媒筒パージラインと、前記トリオキ
サン蒸気を希釈するためのガスを導入するトリオキサン
希釈ラインとを互いに分離して設け、このトリオキサン
希釈ラインの出力端を、前記ベーパライザの出力端に接
続したことを特徴とするホルムアルデヒド標準ガス発生
機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17559383A JPS6067441A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | ホルムアルデヒド標準ガス発生機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17559383A JPS6067441A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | ホルムアルデヒド標準ガス発生機 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6067441A true JPS6067441A (ja) | 1985-04-17 |
| JPH0148055B2 JPH0148055B2 (ja) | 1989-10-17 |
Family
ID=15998789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17559383A Granted JPS6067441A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | ホルムアルデヒド標準ガス発生機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6067441A (ja) |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP17559383A patent/JPS6067441A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0148055B2 (ja) | 1989-10-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100222344B1 (ko) | 화학 기상 성장 장치 | |
| US20210054504A1 (en) | Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device | |
| KR100466381B1 (ko) | 연료 개질 시스템 | |
| TWI525734B (zh) | And a raw material gas supply device for a semiconductor manufacturing apparatus | |
| AU2020389304B2 (en) | Heat generation device, heat utilization system and film-like heat generation element | |
| JP5303451B2 (ja) | 水素生成 | |
| US5221524A (en) | Apparatus for producing hydrogen | |
| JP3331636B2 (ja) | 水分発生方法 | |
| CN117346075B (zh) | 一种臭氧传输系统及其控制方法和控制装置 | |
| JPS6067441A (ja) | ホルムアルデヒド標準ガス発生機 | |
| JP3179113B2 (ja) | 液体の流れをガスの流れに変換する方法および装置 | |
| JPWO2004006321A1 (ja) | シリコン窒化膜の形成方法および形成装置 | |
| US6274098B1 (en) | Apparatus for the treatment of exhaust gases by combining hydrogen and oxygen | |
| US6334962B1 (en) | Low flow rate moisture supply process | |
| CN118681425A (zh) | 一种混合气体发生装置及发生方法 | |
| Strutt | I. On an anomaly encountered in determinations of the density of nitrogen gas | |
| JP3227404B2 (ja) | 気化ガス供給装置 | |
| JPH0129562Y2 (ja) | ||
| JP2003529896A (ja) | 燃料を気化及び／又は過熱する方法 | |
| US20050014052A1 (en) | Apparatus for supplying an oxygen-containing gas to a fuel cell system | |
| JPH06104001A (ja) | 改質器の原料供給方法 | |
| JPH0921501A (ja) | 低温蒸気発生装置 | |
| JP5205057B2 (ja) | 改質器の混合室及びそれを運転する方法 | |
| KR19990076175A (ko) | 반도체 웨이퍼 증착 장비의 이온 발생장치 | |
| TW311238B (en) | Method of forming dielectric films with reduced metal contamination |