JPH0148662B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0148662B2 JPH0148662B2 JP57217306A JP21730682A JPH0148662B2 JP H0148662 B2 JPH0148662 B2 JP H0148662B2 JP 57217306 A JP57217306 A JP 57217306A JP 21730682 A JP21730682 A JP 21730682A JP H0148662 B2 JPH0148662 B2 JP H0148662B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- emitter
- wiring
- region
- collector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/34—Bipolar devices
- H10D48/345—Bipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はパワートランジスタの構造の改良に関
し、更に詳述すれば面積の増大を招来することな
く安全動作領域（A.S.O.）を拡大できるトランジ
スタの構造を提案するものである。
し、更に詳述すれば面積の増大を招来することな
く安全動作領域（A.S.O.）を拡大できるトランジ
スタの構造を提案するものである。
安全動作領域を拡大する方法としては電流容量
の増大を図るべく所要領域の面積を広くする方法
と、エミツタ抵抗を形成する方法とが知られてい
る。しかしながら前者の方法では言うまでもなく
面積が大となり、また後者の方法においてもこれ
を形成するために特別の領域を必要とし面積の増
大が避けられなかつた。
の増大を図るべく所要領域の面積を広くする方法
と、エミツタ抵抗を形成する方法とが知られてい
る。しかしながら前者の方法では言うまでもなく
面積が大となり、また後者の方法においてもこれ
を形成するために特別の領域を必要とし面積の増
大が避けられなかつた。
本発明は後者の方法、つまりエミツタ抵抗を形
成する方法を採用するにも拘らず、面積の増大を
招来することがないトランジスタの構造を提案す
るものである。
成する方法を採用するにも拘らず、面積の増大を
招来することがないトランジスタの構造を提案す
るものである。
以下本発明を図面に基き具体的に説明する。第
１図は本発明に係るNPN型のパワートランジス
タを含むバイポーラ型ICの要部の模式的平面パ
ターン図、第２図は略示断面構造図である。第１
図に実線にて囲繞して示す細長い領域はｎ型のコ
レクタ領域１であつて、適長離隔させて多数条形
成されている。これらのコレクタ領域１，１間に
は第１図に実線にて囲繞して示す広幅のｐ型のベ
ース領域２が形成されており、このベース領域２
内に位置するようにしてｎ型のエミツタ領域（第
１図に実線にて囲繞して示す）３が形成されてい
る。これらの各領域１，２，３は第２図に示すよ
うにp-サブストレート４上のn-エピタキシヤル
層５上に形成される。コレクタ領域１、ベース領
域２及びエミツタ領域３の上層には相互に絶縁膜
６にて分離絶縁されたAlのコレクタ配線７（第
１図に破線で示す）、ベース配線８（同じく二点
鎖線で示す）及びエミツタ配線９（同じく一点鎖
線で示す）が形成され、下層のコレクタ領域１、
ベース領域２及びエミツタ領域３の夫々とはハツ
チングを付して示すコンタクトホールを介して接
続されている。コレクタ配線７はコレクタ領域１
の延設方向と直交する方向に長い取出部７ａを一
側に有し、この取出部７ａからコレクタ領域１の
上方に位置する部分７ｂが櫛目状に延びている。
そしてこの櫛目状部分７ｂと噛合するようにして
エミツタ配線９の櫛目状部分９ｂが形成されてお
り、コレクタ配線７の取出部７ａ形成側とは反対
の側に櫛目状部分９ｂの一端を一括する部分が延
設され、その一端部に取出部９ａを形成してあ
る。エミツタ配線９の櫛目状部分９ｂはエミツタ
領域３の幅方向中央部に位置しており、コレクタ
配線７の櫛目状部分７ｂとの間〓を縫うようにし
てベース配線８を位置せしめてある。このためベ
ース配線８はジグザグ状に、コレクタ配線７とエ
ミツタ配線９の櫛目状部分７ｂ，９ｂ間に位置
し、エミツタ配線９の取出部９ａと同側の反対側
端部に取出部８ａを形成してある。
１図は本発明に係るNPN型のパワートランジス
タを含むバイポーラ型ICの要部の模式的平面パ
ターン図、第２図は略示断面構造図である。第１
図に実線にて囲繞して示す細長い領域はｎ型のコ
レクタ領域１であつて、適長離隔させて多数条形
成されている。これらのコレクタ領域１，１間に
は第１図に実線にて囲繞して示す広幅のｐ型のベ
ース領域２が形成されており、このベース領域２
内に位置するようにしてｎ型のエミツタ領域（第
１図に実線にて囲繞して示す）３が形成されてい
る。これらの各領域１，２，３は第２図に示すよ
うにp-サブストレート４上のn-エピタキシヤル
層５上に形成される。コレクタ領域１、ベース領
域２及びエミツタ領域３の上層には相互に絶縁膜
６にて分離絶縁されたAlのコレクタ配線７（第
１図に破線で示す）、ベース配線８（同じく二点
鎖線で示す）及びエミツタ配線９（同じく一点鎖
線で示す）が形成され、下層のコレクタ領域１、
ベース領域２及びエミツタ領域３の夫々とはハツ
チングを付して示すコンタクトホールを介して接
続されている。コレクタ配線７はコレクタ領域１
の延設方向と直交する方向に長い取出部７ａを一
側に有し、この取出部７ａからコレクタ領域１の
上方に位置する部分７ｂが櫛目状に延びている。
そしてこの櫛目状部分７ｂと噛合するようにして
エミツタ配線９の櫛目状部分９ｂが形成されてお
り、コレクタ配線７の取出部７ａ形成側とは反対
の側に櫛目状部分９ｂの一端を一括する部分が延
設され、その一端部に取出部９ａを形成してあ
る。エミツタ配線９の櫛目状部分９ｂはエミツタ
領域３の幅方向中央部に位置しており、コレクタ
配線７の櫛目状部分７ｂとの間〓を縫うようにし
てベース配線８を位置せしめてある。このためベ
ース配線８はジグザグ状に、コレクタ配線７とエ
ミツタ配線９の櫛目状部分７ｂ，９ｂ間に位置
し、エミツタ配線９の取出部９ａと同側の反対側
端部に取出部８ａを形成してある。
ベース配線８は取出部８ａからの距離が遠くな
ると途中での抵抗降下が無視できないことになる
ので取出部８ａに近い部分ではその幅寸法l1を広
くし、遠い部分ではその幅寸法l2を狭くしてあ
る。従つてコレクタ配線７とエミツタ配線９との
距離も前者の部分では長く、後者の部分では短く
なつている。なお第２図では左側に取出部８ａに
近い部分を、また右側に取出部８ａから遠い部分
の断面構造を示している。
ると途中での抵抗降下が無視できないことになる
ので取出部８ａに近い部分ではその幅寸法l1を広
くし、遠い部分ではその幅寸法l2を狭くしてあ
る。従つてコレクタ配線７とエミツタ配線９との
距離も前者の部分では長く、後者の部分では短く
なつている。なお第２図では左側に取出部８ａに
近い部分を、また右側に取出部８ａから遠い部分
の断面構造を示している。
そしてエミツタ領域３における、エミツタ配線
９用コンタクトホール縁部からベース・エミツタ
接合部までの部分を用いてエミツタ抵抗１０を形
成してあり、このエミツタ抵抗１０は第１図の平
面パターン図及び第２図の断面図に見られるよう
にベース配線８の下方に形成されている。前述の
ようにベース配線８の線幅は取出部８ａからの遠
近に応じて狭広に変化するので、エミツタ抵抗の
長さも短長に変化するから、その抵抗値は遠近に
応じて低高に変化する。
９用コンタクトホール縁部からベース・エミツタ
接合部までの部分を用いてエミツタ抵抗１０を形
成してあり、このエミツタ抵抗１０は第１図の平
面パターン図及び第２図の断面図に見られるよう
にベース配線８の下方に形成されている。前述の
ようにベース配線８の線幅は取出部８ａからの遠
近に応じて狭広に変化するので、エミツタ抵抗の
長さも短長に変化するから、その抵抗値は遠近に
応じて低高に変化する。
以上の如き本発明によればエミツタ抵抗により
安全動作領域の拡大、特に２次破壊特性の強化が
図れる。またベース配線８の幅を取出部８ａから
遠ざかる程狭幅としてその断面積を変化させてい
るので、トランジスタの全体に均一化したベース
バイアスを与えることができる。また高いベース
バイアスが与えられ易い領域、つまり取出部に近
い領域には高いエミツタ抵抗を配することがで
き、トランジスタ動作を平均化して電流集中を防
止できる。このように本発明ではベース配線の幅
とエミツタ抵抗の値との相乗効果により電流の集
中を一層効果的に抑制しているのである。しかも
ベース配線の下方にエミツタ抵抗を形成するので
ベース配線の線幅の広狭を利用して高低のエミツ
タ抵抗を形成でき、面積利用効率が高い等、本発
明はこの種のパワートランジスタの小型化又は
ICの集積度向上に寄与する処多大である。
安全動作領域の拡大、特に２次破壊特性の強化が
図れる。またベース配線８の幅を取出部８ａから
遠ざかる程狭幅としてその断面積を変化させてい
るので、トランジスタの全体に均一化したベース
バイアスを与えることができる。また高いベース
バイアスが与えられ易い領域、つまり取出部に近
い領域には高いエミツタ抵抗を配することがで
き、トランジスタ動作を平均化して電流集中を防
止できる。このように本発明ではベース配線の幅
とエミツタ抵抗の値との相乗効果により電流の集
中を一層効果的に抑制しているのである。しかも
ベース配線の下方にエミツタ抵抗を形成するので
ベース配線の線幅の広狭を利用して高低のエミツ
タ抵抗を形成でき、面積利用効率が高い等、本発
明はこの種のパワートランジスタの小型化又は
ICの集積度向上に寄与する処多大である。
図面は本発明の実施例を示し、第１図は模式的
平面パターン図、第２図は略示断面構造図であ
る。 １……コレクタ領域、２……ベース領域、３…
…エミツタ領域、７……コレクタ配線、８……ベ
ース配線、９……エミツタ配線。
平面パターン図、第２図は略示断面構造図であ
る。 １……コレクタ領域、２……ベース領域、３…
…エミツタ領域、７……コレクタ配線、８……ベ
ース配線、９……エミツタ配線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体層の表層部にベース領域が、該ベース
領域の表層部にエミツタ領域が各選択的に形成さ
れ、 前記ベース領域の表面にコンタクトホールを介
して接触し前記コンタクトホール周囲の絶縁膜上
まで拡大されたベース配線がエミツタ配線及びコ
レクタ配線間に位置して延在するトランジスタに
おいて、 前記ベース配線はその取出部に近い部分が遠い
部分よりも広幅をなすパターンを有し、 前記エミツタ配線のコンタクトホール縁部から
ベース・エミツタ接合部までのエミツタ領域で形
成するエミツタ抵抗を前記ベース配線の下方に形
成すると共に、 前記ベース配線の線幅の変化に対応して前記エ
ミツタ抵抗の値も前記ベース配線の取出部に近い
部分が遠い部分よりも大となるように構成してあ
ることを特徴とするトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57217306A JPS59106156A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57217306A JPS59106156A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59106156A JPS59106156A (ja) | 1984-06-19 |
| JPH0148662B2 true JPH0148662B2 (ja) | 1989-10-20 |
Family
ID=16702078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57217306A Granted JPS59106156A (ja) | 1982-12-10 | 1982-12-10 | トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59106156A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2175441B (en) * | 1985-05-03 | 1989-05-10 | Texas Instruments Ltd | Power bipolar transistor |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS547742Y2 (ja) * | 1973-03-22 | 1979-04-10 | ||
| JPS5386173A (en) * | 1977-01-08 | 1978-07-29 | Mitsubishi Electric Corp | Pattern structure of transistor |
-
1982
- 1982-12-10 JP JP57217306A patent/JPS59106156A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59106156A (ja) | 1984-06-19 |
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