JPH01503423A - ２端子半導体ダイオード装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体装置に管するものであり、特にオフセットした接続孔を使用す る２端子ダイオード装置およびその製造方法に関するものである。

２、従来技術の説明 伝統的に２端子半導体装置は直接接続孔の金属化部分を使用されるようにパッケ ージされている。

半導体装置は、ダイオードチップ、垂直に貫通する接続孔を有する半絶縁性基体 、およびこの接続孔を満たす金属ヒートシンクより構成されている。ダイオード チップは金属ヒートシンク上に位置し、この金属ヒートシンクはまたダイオード チップを接地する作用をしている。しかしながら上記のパッケージ装置中におい て、接続孔のエツチングは非常に制御が困難である。ダイオードは典型的に３層 を有し、その基体と隣接する層の厚さは典型的には５ミクロンに過ぎない。接続 孔はこの５ミクロンの厚さの層をエツチングのときに除去せずに基体を通ってこ のダイオード層までエツチングしなければならない。さらに金属ヒートシンクは その寸法が限定されているために効率のよいものではない。

熱除去の問題を解決するために、大きな接続孔形状のものが開発されるようにな った。孔の大きさが増加するため、ダイオードの下方により多くの金属を配置す ることが可能になり、熱転送効率を増加させる。しかしながら残念なことに、寄 生インダクタンスもまた増加する。次に発展過程において、集積パッケージ２端 子装置が開発された。ダイオードの活性層は直接ヒートシンク上に配置され、ダ イオードおよびヒートシンクは厚いポリイミド層中に埋め込まれる。ポリイミド の熱伝導性が低いために、ダイオードからの熱の除去の効率が悪く、それ故装置 は長時間持続して動作させることができない。さらにパッケージは半絶縁性基体 ではないからモノリシックではなく、それ故このパッケージ方法はモノリシック 回路と両立しない。

発明の概要 それ故、この発明の目的は、低い寄生インダクタンスであり、しかも熱転送効率 の高い２端子半導体ダイオ、−ド装置を提供することである。

この発明の別の目的は、モノリシックな２端子半導体ダイオード装置を提供する ことである。

この発明のさらに別の目的は、低い製造コストで、高い生産性の２端子半導体ダ イオード装置を製造する改善された方法を提供することである。

前記のような目的にしたがって、この発明による２端子半導体ダイオード装置は 半導体ダイオードがその上に配置された半絶縁性基体を具備している。半導体ダ イオードは下部部分と上部部分とを有する。下部部分は上部部分のベースを囲む 環状の上面を有する。第１の金属コンタクトが半導体の上部部分に電気的に接続 され、環状の第２の金属コンタクトが半導体の下部部分の環状上面に電気的に接 続される。−誘電体材料の層がダイオードと２個のコンタクトを覆っている。第 １の外部コンタクトは誘電体層を貫通して第１の金属コンタクトと電気的に接続 される。第２の外部コンタクトは基体および半導体ダイオードの下部部分を貫通 して金属コンタクトリングと電気的に接続される。

この発明の方法によるそのような半導体ダイオード装置の製造においては、まず 前記の半絶縁性基体を形成した後、少なくとも２個の半導体材料の層が成長され る。半導体材料の第１の層は半絶縁性基体上に成長され、半導体材料の第２の層 は半導体材料の第１の層上に成長される。第１の金属コンタクトは予め定められ た形状で第２の層上に付着される。マスク部材として１の金属コンタクトより少 し大きいフォトレジストパターンを使用して、第２の層および第１の層の薄いス ライスがエツチングして除去されて半導体ダイオードの上部部分が形成される。

環状の金属材料が第１の層上に上部部分のベースを囲んで付着され、第２の金属 コンタクトを形成する。第２のエツチングステップにおいて、マスクとして第２ の金属コンタクトより少し大きいフォトレジストパターンを使用して、第１の層 が半絶縁性基体までエツチングされる。

誘電体材料層が半絶縁性基体、半導体材料、および金属コンタクト上に付着され る。材料が基体層および半導体ダイオードから除去され、金属リングの区域を露 出する第１の孔が形成される。外部金属コンタクトが第１の孔中に延在して金属 リングと電気的に接続されるように付着される。第２の除去ステップにおいて、 材料は誘電体層から除去されて、第１の金属コンタクトの区域を露出するように 延在する孔が形成される。金属が誘電体層および第２の孔を満たしている露出さ れた金属上に付着される。

この発明の他の、さらに別の目的、利点および特徴は、添附図面を参照に以下の この発明の好ましい実施例の説明から容易に明らかになるであろう。

図面の簡単な説明 第１図はこの発明による２端子半導体ダイオード装置の断面図である。・ 第２図はこの発明による２端子半導体ダイオード装置の斜視図である。

第３ａ図乃至第３ｊ図はこの発明の方法による装置の製造におけるステップを示 す２端子半導体ダイオード装置の一連の断面図である。

詳細な説明 特に第１図および第２図を参照すると、頂部主面１５および底部主面１９を有す る半絶縁性基体１１が示されている。半絶縁性基体１１は典型的には最終の厚さ が４ミルであり、ひ化ガリウム、リン化インジュウム或いは任意の他の■−Ｖ族 半導体材料から作られる。半導体ダイオード１８は半絶縁性基体１１の頂部主面 １５上に位置している。半導体ダイオード１８は上部部分１７と下部ベース部分 ２９を有している。上部部分１７は頂面２７を有する切頭円錐形状である。下部 ベース部分２９はディスク形状である。ディスク形状のベース部分２９は環状の 上面２２を有し、それは切頭円錐形状の上部部分１７のベースの外方に延在して いる。上部部分１７の頂面２７と下部ベース部分２９の環状上面２２は実質上平 行な平面を形成している。

半導体ダイオードは典型的には３個の半導体層から構成されている。すなわち、 半絶縁性基体の頂部面１５に隣接して位置している第１の層１２（第１の層は典 型的にはＮ十導電型である）、典型的にはＮ導電型である第２の中間層１４、お よび所望の最終的なダイオード装置に応じたＰ十またはＮ十導電型のいずれかで ある第３の層１６である。例としてガンダイオードを使用すると、第１の層１２ はＮ十導電型であり、第２の層１４はＮ導電型であり、第３の層１６はＮ十導電 型である。ガンダイオードに対しては、第１の層１２のドーピング濃度は典　。

型的には１×１０１８イオン／ｃｍ３であり、中間層１４に対しては典型的には １×１０１６イオン／ｃｍ’であり、第３の層１６に対してはドーピング濃度は 典型的にはｌＸ１０１８イオン／ｃｍ３である。第１のＮ十層Ｉ２は典型的には 約１０ミクロン以上の厚さであり、それはダイオードの直列抵抗を減少させる。

第２の中間層１４の厚さは典型的には約１乃至２．５ミクロンであり、第３の層 １６は典型的には例えば約０．５ミクロンの厚さである。

第２の中間層１４はガン領域がそこに形成される転移層として作用する。例えば バラクタダイオードまたはインバットダイオードのような他の形式の２端子半導 体ダイオード装置もまた使用できる。

ディスク形状の金属コンタクト２０は実質上切頭円錐形状の上部部分１７の頂面 ２７上に位置して電気的に接続されている。

リング状の第２の金属コンタクト２５はディスク状のベース部分２９の環状上面 ２２上に位置して電気的に接続されている。第２の金属コンタクトリング２５は 実質上切頭円錐形状の上部部分１７のベースから間隔を置いている。金属コンタ クトリングは典型的には内径２．４ミル、外径ｅ、ｏ　ミルであり、約０．６　 ミクロンの厚さである。

誘電体層３０がダイオード１８、金属コンタクト２ｏおよび２５および半絶縁性 基体１１の頂部主面１５上に付着される。誘電体層３０は典型的には第１の層１ ２の厚さの１．５乃至２倍であり、典型的には約５乃至１０ミクロンの厚さであ る。誘電体層は第１図に示されるようにポリイミドの層３ｏおよび窒化シリコン または２酸化シリコンの層３２から構成されることができる。

例えばポリイミド層３０は典型的には約１０乃至２０ミクロンの厚さであり、窒 化シリコンまたは２酸化シリコンの層３２は典型的には約０．２乃至０．５ミク ロンの厚さである。誘電体層は半導体ダイオード１８を保護し、また後の処理中 に金メッキしたヒートシンクを形成するための平坦な表面３３を与える。

オフセット位置の接続孔４０は半絶縁性基体１１および半導体ダイオード１８の 下部ディスク状ベース部分２９を貫通して金属リングコンタクト２５の一部を露 出させている。接続孔４ｏは従来普通に設けられていた位置からオフセットして いる。導電材料からなる伝送ライン４５は基体１１の底面１９に設けられ、接続 孔４０を横切っている。伝送ライン４５の導電材料は接続孔４゜中に入り込み、 金属リングコンタクト２５と電気接続を形成している。伝送ライン４５は半導体 ダイオード１８と他の回路部品との間の必要な整合を行い、またダイオードのバ イアスを与える。

第２の接続孔５０は誘電体層３０および３２を貫通し、第１の金属コンタクト２ ０を露出させている。金属層５１は誘電体の表面３３を覆い、第２の接続孔５０ 中に入り第１の金属コンタクト２０と電気的および熱的に良好な接続を形成して いる。この金属は熱をダイオード１８から除去し、またダイオード１８に対する 接地平面を与える。金属層５１は２〜３ミルの厚さである。

上記図面に示された構造は個々の２端子装置を示すものであり、半絶縁性基体は 実際には多数のそのような構造を含んでおり、前記の製造工程の最終工程中に基 体が小さなチップに切断されて個々の２端子装置が形成されてもよいことを注意 すべきである。さらに例えばショッッキバリアミキサーダイオードおよびＰＩＮ スイッチダイオードのような他の能動装置が基体１１の底面１９上に形成され、 ダイオード１８に電気的に結合されて集積ミリメータ波受信または送信システム を形成するようにしてもよい。

以上を要約すると、オフセットした位置の接続孔４０と金属リングコンタクト２ ５を使用した２端子半導体ダイオード装置が説明され、それは処理を簡単にし、 従来の２端子装置パツケージの厳しい公差に対する要求を消滅させることができ る。

熱転送効率もまた改善される。さらにこの発明を使用する２端子半導体ダイオー ド装置は比較的低いコストで製造されることができ、生産効率のよい処理が可能 である。

この発明の好ましい実施例の方法を使用した２端子半導体ダイオード装置の製造 過程が第３ａ図乃至第３ｊ図に示されている。第１図および第２図の実施例にお ける部分と同一または等価の部分は１の後に同じ２桁の数字を付して示している 。

第３ａ図乃至第３ｊ図に示す２端子ダイオード装置の連続工程は、例としてガン ダイオードについて示されている。この製造方法はまた例えばバラクタダイオー ド或いはインバットダイオードのような他のダイオードに適用することができる 。第３ａ図を参照すると、２端子ダイオード装置は例えば１０乃至１５ミルの厚 さのひ化ガリウム基体でよい半絶縁性基体１１１を使用して製造される。第１の 高ドープ半導体層１１２が基体１１１上に形成される。半導体層１１２は例えば Ｎ生型ひ化ガリウムであることが好ましい。高ドープ半導体層１１２は通常の気 相エピタキシ（ＶＰＥ）または分子ビームエピタキシ（ＭＢＥ）技術によって形 成することができる。その代わりに、高ドープ半導体層１１２はまたよく知られ た金属酸化物化で形成されることもできる。半導体層１１２″のドープレベルは ｌＸ１０１８乃至２×１０１８イオン／ｃｎ＋３の範囲であり、その厚さは典型 的には約１０ミクロンである。

第１の層１１２と同じ導電型である低ドープの第２の半導体層１１４が第１の層 １１２の上に形成される。例えば低ドープ半導体層１１４はｎ型ひ化ガリウムで あり、よく知られたＶＰＥ。

ＭＯＣＶＤ、またはＭＢＥ技術によって形成されることができる。第２の半導体 層１１４は約ｌＸ１ｏ１６イオン／ｃ１１１３のドープレベルを有し、その厚さ は１．０乃至２．５　ミクロンである。

第２の層１１４はガン領域が形成される転移層として作用する。

高ドープの第３の半導体層１１６が第２の層１１４の上に形成される。ガンダイ オードの場合には高ドープの第３の半導体層１１８はｎ生型ガリウム・アルミニ ウムである。この高ドープの第３の半導体層１１６は通常のＶＰＥ、ＭＯＣＶＤ 、またはＭＢＥ技術によって形成されることができる。第３の半導体層１１６は 約０．５ミクロンの厚さを有し、半導体層のドープレベルは約ｌＸ１０１８乃至 ２Ｘ１０１８イオン／ｃｍ３の範囲である。

が第３の層１１６上に形成される。通常のフォトリソグラフ技術により、フォト レジスト層は選択的に露光され、現像されてダイオード装置のための第１の金属 コンタクトを定めるパターン開口が形成される。パターン開口は典型的には円形 である。金・ゲルマニウム、ニッケル、および金のような金属が順次フォトレジ スト上に付着されて第１のコンタクト１２０を形成する。フォトレジストおよび 余分な金属はその後アセトンによって除去される。

次に第３ｂ図に示すように、第３の層１１６、第２の層１１４、および第１の層 １１２の薄い一部分（スライス）が除去される。

第１の金属コンタクト１２０と整列してそれよりもやや大きいフォトレジストパ ターン（図示せず）がマスクとして使用される。適当な割合いのＨ２ＳＯ４およ びＨ２０□のような化学的エツチング液が使用されて露出された第３の層１１６ 、第２の層１１４、および第１の層１１２の薄い一部分がエツチングされ、第１ の層１１２のバルクの厚さは維持される。実質上切頭円錐状の半導体材料の上部 部分１１７がこのエツチング処理によって形成される。

次のステップとして、第２のフォトレジスト層（図示せず）が金属コンタクト１ ２０を含む半導体材料の第１の層１１２を覆って供給される。フォトレジスト層 は露光され、現像されて半導体材料の第１の層１１２上の金属リングコンタクト １２５のためのパターン開口が形成される。金・ゲルマニウム、ニッケル、およ び金のような金属が電子ビーム蒸着によって順次フォトレジスト層上に付着され る。フォトレジストおよび余分な金属はその後アセトンによって除去される。こ れは実質上切頭円錐状の上部部分１１７のベースを取巻く金属リングコンタクト １２５を残す。金属リングコンタクト１２５は第３Ｃ図に示すように第１の層１ １２に対するオームコンタクトとして作用する。

金属リングコンタクト１２５の形成に続いて、第１の層１１２は第３ｄ図に示す ように半絶縁性基体１１１までエツチングされる。金属リングコンタクト１２５ より少し大きいフォトレジストマスクパターンが使用されて第１の層１１２がエ ツチングで除去される。半絶縁性基体１１１にこのエツチングステップでディス ク形状の基体１１１上の下部ベース部分１２９が形成される。

次のステップにおいて、第３ｅ図に示すように、例えばポリイミドのような誘電 体材料の層が半導体ダイオード１８、金属コンタクト１２０および１２５、半絶 縁性基体１１１を覆って被着される。ポリイミドの層１３０は第１の半導体層１ １２′の厚さの１．５乃至２倍の厚さを有する。ポリイミド層１３０の付着およ びキュア後、２酸化シリコンまたは窒化シリコンの薄い層１３２がポリイミド層 １３０上に付着される。層１３２は典型的には約０．２乃至０．５ミクロンの厚 さであり、本質的に平坦な上部表面１３３を有する。

この状態まで製造された半導体構造は裏返しにされ、基体層１１１の底面は研磨 され例えば約４ミルの厚さに研磨される。

第３ｆ図参照。

赤外線マスク整列技術を使用して、フォトレジストマスク（図示せず）が金属コ ンタクトリング１２５の部分と一致するパターン開口を有して基体層１１１の底 面１１９上に形成される。

基体層１１１の露出された領域はＨ２ＳＯ４およびＨ２０□を使用した化学的エ ツチングまたは反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）技術によってエツチングされ 、反応性イオンはフレオン１２　（ＴＭ）とアルゴンの混合物から発生される。

後者のドライエツチング方法はより均一にエツチングされた接続孔を生成するた めに好ましい。エツチングは基体１１１を貫通した接続孔１４０が金属コンタク トリング１２５の区域を露出するまで続けられる。

第３ｇ図に示した次の工程では伝送ラインおよび接続孔１４０の金属化が行われ る。フォトレジスト層（図示せず）は基体１１１上に形成され、それは第３ｈ図 に示されるような伝送ライン１４２および１４４および接続孔１４０のためのパ ターン開口を有している。チタニウムおよび金の金属層１４２は例えば電子ビー ム蒸着によりフォトレジスト開口上に例えばそれぞれ約０．０５ミクロンおよび １ミクロンの厚さに付着される。

その後第３ｈ図に示されるように接続孔１４０中の金属層１４２およびバイアス ライン上の金属は約３乃至５ミクロンの厚さまで金の層１４４を電気メッキする ことによって選択的に形成される。

２端子装置の裏側の金属化の後、フォトレジスト層（図示せず）が層１３２上に 形成され、それは第１の金属コンタクト１２０と垂直に一致する開口を有してい る。層１３２の露出された区域は緩衝されたフッ酸（ＨＦ）液を使用して湿式化 学エツチングされる。エツチングは窒化シリコンまたは２酸化シリコン層１３２ が除去されるまで続けられる。その後乾燥プラズマエツチングを使用して露出さ れた誘電体層１３０が除去され、第３１図に示すような第１の金属コンタクト１ ２０に達する孔１５０が残される。フォトレジストはプラズマエツチング処理中 に除去される。その後チタニウムおよび金が層１３２上および孔１５０中にそれ ぞれ約０．０５ミクロンおよび０．２　ミクロ示すように約２乃至３ミルの厚さ に電気メッキされて金属層１５１を形成する。

２端子ダイオード装置はこのようにして廉価に高い生産効率の処理技術によって 製造される。オフセットされた接続孔の使用は従来の２端子ダイオード装置の厳 しい接続孔の公差の要求を不要にする。

この発明は特定の図示された実施例を参照して示され、説明されたけれども、こ の発明に関係する種々の変形、変更がこの発明の技術的範囲に含まれることは当 業者には明白であろう。

国際調査報告 国際調査報告

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. １．第１および第２の主面を有する半絶縁性基体と、上部部分と、この上部部分 のベースから外側に延在する環状の上面を有する下部ベース部分とを有し、前記 半絶縁性基体の第１の主面上に位置する半導体ダイオードと、前記半導体ダイオ ードの上部部分と電気的に接続された第１の金属コンタクトと、 前記下部ベース部分の環状の上面上に位置しそれと電気的に接続されたリング状 の第２の金属コンタクトと、前記半導体ダイオード、第１および第２の金属コン タクト、および前記基体の第１の主面を覆って配置され、前記第１の金属コンタ クトに達する第１の孔を有する誘電体材料の層と、前記第１の孔を通って前記第 １の金属コンタクトに熱的および電気的に結合される金属ヒートシンク手段とを 具備し、前記半絶縁性基体および下部ベース部分はそれらを貫通して前記リング 状の第２の金属コンタクトに達する第２の孔を有し、 金属バイアスラインが前記第２の孔を通って前記リング状の第２の金属コンタク トに電気的に接続されている２端子半導体ダイオード装置。
2. ２．前記上部部分が実質上切頭円錐形状であり、前記下部部分が実質上ディスク 形状である請求項１記載の２端子ダイオード装置。
3. ３．前記上部部分が第１の導電型であり、前記下部ベース部分が第２の、反対の 導電型である請求項１記載の２端子ダイオード装置。
4. ４．前記半導体ダイオードが３個の層を含み、底部層はＮ＋導電型で前記基体に 隣接し、中間層はＮ導電型で底部層に隣接し、頂部層はＮ＋導電型で前記中間層 に隣接している請求項１記載の２端子ダイオード装置。
5. ５．前記半導体ダイオードが３個の層を含み、底部層はＮ＋導電型で前記基体に 隣接し、中間層はＮ導電型で底部層に隣接し、頂部層はＰ＋導電型で前記中間層 に隣接している請求項１記載の２端子ダイオード装置。
6. ６．前記誘電体層はポリイミドからなる請求項１記載の２端子ダイオード装置。
7. ７．前記誘電体層上に２酸化シリコンの層を具備している請求項６記載の２端子 ダイオード装置。
8. ８．前記誘電体層上に窒化シリコンの層を具備している請求項６記載の２端子ダ イオード装置。
9. ９．前記半導体ダイオードをバイアスする手段を具備している請求項１記載の２ 端子ダイオード装置。
10. １０．前記半導体ダイオードはＩＩＩ−Ｖ族半導体材料からなる請求項１記載の ２端子ダイオード装置。
11. １１．前記半導体ダイオードはひ化ガリウムからなる請求項１記載の２端子ダイ オー ド装置。
12. １２．前記半導体ダイオードはリン化インジュウムからなる請求項１記載の２端 子ダイオード装置。
13. １３．半絶縁性基体と、 上部部分と、この上部部分のベースから外側に延在する上面を有する下部ベース 部分とを有し、前記半絶縁性基体上に位置する半導体ダイオードと、 前記半導体の上部部分上の第１の電気コンタクトと、前記下部ベース部分の上面 に電気的に接続されたリング状の第２の金属コンタクトと、 前記第２の金属コンタクトに電気的に接続するための外部コンタクト手段とを具 備している２端子ダイオード装置。
14. １４．前記下部ベース部分の前記上面は上部部分のベースを囲んで環状に延在し ており前記第２の金属コンタクトは環状の上面に電気的に接続されておりリング 形状である請求項１３記載の２端子ダイオード装置。
15. １５．前記上部部分は実質上切頭円錐形状であり、前記下部部分が実質上ディス ク形状である請求項１３記載の２端子ダイオード装置。
16. １６．前記半導体ダイオードが３個の層を含み、Ｎ＋導電型の基体に隣接する層 と、Ｎ導電型の底部層に隣接する中間層と、Ｎ＋導電型で前記中間層に隣接して いる頂部層とである請求項１３記載の２端子ダイオード装置。
17. １７．前記半導体ダイオードが３個の層を含み、Ｎ＋導電型の基体に隣接する層 と、Ｎ−導電型の底部層に隣接する中間層と、Ｐ＋導電型で前記中間層に隣接し ている頂部層とである請求項１３記載の２端子ダイオード装置。
18. １８．前記半導体ダイオードをバイアスする手段を具備している請求項１３記載 の２端子ダイオード装置。
19. １９．半絶縁性基体を準備し、 この基体上に第１の導電型の半導体材料の第１の層を成長させ、 前記半導体材料の第１の層上に所定の導電型の半導体材料の第２の層を成長させ 、 前記第２の半導体材料層上に前記第２の半導体材料層とオームコンタクトを形成 するように予め定められた形状の第１の導電性マスク部材を形成し、 このマスク部材をマスクとして使用して半導体材料の上部部分が形成されるよう に前記第２の層および前記第１の層の一部をエッチングし、 半導体材料の上部部分のベースを囲んで前記第１の層上に環状の金属マスク部材 を付着させ、 半導体材料の下部ベース部分が形成されるように前記基体まで前記第１の層をエ ッチングし、 前記第１のマスク部材、環状金属マスク部材、および前記半導体材料、および絶 縁性基体上に誘電体層を付着させ、前記基体層および前記第１の半導体層から材 料を除去して前記基体および半導体下部ベース部分を貫通して前記環状金属マス ク部材上の区域を露出させる孔を形成し、第１の孔中に延在して前記環状金属の 露出した区域と電気的に接続された外部オームコンタクトを前記基体上に付着さ せ、 前記誘電体層から材料を除去して前記金属マスク部材の区域を露出させる垂直に 延在する孔を形成し、前記誘電体層を除去する工程において形成された前記第２ の孔を満たすように前記誘電体層および前記露出された金属マスク部材上に金属 を付着させる工程を含む２端子ダイオード装置の製造方法。
20. ２０．前記半導体材料の上部部分は実質上切頭円錐形状を有するようにエッチン グされる請求項１９記載の２端子装置の製造方法。
21. ２１．前記下部ベース部分は実質上ディスク形状を有するようにエッチングされ る請求項１９記載の２端子装置の製造方法。
22. ２２．半絶縁性基体を準備し、 この基体上に半導体材料の底部層、中間層、および頂部層を順次成長させ、 頂部半導体層上に第１の金属コンタクトを付着させ、頂部および中間半導体層を エッチングして半導体材料の上部部分を形成し、 底部層の上面に金属コンタクトを付着させ、下部ベース部分が形成されるように 前記半導体材料の底部層をエッチングし、 前記基体および下部ベース部分から材料を除去して前記底部半導体層上の前記金 属コンタクトまで延在する孔を形成し、第１の孔中に延在し、前記底部半導体層 上の金属コンタクトと電気的に接続される外部コンタクトを前記基体上に付着さ せる工程を含む２端子ダイオード装置の製造方法。