JPH0150901B2 - - Google Patents

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JPH0150901B2
JPH0150901B2 JP55145277A JP14527780A JPH0150901B2 JP H0150901 B2 JPH0150901 B2 JP H0150901B2 JP 55145277 A JP55145277 A JP 55145277A JP 14527780 A JP14527780 A JP 14527780A JP H0150901 B2 JPH0150901 B2 JP H0150901B2
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JP
Japan
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group
electrophotographic photoreceptor
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general formula
layer
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JP55145277A
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Yoshio Takasu
Katsunori Watanabe
Shozo Ishikawa
Kazuharu Katagiri
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPS5768843A publication Critical patent/JPS5768843A/ja
Priority to US06/537,549 priority patent/US4479866A/en
Publication of JPH0150901B2 publication Critical patent/JPH0150901B2/ja
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403Cells and electrode assemblies
    • G01N27/406Cells and probes with solid electrolytes
    • G01N27/407Cells and probes with solid electrolytes for investigating or analysing gases
    • G01N27/4071Cells and probes with solid electrolytes for investigating or analysing gases using sensor elements of laminated structure
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/403Cells and electrode assemblies
    • G01N27/406Cells and probes with solid electrolytes
    • G01N27/407Cells and probes with solid electrolytes for investigating or analysing gases
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  • Pathology (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
本発明は、新芏な有機光導電䜓若しくは有機光
導電性顔料を適甚した電子写真感光䜓に関するも
のである。 最近、有機光導電性顔料を電荷茞送胜を有する
有機化合物ず組み合せお感光局を構成する方法が
提案された。䟋えば、特開昭47−18545号公報の
蚘茉によれば、光導電性顔料を電荷茞送胜のある
マトリツクス䞭に分散した局構成を感光局ずする
方法が提案されおおり、たた特開昭47−30331号
公報によれば光導電性顔料を分散した局ず電荷茞
送局の積局構造からなる感光局が提案されおい
る。 これらの感光局を適甚した電子写真感光䜓はこ
れたでのセレン、硫化カドミりム、酞化亜鉛など
の無機化合物を甚いた電子写真感光䜓ず范べお電
䜍安定性や環境安定性などの点で優れた特性を保
有しおおり、しかも補造加工が容易で、埗られた
感光䜓が軜量なこずなどの利点を有しおいる。さ
らに、奜たしいこずには、䜿甚した顔料に応じお
分光特性を任意に遞択でき、このため増感染料の
䜿甚を省略できる利点を有しおいる。 これたで前述した有機光導電性顔料ずしお、フ
タロシアニン系顔料、倚環キノン系顔料、アゟ系
顔料、キナクリドン系顔料など数倚くのものが提
案されおいるが、無機光導電䜓を甚いた感光䜓に
范べお感床および耐久性の点で必ずしも十分なも
のずは蚀えない。 本発明の目的は、前述の欠点を解消しうる新芏
な有機光導電性顔料を提䟛するこずにある。 本発明の別の目的は、感床および耐久性を改善
した新芏な電子写真感光䜓を提䟛するこずにあ
る。 本発明のその他の目的は、䞋述の蚘茉から容易
に明らかずなるであろう。 本発明のかかる目的は、導電性支持䜓の䞊に圢
成した感光局ずしお―トリアゟヌル骚
栌を有するビスアゟ顔料を含有させた電子写真感
光䜓によ぀お達成される。 本発明で甚いる―トリアゟヌル骚栌
を有するビスアゟ顔料は、少なくずもアゟ基ずカ
プラヌ残基をも぀有機残基を䜍および䜍に有
する―トリアゟヌル若しくはさらに
䜍に眮換基をもたせたその誘導䜓によ぀お瀺され
る。 本発明で甚いるビスアゟ顔料ずしお特に奜たし
いものは、䞋蚘䞀般匏によ぀お瀺すこずが
できる。 䞀般匏 匏䞭、A1およびA2は、カプラヌ残基を瀺し、
奜たしくは䞋蚘䞀般匏および
で瀺される芳銙族基である。 䞀般匏 匏䞭、はベンれン環ず瞮合しお同玠環䟋え
ば、ナフタレン環、アンスラセン環など若しく
は耇玠環䟋えば、カルバゟヌル環、ゞベンゟフ
ラン環などを完成するに必芁な原子矀を瀺す。
䞊蚘同玠環および耇玠環には適圓な眮換基䟋え
ば、メチル基、メトキシ基、塩玠原子臭玠原子、
―ゞメチルアミノ基などを有しおいおも
差し぀かえない。R21は
【匏】たたは− COOR24を瀺し、R22R23およびR24は、アルキ
ル基䟋えば、メチル基、゚チル基、―プロピ
ル基、iso―プロピル基、―ブチル基、―ア
ミル基、―オクチル基、―オクチル基、―
デシル基、―オクタデシル基などたたはアリ
ヌル基䟋えば、プニル基、トリル基、キシリ
ル基、ビプニル基、ナフチル基などを瀺す。
たた、R22は氎玠原子であ぀おもよい。䞊蚘アル
キル基およびアリヌル基には、いく぀かの眮換基
若しくは原子を有しおいおもよい。具䜓的な眮換
基若しくは原子ずしおは、ハロゲン原子䟋え
ば、塩玠原子、臭玠原子、フツ玠原子などアル
コキシ基䟋えば、メトキシ基、゚トキシ基な
ど、アシル基䟋えば、アセチル基、プロピオ
ニル基、ブチリル基、ベンゟむル基、トリオむル
基など、アルキルチオ基䟋えば、メチルチオ
基、゚チルチオ基など、アリヌルチオ基䟋え
ば、プニルチオ基など、アリヌルオキシ基
䟋えば、プノキシ基など、アリヌル基プ
ニル基など、シアノ基、アルキルアミノ基䟋
えば、―メチルアミノ基、―゚チルアミノ
基、―ゞメチルアミノ基、―ゞ゚チ
ルアミノ基などなどを挙げるこずができる。 䞀般匏 匏䞭、R31は、眮換若しくは非眮換のアルキル
基䟋えば、メチル基、゚チル基、―プロピル
基、iso―プロピル基、―ブチル基、―ブチ
ル基、―オクチル基、―オクチル基、―デ
シル基、ベンゞル基、ヒドロキシメチル基、―
ヒドロキシ゚チル基、―ヒドロキシ゚チル基、
メトキシメチル基、゚トキシメチル基、―゚ト
キシ゚チル基、シアノメチル基、―シアノ゚チ
ル基、―シアノプロピル基、アミノメチル基、
―アミノ゚チル基、―カルボキシプロピル
基、―メチルアミノメチル基、―゚チルアミ
ノメチル基、――メチルアミノ゚チル
基、――メチルアミノプロピル基、
―ゞメチルアミノメチル基、――ゞ
メチルアミノ゚チル基、――ゞメチ
ルアミノプロピル基、アセチルメチル基、―
アセチルプロピル基などたたは眮換若しくは非
眮換のアリヌル基䟋えば、プニル基、トリル
基、キシリル基、ビプニル基、ナフチル基、ク
ロロプニル基、ゞクロロプニル基、トリクロ
ロプニル基、グロモプニル基、メトキシプ
ニル基、゚トキシプニル基などを瀺す。 䞀般匏 匏䞭、R41は眮換若しくは非眮換のアルキル基
前蚘R31ず同様のものを具䜓䟋ずしお瀺すこず
ができる。たたは眮換若しくは非眮換のアリヌ
ル基前蚘R31ず同様のものを具䜓䟋ずしお瀺す
こずが出来る。を衚わす。 R11およびR12は、プニレン基たたはナフチ
レン基を瀺し、このプニレン基およびナフチレ
ン基には、いく぀かの眮換基若しくは原子を有し
おもよい。 ―トリアゟヌルたたはその誘導䜓の
䜍ず䜍に眮換する有機残基の代衚䟋ずしおは
䞋蚘䞀般匏、およびで瀺される
基を挙げるこずができる。 匏䞭、R21R31およびR41は、前蚘䞀般匏
、およびで瀺したものず同䞀の
ものである。R51R52R61R62R71および
R72は、氎玠原子、ハロゲン原子䟋えば、塩玠
原子、臭玠原子、フツ玠原子など、アルキル基
䟋えばメチル基、゚チル基、プロピル基など、
アルコキシ基䟋えば、メトキシ基、゚トキシ
基、ブトキシ基など、眮換若しくは非眮換のア
リヌルオキシ基䟋えば、プノキシ基、メチル
プノキシ基、゚チルプノキシ基、メトキシフ
゚ノキシ基、ニトロプノキシ基など、眮換若
しくは非眮換のアリヌル基䟋えば、プニル
基、トリル基、キシリル基、ブプニル基、クロ
ロプニル基、ゞクロロプニル基、ニトロプ
ニル基などあるいは眮換アルキル基䟋えば、
ベンゞル基、メトキシメチル基、゚トキシメチル
基などなどを瀺す。 R13は、氎玠原子たたはアルキル基䟋えば、
メチル基、゚チル基、プロピル基などの炭玠数
〜の䜎玚アルキル基より遞択できる。 本発明で甚いる代衚的な有機光導電性顔料ビ
スアゟ顔料を䞋蚘にいく぀か列挙するが本発明
は、これらのものに制限されるものではない。 化合物䟋 これらのビスアゟ顔料は、䟋えば―ビス
―アミノプニル――オキサゞ
アゟヌルをホルムアミドずずもに長時間加熱し、
埗られたホルミルアミノ化合物を塩酞で凊理する
こずによ぀お、―ビス―アミノプニ
ル――トリアゟヌルずする。たた、
䜍の氎玠原子をアルキル基に眮換する方法ずし
おは、―ビス―ニトロプニル―
―トリアゟヌルにゞアルキル硫酞を䜜
甚させ、次いで還元剀を䜜甚させるこずによ぀お
埗るこずができる。 こうしお埗た―ビス―アミノプニ
ル――トリアゟヌルたたはその誘導
䜓は、䞋蚘䞀般匏(A)のゞアミン化合物で瀺され
る。 䞀般匏(A) 匏䞭、R13は、前蚘ず同矩語である。RA1
RA2RA3およびRA4は前蚘R51R52R61R62
R71およびR72ず同䞀のものを瀺す。 次いで、このゞアミン化合物を垞法により、テ
トラゟ化した埌、前蚘䞀般匏たたは
で瀺されるカプラヌ残基をも぀カプラヌず
アルカリの存圚䞋でカツプリングするか、あるい
はテトラゟニりム塩をホりフツ化塩たたは塩化亜
鉛塩ずしお単離しおから、―ゞメチルアル
ムアミドたたはゞメチルスルホキシドなどの溶媒
䞭でピリゞンなどのアルカリ存圚䞋でカツプリン
グするこずにより容易に合成出来る。 本発明の電子写真感光䜓は、前述のビスアゟ顔
料を絶瞁性暹脂䞭に分散させた埌、これを適圓な
支持䜓の䞊に感光局ずしお塗工するこずによ぀お
調補できる。 本発明の別の態様の電子写真感光䜓は、電荷茞
送胜を有する化合物を前述のビスアゟ顔料ずずも
に絶瞁性暹脂に分散させたもの、あるいは前述の
ビスアゟ顔料を電荷茞送胜をも぀結着剀に分散さ
せたものを適圓な支持䜓の䞊に塗工するこずによ
぀お埗られる。 さらに本発明の奜たしい別の態様の電子写真感
光䜓は、前述のビスアゟ顔料を含有させた電荷発
生局を適圓な支持䜓の䞊に塗工し、この電荷発生
局の䞊に電荷茞送局を積局した構造の感光局を甚
いるこずによ぀お䜜成される。この型の電子写真
感光䜓は、適圓な支持䜓の䞊に䞭間局を蚭け、こ
れを介しお前述のビスアゟ顔料を含む電荷発生局
を圢成し、その䞊に電荷茞送局を圢成しおもよ
い。この䞭間局は、積局構造からなる感光局の垯
電時においお導電性支持䜓から感光局ぞの自由電
荷の泚入を阻止するずずもに、感光局を導電性支
持䜓に察しお䞀䜓的に接着保持せしめる接着局ず
しおの䜜甚を瀺す。この䞭間局は、酞化アルミニ
りムなどの金属酞化物あるいはポリ゚チレン、ポ
リプロピレン、アクリル暹脂、メタクリル暹脂、
塩化ビニル暹脂、プノヌル暹脂、゚ポキシ暹
脂、ポリ゚ステル暹脂、アルキド暹脂、ポリカヌ
ボネヌト、ポリりレタン、ポリむミド暹脂、塩化
ビニリデン暹脂、塩化ビニル―酢酞ビニル共重合
䜓、カれむン、れラチン、などを甚いるこずがで
きる。たた、電荷発生局を電荷茞送局の䞊に蚭け
た積局構造ずするこずもでき、この堎合には、適
圓な衚面保護局を圢成させるこずもできる。 本発明の電子写真感光䜓に甚いうる電荷茞送胜
を有する化合物電荷茞送物質ずしおは、䟋え
ばクロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノ゚
チレン、テトラシアノキシゞメタン、
―トリニトロ――フルオレノン、
―テトラニトロ――フルオレノン、
―テトラニトロキサントン、―
トリニトロチオキサントン、あるいはこれらを高
分子化した物質などで代衚される電子茞送物質、
その他にプレン、―゚チルカルバゟヌル、―
む゜プロピルカルバゟヌル、―ビス―
ゞ゚チルアミノプニル――オキサ
ゞアゟヌル、―プニル―――ゞ゚チル
アミノスチリル―――ゞ゚チルアミノフ
゚ニルピラゟリン、―〔ピリゞル―(2)〕―
――ゞ゚チルアミノスチリル――
ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン、トリプ
ニルアミン、―゚チルカルバゟヌル――カル
ボアルデヒドゞプニルヒドラゟン、―゚チル
カルバゟヌル――カルボアルデヒドプニルメ
チルヒドラゟン、α―アントリル―β――ゞ
゚チルアミノプニル゚チレン、ポリ――ビ
ニルカルバゟヌル、ハロゲン化ポリ――ビニル
カルバゟヌル、ポリビニルピレン、ポリビニルア
ントラセン、ポリビニルアクリゞン、ポリ――
ビプニルアントラセン、ピレン―ホルムアルデ
ヒド暹脂、゚チルカルバゟヌルホルムアルデヒド
暹脂、ポリアセチレンなどの正孔茞送物質などを
挙げるこずができる。本発明に䜿甚する電荷茞送
物質は、前蚘䟋瀺化合物に制限されるものではな
く、所望の特性に応じお他の化合物や、皮以䞊
を混合しお䜿甚するこずもでき、たた、その他の
䟋ずしおは、セレンなどの無機蒞着局を電荷茞送
局ずしお適甚するこずも可胜である。 本発明のビスアゟ顔料の結着剀ずしおは、アク
リル酞、マレむン酞、あるいはこれらの゚ステ
ル、スチレン、゚チレン、塩化ビニル、酢酞ビニ
ルなどのモノマを単䞀若しくは共重合させお埗ら
れる重合系暹脂、ポリ゚ステル、ポリアミド、ポ
リカヌボネヌト、ポリりレタンなどの瞮合系暹
脂、セルロヌス、カむれン、れラチン、ロゞンな
どの倩然暹脂あるいは電荷茞送胜をも぀暹脂など
が甚いられる。これらの暹脂は、皮以䞊組合せ
お甚いるこずもできる。 本発明で甚いる適圓な支持䜓ずしおは、アルミ
ニりム、バナゞりム、モリブテン、クロム、カド
ミりム、チタン、ニツケル、銅、亜鉛、パラゞり
ム、むンゞりム、錫、癜金、金、ステンレス鋌、
真ちゆうなどの金属シヌトあるいは金属を蒞着若
しくはラミネヌトしたプラスチツクシヌトなどの
導電性支持䜓を甚いるこずができる。たた、その
圢状は、シヌト状に制限されず任意に遞択でき
る。 以䞋本発明を実斜䟋に埓぀お説明する。 実斜䟋  前蚘䟋瀺のビスアゟ顔料(1)をポリビニルブ
チラヌルを゚タノヌル93に溶解した溶液に
添加し、これをボヌルミルで40時間分散させた
埌、粗倧粒子を瀘別しお塗工液を調敎した。 次いで、この塗工液をカれむンを䞋匕きしたア
ルミニりム基板䞊に也燥塗工量が0.20m2ずな
る様に塗垃しお電荷発生局を圢成させた。 さらに、この電荷発生局の䞊に電荷茞送局を積
局するこずによ぀お感光局を圢成させた。電荷茞
送局は、―〔ピリゞル―(2)〕―――ゞ゚
チルアミノスチリル―――ゞ゚チルアミ
ノプニルピラゟリンずポリ――プ
ロパンビス―プニルむ゜フタル酞―テトラ
フタル酞コ゚ステルをクロルベンれン70
に溶解した溶液を先の電荷発生局の䞊に也燥塗工
量が12m2ずなる様に塗垃するこずによ぀お埗
た。この電子写真感光䜓を詊料ずした。 この詊料を20℃の枩床および盞察湿床60の
環境䞋で40時間暗平衡に保぀おから、川口電機(æ ª)
補゚レクトロメヌタヌModel SP―428を甚いお
垯電特性および感床特性を枬定した。この際、印
加電圧―5KVで垯電し、秒間暗所に保持した
埌、照床ルツクスで露光した。この時の初期電
䜍Voボルト、秒間の電䜍保持率Rvお
よび半枛衰露光量E1/2ルツクス・秒を枬定し
た。この結果、Voは−570V、Rvは92および
E1/2は13ルツクス・秒であ぀た。 次に、この詊料を円筒状シリンダヌに匵り぀
けお、耇写機キダノン(æ ª)補Canon NP5500を改
造しお甚いたは、詊料を装着したシリンダヌ
の呚囲に負極性垯電噚、露光光孊系、珟像噚、転
写垯電噚を配眮しおおり、シリンダヌの回転に䌎
ない順次工皋が行なわれ、転写玙に画像が埗られ
る構成にな぀おいる。この耇写機を䜿甚しお、明
郚露光量25ルツクス・秒で鮮明な画像が埗られ
た。 実斜䟋 〜 この各実斜䟋においおは、前蚘実斜䟋で甚い
たビスアゟ顔料ずしお、前蚘䟋瀺化合物(1)の代り
に䟋瀺化合物(2)(3)(4)(5)(6)および(7)をそれ
ぞれ甚いたほかは、実斜䟋ず同様の方法によ぀
お電子写真感光䜓を䜜成した。これらをそれぞれ
詊料〜詊料ずした。 各詊料に぀いお実斜䟋ず同様の方法によ぀お
初期電䜍Voボルト、電䜍保持率Rvおよ
びE1/2ルツクス・秒を枬定した。これらの結
果を第衚に瀺す。
【衚】
【衚】 実斜䟋 〜20 この各実斜䟋においおは、前蚘実斜䟋で甚い
たビスアゟ顔料ずしお、前蚘䟋瀺化合物(1)の代り
に䟋瀺化合物(8)(9)(10)(11)(12)13
14
1516171819および20
を
それぞれ甚いたほかは、実斜䟋ず同様の方法に
よ぀お電子写真感光䜓を䜜成した。これらをそれ
ぞれ詊料〜詊料20ずした。 各詊料に぀いお実斜䟋ず同様の方法によ぀お
VoRvおよびE1/2を枬定した。これらの結果を
第衚に瀺す。
【衚】
【衚】 実斜䟋 21 ポリ――ビニルカルバゟヌルをクロルベ
ンれン80に溶解した溶液に、前蚘䟋瀺のビスア
ゟ顔料14を添加し、これをボヌルミルで
60時間分散した。この溶液に―トリニ
トロ――フルオレノンを加えお塗工液を調
補した。この塗工液をアルミニりム基板䞊に也燥
膜厚が11Όずなる様に塗垃し、也燥しお電子写真
感光䜓を䜜成した。これを詊料21ずした。 この詊料21の電子写真特性は、Voが400V、
Rvが76およびE1/2が12ルツクス・秒であ぀た。 実斜䟋 22 前蚘実斜䟋21で甚いた―トリニトロ
――フルオレノンの代りにトリプニルアミン
を䜿甚したほかは、同様の方法によ぀お電子写真
感光䜓を䜜成した。これを詊料22ずした。 この詊料に぀いお実斜䟋ず同様の方法によ぀
おセンシトメトリヌを行な぀た。この結果、Vo
は−320V、Rvは72およびE1/2は10.5ルツク
ス・秒であ぀た。 実斜䟋 23〜26 前蚘実斜䟋21で調補した塗工液を同重量のクロ
ルベンれンで垌釈しお、これをアルミニりム基板
䞊に也燥塗工量が0.2m2ずなる様に塗垃しお
電荷発生局を䜜成した。次に、ポリメチルメタク
リレヌト分子量80.000をトル゚ン40お
よびメチル゚チルケトン20の混合溶媒に溶解し
お、これに第衚に瀺す電荷茞送化合物を添
加溶解し、この溶液を電荷発生局の䞊に也燥塗工
量が12m2ずなる様に塗垃しお電荷茞送局を圢
成させた。この積局構造をも぀各電子写真感光䜓
をそれぞれ詊料23〜詊料26ずした。 各詊料に぀いお、実斜䟋ず同様の方法によ぀
おセンシトメトリヌを行な぀た。これらの結果を
第衚に瀺す。
【衚】 前蚘実斜䟋〜26から刀るずおり、本発明の電
子写真感光䜓は、高感床でしかも改善された耐久
性をも぀こずは明らかである。 本発明は、特蚱請求の範囲に蚘茉した特城を有
するものであるが、その実斜態様を䟋瀺するず次
のずおりである。 (2) 前蚘ビスアゟ顔料若しくはその誘導䜓が䞋蚘
䞀般匏で瀺される化合物である特蚱請求
の範囲第項蚘茉の電子写真感光䜓。 䞀般匏 匏䞭、A1およびA2は、カプラヌ残基を瀺す。
R11およびR12は、眮換若しくは非眮換のプニ
レン基若しくはナフチレン基を瀺す。R13は、氎
玠原子たたはアルキル基を瀺す (3) 前蚘カプラヌ残基が䞋蚘䞀般匏
およびで瀺される芳銙族基である特蚱請
求の範囲第項蚘茉の電子写真感光䜓。 䞀般匏 匏䞭、はベンれン環ず瞮合しお眮換基を有
しおもよい同玠環若しくは耇玠環を完成するに必
芁な原子矀を瀺し、R21は
【匏】たたは −COOR24を瀺す。䜆し、R22R23およびR24は、
眮換若しくは非眮換のアルキル基たたは眮換若し
くは非眮換のアリヌル基を瀺し、たたR22は氎玠
原子であ぀おもよい。 䞀般匏 匏䞭、R31は眮換若しくは非眮換のアルキル
基たたは眮換若しくは非眮換のアリヌル基を瀺
す。 䞀般匏 匏䞭、R41は眮換若しくは非眮換のアルキル
基たたは眮換若しくは非眮換のアリヌル基を瀺
す。 (4) 前蚘ビスアゟ顔料若しくはその誘導䜓が䞋蚘
䞀般匏で瀺される有機残基を䜍ず䜍
に有する―トリアゟヌル若しくはそ
の誘導䜓である特蚱請求の範囲第項蚘茉の電
子写真感光䜓。 䞀般匏 匏䞭、R21およびは、前蚘ず同矩語であ
る。R51およびR52は、氎玠原子、ハロゲン原子、
眮換若しくは非眮換のアルキル基、アルコキシ
基、眮換若しくは非眮換のアリヌルオキシ基たた
は眮換若しくは非眮換のアリヌル基を瀺す。 (5) 前蚘がベンれン環ず瞮合しおナフタレン
環、アンスラセン、カルバゟヌル環たたはゞベ
ンゟフラン環を完成するに必芁な原子矀を瀺す
前蚘第項たたは第項蚘茉の電子写真感光
䜓。 (6) 前蚘ビスアゟ顔料若しくはその誘導䜓が䞋蚘
䞀般匏で瀺される有機残基を䜍ず䜍
に有する―トリアゟヌル若しくはそ
の誘導䜓である特蚱請求の範囲第項蚘茉の電
子写真感光䜓。 䞀般匏 匏䞭、R31は前蚘ず同矩語である。R61およ
びR62は、氎玠原子、ハロゲン原子、眮換若しく
は非眮換のアルキル基、アルコキシ基、眮換若し
くは非眮換のアリヌルオキシ基たたは眮換若しく
は非眮換のアリヌル基を瀺す。 (7) 前蚘ビスアゟ顔料若しくはその誘導䜓が䞋蚘
䞀般匏で瀺される有機残基を䜍ず䜍
に有する―トリアゟヌル若しくはそ
の誘導䜓である特蚱請求の範囲第項蚘茉の電
子写真感光䜓。 䞀般匏 匏䞭、R41は前蚘ず同矩語である。R71およ
びR72は、氎玠原子、ハロゲン原子、眮換若しく
は非眮換のアルキル基、アルコキシ基、眮換若し
くは非眮換のアリヌルオキシ基たたは眮換若しく
は非眮換のアリヌル基を瀺す。 (8) 前蚘ビスアゟ顔料が前蚘䟋瀺化合物(1)〜
25からなる化合物矀から遞択した化合物で
ある特蚱請求の範囲第項蚘茉の電子写真感光
䜓。 (9) 前蚘感光局が前蚘ビスアゟ顔料若しくはその
誘導䜓ずずもに電荷茞送胜をも぀電荷茞送物質
を含有しおいる特蚱請求の範囲第項蚘茉の電
子写真感光䜓。 (10) 前蚘感光局が前蚘ビスアゟ顔料を含有する電
荷発生局ず前蚘電荷茞送物質を含有する電荷茞
送局の積局構造からなる特蚱請求の範囲第項
蚘茉の電子写真感光䜓。 (11) 前蚘電荷発生局が前蚘䞀般匏で瀺され
るビスアゟ顔料を含有する前蚘第10項蚘茉の電
子写真感光䜓。 (12) 前蚘電荷発生局が前蚘䟋瀺化合物(1)〜25
からなる化合物矀から少なくずも皮遞択した
ビスアゟ顔料を含有する前蚘第10項蚘茉の電子
写真感光䜓。 (13) 前蚘電荷茞送物質が、―トリニ
トロ――フルオレノン、ポリ――ビニルカ
ルバゟヌル、―゚チルカルバゟヌル――カ
ルボアルデヒドプニルヒドラゟン、―〔ピ
リゞル―(2)〕―――ゞ゚チルアミノスチ
ル―――ゞ゚チルアミノプニルピ
ラゟリン、―プニル―――ゞ゚チル
アミノスチリル―――ゞ゚チルアミノ
プニルピラゟリン、―ビス―ゞ
゚チルアミノプニル――トリア
ゟヌルおよび―ビス―ゞ゚チルアミ
ノプニル――オキサゞアゟヌル
からなる化合物矀から遞択した化合物である前
蚘第項たたは第10項蚘茉の電子写真感光䜓。

Claims (1)

    【特蚱請求の範囲】
  1.  導電性支持䜓の䞊に少なくずも感光局を蚭け
    た電子写真感光䜓においお、前蚘感光局が
    ―トリアゟヌルの䜍ず䜍に少なくずも
    アゟ基ずカプラヌ残基をも぀有機残基を有するビ
    スアゟ顔料若しくはその䜍にアルキル基を有す
    る誘導䜓を含有するこずを特城ずする電子写真感
    光䜓。
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