JPH0151012B2 - - Google Patents
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- JPH0151012B2 JPH0151012B2 JP1518581A JP1518581A JPH0151012B2 JP H0151012 B2 JPH0151012 B2 JP H0151012B2 JP 1518581 A JP1518581 A JP 1518581A JP 1518581 A JP1518581 A JP 1518581A JP H0151012 B2 JPH0151012 B2 JP H0151012B2
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- transistor
- circuit
- relay
- flop
- flip
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、リレーコイルを一旦励磁した後には
その励磁状態を解除してもリレースイツチのスイ
ツチング状態を自己保持するいわゆるラツチング
リレーを駆動するための回路に関する。
その励磁状態を解除してもリレースイツチのスイ
ツチング状態を自己保持するいわゆるラツチング
リレーを駆動するための回路に関する。
或る先行技術は、いわゆる2巻線形ラツチング
リレーの一方のリレーコイルおよび一方のスイツ
チング用NPNトランジスタから成る直列回路、
ならびに他方のリレーコイルおよび他方のスイツ
チング用NPNトランジスタから成る直列回路を、
電源の両出力端子間に、並列に接続し、前記一方
のリレーコイルと前記一方のスイツチング用トラ
ンジスタとの接続点に前記他方のスイツチング用
トランジスタのベースを接続して構成される。前
記一方スイツチング用トランジスタのベースに信
号を与えて遮断することによつて、他方のスイツ
チング用トランジスタが導通し、これによつて前
記他方のリレーコイルが励磁される。また前記一
方のスイツチング用トランジスタを導通すること
によつて、前記一方のリレーコイルが励磁され
る。このような先行技術では、前記他方のスイツ
チング用トランジスタのベースには前記一方のリ
レーコイルを介して電流が供給される。そのた
め、前記他方のトランジスタのベース電流が過渡
時に振動し、したがつてこの振動するベース電流
の増幅された他方のリレーコイルのための励磁電
流が大きく変動することになる。そのためラツチ
ングリレーのスイツチング態様が入力信号に正確
に応答せず、誤動作を生じることになる。
リレーの一方のリレーコイルおよび一方のスイツ
チング用NPNトランジスタから成る直列回路、
ならびに他方のリレーコイルおよび他方のスイツ
チング用NPNトランジスタから成る直列回路を、
電源の両出力端子間に、並列に接続し、前記一方
のリレーコイルと前記一方のスイツチング用トラ
ンジスタとの接続点に前記他方のスイツチング用
トランジスタのベースを接続して構成される。前
記一方スイツチング用トランジスタのベースに信
号を与えて遮断することによつて、他方のスイツ
チング用トランジスタが導通し、これによつて前
記他方のリレーコイルが励磁される。また前記一
方のスイツチング用トランジスタを導通すること
によつて、前記一方のリレーコイルが励磁され
る。このような先行技術では、前記他方のスイツ
チング用トランジスタのベースには前記一方のリ
レーコイルを介して電流が供給される。そのた
め、前記他方のトランジスタのベース電流が過渡
時に振動し、したがつてこの振動するベース電流
の増幅された他方のリレーコイルのための励磁電
流が大きく変動することになる。そのためラツチ
ングリレーのスイツチング態様が入力信号に正確
に応答せず、誤動作を生じることになる。
本発明の目的は、ラツチングリレーのスイツチ
ング態様が入力信号に正確に応答することができ
るように駆動回路を提供することである。
ング態様が入力信号に正確に応答することができ
るように駆動回路を提供することである。
第1図は、本発明の一実施例の電気回路図であ
る。いわゆる2巻線形のラツチングリレー1は、
リレーコイル2,3と、リレースイツチ4,5と
を有する。このラツチングリレー1の一方のリレ
ーコイル2が一旦励磁されると、その励磁が解除
された後においても、リレースイツチ4は導通し
たままに自己保持される。もう1つのリレーコイ
ル3が一旦励磁されると、その励磁が解除された
後においても、リレースイツチ4が遮断したまま
に自己保持される。リレースイツチ5は、外部接
続されるためのものであり、リレーコイル2,3
の励磁によつてスイツチング状態が切換えられて
自己保持される。リレーコイル2,3には、スイ
ツチング素子としてのトランジスタ6,7が直列
にそれぞれ接続される。これらの2つのトランジ
スタ6,7は、トランジスタなどの半導体素子か
ら成るフリツプフロツプ8のリセツト出力およ
びセツト出力Qにそれぞれ接続される。フリツプ
フロツプ8のセツト入力に関連してANDゲート
9およびORゲート10が接続されており、リセ
ツト入力に関連してANDゲート11およびORゲ
ート12が接続される。リレーコイル2とトラン
ジスタ6との接続点は、リレースイツチ4を介し
て、トランジスタから成る反転回路13に接続さ
れる。反転回路13からの出力は、反転回路14
を介してANDゲート9の一方の入力に与えられ
るとともに、もう1つの反転回路15を介して
ANDゲート11の一方の入力に与えられる。
ANDゲート9,11の他方の入力には、ライン
16を介してパルス発生回路17からのパルスが
与えられる。パルス発生回路17は、シユミツト
回路18からライン19を介する信号に応答す
る。リレーコイル2,3に共通に接続されたライ
ン20は、シユミツト回路18からライン19を
介する出力に応答する電力制御用スイツチング素
子21を介して、ライン22に接続される。
る。いわゆる2巻線形のラツチングリレー1は、
リレーコイル2,3と、リレースイツチ4,5と
を有する。このラツチングリレー1の一方のリレ
ーコイル2が一旦励磁されると、その励磁が解除
された後においても、リレースイツチ4は導通し
たままに自己保持される。もう1つのリレーコイ
ル3が一旦励磁されると、その励磁が解除された
後においても、リレースイツチ4が遮断したまま
に自己保持される。リレースイツチ5は、外部接
続されるためのものであり、リレーコイル2,3
の励磁によつてスイツチング状態が切換えられて
自己保持される。リレーコイル2,3には、スイ
ツチング素子としてのトランジスタ6,7が直列
にそれぞれ接続される。これらの2つのトランジ
スタ6,7は、トランジスタなどの半導体素子か
ら成るフリツプフロツプ8のリセツト出力およ
びセツト出力Qにそれぞれ接続される。フリツプ
フロツプ8のセツト入力に関連してANDゲート
9およびORゲート10が接続されており、リセ
ツト入力に関連してANDゲート11およびORゲ
ート12が接続される。リレーコイル2とトラン
ジスタ6との接続点は、リレースイツチ4を介し
て、トランジスタから成る反転回路13に接続さ
れる。反転回路13からの出力は、反転回路14
を介してANDゲート9の一方の入力に与えられ
るとともに、もう1つの反転回路15を介して
ANDゲート11の一方の入力に与えられる。
ANDゲート9,11の他方の入力には、ライン
16を介してパルス発生回路17からのパルスが
与えられる。パルス発生回路17は、シユミツト
回路18からライン19を介する信号に応答す
る。リレーコイル2,3に共通に接続されたライ
ン20は、シユミツト回路18からライン19を
介する出力に応答する電力制御用スイツチング素
子21を介して、ライン22に接続される。
第2図は、パルス発生回路17、電力制御用ス
イツチング素子21およびシユミツト回路18の
具体的な電気回路図である。シユミツト回路18
では、ライン22を介して入力される入力信号が
予め定める弁別レベルを越えることによつてツエ
ナーダイオード23が導通する。これによつてト
ランジスタ24が遮断する。トランジスタ24の
遮断によつて、トランジスタ25が導通する。
イツチング素子21およびシユミツト回路18の
具体的な電気回路図である。シユミツト回路18
では、ライン22を介して入力される入力信号が
予め定める弁別レベルを越えることによつてツエ
ナーダイオード23が導通する。これによつてト
ランジスタ24が遮断する。トランジスタ24の
遮断によつて、トランジスタ25が導通する。
そのためにトランジスタ26が遮断し、そのト
ランジスタ26のコレクタ電位を上昇する。
ランジスタ26のコレクタ電位を上昇する。
電力制御用スイツチング素子21は、トランジ
スタ90と抵抗27とを含む。トランジスタ90
のコレクタ・ベース間には、抵抗27が接続され
る。遮断中のトランジスタ90のベース電流は、
そのコレクタ側から抵抗27、ベースおよびエミ
ツタを経てライン20に流れることになる。
スタ90と抵抗27とを含む。トランジスタ90
のコレクタ・ベース間には、抵抗27が接続され
る。遮断中のトランジスタ90のベース電流は、
そのコレクタ側から抵抗27、ベースおよびエミ
ツタを経てライン20に流れることになる。
パルス発生回路17は、遅延回路28とAND
ゲート29とから成る。遅延回路28は、反転回
路としてそれぞれ働く3つのトランジスタ30,
31,32を含む。シユミツト回路18のトラン
ジスタ26からライン19に第3図1に示す波形
が導出されたとき、トランジスタ30のコレクタ
は、第3図2に示すように遅延時間T1だけ遅れ
てローレベルとなる。そのためトランジスタ31
は、第3図3に示すように時間T2だけ遅れてそ
のトランジスタ31のコレクタがハイレベルとな
る。トランジスタ32は、トランジスタ31のコ
レクタからの出力に応答してそのトランジスタ3
1の動作よりも遅延時間T3だけ遅れて第3図4
のように示す波形をそのトランジスタ32のコレ
クタに導出する。ANDゲート29は、トランジ
スタ32のコレクタ出力を受信するトランジスタ
33と、ライン19からの出力を受信するトラン
ジスタ34と、ダイオード35,36と、トラン
ジスタ37とを含む。トランジスタ37のコレク
タからの出力は、第3図5に示され、そのパルス
幅は(T1+T2+T3)である。このようにしてシ
ユミツト回路18に第3図1に示される入力信号
が与えられるとき、パルス発生回路17のライン
16には時間(T1+T2+T3)のパルス幅を有す
るパルスが導出される。
ゲート29とから成る。遅延回路28は、反転回
路としてそれぞれ働く3つのトランジスタ30,
31,32を含む。シユミツト回路18のトラン
ジスタ26からライン19に第3図1に示す波形
が導出されたとき、トランジスタ30のコレクタ
は、第3図2に示すように遅延時間T1だけ遅れ
てローレベルとなる。そのためトランジスタ31
は、第3図3に示すように時間T2だけ遅れてそ
のトランジスタ31のコレクタがハイレベルとな
る。トランジスタ32は、トランジスタ31のコ
レクタからの出力に応答してそのトランジスタ3
1の動作よりも遅延時間T3だけ遅れて第3図4
のように示す波形をそのトランジスタ32のコレ
クタに導出する。ANDゲート29は、トランジ
スタ32のコレクタ出力を受信するトランジスタ
33と、ライン19からの出力を受信するトラン
ジスタ34と、ダイオード35,36と、トラン
ジスタ37とを含む。トランジスタ37のコレク
タからの出力は、第3図5に示され、そのパルス
幅は(T1+T2+T3)である。このようにしてシ
ユミツト回路18に第3図1に示される入力信号
が与えられるとき、パルス発生回路17のライン
16には時間(T1+T2+T3)のパルス幅を有す
るパルスが導出される。
再び第1図を参照して、スイツチ38およびダ
イオード39を介する信号は、ライン22に与え
られる。またライン40,41からの各信号は、
ダイオード42,43をそれぞれ介してライン2
2に与えられる。スイツチ40からの出力は、
ORゲート12を介してフリツプフロツプ8をリ
セツトに強制する。またスイツチ41からの信号
は、ORゲート10を介してフリツプフロツプ8
をセツトに強制する。
イオード39を介する信号は、ライン22に与え
られる。またライン40,41からの各信号は、
ダイオード42,43をそれぞれ介してライン2
2に与えられる。スイツチ40からの出力は、
ORゲート12を介してフリツプフロツプ8をリ
セツトに強制する。またスイツチ41からの信号
は、ORゲート10を介してフリツプフロツプ8
をセツトに強制する。
第4図を参照して、スイツチ38を押圧操作す
るなどしてライン22に第4図1に示す波形を有
する入力信号を与えた場合を想定する。シユミツ
ト回路18は、ライン19に第4図2に示す波形
を導出し、このライン19がハイレベルにあると
き電力制御用スイツチング素子21が導通する。
パルス発生回路17は第4図3に示す波形をシユ
ミツト回路18からの出力に応答して導出する。
ここで、フリツプフロツプ8は、リセツト状態に
あり、したがつてリレースイツチ4が遮断してい
るものとする。これによつて反転回路13の出力
はハイレベルであり反転回路14の出力はローレ
ベルとなり反転回路15の出力はハイレベルとな
る。反転回路15からの出力波形は第4図4に示
される。ANDゲート11からは第4図5に示さ
れるパルスが導出され、これによつてフリツプフ
ロツプ8がリセツトされる。リセツト出力の出
力波形は第4図6に示される。こうしてトランジ
スタ6が導通状態となり、リレーコイル2が励磁
され、リレースイツチ4,5のスイツチング状態
が変化し、リレースイツチ4は導通することにな
る。リレースイツチ4のスイツチング態様は、第
4図7に示される。リレースイツチ4が導通する
ことによつて、反転回路13の出力はローレベル
となり、反転回路14の出力はハイレベルとな
る。この反転回路14からの出力波形は第4図8
に示されている。スイツチ38を遮断することに
よつて、電力制御用スイツチング素子21が遮断
し、これによつてフリツプフロツプ8およびリレ
ーコイル2,3の電力付勢が解除される。このと
きリレースイツチ4,5のスイツチング態様は自
己保持される。
るなどしてライン22に第4図1に示す波形を有
する入力信号を与えた場合を想定する。シユミツ
ト回路18は、ライン19に第4図2に示す波形
を導出し、このライン19がハイレベルにあると
き電力制御用スイツチング素子21が導通する。
パルス発生回路17は第4図3に示す波形をシユ
ミツト回路18からの出力に応答して導出する。
ここで、フリツプフロツプ8は、リセツト状態に
あり、したがつてリレースイツチ4が遮断してい
るものとする。これによつて反転回路13の出力
はハイレベルであり反転回路14の出力はローレ
ベルとなり反転回路15の出力はハイレベルとな
る。反転回路15からの出力波形は第4図4に示
される。ANDゲート11からは第4図5に示さ
れるパルスが導出され、これによつてフリツプフ
ロツプ8がリセツトされる。リセツト出力の出
力波形は第4図6に示される。こうしてトランジ
スタ6が導通状態となり、リレーコイル2が励磁
され、リレースイツチ4,5のスイツチング状態
が変化し、リレースイツチ4は導通することにな
る。リレースイツチ4のスイツチング態様は、第
4図7に示される。リレースイツチ4が導通する
ことによつて、反転回路13の出力はローレベル
となり、反転回路14の出力はハイレベルとな
る。この反転回路14からの出力波形は第4図8
に示されている。スイツチ38を遮断することに
よつて、電力制御用スイツチング素子21が遮断
し、これによつてフリツプフロツプ8およびリレ
ーコイル2,3の電力付勢が解除される。このと
きリレースイツチ4,5のスイツチング態様は自
己保持される。
再びスイツチ38を導通すると、リレースイツ
チ4は前述のとおり導通しているので、反転回路
14の出力はハイレベルである。したがつてパル
ス発生回路17からの出力はANDゲート9を介
して第4図9に示されるように導出され、これに
よつてフリツプフロツプ8はセツトされる。フリ
ツプフロツプ8のセツト出力Qは、第4図10に
示されている。これによつてトランジスタ7が導
通して、リレーコイル3が励磁され、応じてリレ
ースイツチ4が遮断し、リレースイツチ5のスイ
ツチング状態が変わる。その後、スイツチ38を
遮断すると、リレーコイル3の励磁が解除される
けれども、その後においてはリレースイツチ4,
5のスイツチング態様が自己保持される。
チ4は前述のとおり導通しているので、反転回路
14の出力はハイレベルである。したがつてパル
ス発生回路17からの出力はANDゲート9を介
して第4図9に示されるように導出され、これに
よつてフリツプフロツプ8はセツトされる。フリ
ツプフロツプ8のセツト出力Qは、第4図10に
示されている。これによつてトランジスタ7が導
通して、リレーコイル3が励磁され、応じてリレ
ースイツチ4が遮断し、リレースイツチ5のスイ
ツチング状態が変わる。その後、スイツチ38を
遮断すると、リレーコイル3の励磁が解除される
けれども、その後においてはリレースイツチ4,
5のスイツチング態様が自己保持される。
第5図はシユミツト回路18と電力制御用スイ
ツチング素子21との具体的な電気回路図であ
る。シユミツト回路18は、ライン22から入力
される入力信号がハイレベルになつたときにブレ
ークダウンするツエナーダイオード44と、この
ツエナーダイオード44の導通によつて導通する
トランジスタ45と、トランジスタ45の導通に
よつて遮断するトランジスタ46と、トランジス
タ46の遮断とライン22の入力信号のハイレベ
ルとに応答してブレークダウンするツエナーダイ
オード47と、そのツエナーダイオード47の導
通によつて導通するトランジスタ48と、このト
ランジスタ48の導通によつて遮断するトランジ
スタ49とを有する。トランジスタの遮断によつ
て電力制御用スイツチング素子21のトランジス
タ90が導通する。
ツチング素子21との具体的な電気回路図であ
る。シユミツト回路18は、ライン22から入力
される入力信号がハイレベルになつたときにブレ
ークダウンするツエナーダイオード44と、この
ツエナーダイオード44の導通によつて導通する
トランジスタ45と、トランジスタ45の導通に
よつて遮断するトランジスタ46と、トランジス
タ46の遮断とライン22の入力信号のハイレベ
ルとに応答してブレークダウンするツエナーダイ
オード47と、そのツエナーダイオード47の導
通によつて導通するトランジスタ48と、このト
ランジスタ48の導通によつて遮断するトランジ
スタ49とを有する。トランジスタの遮断によつ
て電力制御用スイツチング素子21のトランジス
タ90が導通する。
第6図は、パルス発生回路17の他の具体的な
電気回路図である。この第6図示のパルス発生回
路17では、ライン19からの信号がANDゲー
ト50の一方の入力に与えられる。ライン19か
らの信号はまた、反転回路51によつて反転さ
れ、抵抗52と積分形のコンデンサ53とから成
る時定数回路93に与えられる。コンデンサ53
からの出力は、ANDゲート50の他方の入力に
与えられる。
電気回路図である。この第6図示のパルス発生回
路17では、ライン19からの信号がANDゲー
ト50の一方の入力に与えられる。ライン19か
らの信号はまた、反転回路51によつて反転さ
れ、抵抗52と積分形のコンデンサ53とから成
る時定数回路93に与えられる。コンデンサ53
からの出力は、ANDゲート50の他方の入力に
与えられる。
ライン19に第7図1で示す波形を有する信号
が与えられたとき、コンデンサ53からの出力は
第7図2に示されるように予め定めた時間だけ遅
延される。したがつてANDゲート50からライ
ン16には、第7図3に示されるパルスが導出さ
れることになる。
が与えられたとき、コンデンサ53からの出力は
第7図2に示されるように予め定めた時間だけ遅
延される。したがつてANDゲート50からライ
ン16には、第7図3に示されるパルスが導出さ
れることになる。
第8図は本発明の他の実施例の電気回路図であ
る。この実施例は、前述の実施例に類似するけれ
ども、注目すべき特徴はラツチングリレー54
は、いわゆる1巻線形であり、単一のリレーコイ
ル55を有し、リレーコイル55に矢符56の方
向に電流が流れたときリレースイツチ57が導通
して自己保持する。またリレーコイル55に矢符
56の逆方向に電流が流れたとき、リレースイツ
チ57が遮断して自己保持する。ラツチングリレ
ー54は外部接続されるためのリレースイツチ5
8を含む。リレーコイル55の一方の端子は、直
列に接続されたトランジスタ59,60の相互の
接続点に接続されている。リレーコイル55の他
方の端子は、直列に接続されたトランジスタ6
1,62の相互の接続点に接続される。リレース
イツチ57は、ダイオード63および抵抗64を
介して、ライン20に接続される。ダイオード6
3と抵抗64との接続点は、反転回路65を介し
てANDゲート9に入力されるとともに、もう1
つの反転回路66をさらに介してANDゲート1
1に入力される。
る。この実施例は、前述の実施例に類似するけれ
ども、注目すべき特徴はラツチングリレー54
は、いわゆる1巻線形であり、単一のリレーコイ
ル55を有し、リレーコイル55に矢符56の方
向に電流が流れたときリレースイツチ57が導通
して自己保持する。またリレーコイル55に矢符
56の逆方向に電流が流れたとき、リレースイツ
チ57が遮断して自己保持する。ラツチングリレ
ー54は外部接続されるためのリレースイツチ5
8を含む。リレーコイル55の一方の端子は、直
列に接続されたトランジスタ59,60の相互の
接続点に接続されている。リレーコイル55の他
方の端子は、直列に接続されたトランジスタ6
1,62の相互の接続点に接続される。リレース
イツチ57は、ダイオード63および抵抗64を
介して、ライン20に接続される。ダイオード6
3と抵抗64との接続点は、反転回路65を介し
てANDゲート9に入力されるとともに、もう1
つの反転回路66をさらに介してANDゲート1
1に入力される。
スイツチ38を操作してライン22に入力信号
を与えると、シユミツト回路18は、ライン19
に信号を導出して電力制御用スイツチング素子2
1を導通するとともに、パルス発生回路17を能
動化してライン16にパルスを導出させる。ここ
で、予めスイツチ40を操作してフリツプフロツ
プ8をリセツトし、そのリセツト出力はトラン
ジスタ59,62を導通させ、したがつてラツチ
ングリレー54のリレースイツチ57が導通され
ているものとする。これによつてダイオード63
と抵抗64との接続点はローレベルであり、した
がつて反転回路65の出力はハイレベルとなり、
反転回路66の出力はローレベルとなる。そのた
めANDゲート9からORゲート10を介してフリ
ツプフロツプ8にパルスが与えられる。フリツプ
フロツプ8のセツト出力Qはトランジスタ60,
61を導通させる。そのためリレーコイル55に
はトランジスタ60,61を経て矢符56の逆方
向に電流が流れる。そのためリレースイツチ57
が切換わつて遮断する。スイツチ38を遮断し
て、リレーコイル55の励磁電流が遮断された後
においても、このリレースイツチ57のスイツチ
ング態様は自己保持される。リレースイツチ58
もまた同様にしてスイツチング態様が切換つて自
己保持される。
を与えると、シユミツト回路18は、ライン19
に信号を導出して電力制御用スイツチング素子2
1を導通するとともに、パルス発生回路17を能
動化してライン16にパルスを導出させる。ここ
で、予めスイツチ40を操作してフリツプフロツ
プ8をリセツトし、そのリセツト出力はトラン
ジスタ59,62を導通させ、したがつてラツチ
ングリレー54のリレースイツチ57が導通され
ているものとする。これによつてダイオード63
と抵抗64との接続点はローレベルであり、した
がつて反転回路65の出力はハイレベルとなり、
反転回路66の出力はローレベルとなる。そのた
めANDゲート9からORゲート10を介してフリ
ツプフロツプ8にパルスが与えられる。フリツプ
フロツプ8のセツト出力Qはトランジスタ60,
61を導通させる。そのためリレーコイル55に
はトランジスタ60,61を経て矢符56の逆方
向に電流が流れる。そのためリレースイツチ57
が切換わつて遮断する。スイツチ38を遮断し
て、リレーコイル55の励磁電流が遮断された後
においても、このリレースイツチ57のスイツチ
ング態様は自己保持される。リレースイツチ58
もまた同様にしてスイツチング態様が切換つて自
己保持される。
再びスイツチ38を導通すると、反転回路65
からのローレベル信号はANDゲート9に与えら
れることになる。また反転回路66からはハイレ
ベル信号が出力される。これによつてフリツプフ
ロツプ8がリセツトされる。そのためトランジス
タ59,62が導通し、リレーコイル55には矢
符56の方向に電流が流れる。こうしてリレース
イツチ57が導通して自己保持される。もう1つ
のリレースイツチ58もまた同様にしてスイツチ
ング態様が変わつて自己保持される。
からのローレベル信号はANDゲート9に与えら
れることになる。また反転回路66からはハイレ
ベル信号が出力される。これによつてフリツプフ
ロツプ8がリセツトされる。そのためトランジス
タ59,62が導通し、リレーコイル55には矢
符56の方向に電流が流れる。こうしてリレース
イツチ57が導通して自己保持される。もう1つ
のリレースイツチ58もまた同様にしてスイツチ
ング態様が変わつて自己保持される。
第9図は、本発明の一実施例の一部の電気回路
図である。このスイツチング回路は、2巻線形と
1巻線形のラツチングリレーのために共通に用い
られることができるという優れた利点を有する。
ライン20と接地との間には、トランジスタ7
0,71の直列回路が接続されており、またトラ
ンジスタ72,73の直列回路が接続されてい
る。フリツプフロツプ8のセツト出力Qはトラン
ジスタ74のベースに与えられる。トランジスタ
74が導通することによつて、トランジスタ75
が導通し、これによつてトランジスタ70が導通
する。フリツプフロツプ8のセツト出力Qはま
た、トランジスタ73に与えられてトランジスタ
73を導通させる。フリツプフロツプ8のリセツ
ト出力は、トランジスタ76を導通させ、これ
によつてトランジスタ77が導通する。トランジ
スタ77の導通によつて、トランジスタ72が導
通する。フリツプフロツプ8のリセツト出力は
また、トランジスタ71を導通させる。トランジ
スタ70,72の接続点には、端子78が設けら
れる。トランジスタ72,73の接続点には、端
子79が設けられる。ライン20には端子80,
81が設けられる。
図である。このスイツチング回路は、2巻線形と
1巻線形のラツチングリレーのために共通に用い
られることができるという優れた利点を有する。
ライン20と接地との間には、トランジスタ7
0,71の直列回路が接続されており、またトラ
ンジスタ72,73の直列回路が接続されてい
る。フリツプフロツプ8のセツト出力Qはトラン
ジスタ74のベースに与えられる。トランジスタ
74が導通することによつて、トランジスタ75
が導通し、これによつてトランジスタ70が導通
する。フリツプフロツプ8のセツト出力Qはま
た、トランジスタ73に与えられてトランジスタ
73を導通させる。フリツプフロツプ8のリセツ
ト出力は、トランジスタ76を導通させ、これ
によつてトランジスタ77が導通する。トランジ
スタ77の導通によつて、トランジスタ72が導
通する。フリツプフロツプ8のリセツト出力は
また、トランジスタ71を導通させる。トランジ
スタ70,72の接続点には、端子78が設けら
れる。トランジスタ72,73の接続点には、端
子79が設けられる。ライン20には端子80,
81が設けられる。
ラツチングリレーが第1図に示されるように2
巻線形である場合には、一方のリレーコイル2は
端子78,80間に接続され、もう1つのリレー
コイル3は端子79,81間に接続される。フリ
ツプフロツプ8のセツト出力Qがハイレベルにな
ると、トランジスタ73が導通し、これによつて
端子79,81に接続された前記リレーコイル3
が励磁される。このとき、トランジスタ74,7
5,70は導通しており、トランジスタ71は遮
断しているので、端子78,80間に接続された
リレーコイル2が励磁されることはない。
巻線形である場合には、一方のリレーコイル2は
端子78,80間に接続され、もう1つのリレー
コイル3は端子79,81間に接続される。フリ
ツプフロツプ8のセツト出力Qがハイレベルにな
ると、トランジスタ73が導通し、これによつて
端子79,81に接続された前記リレーコイル3
が励磁される。このとき、トランジスタ74,7
5,70は導通しており、トランジスタ71は遮
断しているので、端子78,80間に接続された
リレーコイル2が励磁されることはない。
フリツプフロツプ8のリセツト出力がハイレ
ベルになると、トランジスタ71が導通し、これ
によつて端子78,80間に接続されたリレーコ
イル2が励磁される。このときトランジスタ7
6,77,72は導通しており、トランジスタ7
3は遮断しているので、端子79,81間に接続
されたリレーコイル3が励磁されることはない。
ベルになると、トランジスタ71が導通し、これ
によつて端子78,80間に接続されたリレーコ
イル2が励磁される。このときトランジスタ7
6,77,72は導通しており、トランジスタ7
3は遮断しているので、端子79,81間に接続
されたリレーコイル3が励磁されることはない。
ラツチングリレーが第8図に示されるように1
巻線形である場合には、そのリレーコイル55は
端子78,79間に接続される。フリツプフロツ
プ8のセツト出力Qがハイレベルであるとき、ト
ランジスタ73が導通するとともに、トランジス
タ74,75,70が導通する。こうしてライン
20、トランジスタ70、端子78,79、トラ
ンジスタ73を経て励磁電流の経路が形成され
る。そのためリレーコイル55には矢符56の逆
方向に励磁電流が流れる。フリツプフロツプ8の
リセツト出力がハイレベルになると、トランジ
スタ71が導通するとともに、トランジスタ7
6,77,72が導通する。これによつてライン
20、トランジスタ72、端子79,78、トラ
ンジスタ71を経て励磁電流の経路が形成され
る。これによつてリレーコイル55には、矢符5
6の方向の励磁電流が流れる。
巻線形である場合には、そのリレーコイル55は
端子78,79間に接続される。フリツプフロツ
プ8のセツト出力Qがハイレベルであるとき、ト
ランジスタ73が導通するとともに、トランジス
タ74,75,70が導通する。こうしてライン
20、トランジスタ70、端子78,79、トラ
ンジスタ73を経て励磁電流の経路が形成され
る。そのためリレーコイル55には矢符56の逆
方向に励磁電流が流れる。フリツプフロツプ8の
リセツト出力がハイレベルになると、トランジ
スタ71が導通するとともに、トランジスタ7
6,77,72が導通する。これによつてライン
20、トランジスタ72、端子79,78、トラ
ンジスタ71を経て励磁電流の経路が形成され
る。これによつてリレーコイル55には、矢符5
6の方向の励磁電流が流れる。
第9図に示されるスイツチング回路は、前述の
ように2巻線形および1巻線形のラツチングリレ
ーに共通に用いることができる。したがつて集積
回路によつて実現することができ、その半導体チ
ツプに端子78〜81を設ければよい。こうして
生産性が向上され、また取扱いが容易になる。な
お、端子80,81はいずれか1個だけ設けられ
てもよい。
ように2巻線形および1巻線形のラツチングリレ
ーに共通に用いることができる。したがつて集積
回路によつて実現することができ、その半導体チ
ツプに端子78〜81を設ければよい。こうして
生産性が向上され、また取扱いが容易になる。な
お、端子80,81はいずれか1個だけ設けられ
てもよい。
以上のように本発明によれば、入力信号をレベ
ル弁別回路によつてレベル弁別し、これによつて
パルスを発生してフリツプフロツプの安定状態を
変え、そのフリツプフロツプの出力に応じてラツ
チングリレーのリレースイツチのスイツチング態
様を切換えるようにしたので、ラツチングリレー
のリレーコイルのインダクタンスの悪影響によつ
て誤動作が生じることは全くなく、入力信号に正
確に応答したスイツチング態様の切替えが可能に
なる。
ル弁別回路によつてレベル弁別し、これによつて
パルスを発生してフリツプフロツプの安定状態を
変え、そのフリツプフロツプの出力に応じてラツ
チングリレーのリレースイツチのスイツチング態
様を切換えるようにしたので、ラツチングリレー
のリレーコイルのインダクタンスの悪影響によつ
て誤動作が生じることは全くなく、入力信号に正
確に応答したスイツチング態様の切替えが可能に
なる。
第1図は本発明の一実施例の電気回路図、第2
図はパルス発生回路17、シユミツト回路18お
よび電力制御用スイツチング素子21の具体的な
電気回路図、第3図は第2図に示した遅延回路2
8の動作を説明するための波形図、第4図は第1
図の駆動回路の動作を説明するための波形図、第
5図はシユミツト回路18の他の具体的な電気回
路図、第6図はパルス発生回路17の他の具体的
な電気回路図、第7図は第6図のパルス発生回路
17の動作を説明するための波形図、第8図は本
発明の他の実施例の電気回路図、第9図はラツチ
ングリレー1,54に関連するスイツチング回路
の具体的な他の電気回路図である。 1……2巻線形ラツチングリレー、2,3,5
5……リレーコイル、6,7,59〜62,70
〜77……トランジスタ、8……フリツプフロツ
プ、9,11……ANDゲート、10,12……
ORゲート、13〜15,65,66……反転回
路、17……パルス発生回路、18……シユミツ
ト回路、21……電力制御用スイツチング素子、
54……1巻線形ラツチングリレー。
図はパルス発生回路17、シユミツト回路18お
よび電力制御用スイツチング素子21の具体的な
電気回路図、第3図は第2図に示した遅延回路2
8の動作を説明するための波形図、第4図は第1
図の駆動回路の動作を説明するための波形図、第
5図はシユミツト回路18の他の具体的な電気回
路図、第6図はパルス発生回路17の他の具体的
な電気回路図、第7図は第6図のパルス発生回路
17の動作を説明するための波形図、第8図は本
発明の他の実施例の電気回路図、第9図はラツチ
ングリレー1,54に関連するスイツチング回路
の具体的な他の電気回路図である。 1……2巻線形ラツチングリレー、2,3,5
5……リレーコイル、6,7,59〜62,70
〜77……トランジスタ、8……フリツプフロツ
プ、9,11……ANDゲート、10,12……
ORゲート、13〜15,65,66……反転回
路、17……パルス発生回路、18……シユミツ
ト回路、21……電力制御用スイツチング素子、
54……1巻線形ラツチングリレー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ラツチングリレーのリレーコイルに関連して
スイツチング回路を接続し、このスイツチング回
路は、フリツプフロツプの2つの各安定状態に応
答してラツチングリレーのリレースイツチのスイ
ツチング態様を変える前記リレーコイルを励磁
し、さらに 入力信号を受信するレベル弁別回路と、 入力信号がレベル弁別回路の弁別レベルを越え
る期間中前記スイツチング回路に電力を供給する
電力制御用スイツチング素子と、 レベル弁別回路からの出力に応答し、入力信号
が前記弁別レベルを越えた直後にパルスを発生す
る回路と、 前記パルスとリレースイツチのスイツチング態
様とに応答し、そのリレースイツチのもう1つの
スイツチング態様に対応した安定状態となるよう
にフリツプフロツプの安定状態を変える論理回路
とを含むことを特徴とするラツチングリレーの駆
動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1518581A JPS57130316A (en) | 1981-02-03 | 1981-02-03 | Circuit for driving latching relay |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1518581A JPS57130316A (en) | 1981-02-03 | 1981-02-03 | Circuit for driving latching relay |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57130316A JPS57130316A (en) | 1982-08-12 |
| JPH0151012B2 true JPH0151012B2 (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=11881767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1518581A Granted JPS57130316A (en) | 1981-02-03 | 1981-02-03 | Circuit for driving latching relay |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57130316A (ja) |
-
1981
- 1981-02-03 JP JP1518581A patent/JPS57130316A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57130316A (en) | 1982-08-12 |
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