JPH0151073B2 - - Google Patents
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- JPH0151073B2 JPH0151073B2 JP7485981A JP7485981A JPH0151073B2 JP H0151073 B2 JPH0151073 B2 JP H0151073B2 JP 7485981 A JP7485981 A JP 7485981A JP 7485981 A JP7485981 A JP 7485981A JP H0151073 B2 JPH0151073 B2 JP H0151073B2
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- sintered
- piezoelectric ceramic
- piezoelectric
- sheet
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- Expired
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は圧電セラミツクスの製造法に関す
る。
る。
圧電セラミツクスは、次に述べる工程を経て形
成されている。まず圧電セラミツクス素材粉末に
有機結合剤、溶剤を加え混練した後シートを形成
する。この素材シートから所望形状を打抜いた
後、この成形体に焼結後の剥離を容易にするため
ジルコニア粉末を塗布又はまぶして積層し、焼結
する。この場合ジルコニア粉末粒径が20〜150μ
ｍであると焼結後に良く剥離するけれども、ジル
コニア粉末が焼結体に喰い込み、凹凸を生じ所望
の平滑表面にするため研磨しなくてはならなくな
る。又２〜20μｍであるとジルコニア粉末が焼結
体に融着し、焼結後の剥離に際して焼結体を破損
し、又融着物を剥離する工程、時間を要する。
成されている。まず圧電セラミツクス素材粉末に
有機結合剤、溶剤を加え混練した後シートを形成
する。この素材シートから所望形状を打抜いた
後、この成形体に焼結後の剥離を容易にするため
ジルコニア粉末を塗布又はまぶして積層し、焼結
する。この場合ジルコニア粉末粒径が20〜150μ
ｍであると焼結後に良く剥離するけれども、ジル
コニア粉末が焼結体に喰い込み、凹凸を生じ所望
の平滑表面にするため研磨しなくてはならなくな
る。又２〜20μｍであるとジルコニア粉末が焼結
体に融着し、焼結後の剥離に際して焼結体を破損
し、又融着物を剥離する工程、時間を要する。
この発明はこのような欠点を除き改良された圧
電セラミツクスの製造方法を提供するものであ
る。即ち圧電セラミツクス素材シートに、このシ
ート素材と圧電材料組成を等しくして焼結された
焼結材粉末を付着させ、ついで所望形状に打抜い
て成形体とし、この成形体を複数枚積み重ねて焼
成することにより得させるものである。
電セラミツクスの製造方法を提供するものであ
る。即ち圧電セラミツクス素材シートに、このシ
ート素材と圧電材料組成を等しくして焼結された
焼結材粉末を付着させ、ついで所望形状に打抜い
て成形体とし、この成形体を複数枚積み重ねて焼
成することにより得させるものである。
このようなこの発明で素材シートに付着させる
焼結材粉末粒径は、１〜5μｍとする。粒径が5μ
ｍ以上になると焼成後に剥離性は良好になるが、
平滑性を損ね、又1μｍ以下であると焼成体表面
に融着して不都合である。このようにして焼成さ
れた圧電セラミツクスは、積層されている各成形
体が焼成後に容易に剥離し、表面を平滑にして研
磨を要しない。
焼結材粉末粒径は、１〜5μｍとする。粒径が5μ
ｍ以上になると焼成後に剥離性は良好になるが、
平滑性を損ね、又1μｍ以下であると焼成体表面
に融着して不都合である。このようにして焼成さ
れた圧電セラミツクスは、積層されている各成形
体が焼成後に容易に剥離し、表面を平滑にして研
磨を要しない。
以下実於例について述べる。この例では、仮焼
され実質的にPbTiO3−PbZrO3−Pb（CoW）1/2O3
となつている圧電セラミツクス素材の粒径１〜
2μ粉末に、ポリビニールブチラール樹脂、トリ
クロールエチレン又はｎ−ブタノール等の有機溶
媒を加え、ボールミルで24時間混合してまずスラ
リーを作製する。このスラリーをフイルム上に流
し、ドクターブレード法で厚さ100μｍになる様
成形し、80〜100℃で乾燥させてからフイルムか
ら外して圧電セラミツクス素材シートを作製す
る。圧電セラミツクス素材又は別途に調製されこ
の圧電セラミツクス素材と同一組成で粒子径を１
〜5μとする焼結材粉末を、ポリビニルアルコー
ルの20％水溶液中に浸漬して分散させる。この分
散液を前記圧電セラミツクス素材シートに塗布又
は噴霧し、80〜100℃で乾燥する。乾燥されたシ
ートを五枚重ねとして径25mmに打抜き成形体とす
る。この成形体を20枚重ねて1100〜1200℃に焼成
する。このようにして形成された圧電セラミツク
スの表面平滑性を表面粗さ計で記録紙面に描かせ
た線図を第１図に示す。この圧電セラミツクス素
材シートに付着した焼結材の粒子径は当然１〜
5μであり、第１図線図から三点法で求めた平均
表面粗さはRa1.5μである。
され実質的にPbTiO3−PbZrO3−Pb（CoW）1/2O3
となつている圧電セラミツクス素材の粒径１〜
2μ粉末に、ポリビニールブチラール樹脂、トリ
クロールエチレン又はｎ−ブタノール等の有機溶
媒を加え、ボールミルで24時間混合してまずスラ
リーを作製する。このスラリーをフイルム上に流
し、ドクターブレード法で厚さ100μｍになる様
成形し、80〜100℃で乾燥させてからフイルムか
ら外して圧電セラミツクス素材シートを作製す
る。圧電セラミツクス素材又は別途に調製されこ
の圧電セラミツクス素材と同一組成で粒子径を１
〜5μとする焼結材粉末を、ポリビニルアルコー
ルの20％水溶液中に浸漬して分散させる。この分
散液を前記圧電セラミツクス素材シートに塗布又
は噴霧し、80〜100℃で乾燥する。乾燥されたシ
ートを五枚重ねとして径25mmに打抜き成形体とす
る。この成形体を20枚重ねて1100〜1200℃に焼成
する。このようにして形成された圧電セラミツク
スの表面平滑性を表面粗さ計で記録紙面に描かせ
た線図を第１図に示す。この圧電セラミツクス素
材シートに付着した焼結材の粒子径は当然１〜
5μであり、第１図線図から三点法で求めた平均
表面粗さはRa1.5μである。
この実施例製法に対して、圧電セラミツクス素
材シートに適用した焼結材の粉末粒径を5μ以上
に変更してその他については同様にして形成した
圧電セラミツクス製法例を比較例とし、又同様に
焼結材を粉末粒径20〜150μのジルコニア粉末に
変更した圧電セラミツクス製法例を従来例とす
る。平均表面粗さは比較例でRa3.0μ、及び従来
例でRa5.0μで、表面粗さ計による記録図形は第
２図及び第３図に示す通りである。
材シートに適用した焼結材の粉末粒径を5μ以上
に変更してその他については同様にして形成した
圧電セラミツクス製法例を比較例とし、又同様に
焼結材を粉末粒径20〜150μのジルコニア粉末に
変更した圧電セラミツクス製法例を従来例とす
る。平均表面粗さは比較例でRa3.0μ、及び従来
例でRa5.0μで、表面粗さ計による記録図形は第
２図及び第３図に示す通りである。
このように粒子径１〜5μの粒度分布の同一組
成焼結材粉末を圧電セラミツクス素材シートに適
用するときには、成形体を積層して焼成した以後
に剥離を良好にし研磨を不要にする平滑な圧電セ
ラミツクスを得させる。
成焼結材粉末を圧電セラミツクス素材シートに適
用するときには、成形体を積層して焼成した以後
に剥離を良好にし研磨を不要にする平滑な圧電セ
ラミツクスを得させる。
第１図は実施例の、第２図は比較例の、及び第
３図は従来の各製法例により形成された圧電セラ
ミツクスのそれぞれ表面平滑性を示す線図であ
る。
３図は従来の各製法例により形成された圧電セラ
ミツクスのそれぞれ表面平滑性を示す線図であ
る。
Claims (1)
- １ 圧電セラミツクス素材シートに、このシート
素材と圧電材料組成を等しくして焼結された焼結
材粉末を付着させ、ついで所望形状に打抜いて成
形体とし、この成形体を複数枚積み重ねて焼成す
ることにより得させることを特徴とする圧電セラ
ミツクスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7485981A JPS57190377A (en) | 1981-05-20 | 1981-05-20 | Manufacture of dielectric ceramics |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7485981A JPS57190377A (en) | 1981-05-20 | 1981-05-20 | Manufacture of dielectric ceramics |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57190377A JPS57190377A (en) | 1982-11-22 |
| JPH0151073B2 true JPH0151073B2 (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=13559463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7485981A Granted JPS57190377A (en) | 1981-05-20 | 1981-05-20 | Manufacture of dielectric ceramics |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57190377A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5771567A (en) * | 1996-08-29 | 1998-06-30 | Raytheon Company | Methods of fabricating continuous transverse stub radiating structures and antennas |
| KR100324266B1 (ko) * | 1999-07-19 | 2002-02-25 | 구자홍 | 고체 표시소자용 유전체후막 조성물 |
| JP7627091B2 (ja) * | 2020-03-31 | 2025-02-05 | 三菱重工業株式会社 | 誘電体膜の製造方法 |
-
1981
- 1981-05-20 JP JP7485981A patent/JPS57190377A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57190377A (en) | 1982-11-22 |
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