JPH0152391B2 - - Google Patents
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Classifications
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- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D263/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-oxazole or hydrogenated 1,3-oxazole rings
- C07D263/02—Heterocyclic compounds containing 1,3-oxazole or hydrogenated 1,3-oxazole rings not condensed with other rings
- C07D263/08—Heterocyclic compounds containing 1,3-oxazole or hydrogenated 1,3-oxazole rings not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member
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- C07D263/14—Heterocyclic compounds containing 1,3-oxazole or hydrogenated 1,3-oxazole rings not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to ring carbon atoms with radicals substituted by oxygen atoms
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は式
（この式で、Ar1は芳香族性の環少なくとも１つ
を持ち、とりわけ芳香族性の環の環炭素原子を通
じて酸素原子と結合する単環または多環で、炭素
環式または複素環式の基であり、R1は場合によ
つては置換されている脂肪族、脂環式またはアリ
ール置換脂肪族の炭化水素残基である） で表わされる光学活性化合物またはその塩におけ
る配置の反転法を行うのに適当な新規の光学活性
中間体であつて、 式： （式中、Ar1及びR1は上記した意味を有してお
り、R2は単環または多環、炭素環式または複素
環式の基あるいは場合によつては置換されている
脂肪族、脂環式またはアリール置換脂肪族の炭化
水素残基であり、Xは強い、酸素原子含有の無
機または有機酸の陰イオンあるいはハロゲン原子
の陰イオンである。） を有し、遊離塩基の形態で存在していてもよい中
間体に関する。 本発明は記載の配置の反転は式 で表わされる基の中に存在する、立体配置がＲ
（＋）−またはＳ（−）−配置に対応する第２アルコ
ール残基に関連する。 該中間体は、Ｒ（＋）−配置の化合物をＳ（−）−
配置に、あるいはＳ（−）−配置の化合物をＲ（＋）
−配置のものに変換する方法において好適であ
る。 この配置の反転により旋光の向きの反転が生ず
る。 芳香族性の炭素環式基Ar1は特にフエニル基な
らびに場合によつては部分的に飽和されている、
２環の芳香族炭化水素残基例えばナフチル基例え
ば１−または２−ナフチル基、１，２，３，４−
テトラヒドロベンズナフチル基、例えば１，２，
３，４−テトラヒドロ−５−ナフチル基、ベンズ
インデニル基、例えば４−または５−インデニル
基またはベンズインダニル基例えば４−または５
−インダニル基、さらには場合によつては部分的
に飽和されている多環の芳香族炭化水素残基例え
ばベンズフルオレニル基例えば４−フルオレニル
基または９，10−エタノ−９，10−ジヒドロ−ベ
ンズアントリル基例えば９，10−エタノ−９，10
−ジヒドロ−１−アントリル基であり、前記の種
類の部分的に飽和されている基は芳香族部分の環
炭素原子を通じて酸素原子に結合している。 複素環式基Ar1は環ヘテロ原子として特に環窒
素原子を１つまたはそれ以上ならびに好ましくは
環窒素原子に加えて環酸素原子または環硫黄原子
をも含有する。そのような基は特に単環の、５ま
たは６員のモノ−、ジ−またはトリアザ環式基、
第１に芳香族性の単環モノアザ環式６員の基例え
ばピリジル基例えば２−、３−または４−ピリジ
ル基、芳香族性の単環ジアザ環式６員の基例えば
ピリダジニル基例えば３−ピリダジニル基、ピリ
ミジニル基例えば２−または４−ピリミジニル基
あるいはピラジニル基例えば２−ピラジニル基、
芳香族性の単環チアジアザ環式５員の基例えばチ
アジアゾリル基例えば１，２，５−チアジアゾー
ル−３−イル基、芳香族性で、５員または６員の
複素環をもつ場合によつては部分的に飽和されて
いる２環モノアザ環式基例えばインドリル基例え
ば４−インドリル基、または場合によつては部分
的に飽和されているキノリニル基例えば１，２，
３，４−テトラヒドロ−５−キノリニル基あるい
は部分的に芳香族性の２環モノチア環式基例えば
2H−チオクロメニル基例えば2H−８−チオクロ
メニル基である。 前記の基Ar1は置換されていなくてもまたは置
換されていてもよく、置換されている場合はAr1
は第１に１つ、しかしまたそれ以上の、特に２つ
の置換基を含有する。置換基は第１に場合によつ
ては置換されている脂肪族また脂環式炭化水素残
基、場合によつてはエーテル化またはエステル化
されている水酸基またはメルカプト基、アシル
基、場合によつては官能的に変性されているカル
ボキシル基、ニトロ基あるいは場合によつては置
換されているアミノ基である。基Ar1の飽和され
ている部分は前記の置換基のほかに２重結合され
ている置換基、第１にオキソ基を含有していても
よい。 基Ar1の置換基としての脂肪族炭化水素残基は
特に低級アルキル基または低級アルケニル基、さ
らに低級アルキニル基である。そのような基、特
に低級アルキル基ならびに低級アルケニル基は場
合によつてはエーテル化またはエステル化されて
いる水酸基またはメルカプト基、例えば低級アル
コキシ基、低級アルキルチオ基またはハロゲン原
子、場合によつては官能的に変性されているカル
ボキシル基、特に場合によつてはＮ−置換されて
いる、例えばＮ−低級アルキル化されているカル
バモイル基あるいは場合によつては置換されてい
るアミノ基、特に、アシル基が有機カルボン酸、
炭酸半誘導体または有機スルホン酸の残基である
アシルアミノ基、例えば低級アルカノイルアミノ
基、低級アルコキシカルボニルアミノ基あるいは
場合によつてはＮ−置換されている、例えば
N′−低級アルキル化されているウレイド基例え
ばウレイド基、N′−低級アルキル−ウレイド基
またはN′，N′−ジ低級アルキル−ウレイド基、
さらに低級アルキルスルホニルアミノ基である。
置換されている低級アルキル基は第１にヒドロキ
シ低級アルキル基、低級アルコキシ−低級アルキ
ル基、低級アルキルチオ−低級アルキル基、ハロ
ゲノ低級アルキル基、場合によつてはＮ−低級ア
ルキル化されているカルバモイル−低級アルキル
基、低級アルカノイルアミノ低級アルキル基また
は低級アルコキシカルボニルアミノ−低級アルキ
ル基、さらに低級アルカノイルアミノ−低級アル
ケニル基または低級アルコキシカルボニルアミノ
−低級アルケニル基である。 脂環式炭化水素残基は特に単環または多環のシ
クロアルキル基である。 基Ar1の置換基としてのエーテル化されている
水酸基またはメルカプト基は第１に場合によつて
は置換されている脂肪族炭化水素残基でエーテル
化されている水酸基またはメルカプト基例えば低
級アルコキシ基またはフエニル低級アルコキシ
基、低級アルケニルオキシ基あるいは低級アルキ
ニルオキシ基、さらにテトラヒドロフルフリルオ
キシ基、低級アルキルチオ基または低級アルケニ
ルチオ基である。そのようなエーテル化する脂肪
族炭化水素残基の特にエーテル化する低級アルキ
ル基の置換基は特に場合によつてはエーテル化ま
たはエステル化されている水酸基またはメルカプ
ト基例えば低級アルキルオキシ基、低級アルキル
チオ基またはハロゲン原子あるいは場合によつて
は置換されているアミノ基例えばアシルアミノ基
例えば低級アルカノイルアミノ基または低級アル
コキシカルボニルアミノ基である。対応する置換
されている脂肪族炭化水素残基によつてエーテル
化されている水酸基またはメルカプト基は特に低
級アルコキシ−低級アルコキシ基、低級アルキル
チオ−低級アルコキシ基あるいは低級アルコキシ
−低級アルキルチオ基、さらに低級アルカノイル
アミノ−低級アルコキシ基または低級アルコキシ
カルボニルアミノ−低級アルコキシ基である。 基Ar1の置換基としてのエステル化されている
水酸基またはメルカプト基は特にハロゲン原子、
さらに低級アルカノイルオキシ基である。 基Ar1の置換基としてのアシル基は第１に低級
アルカノイル基である。 Ar1の置換基としての場合によつては官能的に
変性されているカルボキシル基は特にエステル化
またはアミド化されているカルボキシル基、さら
にシアノ基である、エステル化されているカルボ
キシル基は特に低級アルコキシカルボニル基であ
り、一方アミド化されているカルボキシル基は場
合によつては置換されているカルバモイル基例え
ばカルバモイル基、Ｎ−低級アルキル−カルバモ
イル基またはＮ，Ｎ−ジ低級アルキル−カルバモ
イル基である。 基Ar1の置換基としての、場合によつては置換
されているアミノ基は特に、アシル基がとりわけ
有機カルボン酸または炭酸半誘導体、またはさら
に有機スルホン酸の対応する基であるアシルアミ
ノ基例えば低級アルカノイルアミノ基、低級アル
コキシカルボニルアミノ基あるいは場合によつて
はN′−低級アルキル化されているウレイド基ま
たはＮ−シクロアルキル置換されているウレイド
基例えばウレイド基、N′−低級アルキル−ウレ
イド基またはN′，N′−ジ低級アルキル−ウレイ
ド基またはN′−シクロアルキル−ウレイド基、
さらに低級アルキルスルホニルアミノ基ならびに
Ｎ−低級アルキル化アミノ基例えばＮ−低級アル
キルアミノ基またはＮ，Ｎ−ジ低級アルキルアミ
ノ基、場合によつては不飽和のＮ，Ｎ−低級アル
キレンアミノ基、Ｎ，Ｎ−アザ低級アルキレンア
ミノ基、Ｎ，Ｎ−オキサ低級アルキレンアミノ基
またはＮ，Ｎ−チア低級アルキレンアミノ基であ
る。 脂肪族炭化水素残基R1は第１に低級アルキル
基、特に結合炭素原子のところで分枝している低
級アルキル基、さらに低級アルケニル基または低
級アルキニル基であり、一方脂環式炭化水素残基
は特に多環のシクロアルキル基を含めたシクロア
ルキル基であり、アリール置換脂肪族炭化水素残
基は第１にフエニル低級アルキル基である。その
ような炭化水素残基の置換基は例えば低級アルキ
ル基に対しては、エーテル化されている水酸基、
特に場合によつては例えば官能的に変性されてい
るカルボキシル基例えば場合によつてはＮ−低級
アルキル化されているカルバモイル基、例えばカ
ルバモイル基、Ｎ−低級アルキル−カルバモイル
基またはＮ，Ｎ−ジ低級アルキル−カルバモイル
基で置換されているフエニルオキシ基またはピリ
ジルオキシ基あるいは場合によつては官能的に変
性されているカルボキシル基例えばカルボキシル
基、エステル化されているカルボキシル基例えば
低級アルコキシカルボニル基、アミド化されてい
るカルボキシル基例えば場合によつてはＮ−低級
アルキル化されているカルバモイル基例えばカル
バモイル基、Ｎ−低級アルキル−カルバモイル基
またはＮ，Ｎ−ジ低級アルキル−カルバモイル基
あるいはシアノ基であり、例えばフエニル低級ア
ルキル基の芳香族部分に対しては場合によつては
官能的に変性されているカルボキシル基、第１に
アミド化されているカルボキシル基例えば場合に
よつては低級アルキル基によつて置換されている
カルバモイル基例えばＮ−低級アルキルカルバモ
イル基またはＮ，Ｎ−ジ低級アルキル−カルバモ
イル基および（または）水酸基である。この方法
で置換されている低級アルキル基はフエニルオキ
シ−低級アルキル基またはとりわけ場合によつて
はＮ−アルキル化されているカルバモイルフエニ
ルオキシ低級アルキル基、さらにピリジルオキシ
−低級アルキル基またはとりわけ場合によつては
Ｎ−アルキル化されているカルバモイルピリジル
オキシ−低級アルキル基、さらに低級アルコキシ
カルボニル−低級アルキル基、場合によつてはＮ
−低級アルキル化されているカルバモイル−低級
アルキル基またはシアノ−低級アルキル基であ
る。 特別な記載がない場合は、前記ならびに後記で
『低級』と表示されている基および化合物は炭素
原子好ましくは７個まで、特に５個までをもつ１
価の基および炭素原子３〜６個、特に４個または
５個をもつ２価の基を包含する。 前記ならびに後記して適用される一般的概念は
特別の記載がない場合、好ましくは次の意味を持
つ。 低級アルキル基は例えばメチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル
基、イソブチル基、sec−ブチル基またはtert−
ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネ
オペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基
またはｎ−ヘプチル基である。結合炭素原子のと
ころで分枝している低級アルキル基は第１にイソ
プロピル基またはtert−ブチル基である。 低級アルケニル基は第１にアリル基、さらにビ
ニル基、２−メチル−アリル基、２−ブテニル基
または３，３−ジメチルアリル基であり、一方低
級アルキニル基は例えばエチニル基またはプロパ
ルギル基である。 低級アルコキシ基は例えばメトキシ基、エトキ
シ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ
−ブトキシ基、イソブトキシ基またはtert−ブト
キシ基である。 フエニル低級アルコキシ基は例えばベンジルオ
キシ基である。 低級アルキルチオ基は例えばメチルチオ基、エ
チルチオ基、イソプロピルチオ基またはｎ−ブチ
ルチオ基である。 ハロゲン原子は例えば塩素原子、または臭素原
子さらに弗素原子ならびに沃素原子である。 場合によつてはＮ−低級アルキル化されている
カルバモイル基は例えばカルバモイル基さらにＮ
−低級アルキル−カルバモイル基例えばＮ−メチ
ルカルバモイル基またはＮ−エチル−カルバモイ
ル基あるいはＮ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイ
ル基例えばＮ，Ｎ−ジメチル−カルバモイル基ま
たはＮ，Ｎ−ジエチル−カルバモイル基である。 低級アルカノイルアミノ基は例えばホルミルア
ミノ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ
基、ブチリルアミノ基またはピバロイルアミノ基
である。 低級アルコキシカルボニルアミノ基は例えばメ
トキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニル
アミノ基、またはtert−ブトキシカルボニルアミ
ノ基であり、一方N′−低級アルキル−ウレイド
基とN′，N′−ジ低級アルキル−ウレイド基とは
例えばN′−メチルウレイド基、N′−エチルウレ
イド基、N′，N′−ジメチルウレイド基またはN′，
N′−ジエチルウレイド基であり、一方N′−シク
ロアルキルウレイド基は例えばN′−シクロプロ
ピルウレイド基、N′−シクロペンチル−ウレイ
ド基、N′−シクロヘキシルウレイド基または
N′−シクロヘプチルウレイド基である。 低級アルキルスルホニルアミノ基は例えばメチ
ルスルホニルアミノ基またはエチルスルホニルア
ミノ基である。 ヒドロキシ低級アルキルは例えばヒドロキシメ
チル基あるいは１−または２−ヒドロキシエチル
基である。 低級アルコキシ−低級アルキル基は例えば低級
アルコキシ−メチル基または好ましくは２−（低
級アルコキシ）−エチル基例えばメトキシメチル
基、エトキシメチル基、２−メトキシ−エチル
基、２−エトキシ−エチル基または２−イソプロ
ポキシ−エチル基である。 低級アルキルチオ−低級アルキル基は例えば低
級アルキルチオメチル基または特に２−（低級ア
ルキルチオ）−エチル基例えばメチルチオメチル
基、エチルチオメチル基、２−メチルチオエチル
基または２−エチルチオエチル基である。 ハロゲノ低級アルキル基は特にトリフルオロメ
チル基である。 場合によつてはＮ−低級アルキル化されている
カルバモイル−低級アルキル基は例えばカルバモ
イルメチル基あるいは１−または２−カルバモイ
ルエチル基、さらにＮ−低級アルキル−カルバモ
イル−低級アルキル基例えばＮ−メチルカルバモ
イルメチル基あるいは１−または２−Ｎ−メチル
カルバモイル−エチル基あるいはＮ，Ｎ−ジ低級
アルキル−カルバモイル−低級アルキル基例えば
Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル−メチル基あるい
は１−または２−Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル
−エチル基である。 低級アルカノイルアミノ−低級アルキル基は例
えば低級アルカノイルアミノメチル基またはとり
わけ２−低級アルカノイルアミノエチル基例えば
アセチルアミノメチル基、プロピオニルアミノメ
チル基、２−アセチルアミノエチル基、２−プロ
ピオニルアミノ−エチル基または２−ピバロイル
アミノ−エチル基であり、一方低級アルコキシカ
ルボニルアミノ−低級アルキル基例えば低級アル
コキシカルボニルアミノ−メチル基またはとりわ
け、２−低級アルコキシカルボニルアミノ−エチ
ル基例えばメトキシカルボニルアミノ−メチル
基、エトキシカルボニルアミノ−エチル基、２−
メトキシカルボニルアミノエチル基、２−エトキ
シカルボニルアミノエチル基または２−tert−ブ
トキシカルボニルアミノ−エチル基である。 低級アルカノイルアミノ−低級アルケニル基は
特に２−低級アルカノイルアミノ−ビニル基、例
えば２−アセチルアミノ−ビニル基、２−プロピ
オニルアミノ−ビニル基または２−ピバロイルア
ミノ−ビニル基であり、一方低級アルコキシカル
ボニルアミノ−低級アルケニル基はとりわけ２−
低級アルコキシカルボニルアミノ−ビニル基例え
ば２−メトキシカルボニルアミノ−ビニル基、２
−エトキシカルボニルアミノ−ビニル基または２
−tert−ブトキシカルボニルアミノ−ビニル基で
ある。 多環のシクロアルキル基を含めシクロアルキル
基はとりわけ環炭素原子３〜10個を含有し、シク
ロプロピル基または特にシクロペンチル基、シク
ロヘキシル基またはシクロヘプチル基、さらにア
ダマンチル基例えば１−アダマンチル基である。 低級アルケニルオキシ基は特にアリルオキシ基
ならびに２−メチルアリルオキシ基、さらにビニ
ルオキシ基、２−ブテニルオキシ基または３，３
−ジメチルアリルオキシ基であり、一方低級アル
キニルオキシ基は例えばプロパルギルオキシ基で
ある。 低級アルケニルチオ基は例えばアリルチオ基、
さらに２−メチルアリルチオ基または２−ブテニ
ルチオ基である。 低級アルコキシ−低級アルコキシ基においては
両酸素原子はとりわけ炭素原子少なくとも２個、
例えば２または３個で分離され、そのような基は
例えばメトキシメトキシ基またはエトキシメトキ
シ基、しかし第１には２−（低級アルコキシ）−エ
トキシ基例えばメトキシエトキシまたは２−エト
キシ−エトキシ基ならびに３−（低級アルコキシ）
−プロポキシ基例えば３−メトキシ−プロポキシ
基または３−エトキシプロポキシ基である。 低級アルキルチオ−低級アルコキシ基において
は硫黄原子と酸素原子とはとりわけ炭素原子少な
くとも２個、例えば２または３個で互に分離され
ていて、そのような基は第１に２−（低級アルキ
ルチオ）−エトキシ基例えば２−メチルチオ−エ
トキシ基または２−エチルチオ−エトキシ基であ
る。 同様に低級アルコキシ−低級アルキルチオ基に
おいては酸素原子と硫黄原子とはとりわけ炭素原
子少なくとも２個例えば２または３個で互に分離
されていて、そのような基は第１に２−（低級ア
ルコキシ）−エチルチオ基例えば２−エトキシ−
エチルチオ基または２−エトキシ−エチルチオ基
である。 低級アルカノイルアミノ−低級アルコキシ基と
低級アルコキシカルボニルアミノ−低級アルコキ
シ基とにおいて窒素原子と結合酸素原子とはとり
わけ炭素原子少なくとも２個、例えば２または３
個で互に分離され、これらの基は第１に２−低級
アルカノイルアミノ−エトキシ基、例えば２−ア
セチルアミノ−エトキシ基、２−プロピオニルア
ミノ−エトキシ基または２−ピバロイルアミノ−
エトキシ基あるいは２−低級アルコキシカルボニ
ルアミノエトキシ基例えば２−メトキシカルボニ
ルアミノ−エトキシ基または２−エトキシカルボ
ニル−エトキシ基である。 低級アルカノイル基は特にアセチル基、プロピ
オニル基またはピバロイル基である。 低級アルカノイルオキシ基は例えばアセチルオ
キシ基、プロピオノキシ基またはピバロイルオキ
シ基である。 低級アルコキシカルボニル基は例えばメトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基またはtert
−ブトキシカルボニル基である。 Ｎ−低級アルキルアミノ基またはＮ，Ｎ−ジ低
級アルキルアミノ基は例えばメチルアミノ基、エ
チルアミノ基、ジメチルアミノ基またはジエチル
アミノ基である。 場合によつては不飽和のＮ，Ｎ−低級アルキル
アミノ基はとりわけ環員数５〜７であり、特にピ
ロリジノ基またはピペリジノ基、さらに１−ピリ
ル基、であり、一方Ｎ，Ｎ−アザ低級アルキレン
アミノ基、Ｎ，Ｎ−オキサ低級アルキレンアミノ
基およびＮ，Ｎ−チア低級アルキレンアミノ基は
とりわけ環員数６であり、第２の環ヘテロ原子は
結合窒素原子から炭素原子２個で分離され、Ｎ，
Ｎ−アザ低級アルキレンアミノ基においては場合
によつては例えば低級アルキル基によつて置換さ
れていて、そのような基は例えば４−メチル−１
−ピペリジノ基、４−モルホリノ基または４−チ
オモルホリノ基である。 フエニル低級アルキル基は例えばベンジル基あ
るいは１−または２−フエネチル基である。 ピリジルオキシ基は例えば２−ピリジルオキシ
基、３−ピリジルオキシ基または４−ピリジルオ
キシ基である。 置換基として、とりわけ場合によつてはＮ−低
級アルキル化されているカルバモイル基を含有し
ているフエニルオキシ低級アルキル基およびピリ
ジルオキシ−低級アルキル基R1においては酸素
原子と、窒素原子に結合する結合炭素原子とはと
りわけ炭素原子少なくとも２個例えば２または３
個で互に分離されている。そのような置換基は特
に２−（場合によつてはＮ−低級アルキル化され
ているカルバモイル−フエニルオキシ）−低級ア
ルキル基例えば２−（２−カルバモイルフエノキ
シ）−エチル、２−（４−カルバモイルフエノオキ
シ）−エチル基、２−（２−Ｎ−メチルカルバモイ
ル−フエノキシ）−エチル基または２−（４−Ｎ，
Ｎ−ジメチルカルバモイル−フエノキシ）−エチ
ル基、さらに２−（場合によつてはＮ−アルキル
化されているカルバモイル−ピリジルオキシ）−
低級アルキル基例えば２−（４−カルバモイル−
２−ピリジルオキシ）−エチル基、２−（２−カル
バモイル−４−ピリジルオキシ）−エチル基また
は２−（３−カルバモイル−２−ピリジルオキシ）
−エチル基である。 低級アルコキシカルボニル−低級アルキル基は
例えば低級アルコキシカルボニルメチル基または
１−低級アルコキシカルボニル−２−プロピル基
例えばメトキシカルボニルメチル基、エトキシカ
ルボニルメチル基、１−メトキシカルボニル−２
−プロピル基または１−エトキシカルボニル−２
−プロピル基である。 場合によればＮ−低級アルキル化されているカ
ルバモイル−低級アルキル基は第１にカルバモイ
ルメチル基、さらにＮ−低級アルキルカルバモイ
ル−メチル基またはＮ，Ｎ−ジ低級アルキルカル
バモイル−メチル基、例えばＮ−メチルカルバモ
イルメチル基、Ｎ−エチルカルバモイルメチル
基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルメチル基また
はＮ，Ｎ−ジエチルカルバモイルメチルならびに
１−カルバモイル−２−プロピル基さらに１−Ｎ
−低級アルキル−カルバモイル−２−プロピル基
または１−Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル
−２−プロピル基例えば１−Ｎ−メチルカルバモ
イル−２−プロピル基、１−Ｎ−エチルカルバモ
イル−２−プロピル基、１−Ｎ，Ｎ−ジメチルカ
ルバモイル−２−プロピル基または１−Ｎ，Ｎ−
ジエチルカルバモイル−２−プロピル基である。 シアノ−低級アリキル基は例えばシアノメチル
基または１−シアノ−２−プロピル基である。 本発明は、例えば、Ｘがハロゲン原子あるいは
硫酸またはリン酸の残基であり、Ar1がナフチル
基、低級アルキル−フエニル基、低級アルケニル
−フエニル基、低級アルケニルオキシ−フエニル
基、低級アルカノイルアミノ−フエニル基、低級
アルコキシ低級アルキル−フエニル基、９，10−
エタノ−９，10−ジヒドロ−ベンズアントリル
基、ピラジニル基、ピリミジル基、インドリル
基、ベンゾフリル基、シアノ−ピリジル基、ピリ
ル−フエニル基、低級アルコキシカルボニルアミ
ノ低級アルキル−ピリジル基、N′−シクロアル
キル−ウレイド−フエニル基、（ベンゾイミダゾ
ール−２−オン）−イル基、フエニル低級アルコ
キシ−フエニル基、ヒドロキシフエニル基であ
り、R1が低級アルキル基、フエニル低級アルキ
ル基、フエノキシ低級アルキル基またはピリジル
オキシ基であり、R2が低級アルキル基、フエニ
ル低級アルキル基、フエノキシ低級アルキル基ま
たはフエニル基である式（）で表わされる光学
活性化合物あるいは遊離の塩基としてのそのよう
な化合物に関する。 本発明の最も重要な態様は、さらに、Ｘが塩素
原子または臭素原子あるいは硫酸またはリン酸の
酸基であり、Ar1が１−ナフチル基、３−低級ア
ルキル−フエニル基、２−低級アルケニル−フエ
ニル基、２−低級アルケニルオキシ−フエニル
基、４−低級アルカノイルアミノ−フエニル基、
４−（２−低級アルコキシ−エチル）−フエニル
基、２−ピラジニル基、２−ピリミジニル基、
（１−ピリル）−フエニル基、４−インドリル基、
５−（２−低級アルコキシカルボニルアミノ−エ
チル）−ピリジル基、３−シアノ−ピリジル基、
４−（ベンゾイミダゾール−２−オン）−イル基、
４−（N′−シクロアルキル−ウレイド）−フエニ
ル基、ベンジルオキシ−フエニル基、ヒドロキシ
フエニル基であり、R1が低級アルキル基、フエ
ニル低級アルキル基、またはフエノキシ低級アル
キル基であり、R2が低級アルキル基、フエニル
低級アルキル基またはフエニル基である式（）
で表わされる光学活性の化合物あるいは遊離の塩
基としてのそのような化合物に関する。 本発明は、実質的に、Ｘが塩素原子または臭素
原子あるいは硫酸またはリン酸の残基であり、
Ar1が１−ナフチル基、３−メチル−フエニル
基、２−アリル−フエニル基、２−アリルオキシ
−フエニル基、４−アセチルアミノ−フエニル
基、４−インドリル基、４−（２−メトキシエチ
ル）−フエニル基、２−ピラジニル基、２−ピリ
ミジニル基、２−（１−ピリル）−フエニル基、４
−（N′−シクロヘキシルウレイド）−フエニル基、
４−ベンジルオキシ−フエニル基、または４−ヒ
ドロキシ−フエニル基であり、R1が低級アルキ
ル基またはフエニル低級アルキル基であり、R2
が低級アルキル基、フエニル低級アルキル基また
はフエニル基である式（）で表わされる光学活
性の化合物あるいは遊離の塩基としてのそのよう
な化合物に関する。 本発明は、特に、Ｘが塩素原子または硫酸の残
基であり、Ar1が２−（１−ピリル）−フエニル
基、１−ナフチル基、２−アリル−フエニル基、
２−アリルオキシ−フエニル基、４−（N′−シク
ロヘキシルウレイド）−フエニル基、２−ピラジ
ニル基、４−ベンジルオキシ−フエニル基、また
は４−ヒドロキシフエニル基であり、R1が低級
アルキル基であり、R2が低級アルキル基または
フエニル基である式（）で表わされる光学活性
の化合物あるいは遊離の塩基としてのそのような
化合物に関する。 本発明は特に、例に記載されている式（）で
表わされる化合物に関する。 ドイツ特許公開第585164号明細書から光学活性
フエニルアルキルアミンの旋光性の反転法は公知
であり、そこでは例えばｄ−ｍ−ヒドロキシフエ
ニルエタノールメチルアミンを無水酢酸と濃硫酸
と共に還流して加熱し、過剰の無水酢酸を蒸発後
残る残渣を希硫酸でヒドロリシスし、そのヒドロ
リシス物から１−ｍ−ヒドロキシフエニルエタノ
ールメチルアミンを単離している。 NagaiとKanao［Liebig's Annalen der
Chemie 470、157−182（1929）］とは、特に第
160頁でＮ−ベンゾイル−ノル−ｄ、１−エフエ
ドリンから濃硫酸により閉環の下にオキサゾリン
を生成させ、それを希塩酸と煮沸してヒドロリシ
スすることを記載している。 米国特許第2446192号明細書には例えばメチル
−またはエチルエステルの形のＮ−アセチル−ま
たはＮ−ベンゾイル−ｄ，１−アロトレオニンを
塩化チオニルを用いて対応するオキサゾリンに変
換し、これを酸性またはアルカリ性のヒドロリシ
スによつてｄ，１−トレオニンに移行させるｄ，
１−アロトレオニンからｄ，１−トレオニンへの
変換を記載している。塩化チオニルの代わりに脱
水ならびに環化作用のある薬剤としては５塩化リ
ン、３塩化リンまたは５酸化リンが引用されてい
るが塩化チオニルが好ましい。 J.Amer.Chem.Soc.、70 2297−98（1948）から
はさらにＮ−ベンゾイル−ｄ，１−アロトレオニ
ン−メチルエステルを塩化チオニルによつて対応
するオキサゾリン塩酸塩に移行させ、これから希
塩酸を用いるヒドロリシスによつてｄ，１−トレ
オニンを得ることが公知である。これに続いて、
記載されたオキサゾリン反転が高収率のジアステ
レオマーα，β−アミノアルコールの逆向きの変
換のために、一般的に適用できる方法であること
が記載されている。前記の方法においては第2N
−アシルアミノアルコールが出発材料として用い
られ、その場合は窒素原子に存在する水素原子が
オキサゾリン環形成の際除去される。 Chemical Abstracts 84、 43593 ｘ
（1976）によればフエニルエタノールアミンおよ
びフエノキシエタノールアミンの誘導体をハロゲ
ノギ酸エステルと反応させ、得られるＮ−アルコ
キシカルボニル−化合物を塩化チオニルまたは臭
化チオニルによつて対応するオキサゾリジノンに
環化する。それからアルカリ性のヒドロリシスま
たは水素化リチウムアルミニウムでの還元により
出発物質に対応し、逆の立体配置をもつ化合物を
得る。 H.K.Muller、Ann、599、211−221（1956）は
前記して説明した文献W.H.NagaiとS.Kanaoを
参照し、硫酸の代わりに塩化チオニルを適用する
とＮ−ベンゾイル−ｄ，１−ノルエフエドリンの
転位を満足すべき収率で達成し、生成する中間生
成物がより容易に鹸化される故にｄ，１−プソイ
ドエフエドリンの出発材料としてはＮ−アセチル
−ｄ，１−ノルエフエドリンの方がより適してい
ることを明らかにした。Ｎ−アセチル誘導体から
出発して対応するオキサゾリンの不安定な前生成
物、２−クロル−２，４−ジメチル−５−フエニ
ル−オキサゾリジン塩酸塩を単離し、その上ｄ，
１−ノルエフエドリンと塩化チオニルとの反応お
よび引つづくＮ−アセチル化によつて、明らかに
異なつた性質をもつ異性体ｄ，１−トレオ−１−
フエニル−１−クロル−２−アセタミド−プロパ
ン塩酸塩を製造してオキサゾリンの構造を確認し
た。 技術の現在の状態からとりわけＮ−アシル化さ
れている、特にＮ−アセチル化されている第１ア
ミノ基をもつα−アミノアルコールの配置反転に
はＮ−アシル誘導体の塩化チオニルによる、対応
するオキサゾリンへの移行、およびとりわけアル
カリ性のヒドロリシスが使用できる有利な方法で
あることが判明し、他の方法も同様に考えられ
る。 これに対し、第２アミノ基をもつα−アミノア
ルコールの配置反転は今まではＮ−アシル化とそ
のＮ−アシル誘導体の、無水酢酸中での濃硫酸と
の煮沸と未知の構造をもつその反応生成物の希硫
酸でのヒドロリシスによつて行なわれている。こ
の方法のｄ−プソイドエフエドリンへの適用にお
いては反転生成物の収率が僅に65％であつて、そ
れはモノステレオマー化合物において新たに分離
すべきラセミ体約70％のほか反転生成物の収率僅
30％に対応する。その上、第１にＮ−アシル化合
物のオキサゾリンへの変換にはかなり苛酷な反応
条件を要する。他方例えばChemicalReviews
54、614 685、特に632と633（1954）およびそこに
引用されている文献から、多くのアリール−アル
キルエーテルは従来氷酢酸中での硫酸と一緒の煮
沸において分裂することが公知である。さらに前
記の、NagaiとKanaoとによつて記載された配置
反転の方法の、Ｓ（−）−１−（４−ベンジルオキ
シ−フエノキシ）−３−イソプロピルアミノ−２
−プロパノールでの対応するＲ（＋）−化合物製造
のための適用は本質的にエーテル分裂により非常
に不純にされている生成物になることが見出され
た。そのような結果は３−アルキルアミノ−２−
プロパノールのエーテル誘導体への公知の方法が
不満足な結果になることをよく説明する。 このことを考慮すれば１−アリールオキシ−３
−第２アミノ−２−プロパノールの型の光学活性
化合物において同様な配置反転を行うことが出来
ると云うことは期待できない。α−第１アミノア
ルコールにおいて緩和な反応条件の下に良好な結
果で行うことができる、Ｎ−アシル誘導体例えば
Ｎ−アセチル化合物の例えば塩化チオニルとの中
間の方法段階としてのオキサゾリン化合物の形成
の反応の反応順序は、オキサゾリンの形成がＮ−
アシル化されている出発物質の窒素原子に水素原
子が欠損しているために可能とは思われない故
に、１−アリールオキシ−３−第２アミノ−２−
プロパノールにおける適用にはなおさら考慮され
るようには思われない。 驚くべきことには式（）で表わされる光学活
性化合物における配置の反転は式 （この式で、R2は単環または多環、炭素環式ま
たは複素環式の基あるいは場合によつては置換さ
れている脂肪族、脂環式またはアリール置換脂肪
族の炭化水素残基である） で表わされ、Ｒ（＋）−あるいはＳ（−）−配置をも
つ光学活性化合物を、強い酸素原子含有の無機ま
たは有機酸またはそのハロゲン化物での処理によ
つて式 （この式で、Xは強い酸素原子含有の無機また
は有機酸の陰イオンあるいはハロゲン原子の陰イ
オンである） で表わされる光学活性化合物へ変換し、そうして
得られる、式（）で表わされる化合物を、場合
によつては中間段階として対応する遊離の塩基を
経て、適用した出発材料の配置とは反対の配置を
もつ式（）で表わされる化合物にヒドロリシス
し、所望の場合は式（）で表わされる遊離の化
合物を塩にあるいは得られる塩を遊離の化合物に
移行させて実現できることが発見された。 強い酸素原子含有の無機または有機酸としては
例えば濃硫酸またはリン酸あるいは強い有機スル
ホン酸例えば脂肪族スルホン酸例えばメタンスル
ホン酸または芳香族スルホン酸例えば場合によつ
ては置換されているフエニルスルホン酸例えば４
−メチル−、４−ブロム−、４−ニトロ−または
２，４−ジニトローフエニルスルホン酸またはナ
フチルスルホン酸例えば１−ナフチルスルホン酸
あるいはそれらの酸ハロゲン化物第１に塩化物ま
たは臭化物例えば塩化チオニル、臭化チオニル、
塩化スルフリル、クロルスルホン酸、３塩化リ
ン、５塩化リン、塩化ホスホリルまたは塩化メタ
ンスルホニルが考えられる。さらに前記の酸ハロ
ゲン化物に対応する混合エステル例えばハロゲン
化低級アルコキシスルホニル例えば塩化メトキシ
スルホニルまたは塩化エトキシスルホニルあるい
はハロゲン化リン酸−低級アルキルエステル例え
ば塩化リン酸ジメチルエステルも適用してもよ
い。 それに従つて式（）中のXは特に塩素原子
または臭素原子、硫酸、リン酸あるいは強い有機
スルホン酸例えば前記の１つの陰イオンである。 環化縮合は前記の酸を縮合剤として使用する場
合、通常温度範囲約＋50℃〜＋200℃、酸ハロゲ
ン化物適用においては−10℃〜＋70℃、とりわけ
＋10℃〜＋50℃で行なわれる。 前記のヒドロリシスは酸性または塩基性媒質中
で行なわれる。適当な酸性の薬剤は例えば水性の
酸例えば水性の鉱酸例えば水性の塩酸、硫酸また
はリン酸である。酸性のヒドロリシスは温度範囲
０〜120℃、有利には＋10℃〜＋50℃で行なう。
塩基性媒質としては例えば水性のアルカリ溶液例
えばアルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸
化物例えば水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウ
ムあるいはカルシウムまたはマグネシウムの水酸
化物が適当で、その場合前記の試薬は高めた温度
例えば50〜150℃の範囲で用いるのが有利である。 前記のヒドロリシスはまた段階的に行うことも
でき、式（）で表わされる化合物は水性媒質中
中間段階として対応する遊離の塩基を経で逆の立
体配置をもつ式（）で表わされる対応するＮ−
アシル化合物例えば式（）で表わされ適用され
る出発材料にヒドロリシスされ、ついでこの化合
物が式（）で表わされる化合物の１つのヒドロ
リシスされる。 本方法は有利には、その場で用いられる、式
（）で表わされる出発生成物を純粋な形で単離
することなく同じ反応項目で式（）で表わされ
る化合物に加工し、得られる式（）で表わされ
る化合物をそれ以上精製することなくヒドロリシ
スにかけて行うこともできる。 式（）で表わされる出発材料または式（）
で表わされる中間生成物においてR2は例えば基
Ar1または基R1に対応する意味をもち、特に場合
によつては例えば前記の置換されているフエニル
基、ナフチル基またはピリジル基、さらに低級ア
ルキル基例えばイソプロピル基またはtert−ブチ
ル基、場合によつては結合炭素原子のところで分
枝している低級アルキル基をもつフエニル低級ア
ルキル基またはフエニルオキシ低級アルキル基例
えば１−メチル−３−フエニルプロピル基または
１−メチル−３−フエノキシプロピル基である。 以下の実施例によつて本発明を示す。温度は摂
氏温度である。 例 １ ジメチルホルムアミド78ml中のＲ（＋）−１−
（４−ベンジルオキシ−フエノキシ）−３−イソプ
ロピルアミノ−２−プロパノール26.2ｇ溶液に10
℃で無水酢酸18ｇを滴下する。その溶液を20℃で
２時間かきまぜ、水300mlに注加し、トルエン160
mlで抽出する。このトルエン溶液を炭酸水素ナト
リウム溶液で洗浄し、硫酸ナトリウム上乾燥し、
真空中蒸発すると、粗Ｒ（＋）−１−（４−ベンジ
ルオキシフエノキシ）−３−Ｎ−イソプロピル−
Ｎ−アセチルアミノ−２−プロパノールを得る。 これを塩化メチレン40ml中に溶解し、５〜10
℃、45分間で塩化メチレン18ml中の塩化チオニル
6.2ml溶液に滴下して加える。この溶液を20℃で
２時間、それから35℃で１時間かきまぜ、ついで
真空中乾燥するまで蒸発する。 粗塩化Ｓ（−）−１−イソプロピル−２−メチル
−４−（４−ベンジルオキシ−フエノキシメチル）
−オキサゾリウム32ｇ（93％）を濃厚な、直に、
結晶する油として得る。この吸湿性の結晶は結晶
塩化水素１モルを含有し、塩化メチレン−酢酸エ
チルエステル混合物から再結晶するとその結晶は
78〜82℃で融ける。 粗塩化Ｓ（−）−１−イソプロピル−２−メチル
−４−（４−ベンジルオキシ−フエノキシメチル）
−オキサゾリウム32ｇに水25mlとエタノール100
mlと水酸化ナトリウム16ｇとを混合し、この混合
物を１時間還流して煮沸し、この後その反応混合
物を水300mlに注加し、０℃に冷却する。折出す
る結晶を吸引し、乾燥すると、Ｓ（−）−１−（４
−ベンジルオキシフエノキシ）−３−イソプロピ
ルアミノ−２−プロパノール23.6ｇ（理論量の90
％）を得る。 〔α〕20 D出発生成物＋25゜（1N硫酸中１％溶液） 〔α〕20 D目的生成物−22゜（1N硫酸中１％溶液） 光学的収率：87％ Ｒ（＋）−１−（４−ベンジルオキシフエノキシ）
−３−イソプロピルアミノ−２−プロパノールは
例えば次のようにして得ることができる。 (a) （＋）−１−（４−ヒドロキシフエノキシ）−
２−ヒドロキシ−３−（イソプロピルアミノ）−
プロパン4.5ｇをメタノール30ml中に溶解し、
メタノール25mlと水25mlとの中の（−）−ジ−
ｏ，o′−ｐ−トルオイル−Ｌ−酒石酸8.1ｇ溶
液と混合する。それからこの溶液を室温で水流
ポンプ真空中少し濁りが出るまで濃縮し、つい
で結晶するまで０℃に15時間放置する。析出す
る結晶を吸引し、ついでメタノール−水１：１
から２回再結晶する。Ｒ（＋）−１−（４−ヒド
ロキシフエノキシ）−２−ヒドロキシ−３−イ
ソプロピルアミノ−プロパン−（−）−ジ−ｏ，
o′−ｐ−トルオイル−Ｌ−水素酒石酸塩を得
る。融点134〜137℃。 遊離の鏡像異性体の塩基の単離のためその塩
を2N−塩酸中にとり、酢酸エチルエステルを
用いて抽出する。この抽出液から（−）−ジ−
ｏ，o′−ｐ−トルオイル−Ｄ−酒石酸を再生で
きる。この塩酸溶液を濃アンモニアでアルカリ
性にし、塩化ナトリウムで飽和し、酢酸エチル
エステルで抽出する。この有機相を塩水で洗浄
し、硫酸ナトリウム上乾燥し、水流ポンプ真空
中で蒸発する。残渣を酢酸エチルエステルから
結晶させると、融点129〜130℃の純粋なＲ（＋）
−１−（４−ヒドロキシフエノキシ）−３−イソ
プロピルアミノ）−２−プロパノールを得る。 〔α〕20 D：＋0.9±0.5゜（メタノール中１％溶液） 〔α〕20 D＋20.5±0.5゜（1N硫酸中１％溶液） (b) ジメチルホルムアミド中Ｒ（＋）−１−（４−
ヒドロキシフエノキシ）−３−イソプロピルア
ミノ）−２−プロパノール塩酸塩52ｇの溶液を
室温で、水中の水酸化ナトリウムの50％溶液42
ｇと混合する。この混合物に30℃、15分間で臭
化ベンジル33ｇを滴加し、室温で１時間かきま
ぜる。反応混合物を０℃に冷却した水600mlに
注ぎ込み、０℃で１時間かきまぜ、析出する結
晶を吸引ろ化し、乾燥すると、融点91〜93℃の
Ｒ（＋）−１−（４−ベンジルオキシフエノキシ）
−３−イソプロピルアミノ−２−プロパノール
を得る。 例 ２ 無水酢酸25ml中にかきまぜながらＳ（−）−１−
（４−ヒドロキシフエノキシ）−３−イソプロピル
アミノ−２−プロパノール6.5ｇを滴下して入れ
ると発熱の下に透明な溶液が生成する。これを無
水酢酸10ml中硫酸（96％）３ｇの溶液と混合し、
その混合物を２時間還流する。ついで得られた溶
液を真空中濃縮する。その残渣は粗硫酸Ｒ（＋）−
１−イソプロピル−２−メチル−４−（４−ヒド
ロキシフエノキシメチル）−オキサゾリウムで、
それを1N硫酸50ml中にとり、２時間還流する。
それから氷100ｇを加え、アンモニアでPH９に調
節する。その溶液を酢酸エチルエステルそれぞれ
100mlで４回抽出し、一緒にしたその有機相を硫
酸ナトリウム上で乾燥し、乾燥するまで蒸発す
る。Ｒ（＋）−１−（４−ヒドロキシフエノキシ）−
３−イソプロピルアミノ−２−プロパノール5.5
ｇ（理論量の85％）を得る。 〔α〕20 D出発材料：−20.5゜（1N硫酸中１％溶液） 〔ａ〕20 D目的生成物：＋17.3゜（1N硫酸中１％溶
液） 光学的収率：85％ 例 ３ 無水酢酸25ml中にかきまぜながらＳ（−）−１−
（４−ベンジルオキシフエノキシ）−３−イソプロ
ピルアミノ−２−プロパノール6.5ｇを滴下して
入れると、発熱を伴つて透明な溶液が生成する。
これを無水酢酸10ml中の硫酸（96％）３ｇの溶液
と混合し、その混合物を２時間還流する。ついで
得られた溶液を真空中濃縮し、その残渣を1N硫
酸50ml中にとり、２時間還流する。それから氷
100ｇを加え、アンモニアでPH９に調節する。こ
の溶液を酢酸エチルエステルそれぞれ100mlで４
回抽出し、その一緒にした有機相を硫酸ナトリウ
ム上で乾燥し、乾燥するまで蒸発する。残渣3.5
ｇを得、それは非常に不純のＲ（＋）−１−（４−
ヒドロキシフエノキシ）−３−イソプロピルアミ
ノ−２−プロパノールである。 例 ４ Ｄ（＋）−１−（ｏ−アリルオキシフエノキシ）−
３−イソプロピルアミノ−２−プロパノール0.9
ｇをジメチルホルムアミド５ml中に溶解し、10℃
で無水酢酸0.34mlを滴下する。この溶液を20℃で
２時間かきまぜ、水25ml中に注加し、トルエンそ
れぞれ30mlで２回抽出する。そのトルエン溶液を
硫酸マグネシウム上で乾燥の後、真空中乾燥する
まで蒸発すると粗Ｄ（＋）−１−（ｏ−アリルオキ
シフエノキシ）−３−Ｎ−イソプロピル−Ｎ−ア
セチルアミノ−２−プロパノールを得る。これを
塩化メチレン５ml中に溶解し、５〜10℃、45分間
で塩化メチレン５ml中の塩化チオニル0.6ml溶液
に滴下し、ついで20℃で２時間、35℃で１時間か
きまぜ、ついで真空中乾燥するまで蒸発する。そ
の残渣は粗塩化Ｌ（−）−１−イソプロピル−２−
メチル−４−（ｏ−アリルオキシ−フエノキシメ
チル）−オキサゾリウムである。水１mlとエタノ
ール10mlとの中のこの化合物の溶液を水酸化ナト
リウム1.0ｇと混合し、その混合物を１時間還流
して煮沸し、それから水25ml中に注加し、この溶
液をトルエンそれぞれ25mlで２回抽出し、一緒に
した有機相を硫酸マグネシウム上で乾燥後真空中
で乾燥するまで蒸発する。その残渣をシクロヘキ
サノール2.5mlに溶解し、その溶液を冷却する。
そこで析出する結晶を吸引すると、Ｌ（−）−１−
（ｏ−アリルオキシフエノキシ）−３−イソプロピ
ルアミノ−２−プロパノール0.7ｇ（理論量の78
％）を得る。 〔α〕D出発生成物：13.5゜±0.5（1N硫酸中１％溶
液） 〔α〕D目的生成物：−12.7゜±0.5（1N硫酸中１％
溶液） 光学的収率：94％。 出発材料として適用するＤ（＋）−１−（ｏ−ア
リルオキシフエノキシ）−３−イソプロピルアミ
ノ−２−プロパノールは次のように製造すること
ができる。 ラセミ体１−（ｏ−アリルオキシフエノキシ）−
３−イソプロピルアミノ−２−プロパノール265
ｇ（１モル）とＬ（＋）−グルタミン酸（〔α〕20 546
＝＋36±2゜、5N水性塩酸中５％溶液）140ｇ
（0.95モル）とを乳鉢中でよく混合し、この混合
物を70℃に加温してある水470ml中に溶解する。
この暖い溶液を透明に濾過し、その無色の濾液を
96％エタノール2300mlと混合し、その溶液を50℃
に24時間放置する。析出する微結晶沈殿を吸引
し、エタノール200mlで洗浄し、風乾する。融点
172〜173℃の粗Ｄ（＋）−１−（ｏ−アリルオキシ
フエノキシ）−３−イソプロピルアミノ−２−プ
ロパノールＬ（＋）グルタミン酸塩220ｇを得る。
これを70℃で水100mlに溶解し、その溶液をメタ
ノール800mlと混合する。５℃で15時間放置後析
出する沈殿を吸引すると鏡像異性の塩210ｇを得
る。融点176〜178℃。同じ条件で更に再結晶する
と純粋なＤ（＋）−１−（ｏ−アリルオキシフエノ
キシ）−３−イソプロピルアミノ−２−プロパノ
ールＬ（＋）−グルタミン酸塩125ｇとなり、それ
は８時間、60℃／0.03Hｇで乾燥すると次のよう
な特性を示す。融点179〜181℃； 〔α〕313：＋34±1゜（水中１％溶液として） 〔α〕D：＋7.2゜（水中１％溶液として）。 C5H23NO3・C5H9NO4に対する元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ 計算値(%) 58.2 7.8 6.8 分析値(%) 58.2 7.9 6.7 Ｄ（＋）−１−（ｏ−アリルオキシフエノキシ）−
３−イソプロピルアミノ−２−プロパノールＬ
（＋）−グルタミン酸塩の水溶液に水性アンモニア
を加えてアルカリ反応を起こし、塩化メチレンで
抽出し、それを乾燥するまで蒸発し、その残渣を
エーテルとヘキサンとから再結晶して融点55〜56
℃の遊離の塩基を得る。その塩酸塩は次の性質を
もつ。融点72〜74℃：〔α〕20 D：＋19±1゜（エタノ
ール中１％溶液）。 一緒にした母液に水性アンモニアを加えアルカ
リ反応し起こし、塩化メチレンで抽出し蒸発する
ことによつて、Ｌ（−）−対掌体に富んだ生成物を
得る。この生成物からはＤ（−）−グルタミン酸適
用の下に前記の方法を同様に適用して対応するＬ
（−）−１−（ｏ−アリルオキシフエノキシ）−３−
イソプロピルアミノ）−２−プロパノールを得、
その塩酸塩は次の性質を示す。 融点73〜75℃：〔α〕20 D＝−19±1゜（エタノール
中１％溶液）。 例 ５ （−）−１−（１−ナフチルオキシ）−３−イソ
プロピルアミノ−２−プロパノール塩酸塩0.9ｇ
を水10mlに溶解し、1N水酸化ナトリウム溶液４
mlと混合し、その混合物を酢酸エチルエステルそ
れぞれれ25mlで３回抽出する。その有機溶液を硫
酸マグネシウム乾燥後真空中で蒸発し、残渣とし
て得られる遊離の塩基をジメチルホルムアミド５
mlに溶解し、この溶液に10℃で無水酢酸0.34mlを
滴下して加える。その溶液を20℃で２時間かきま
ぜ、水25ml中に注加し、トルエンそれぞれ30mlで
２回抽出する。そのトルエン溶液を硫酸マグネシ
ウム上で乾燥後乾燥するまで蒸発すると、粗
（−）−１−（１−ナフチルオキシ）−３−Ｎ−イソ
プロピル−Ｎ−アセチルアミノ−２−プロパノー
ルを得る。これを塩化メチレン５mlに溶解し、５
〜10℃、45分間で塩化メチレン５ml中の塩化チオ
ニル0.6ml溶液に滴下し、ついで20℃で２時間、
35℃で１時間かきまぜ、ついで真空中乾燥するま
で蒸発する。油状の残渣は粗塩化（＋）−１−イ
ソプロピル−２−メチル−４−（１−ナフチルオ
キシメチル）−オキサゾリウムである。水１mlと
エタノール10mlとの中のこの化合物の溶液を水酸
化ナトリウム１ｇと混合し、その混合物を１時間
還流する。その後反応混合物を水25ml中に注加
し、トルエンそれぞれ25mlで２回抽出し、そのト
ルエン層を硫酸マグネシウム上で乾燥後真空中で
乾燥するまで蒸発する。 その残渣をイソプロパノール５mlに溶解し、イ
ソプロパノール中の塩酸ガス溶液でメチルレツド
に対して中性にする。そこで析出する結晶を吸引
すると（＋）−１−（１−ナフチルオキシ）−３−
イソプロピルアミノ−２−プロパノール塩酸塩
0.7ｇ（理論値の78％）を得る。 〔α〕D出発生成物：−13.2゜±0.5（水中１％溶液、
20℃） 〔α〕D目的生成物：−13.7±0.5（水中１％溶液、
20℃） 光学的収率：100％。 出発材料として適用される（−）−１−（１−ナ
フチルオキシ）−３−イソプロピルアミノ−２−
プロパノール塩酸塩は例４に記載の、ラセミ体分
割法と同様にして得られる。この出発材料は次の
性質を示す。 （＋）−１−（１−ナフチルオキシ）−３−イソ
プロピルアミノ−２−プロパノール塩酸塩：融点
192〜193℃；〔α〕20 D＋25±1゜（エタノール中１％
溶液）： （−）−１−（１−ナフチルオキシ）−３−イソ
プロピルアミノ−２−プロパノール塩酸塩：融点
192〜193℃；〔α〕20 D−25±1゜（エタノール中１％
溶液）。
を持ち、とりわけ芳香族性の環の環炭素原子を通
じて酸素原子と結合する単環または多環で、炭素
環式または複素環式の基であり、R1は場合によ
つては置換されている脂肪族、脂環式またはアリ
ール置換脂肪族の炭化水素残基である） で表わされる光学活性化合物またはその塩におけ
る配置の反転法を行うのに適当な新規の光学活性
中間体であつて、 式： （式中、Ar1及びR1は上記した意味を有してお
り、R2は単環または多環、炭素環式または複素
環式の基あるいは場合によつては置換されている
脂肪族、脂環式またはアリール置換脂肪族の炭化
水素残基であり、Xは強い、酸素原子含有の無
機または有機酸の陰イオンあるいはハロゲン原子
の陰イオンである。） を有し、遊離塩基の形態で存在していてもよい中
間体に関する。 本発明は記載の配置の反転は式 で表わされる基の中に存在する、立体配置がＲ
（＋）−またはＳ（−）−配置に対応する第２アルコ
ール残基に関連する。 該中間体は、Ｒ（＋）−配置の化合物をＳ（−）−
配置に、あるいはＳ（−）−配置の化合物をＲ（＋）
−配置のものに変換する方法において好適であ
る。 この配置の反転により旋光の向きの反転が生ず
る。 芳香族性の炭素環式基Ar1は特にフエニル基な
らびに場合によつては部分的に飽和されている、
２環の芳香族炭化水素残基例えばナフチル基例え
ば１−または２−ナフチル基、１，２，３，４−
テトラヒドロベンズナフチル基、例えば１，２，
３，４−テトラヒドロ−５−ナフチル基、ベンズ
インデニル基、例えば４−または５−インデニル
基またはベンズインダニル基例えば４−または５
−インダニル基、さらには場合によつては部分的
に飽和されている多環の芳香族炭化水素残基例え
ばベンズフルオレニル基例えば４−フルオレニル
基または９，10−エタノ−９，10−ジヒドロ−ベ
ンズアントリル基例えば９，10−エタノ−９，10
−ジヒドロ−１−アントリル基であり、前記の種
類の部分的に飽和されている基は芳香族部分の環
炭素原子を通じて酸素原子に結合している。 複素環式基Ar1は環ヘテロ原子として特に環窒
素原子を１つまたはそれ以上ならびに好ましくは
環窒素原子に加えて環酸素原子または環硫黄原子
をも含有する。そのような基は特に単環の、５ま
たは６員のモノ−、ジ−またはトリアザ環式基、
第１に芳香族性の単環モノアザ環式６員の基例え
ばピリジル基例えば２−、３−または４−ピリジ
ル基、芳香族性の単環ジアザ環式６員の基例えば
ピリダジニル基例えば３−ピリダジニル基、ピリ
ミジニル基例えば２−または４−ピリミジニル基
あるいはピラジニル基例えば２−ピラジニル基、
芳香族性の単環チアジアザ環式５員の基例えばチ
アジアゾリル基例えば１，２，５−チアジアゾー
ル−３−イル基、芳香族性で、５員または６員の
複素環をもつ場合によつては部分的に飽和されて
いる２環モノアザ環式基例えばインドリル基例え
ば４−インドリル基、または場合によつては部分
的に飽和されているキノリニル基例えば１，２，
３，４−テトラヒドロ−５−キノリニル基あるい
は部分的に芳香族性の２環モノチア環式基例えば
2H−チオクロメニル基例えば2H−８−チオクロ
メニル基である。 前記の基Ar1は置換されていなくてもまたは置
換されていてもよく、置換されている場合はAr1
は第１に１つ、しかしまたそれ以上の、特に２つ
の置換基を含有する。置換基は第１に場合によつ
ては置換されている脂肪族また脂環式炭化水素残
基、場合によつてはエーテル化またはエステル化
されている水酸基またはメルカプト基、アシル
基、場合によつては官能的に変性されているカル
ボキシル基、ニトロ基あるいは場合によつては置
換されているアミノ基である。基Ar1の飽和され
ている部分は前記の置換基のほかに２重結合され
ている置換基、第１にオキソ基を含有していても
よい。 基Ar1の置換基としての脂肪族炭化水素残基は
特に低級アルキル基または低級アルケニル基、さ
らに低級アルキニル基である。そのような基、特
に低級アルキル基ならびに低級アルケニル基は場
合によつてはエーテル化またはエステル化されて
いる水酸基またはメルカプト基、例えば低級アル
コキシ基、低級アルキルチオ基またはハロゲン原
子、場合によつては官能的に変性されているカル
ボキシル基、特に場合によつてはＮ−置換されて
いる、例えばＮ−低級アルキル化されているカル
バモイル基あるいは場合によつては置換されてい
るアミノ基、特に、アシル基が有機カルボン酸、
炭酸半誘導体または有機スルホン酸の残基である
アシルアミノ基、例えば低級アルカノイルアミノ
基、低級アルコキシカルボニルアミノ基あるいは
場合によつてはＮ−置換されている、例えば
N′−低級アルキル化されているウレイド基例え
ばウレイド基、N′−低級アルキル−ウレイド基
またはN′，N′−ジ低級アルキル−ウレイド基、
さらに低級アルキルスルホニルアミノ基である。
置換されている低級アルキル基は第１にヒドロキ
シ低級アルキル基、低級アルコキシ−低級アルキ
ル基、低級アルキルチオ−低級アルキル基、ハロ
ゲノ低級アルキル基、場合によつてはＮ−低級ア
ルキル化されているカルバモイル−低級アルキル
基、低級アルカノイルアミノ低級アルキル基また
は低級アルコキシカルボニルアミノ−低級アルキ
ル基、さらに低級アルカノイルアミノ−低級アル
ケニル基または低級アルコキシカルボニルアミノ
−低級アルケニル基である。 脂環式炭化水素残基は特に単環または多環のシ
クロアルキル基である。 基Ar1の置換基としてのエーテル化されている
水酸基またはメルカプト基は第１に場合によつて
は置換されている脂肪族炭化水素残基でエーテル
化されている水酸基またはメルカプト基例えば低
級アルコキシ基またはフエニル低級アルコキシ
基、低級アルケニルオキシ基あるいは低級アルキ
ニルオキシ基、さらにテトラヒドロフルフリルオ
キシ基、低級アルキルチオ基または低級アルケニ
ルチオ基である。そのようなエーテル化する脂肪
族炭化水素残基の特にエーテル化する低級アルキ
ル基の置換基は特に場合によつてはエーテル化ま
たはエステル化されている水酸基またはメルカプ
ト基例えば低級アルキルオキシ基、低級アルキル
チオ基またはハロゲン原子あるいは場合によつて
は置換されているアミノ基例えばアシルアミノ基
例えば低級アルカノイルアミノ基または低級アル
コキシカルボニルアミノ基である。対応する置換
されている脂肪族炭化水素残基によつてエーテル
化されている水酸基またはメルカプト基は特に低
級アルコキシ−低級アルコキシ基、低級アルキル
チオ−低級アルコキシ基あるいは低級アルコキシ
−低級アルキルチオ基、さらに低級アルカノイル
アミノ−低級アルコキシ基または低級アルコキシ
カルボニルアミノ−低級アルコキシ基である。 基Ar1の置換基としてのエステル化されている
水酸基またはメルカプト基は特にハロゲン原子、
さらに低級アルカノイルオキシ基である。 基Ar1の置換基としてのアシル基は第１に低級
アルカノイル基である。 Ar1の置換基としての場合によつては官能的に
変性されているカルボキシル基は特にエステル化
またはアミド化されているカルボキシル基、さら
にシアノ基である、エステル化されているカルボ
キシル基は特に低級アルコキシカルボニル基であ
り、一方アミド化されているカルボキシル基は場
合によつては置換されているカルバモイル基例え
ばカルバモイル基、Ｎ−低級アルキル−カルバモ
イル基またはＮ，Ｎ−ジ低級アルキル−カルバモ
イル基である。 基Ar1の置換基としての、場合によつては置換
されているアミノ基は特に、アシル基がとりわけ
有機カルボン酸または炭酸半誘導体、またはさら
に有機スルホン酸の対応する基であるアシルアミ
ノ基例えば低級アルカノイルアミノ基、低級アル
コキシカルボニルアミノ基あるいは場合によつて
はN′−低級アルキル化されているウレイド基ま
たはＮ−シクロアルキル置換されているウレイド
基例えばウレイド基、N′−低級アルキル−ウレ
イド基またはN′，N′−ジ低級アルキル−ウレイ
ド基またはN′−シクロアルキル−ウレイド基、
さらに低級アルキルスルホニルアミノ基ならびに
Ｎ−低級アルキル化アミノ基例えばＮ−低級アル
キルアミノ基またはＮ，Ｎ−ジ低級アルキルアミ
ノ基、場合によつては不飽和のＮ，Ｎ−低級アル
キレンアミノ基、Ｎ，Ｎ−アザ低級アルキレンア
ミノ基、Ｎ，Ｎ−オキサ低級アルキレンアミノ基
またはＮ，Ｎ−チア低級アルキレンアミノ基であ
る。 脂肪族炭化水素残基R1は第１に低級アルキル
基、特に結合炭素原子のところで分枝している低
級アルキル基、さらに低級アルケニル基または低
級アルキニル基であり、一方脂環式炭化水素残基
は特に多環のシクロアルキル基を含めたシクロア
ルキル基であり、アリール置換脂肪族炭化水素残
基は第１にフエニル低級アルキル基である。その
ような炭化水素残基の置換基は例えば低級アルキ
ル基に対しては、エーテル化されている水酸基、
特に場合によつては例えば官能的に変性されてい
るカルボキシル基例えば場合によつてはＮ−低級
アルキル化されているカルバモイル基、例えばカ
ルバモイル基、Ｎ−低級アルキル−カルバモイル
基またはＮ，Ｎ−ジ低級アルキル−カルバモイル
基で置換されているフエニルオキシ基またはピリ
ジルオキシ基あるいは場合によつては官能的に変
性されているカルボキシル基例えばカルボキシル
基、エステル化されているカルボキシル基例えば
低級アルコキシカルボニル基、アミド化されてい
るカルボキシル基例えば場合によつてはＮ−低級
アルキル化されているカルバモイル基例えばカル
バモイル基、Ｎ−低級アルキル−カルバモイル基
またはＮ，Ｎ−ジ低級アルキル−カルバモイル基
あるいはシアノ基であり、例えばフエニル低級ア
ルキル基の芳香族部分に対しては場合によつては
官能的に変性されているカルボキシル基、第１に
アミド化されているカルボキシル基例えば場合に
よつては低級アルキル基によつて置換されている
カルバモイル基例えばＮ−低級アルキルカルバモ
イル基またはＮ，Ｎ−ジ低級アルキル−カルバモ
イル基および（または）水酸基である。この方法
で置換されている低級アルキル基はフエニルオキ
シ−低級アルキル基またはとりわけ場合によつて
はＮ−アルキル化されているカルバモイルフエニ
ルオキシ低級アルキル基、さらにピリジルオキシ
−低級アルキル基またはとりわけ場合によつては
Ｎ−アルキル化されているカルバモイルピリジル
オキシ−低級アルキル基、さらに低級アルコキシ
カルボニル−低級アルキル基、場合によつてはＮ
−低級アルキル化されているカルバモイル−低級
アルキル基またはシアノ−低級アルキル基であ
る。 特別な記載がない場合は、前記ならびに後記で
『低級』と表示されている基および化合物は炭素
原子好ましくは７個まで、特に５個までをもつ１
価の基および炭素原子３〜６個、特に４個または
５個をもつ２価の基を包含する。 前記ならびに後記して適用される一般的概念は
特別の記載がない場合、好ましくは次の意味を持
つ。 低級アルキル基は例えばメチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル
基、イソブチル基、sec−ブチル基またはtert−
ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネ
オペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基
またはｎ−ヘプチル基である。結合炭素原子のと
ころで分枝している低級アルキル基は第１にイソ
プロピル基またはtert−ブチル基である。 低級アルケニル基は第１にアリル基、さらにビ
ニル基、２−メチル−アリル基、２−ブテニル基
または３，３−ジメチルアリル基であり、一方低
級アルキニル基は例えばエチニル基またはプロパ
ルギル基である。 低級アルコキシ基は例えばメトキシ基、エトキ
シ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ
−ブトキシ基、イソブトキシ基またはtert−ブト
キシ基である。 フエニル低級アルコキシ基は例えばベンジルオ
キシ基である。 低級アルキルチオ基は例えばメチルチオ基、エ
チルチオ基、イソプロピルチオ基またはｎ−ブチ
ルチオ基である。 ハロゲン原子は例えば塩素原子、または臭素原
子さらに弗素原子ならびに沃素原子である。 場合によつてはＮ−低級アルキル化されている
カルバモイル基は例えばカルバモイル基さらにＮ
−低級アルキル−カルバモイル基例えばＮ−メチ
ルカルバモイル基またはＮ−エチル−カルバモイ
ル基あるいはＮ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイ
ル基例えばＮ，Ｎ−ジメチル−カルバモイル基ま
たはＮ，Ｎ−ジエチル−カルバモイル基である。 低級アルカノイルアミノ基は例えばホルミルア
ミノ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ
基、ブチリルアミノ基またはピバロイルアミノ基
である。 低級アルコキシカルボニルアミノ基は例えばメ
トキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニル
アミノ基、またはtert−ブトキシカルボニルアミ
ノ基であり、一方N′−低級アルキル−ウレイド
基とN′，N′−ジ低級アルキル−ウレイド基とは
例えばN′−メチルウレイド基、N′−エチルウレ
イド基、N′，N′−ジメチルウレイド基またはN′，
N′−ジエチルウレイド基であり、一方N′−シク
ロアルキルウレイド基は例えばN′−シクロプロ
ピルウレイド基、N′−シクロペンチル−ウレイ
ド基、N′−シクロヘキシルウレイド基または
N′−シクロヘプチルウレイド基である。 低級アルキルスルホニルアミノ基は例えばメチ
ルスルホニルアミノ基またはエチルスルホニルア
ミノ基である。 ヒドロキシ低級アルキルは例えばヒドロキシメ
チル基あるいは１−または２−ヒドロキシエチル
基である。 低級アルコキシ−低級アルキル基は例えば低級
アルコキシ−メチル基または好ましくは２−（低
級アルコキシ）−エチル基例えばメトキシメチル
基、エトキシメチル基、２−メトキシ−エチル
基、２−エトキシ−エチル基または２−イソプロ
ポキシ−エチル基である。 低級アルキルチオ−低級アルキル基は例えば低
級アルキルチオメチル基または特に２−（低級ア
ルキルチオ）−エチル基例えばメチルチオメチル
基、エチルチオメチル基、２−メチルチオエチル
基または２−エチルチオエチル基である。 ハロゲノ低級アルキル基は特にトリフルオロメ
チル基である。 場合によつてはＮ−低級アルキル化されている
カルバモイル−低級アルキル基は例えばカルバモ
イルメチル基あるいは１−または２−カルバモイ
ルエチル基、さらにＮ−低級アルキル−カルバモ
イル−低級アルキル基例えばＮ−メチルカルバモ
イルメチル基あるいは１−または２−Ｎ−メチル
カルバモイル−エチル基あるいはＮ，Ｎ−ジ低級
アルキル−カルバモイル−低級アルキル基例えば
Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル−メチル基あるい
は１−または２−Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル
−エチル基である。 低級アルカノイルアミノ−低級アルキル基は例
えば低級アルカノイルアミノメチル基またはとり
わけ２−低級アルカノイルアミノエチル基例えば
アセチルアミノメチル基、プロピオニルアミノメ
チル基、２−アセチルアミノエチル基、２−プロ
ピオニルアミノ−エチル基または２−ピバロイル
アミノ−エチル基であり、一方低級アルコキシカ
ルボニルアミノ−低級アルキル基例えば低級アル
コキシカルボニルアミノ−メチル基またはとりわ
け、２−低級アルコキシカルボニルアミノ−エチ
ル基例えばメトキシカルボニルアミノ−メチル
基、エトキシカルボニルアミノ−エチル基、２−
メトキシカルボニルアミノエチル基、２−エトキ
シカルボニルアミノエチル基または２−tert−ブ
トキシカルボニルアミノ−エチル基である。 低級アルカノイルアミノ−低級アルケニル基は
特に２−低級アルカノイルアミノ−ビニル基、例
えば２−アセチルアミノ−ビニル基、２−プロピ
オニルアミノ−ビニル基または２−ピバロイルア
ミノ−ビニル基であり、一方低級アルコキシカル
ボニルアミノ−低級アルケニル基はとりわけ２−
低級アルコキシカルボニルアミノ−ビニル基例え
ば２−メトキシカルボニルアミノ−ビニル基、２
−エトキシカルボニルアミノ−ビニル基または２
−tert−ブトキシカルボニルアミノ−ビニル基で
ある。 多環のシクロアルキル基を含めシクロアルキル
基はとりわけ環炭素原子３〜10個を含有し、シク
ロプロピル基または特にシクロペンチル基、シク
ロヘキシル基またはシクロヘプチル基、さらにア
ダマンチル基例えば１−アダマンチル基である。 低級アルケニルオキシ基は特にアリルオキシ基
ならびに２−メチルアリルオキシ基、さらにビニ
ルオキシ基、２−ブテニルオキシ基または３，３
−ジメチルアリルオキシ基であり、一方低級アル
キニルオキシ基は例えばプロパルギルオキシ基で
ある。 低級アルケニルチオ基は例えばアリルチオ基、
さらに２−メチルアリルチオ基または２−ブテニ
ルチオ基である。 低級アルコキシ−低級アルコキシ基においては
両酸素原子はとりわけ炭素原子少なくとも２個、
例えば２または３個で分離され、そのような基は
例えばメトキシメトキシ基またはエトキシメトキ
シ基、しかし第１には２−（低級アルコキシ）−エ
トキシ基例えばメトキシエトキシまたは２−エト
キシ−エトキシ基ならびに３−（低級アルコキシ）
−プロポキシ基例えば３−メトキシ−プロポキシ
基または３−エトキシプロポキシ基である。 低級アルキルチオ−低級アルコキシ基において
は硫黄原子と酸素原子とはとりわけ炭素原子少な
くとも２個、例えば２または３個で互に分離され
ていて、そのような基は第１に２−（低級アルキ
ルチオ）−エトキシ基例えば２−メチルチオ−エ
トキシ基または２−エチルチオ−エトキシ基であ
る。 同様に低級アルコキシ−低級アルキルチオ基に
おいては酸素原子と硫黄原子とはとりわけ炭素原
子少なくとも２個例えば２または３個で互に分離
されていて、そのような基は第１に２−（低級ア
ルコキシ）−エチルチオ基例えば２−エトキシ−
エチルチオ基または２−エトキシ−エチルチオ基
である。 低級アルカノイルアミノ−低級アルコキシ基と
低級アルコキシカルボニルアミノ−低級アルコキ
シ基とにおいて窒素原子と結合酸素原子とはとり
わけ炭素原子少なくとも２個、例えば２または３
個で互に分離され、これらの基は第１に２−低級
アルカノイルアミノ−エトキシ基、例えば２−ア
セチルアミノ−エトキシ基、２−プロピオニルア
ミノ−エトキシ基または２−ピバロイルアミノ−
エトキシ基あるいは２−低級アルコキシカルボニ
ルアミノエトキシ基例えば２−メトキシカルボニ
ルアミノ−エトキシ基または２−エトキシカルボ
ニル−エトキシ基である。 低級アルカノイル基は特にアセチル基、プロピ
オニル基またはピバロイル基である。 低級アルカノイルオキシ基は例えばアセチルオ
キシ基、プロピオノキシ基またはピバロイルオキ
シ基である。 低級アルコキシカルボニル基は例えばメトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基またはtert
−ブトキシカルボニル基である。 Ｎ−低級アルキルアミノ基またはＮ，Ｎ−ジ低
級アルキルアミノ基は例えばメチルアミノ基、エ
チルアミノ基、ジメチルアミノ基またはジエチル
アミノ基である。 場合によつては不飽和のＮ，Ｎ−低級アルキル
アミノ基はとりわけ環員数５〜７であり、特にピ
ロリジノ基またはピペリジノ基、さらに１−ピリ
ル基、であり、一方Ｎ，Ｎ−アザ低級アルキレン
アミノ基、Ｎ，Ｎ−オキサ低級アルキレンアミノ
基およびＮ，Ｎ−チア低級アルキレンアミノ基は
とりわけ環員数６であり、第２の環ヘテロ原子は
結合窒素原子から炭素原子２個で分離され、Ｎ，
Ｎ−アザ低級アルキレンアミノ基においては場合
によつては例えば低級アルキル基によつて置換さ
れていて、そのような基は例えば４−メチル−１
−ピペリジノ基、４−モルホリノ基または４−チ
オモルホリノ基である。 フエニル低級アルキル基は例えばベンジル基あ
るいは１−または２−フエネチル基である。 ピリジルオキシ基は例えば２−ピリジルオキシ
基、３−ピリジルオキシ基または４−ピリジルオ
キシ基である。 置換基として、とりわけ場合によつてはＮ−低
級アルキル化されているカルバモイル基を含有し
ているフエニルオキシ低級アルキル基およびピリ
ジルオキシ−低級アルキル基R1においては酸素
原子と、窒素原子に結合する結合炭素原子とはと
りわけ炭素原子少なくとも２個例えば２または３
個で互に分離されている。そのような置換基は特
に２−（場合によつてはＮ−低級アルキル化され
ているカルバモイル−フエニルオキシ）−低級ア
ルキル基例えば２−（２−カルバモイルフエノキ
シ）−エチル、２−（４−カルバモイルフエノオキ
シ）−エチル基、２−（２−Ｎ−メチルカルバモイ
ル−フエノキシ）−エチル基または２−（４−Ｎ，
Ｎ−ジメチルカルバモイル−フエノキシ）−エチ
ル基、さらに２−（場合によつてはＮ−アルキル
化されているカルバモイル−ピリジルオキシ）−
低級アルキル基例えば２−（４−カルバモイル−
２−ピリジルオキシ）−エチル基、２−（２−カル
バモイル−４−ピリジルオキシ）−エチル基また
は２−（３−カルバモイル−２−ピリジルオキシ）
−エチル基である。 低級アルコキシカルボニル−低級アルキル基は
例えば低級アルコキシカルボニルメチル基または
１−低級アルコキシカルボニル−２−プロピル基
例えばメトキシカルボニルメチル基、エトキシカ
ルボニルメチル基、１−メトキシカルボニル−２
−プロピル基または１−エトキシカルボニル−２
−プロピル基である。 場合によればＮ−低級アルキル化されているカ
ルバモイル−低級アルキル基は第１にカルバモイ
ルメチル基、さらにＮ−低級アルキルカルバモイ
ル−メチル基またはＮ，Ｎ−ジ低級アルキルカル
バモイル−メチル基、例えばＮ−メチルカルバモ
イルメチル基、Ｎ−エチルカルバモイルメチル
基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルメチル基また
はＮ，Ｎ−ジエチルカルバモイルメチルならびに
１−カルバモイル−２−プロピル基さらに１−Ｎ
−低級アルキル−カルバモイル−２−プロピル基
または１−Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル
−２−プロピル基例えば１−Ｎ−メチルカルバモ
イル−２−プロピル基、１−Ｎ−エチルカルバモ
イル−２−プロピル基、１−Ｎ，Ｎ−ジメチルカ
ルバモイル−２−プロピル基または１−Ｎ，Ｎ−
ジエチルカルバモイル−２−プロピル基である。 シアノ−低級アリキル基は例えばシアノメチル
基または１−シアノ−２−プロピル基である。 本発明は、例えば、Ｘがハロゲン原子あるいは
硫酸またはリン酸の残基であり、Ar1がナフチル
基、低級アルキル−フエニル基、低級アルケニル
−フエニル基、低級アルケニルオキシ−フエニル
基、低級アルカノイルアミノ−フエニル基、低級
アルコキシ低級アルキル−フエニル基、９，10−
エタノ−９，10−ジヒドロ−ベンズアントリル
基、ピラジニル基、ピリミジル基、インドリル
基、ベンゾフリル基、シアノ−ピリジル基、ピリ
ル−フエニル基、低級アルコキシカルボニルアミ
ノ低級アルキル−ピリジル基、N′−シクロアル
キル−ウレイド−フエニル基、（ベンゾイミダゾ
ール−２−オン）−イル基、フエニル低級アルコ
キシ−フエニル基、ヒドロキシフエニル基であ
り、R1が低級アルキル基、フエニル低級アルキ
ル基、フエノキシ低級アルキル基またはピリジル
オキシ基であり、R2が低級アルキル基、フエニ
ル低級アルキル基、フエノキシ低級アルキル基ま
たはフエニル基である式（）で表わされる光学
活性化合物あるいは遊離の塩基としてのそのよう
な化合物に関する。 本発明の最も重要な態様は、さらに、Ｘが塩素
原子または臭素原子あるいは硫酸またはリン酸の
酸基であり、Ar1が１−ナフチル基、３−低級ア
ルキル−フエニル基、２−低級アルケニル−フエ
ニル基、２−低級アルケニルオキシ−フエニル
基、４−低級アルカノイルアミノ−フエニル基、
４−（２−低級アルコキシ−エチル）−フエニル
基、２−ピラジニル基、２−ピリミジニル基、
（１−ピリル）−フエニル基、４−インドリル基、
５−（２−低級アルコキシカルボニルアミノ−エ
チル）−ピリジル基、３−シアノ−ピリジル基、
４−（ベンゾイミダゾール−２−オン）−イル基、
４−（N′−シクロアルキル−ウレイド）−フエニ
ル基、ベンジルオキシ−フエニル基、ヒドロキシ
フエニル基であり、R1が低級アルキル基、フエ
ニル低級アルキル基、またはフエノキシ低級アル
キル基であり、R2が低級アルキル基、フエニル
低級アルキル基またはフエニル基である式（）
で表わされる光学活性の化合物あるいは遊離の塩
基としてのそのような化合物に関する。 本発明は、実質的に、Ｘが塩素原子または臭素
原子あるいは硫酸またはリン酸の残基であり、
Ar1が１−ナフチル基、３−メチル−フエニル
基、２−アリル−フエニル基、２−アリルオキシ
−フエニル基、４−アセチルアミノ−フエニル
基、４−インドリル基、４−（２−メトキシエチ
ル）−フエニル基、２−ピラジニル基、２−ピリ
ミジニル基、２−（１−ピリル）−フエニル基、４
−（N′−シクロヘキシルウレイド）−フエニル基、
４−ベンジルオキシ−フエニル基、または４−ヒ
ドロキシ−フエニル基であり、R1が低級アルキ
ル基またはフエニル低級アルキル基であり、R2
が低級アルキル基、フエニル低級アルキル基また
はフエニル基である式（）で表わされる光学活
性の化合物あるいは遊離の塩基としてのそのよう
な化合物に関する。 本発明は、特に、Ｘが塩素原子または硫酸の残
基であり、Ar1が２−（１−ピリル）−フエニル
基、１−ナフチル基、２−アリル−フエニル基、
２−アリルオキシ−フエニル基、４−（N′−シク
ロヘキシルウレイド）−フエニル基、２−ピラジ
ニル基、４−ベンジルオキシ−フエニル基、また
は４−ヒドロキシフエニル基であり、R1が低級
アルキル基であり、R2が低級アルキル基または
フエニル基である式（）で表わされる光学活性
の化合物あるいは遊離の塩基としてのそのような
化合物に関する。 本発明は特に、例に記載されている式（）で
表わされる化合物に関する。 ドイツ特許公開第585164号明細書から光学活性
フエニルアルキルアミンの旋光性の反転法は公知
であり、そこでは例えばｄ−ｍ−ヒドロキシフエ
ニルエタノールメチルアミンを無水酢酸と濃硫酸
と共に還流して加熱し、過剰の無水酢酸を蒸発後
残る残渣を希硫酸でヒドロリシスし、そのヒドロ
リシス物から１−ｍ−ヒドロキシフエニルエタノ
ールメチルアミンを単離している。 NagaiとKanao［Liebig's Annalen der
Chemie 470、157−182（1929）］とは、特に第
160頁でＮ−ベンゾイル−ノル−ｄ、１−エフエ
ドリンから濃硫酸により閉環の下にオキサゾリン
を生成させ、それを希塩酸と煮沸してヒドロリシ
スすることを記載している。 米国特許第2446192号明細書には例えばメチル
−またはエチルエステルの形のＮ−アセチル−ま
たはＮ−ベンゾイル−ｄ，１−アロトレオニンを
塩化チオニルを用いて対応するオキサゾリンに変
換し、これを酸性またはアルカリ性のヒドロリシ
スによつてｄ，１−トレオニンに移行させるｄ，
１−アロトレオニンからｄ，１−トレオニンへの
変換を記載している。塩化チオニルの代わりに脱
水ならびに環化作用のある薬剤としては５塩化リ
ン、３塩化リンまたは５酸化リンが引用されてい
るが塩化チオニルが好ましい。 J.Amer.Chem.Soc.、70 2297−98（1948）から
はさらにＮ−ベンゾイル−ｄ，１−アロトレオニ
ン−メチルエステルを塩化チオニルによつて対応
するオキサゾリン塩酸塩に移行させ、これから希
塩酸を用いるヒドロリシスによつてｄ，１−トレ
オニンを得ることが公知である。これに続いて、
記載されたオキサゾリン反転が高収率のジアステ
レオマーα，β−アミノアルコールの逆向きの変
換のために、一般的に適用できる方法であること
が記載されている。前記の方法においては第2N
−アシルアミノアルコールが出発材料として用い
られ、その場合は窒素原子に存在する水素原子が
オキサゾリン環形成の際除去される。 Chemical Abstracts 84、 43593 ｘ
（1976）によればフエニルエタノールアミンおよ
びフエノキシエタノールアミンの誘導体をハロゲ
ノギ酸エステルと反応させ、得られるＮ−アルコ
キシカルボニル−化合物を塩化チオニルまたは臭
化チオニルによつて対応するオキサゾリジノンに
環化する。それからアルカリ性のヒドロリシスま
たは水素化リチウムアルミニウムでの還元により
出発物質に対応し、逆の立体配置をもつ化合物を
得る。 H.K.Muller、Ann、599、211−221（1956）は
前記して説明した文献W.H.NagaiとS.Kanaoを
参照し、硫酸の代わりに塩化チオニルを適用する
とＮ−ベンゾイル−ｄ，１−ノルエフエドリンの
転位を満足すべき収率で達成し、生成する中間生
成物がより容易に鹸化される故にｄ，１−プソイ
ドエフエドリンの出発材料としてはＮ−アセチル
−ｄ，１−ノルエフエドリンの方がより適してい
ることを明らかにした。Ｎ−アセチル誘導体から
出発して対応するオキサゾリンの不安定な前生成
物、２−クロル−２，４−ジメチル−５−フエニ
ル−オキサゾリジン塩酸塩を単離し、その上ｄ，
１−ノルエフエドリンと塩化チオニルとの反応お
よび引つづくＮ−アセチル化によつて、明らかに
異なつた性質をもつ異性体ｄ，１−トレオ−１−
フエニル−１−クロル−２−アセタミド−プロパ
ン塩酸塩を製造してオキサゾリンの構造を確認し
た。 技術の現在の状態からとりわけＮ−アシル化さ
れている、特にＮ−アセチル化されている第１ア
ミノ基をもつα−アミノアルコールの配置反転に
はＮ−アシル誘導体の塩化チオニルによる、対応
するオキサゾリンへの移行、およびとりわけアル
カリ性のヒドロリシスが使用できる有利な方法で
あることが判明し、他の方法も同様に考えられ
る。 これに対し、第２アミノ基をもつα−アミノア
ルコールの配置反転は今まではＮ−アシル化とそ
のＮ−アシル誘導体の、無水酢酸中での濃硫酸と
の煮沸と未知の構造をもつその反応生成物の希硫
酸でのヒドロリシスによつて行なわれている。こ
の方法のｄ−プソイドエフエドリンへの適用にお
いては反転生成物の収率が僅に65％であつて、そ
れはモノステレオマー化合物において新たに分離
すべきラセミ体約70％のほか反転生成物の収率僅
30％に対応する。その上、第１にＮ−アシル化合
物のオキサゾリンへの変換にはかなり苛酷な反応
条件を要する。他方例えばChemicalReviews
54、614 685、特に632と633（1954）およびそこに
引用されている文献から、多くのアリール−アル
キルエーテルは従来氷酢酸中での硫酸と一緒の煮
沸において分裂することが公知である。さらに前
記の、NagaiとKanaoとによつて記載された配置
反転の方法の、Ｓ（−）−１−（４−ベンジルオキ
シ−フエノキシ）−３−イソプロピルアミノ−２
−プロパノールでの対応するＲ（＋）−化合物製造
のための適用は本質的にエーテル分裂により非常
に不純にされている生成物になることが見出され
た。そのような結果は３−アルキルアミノ−２−
プロパノールのエーテル誘導体への公知の方法が
不満足な結果になることをよく説明する。 このことを考慮すれば１−アリールオキシ−３
−第２アミノ−２−プロパノールの型の光学活性
化合物において同様な配置反転を行うことが出来
ると云うことは期待できない。α−第１アミノア
ルコールにおいて緩和な反応条件の下に良好な結
果で行うことができる、Ｎ−アシル誘導体例えば
Ｎ−アセチル化合物の例えば塩化チオニルとの中
間の方法段階としてのオキサゾリン化合物の形成
の反応の反応順序は、オキサゾリンの形成がＮ−
アシル化されている出発物質の窒素原子に水素原
子が欠損しているために可能とは思われない故
に、１−アリールオキシ−３−第２アミノ−２−
プロパノールにおける適用にはなおさら考慮され
るようには思われない。 驚くべきことには式（）で表わされる光学活
性化合物における配置の反転は式 （この式で、R2は単環または多環、炭素環式ま
たは複素環式の基あるいは場合によつては置換さ
れている脂肪族、脂環式またはアリール置換脂肪
族の炭化水素残基である） で表わされ、Ｒ（＋）−あるいはＳ（−）−配置をも
つ光学活性化合物を、強い酸素原子含有の無機ま
たは有機酸またはそのハロゲン化物での処理によ
つて式 （この式で、Xは強い酸素原子含有の無機また
は有機酸の陰イオンあるいはハロゲン原子の陰イ
オンである） で表わされる光学活性化合物へ変換し、そうして
得られる、式（）で表わされる化合物を、場合
によつては中間段階として対応する遊離の塩基を
経て、適用した出発材料の配置とは反対の配置を
もつ式（）で表わされる化合物にヒドロリシス
し、所望の場合は式（）で表わされる遊離の化
合物を塩にあるいは得られる塩を遊離の化合物に
移行させて実現できることが発見された。 強い酸素原子含有の無機または有機酸としては
例えば濃硫酸またはリン酸あるいは強い有機スル
ホン酸例えば脂肪族スルホン酸例えばメタンスル
ホン酸または芳香族スルホン酸例えば場合によつ
ては置換されているフエニルスルホン酸例えば４
−メチル−、４−ブロム−、４−ニトロ−または
２，４−ジニトローフエニルスルホン酸またはナ
フチルスルホン酸例えば１−ナフチルスルホン酸
あるいはそれらの酸ハロゲン化物第１に塩化物ま
たは臭化物例えば塩化チオニル、臭化チオニル、
塩化スルフリル、クロルスルホン酸、３塩化リ
ン、５塩化リン、塩化ホスホリルまたは塩化メタ
ンスルホニルが考えられる。さらに前記の酸ハロ
ゲン化物に対応する混合エステル例えばハロゲン
化低級アルコキシスルホニル例えば塩化メトキシ
スルホニルまたは塩化エトキシスルホニルあるい
はハロゲン化リン酸−低級アルキルエステル例え
ば塩化リン酸ジメチルエステルも適用してもよ
い。 それに従つて式（）中のXは特に塩素原子
または臭素原子、硫酸、リン酸あるいは強い有機
スルホン酸例えば前記の１つの陰イオンである。 環化縮合は前記の酸を縮合剤として使用する場
合、通常温度範囲約＋50℃〜＋200℃、酸ハロゲ
ン化物適用においては−10℃〜＋70℃、とりわけ
＋10℃〜＋50℃で行なわれる。 前記のヒドロリシスは酸性または塩基性媒質中
で行なわれる。適当な酸性の薬剤は例えば水性の
酸例えば水性の鉱酸例えば水性の塩酸、硫酸また
はリン酸である。酸性のヒドロリシスは温度範囲
０〜120℃、有利には＋10℃〜＋50℃で行なう。
塩基性媒質としては例えば水性のアルカリ溶液例
えばアルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸
化物例えば水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウ
ムあるいはカルシウムまたはマグネシウムの水酸
化物が適当で、その場合前記の試薬は高めた温度
例えば50〜150℃の範囲で用いるのが有利である。 前記のヒドロリシスはまた段階的に行うことも
でき、式（）で表わされる化合物は水性媒質中
中間段階として対応する遊離の塩基を経で逆の立
体配置をもつ式（）で表わされる対応するＮ−
アシル化合物例えば式（）で表わされ適用され
る出発材料にヒドロリシスされ、ついでこの化合
物が式（）で表わされる化合物の１つのヒドロ
リシスされる。 本方法は有利には、その場で用いられる、式
（）で表わされる出発生成物を純粋な形で単離
することなく同じ反応項目で式（）で表わされ
る化合物に加工し、得られる式（）で表わされ
る化合物をそれ以上精製することなくヒドロリシ
スにかけて行うこともできる。 式（）で表わされる出発材料または式（）
で表わされる中間生成物においてR2は例えば基
Ar1または基R1に対応する意味をもち、特に場合
によつては例えば前記の置換されているフエニル
基、ナフチル基またはピリジル基、さらに低級ア
ルキル基例えばイソプロピル基またはtert−ブチ
ル基、場合によつては結合炭素原子のところで分
枝している低級アルキル基をもつフエニル低級ア
ルキル基またはフエニルオキシ低級アルキル基例
えば１−メチル−３−フエニルプロピル基または
１−メチル−３−フエノキシプロピル基である。 以下の実施例によつて本発明を示す。温度は摂
氏温度である。 例 １ ジメチルホルムアミド78ml中のＲ（＋）−１−
（４−ベンジルオキシ−フエノキシ）−３−イソプ
ロピルアミノ−２−プロパノール26.2ｇ溶液に10
℃で無水酢酸18ｇを滴下する。その溶液を20℃で
２時間かきまぜ、水300mlに注加し、トルエン160
mlで抽出する。このトルエン溶液を炭酸水素ナト
リウム溶液で洗浄し、硫酸ナトリウム上乾燥し、
真空中蒸発すると、粗Ｒ（＋）−１−（４−ベンジ
ルオキシフエノキシ）−３−Ｎ−イソプロピル−
Ｎ−アセチルアミノ−２−プロパノールを得る。 これを塩化メチレン40ml中に溶解し、５〜10
℃、45分間で塩化メチレン18ml中の塩化チオニル
6.2ml溶液に滴下して加える。この溶液を20℃で
２時間、それから35℃で１時間かきまぜ、ついで
真空中乾燥するまで蒸発する。 粗塩化Ｓ（−）−１−イソプロピル−２−メチル
−４−（４−ベンジルオキシ−フエノキシメチル）
−オキサゾリウム32ｇ（93％）を濃厚な、直に、
結晶する油として得る。この吸湿性の結晶は結晶
塩化水素１モルを含有し、塩化メチレン−酢酸エ
チルエステル混合物から再結晶するとその結晶は
78〜82℃で融ける。 粗塩化Ｓ（−）−１−イソプロピル−２−メチル
−４−（４−ベンジルオキシ−フエノキシメチル）
−オキサゾリウム32ｇに水25mlとエタノール100
mlと水酸化ナトリウム16ｇとを混合し、この混合
物を１時間還流して煮沸し、この後その反応混合
物を水300mlに注加し、０℃に冷却する。折出す
る結晶を吸引し、乾燥すると、Ｓ（−）−１−（４
−ベンジルオキシフエノキシ）−３−イソプロピ
ルアミノ−２−プロパノール23.6ｇ（理論量の90
％）を得る。 〔α〕20 D出発生成物＋25゜（1N硫酸中１％溶液） 〔α〕20 D目的生成物−22゜（1N硫酸中１％溶液） 光学的収率：87％ Ｒ（＋）−１−（４−ベンジルオキシフエノキシ）
−３−イソプロピルアミノ−２−プロパノールは
例えば次のようにして得ることができる。 (a) （＋）−１−（４−ヒドロキシフエノキシ）−
２−ヒドロキシ−３−（イソプロピルアミノ）−
プロパン4.5ｇをメタノール30ml中に溶解し、
メタノール25mlと水25mlとの中の（−）−ジ−
ｏ，o′−ｐ−トルオイル−Ｌ−酒石酸8.1ｇ溶
液と混合する。それからこの溶液を室温で水流
ポンプ真空中少し濁りが出るまで濃縮し、つい
で結晶するまで０℃に15時間放置する。析出す
る結晶を吸引し、ついでメタノール−水１：１
から２回再結晶する。Ｒ（＋）−１−（４−ヒド
ロキシフエノキシ）−２−ヒドロキシ−３−イ
ソプロピルアミノ−プロパン−（−）−ジ−ｏ，
o′−ｐ−トルオイル−Ｌ−水素酒石酸塩を得
る。融点134〜137℃。 遊離の鏡像異性体の塩基の単離のためその塩
を2N−塩酸中にとり、酢酸エチルエステルを
用いて抽出する。この抽出液から（−）−ジ−
ｏ，o′−ｐ−トルオイル−Ｄ−酒石酸を再生で
きる。この塩酸溶液を濃アンモニアでアルカリ
性にし、塩化ナトリウムで飽和し、酢酸エチル
エステルで抽出する。この有機相を塩水で洗浄
し、硫酸ナトリウム上乾燥し、水流ポンプ真空
中で蒸発する。残渣を酢酸エチルエステルから
結晶させると、融点129〜130℃の純粋なＲ（＋）
−１−（４−ヒドロキシフエノキシ）−３−イソ
プロピルアミノ）−２−プロパノールを得る。 〔α〕20 D：＋0.9±0.5゜（メタノール中１％溶液） 〔α〕20 D＋20.5±0.5゜（1N硫酸中１％溶液） (b) ジメチルホルムアミド中Ｒ（＋）−１−（４−
ヒドロキシフエノキシ）−３−イソプロピルア
ミノ）−２−プロパノール塩酸塩52ｇの溶液を
室温で、水中の水酸化ナトリウムの50％溶液42
ｇと混合する。この混合物に30℃、15分間で臭
化ベンジル33ｇを滴加し、室温で１時間かきま
ぜる。反応混合物を０℃に冷却した水600mlに
注ぎ込み、０℃で１時間かきまぜ、析出する結
晶を吸引ろ化し、乾燥すると、融点91〜93℃の
Ｒ（＋）−１−（４−ベンジルオキシフエノキシ）
−３−イソプロピルアミノ−２−プロパノール
を得る。 例 ２ 無水酢酸25ml中にかきまぜながらＳ（−）−１−
（４−ヒドロキシフエノキシ）−３−イソプロピル
アミノ−２−プロパノール6.5ｇを滴下して入れ
ると発熱の下に透明な溶液が生成する。これを無
水酢酸10ml中硫酸（96％）３ｇの溶液と混合し、
その混合物を２時間還流する。ついで得られた溶
液を真空中濃縮する。その残渣は粗硫酸Ｒ（＋）−
１−イソプロピル−２−メチル−４−（４−ヒド
ロキシフエノキシメチル）−オキサゾリウムで、
それを1N硫酸50ml中にとり、２時間還流する。
それから氷100ｇを加え、アンモニアでPH９に調
節する。その溶液を酢酸エチルエステルそれぞれ
100mlで４回抽出し、一緒にしたその有機相を硫
酸ナトリウム上で乾燥し、乾燥するまで蒸発す
る。Ｒ（＋）−１−（４−ヒドロキシフエノキシ）−
３−イソプロピルアミノ−２−プロパノール5.5
ｇ（理論量の85％）を得る。 〔α〕20 D出発材料：−20.5゜（1N硫酸中１％溶液） 〔ａ〕20 D目的生成物：＋17.3゜（1N硫酸中１％溶
液） 光学的収率：85％ 例 ３ 無水酢酸25ml中にかきまぜながらＳ（−）−１−
（４−ベンジルオキシフエノキシ）−３−イソプロ
ピルアミノ−２−プロパノール6.5ｇを滴下して
入れると、発熱を伴つて透明な溶液が生成する。
これを無水酢酸10ml中の硫酸（96％）３ｇの溶液
と混合し、その混合物を２時間還流する。ついで
得られた溶液を真空中濃縮し、その残渣を1N硫
酸50ml中にとり、２時間還流する。それから氷
100ｇを加え、アンモニアでPH９に調節する。こ
の溶液を酢酸エチルエステルそれぞれ100mlで４
回抽出し、その一緒にした有機相を硫酸ナトリウ
ム上で乾燥し、乾燥するまで蒸発する。残渣3.5
ｇを得、それは非常に不純のＲ（＋）−１−（４−
ヒドロキシフエノキシ）−３−イソプロピルアミ
ノ−２−プロパノールである。 例 ４ Ｄ（＋）−１−（ｏ−アリルオキシフエノキシ）−
３−イソプロピルアミノ−２−プロパノール0.9
ｇをジメチルホルムアミド５ml中に溶解し、10℃
で無水酢酸0.34mlを滴下する。この溶液を20℃で
２時間かきまぜ、水25ml中に注加し、トルエンそ
れぞれ30mlで２回抽出する。そのトルエン溶液を
硫酸マグネシウム上で乾燥の後、真空中乾燥する
まで蒸発すると粗Ｄ（＋）−１−（ｏ−アリルオキ
シフエノキシ）−３−Ｎ−イソプロピル−Ｎ−ア
セチルアミノ−２−プロパノールを得る。これを
塩化メチレン５ml中に溶解し、５〜10℃、45分間
で塩化メチレン５ml中の塩化チオニル0.6ml溶液
に滴下し、ついで20℃で２時間、35℃で１時間か
きまぜ、ついで真空中乾燥するまで蒸発する。そ
の残渣は粗塩化Ｌ（−）−１−イソプロピル−２−
メチル−４−（ｏ−アリルオキシ−フエノキシメ
チル）−オキサゾリウムである。水１mlとエタノ
ール10mlとの中のこの化合物の溶液を水酸化ナト
リウム1.0ｇと混合し、その混合物を１時間還流
して煮沸し、それから水25ml中に注加し、この溶
液をトルエンそれぞれ25mlで２回抽出し、一緒に
した有機相を硫酸マグネシウム上で乾燥後真空中
で乾燥するまで蒸発する。その残渣をシクロヘキ
サノール2.5mlに溶解し、その溶液を冷却する。
そこで析出する結晶を吸引すると、Ｌ（−）−１−
（ｏ−アリルオキシフエノキシ）−３−イソプロピ
ルアミノ−２−プロパノール0.7ｇ（理論量の78
％）を得る。 〔α〕D出発生成物：13.5゜±0.5（1N硫酸中１％溶
液） 〔α〕D目的生成物：−12.7゜±0.5（1N硫酸中１％
溶液） 光学的収率：94％。 出発材料として適用するＤ（＋）−１−（ｏ−ア
リルオキシフエノキシ）−３−イソプロピルアミ
ノ−２−プロパノールは次のように製造すること
ができる。 ラセミ体１−（ｏ−アリルオキシフエノキシ）−
３−イソプロピルアミノ−２−プロパノール265
ｇ（１モル）とＬ（＋）−グルタミン酸（〔α〕20 546
＝＋36±2゜、5N水性塩酸中５％溶液）140ｇ
（0.95モル）とを乳鉢中でよく混合し、この混合
物を70℃に加温してある水470ml中に溶解する。
この暖い溶液を透明に濾過し、その無色の濾液を
96％エタノール2300mlと混合し、その溶液を50℃
に24時間放置する。析出する微結晶沈殿を吸引
し、エタノール200mlで洗浄し、風乾する。融点
172〜173℃の粗Ｄ（＋）−１−（ｏ−アリルオキシ
フエノキシ）−３−イソプロピルアミノ−２−プ
ロパノールＬ（＋）グルタミン酸塩220ｇを得る。
これを70℃で水100mlに溶解し、その溶液をメタ
ノール800mlと混合する。５℃で15時間放置後析
出する沈殿を吸引すると鏡像異性の塩210ｇを得
る。融点176〜178℃。同じ条件で更に再結晶する
と純粋なＤ（＋）−１−（ｏ−アリルオキシフエノ
キシ）−３−イソプロピルアミノ−２−プロパノ
ールＬ（＋）−グルタミン酸塩125ｇとなり、それ
は８時間、60℃／0.03Hｇで乾燥すると次のよう
な特性を示す。融点179〜181℃； 〔α〕313：＋34±1゜（水中１％溶液として） 〔α〕D：＋7.2゜（水中１％溶液として）。 C5H23NO3・C5H9NO4に対する元素分析 Ｃ Ｈ Ｎ 計算値(%) 58.2 7.8 6.8 分析値(%) 58.2 7.9 6.7 Ｄ（＋）−１−（ｏ−アリルオキシフエノキシ）−
３−イソプロピルアミノ−２−プロパノールＬ
（＋）−グルタミン酸塩の水溶液に水性アンモニア
を加えてアルカリ反応を起こし、塩化メチレンで
抽出し、それを乾燥するまで蒸発し、その残渣を
エーテルとヘキサンとから再結晶して融点55〜56
℃の遊離の塩基を得る。その塩酸塩は次の性質を
もつ。融点72〜74℃：〔α〕20 D：＋19±1゜（エタノ
ール中１％溶液）。 一緒にした母液に水性アンモニアを加えアルカ
リ反応し起こし、塩化メチレンで抽出し蒸発する
ことによつて、Ｌ（−）−対掌体に富んだ生成物を
得る。この生成物からはＤ（−）−グルタミン酸適
用の下に前記の方法を同様に適用して対応するＬ
（−）−１−（ｏ−アリルオキシフエノキシ）−３−
イソプロピルアミノ）−２−プロパノールを得、
その塩酸塩は次の性質を示す。 融点73〜75℃：〔α〕20 D＝−19±1゜（エタノール
中１％溶液）。 例 ５ （−）−１−（１−ナフチルオキシ）−３−イソ
プロピルアミノ−２−プロパノール塩酸塩0.9ｇ
を水10mlに溶解し、1N水酸化ナトリウム溶液４
mlと混合し、その混合物を酢酸エチルエステルそ
れぞれれ25mlで３回抽出する。その有機溶液を硫
酸マグネシウム乾燥後真空中で蒸発し、残渣とし
て得られる遊離の塩基をジメチルホルムアミド５
mlに溶解し、この溶液に10℃で無水酢酸0.34mlを
滴下して加える。その溶液を20℃で２時間かきま
ぜ、水25ml中に注加し、トルエンそれぞれ30mlで
２回抽出する。そのトルエン溶液を硫酸マグネシ
ウム上で乾燥後乾燥するまで蒸発すると、粗
（−）−１−（１−ナフチルオキシ）−３−Ｎ−イソ
プロピル−Ｎ−アセチルアミノ−２−プロパノー
ルを得る。これを塩化メチレン５mlに溶解し、５
〜10℃、45分間で塩化メチレン５ml中の塩化チオ
ニル0.6ml溶液に滴下し、ついで20℃で２時間、
35℃で１時間かきまぜ、ついで真空中乾燥するま
で蒸発する。油状の残渣は粗塩化（＋）−１−イ
ソプロピル−２−メチル−４−（１−ナフチルオ
キシメチル）−オキサゾリウムである。水１mlと
エタノール10mlとの中のこの化合物の溶液を水酸
化ナトリウム１ｇと混合し、その混合物を１時間
還流する。その後反応混合物を水25ml中に注加
し、トルエンそれぞれ25mlで２回抽出し、そのト
ルエン層を硫酸マグネシウム上で乾燥後真空中で
乾燥するまで蒸発する。 その残渣をイソプロパノール５mlに溶解し、イ
ソプロパノール中の塩酸ガス溶液でメチルレツド
に対して中性にする。そこで析出する結晶を吸引
すると（＋）−１−（１−ナフチルオキシ）−３−
イソプロピルアミノ−２−プロパノール塩酸塩
0.7ｇ（理論値の78％）を得る。 〔α〕D出発生成物：−13.2゜±0.5（水中１％溶液、
20℃） 〔α〕D目的生成物：−13.7±0.5（水中１％溶液、
20℃） 光学的収率：100％。 出発材料として適用される（−）−１−（１−ナ
フチルオキシ）−３−イソプロピルアミノ−２−
プロパノール塩酸塩は例４に記載の、ラセミ体分
割法と同様にして得られる。この出発材料は次の
性質を示す。 （＋）−１−（１−ナフチルオキシ）−３−イソ
プロピルアミノ−２−プロパノール塩酸塩：融点
192〜193℃；〔α〕20 D＋25±1゜（エタノール中１％
溶液）： （−）−１−（１−ナフチルオキシ）−３−イソ
プロピルアミノ−２−プロパノール塩酸塩：融点
192〜193℃；〔α〕20 D−25±1゜（エタノール中１％
溶液）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 式： （この式で、Ar1は芳香族性をもつ環を少なくと
も１個もち、とりわけ芳香族性をもつ環の環炭素
原子を通じて酸素原子と結合する単環または多環
で、炭素環式または複素環式の基であり、R1は
場合によつては置換されている脂肪族、脂環式ま
たはアリール置換脂肪族の炭化水素残基であり、
R2は単環または多環で、炭素環式または複素環
式の基あるいは場合によつては置換されている脂
肪族、脂環式またはアリール置換脂肪族の炭化水
素残基であり、Xは強い、酸素原子含有無機又
は有機酸の陰イオンあるいはハロゲン原子の陰イ
オンである） で表わされる光学活性化合物または遊離の塩基の
形のそのような化合物。 ２ 前記式（）において、Ｘがハロゲン原子あ
るいは硫酸またはリン酸の残基であり、Ar1がナ
フチル基、低級アルキル−フエニル基、低級アル
ケニルフエニル基、低級アルケニルオキシ−フエ
ニル基、低級アルカノイルアミノ−フエニル基、
低級アルコキシ低級アルキル−フエニル基、９，
10−エタノ−９，10−ジヒドロ−ベンズアントリ
ル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、インドリ
ル基、ベンゾフリル基、シアノ−ピリジル基、ピ
リル−フエニル基、低級アルコキシカルボニルア
ミノ−低級アルキル−ピリジル基、N′−シクロ
アルキル−ウレイド−フエニル基、（ベンゾイミ
ダゾール−２−オン）−イル基、フエニル低級ア
ルコキシフエニル基、ヒドロキシフエニル基であ
り、R1が低級アルキル基、フエニル低級アルキ
ル基またはピリジルオキシ基であり、R2が低級
アルキル基、フエニル低級アルキル基、フエノキ
シ低級アルキル基又はフエニル基である特許請求
の範囲第１項記載の光学活性化合物または遊離の
塩基の形のそのような化合物。 ３ 前記式（）において、Ｘが塩素原子または
臭素原子あるいは硫酸またはリン酸の残基であ
り、Ar1が１−ナフチル基、３−低級アルキル−
フエニル基、２−低級アルケニル−フエニル基、
２−低級アルケニルオキシ−フエニル基、４−低
級アルカノイルアミノ−フエニル基、４−（２−
低級アルコキシ−エチル）−フエニル基、２−ピ
ラジニル基、２−ピリミジニル基、（１−ピリル）
−フエニル基、４−インドリル基、５−（２−低
級アルコキシカルボニルアミノ−エチル）−ピリ
ジル基、３−シアノ−ピリジル基、４−（ベンゾ
イミダゾール−２−オン）−イル基、４−（N′−
シクロアルキル−ウレイド）−フエニル基、ベン
ジルオキシ−フエニル基、ヒドロキシフエニル基
であり、R1が低級アルキル基、フエニル低級ア
ルキル基またはフエノキシ低級アルキル基であ
り、R2が低級アルキル基、フエニル低級アルキ
ル基またはフエニル基である特許請求の範囲第１
項記載の光学活性化合物または遊離の塩基の形の
そのような化合物。 ４ 前記式（）において、Ｘが塩素原子または
臭素原子あるいは硫酸またはリン酸の残基であ
り、Ar1が１−ナフチル基、３−メチル−フエニ
ル基、２−アリル−フエニル基、２−アリルオキ
シ−フエニル基、４−アセチルアミノ−フエニル
基、４−インドリル基、４−（２−メトキシ−エ
チル）−フエニル基、２−ピラジニル基、２−ピ
リミジニル基、２−（１−ピリル）−フエニル基、
４−（N′−シクロヘキシルウレイド）−フエニル
基、４−ベンジルオキシ−フエニル基、または４
−ヒドロキシ−フエニル基であり、R1が低級ア
ルキル基またはフエニル低級アルキル基であり、
R2が低級アルキル基、フエニル低級アルキル基
またはフエニル基である特許請求の範囲第１項記
載の光学活性化合物または遊離の塩基の形のその
ような化合物。 ５ 前記式（）においてＸが塩素原子または硫
酸の残基であり、Ar1が２−（１−ピリル）−フエ
ニル基、１−ナフチル基、２−アリル−フエニル
基、２−アリルオキシ−フエニル基、４−（N′−
シクロヘキシルウレイド）−フエニル基、２−ピ
ラジニル基、４−ベンジルオキシ−フエニル基又
は４−ヒドロキシフエニル基であり、R1が低級
アルキル基であり、R2が低級アルキル基または
フエニル基である特許請求の範囲第１項記載の光
学活性化合物または遊離の塩基の形のそのような
化合物。 ６ Ｓ（−）−１−イソプロピル−２−メチル−４
−（４−ベンジルオキシ−フエノキシメチル）−オ
キサゾリニウムクロリドである特許請求の範囲第
１項記載の化合物。 ７ Ｒ（＋）−１−イソプロピル−２−メチル−４
−（４−ヒドロキシ−フエノキシメチル）−オキサ
ゾリニウムスルフアトである特許請求の範囲第１
項記載の化合物。 ８ Ｌ（−）−１−イソプロピル−２−メチル−４
−（ｏ−アリルオキシ−フエノキシメチル）−オキ
サゾリニウムクロリドである特許請求の範囲第１
項記載の化合物。 ９ （＋）−１−イソプロピル−２−メチル−４
−（１−ナフチルオキシメチル）−オキサゾリニウ
ムクロリドである特許請求の範囲第１項記載の化
合物。
Applications Claiming Priority (2)
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