JPS63253078A - 光学活性化合物における配置の反転法における新規の中間生成物とその塩 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は式 （この式で、Ａｒ＋は芳香族性の環少な（とも１つを持
ち、とりわけ芳香族性の環の環炭素原子を通じて酸素原
子と結合する単環または多環で、炭素環式または複素環
式の基であり、Ｒｏは場合によっては置換されている脂
肪族、脂環式またはアリール置換脂肪族の炭化水素残基
である）で表わされる光学活性化合物またはその塩にお
ける配置の反転法を行うのに適当な新規の光学活性中間
体であって、 式： （式中、、Ａｒ＋及びＲ１は上記した意味を有しており
、Ｒ２は単環または多環、炭素環式または複素１式の基
あるいは場合によっては置換されている脂肪族、脂環式
またはアリール置換脂肪族の炭化水素残基であり、ｘｅ
は強い、酸素原子含有の無機または有機酸の陰イオンあ
るいはハロゲン原子の陰イオンである。） を有し、遊離塩基の形態で存在していてもよい中間体に
関する。

本発明は記載の配置の反転は式 ％式％ で表わされる基の中に存在する、立体配置がＲ（＋）−
または５（−）−配置に対応する第２アルコール残基に
関連する。

該中間体は、Ｒ（＋）−配置の化合物を５（−）−配置
に、あるいは５（−）−配置の化合物をＲ（＋）−配置
のものに変換する方法において好適である。

この配置の反転により旋光の向きの反転が生ずる。

芳香族性の炭素環式基Ａ　ｒ　１は特にフェニル基なら
びに場合によっては部分的に飽和されている、２環の芳
香族炭化水素残基例えばナフチル基例えば１−または２
−ナフチル基、１．２．３゜４−テトラヒドロベンズナ
フチル基、例えば１゜２．３．４−テトラヒドロ−５−
ナフチル基、ベンズインデニル基、例えば４−または５
−インデニル基またはベンズインダニル基例λば４−ま
たは５−インダニル基、さらには場合によっては部分的
に飽和されている多環の芳香族炭化水素残基例λば外ン
ズフルオレニル基例えば４−フルオレニル基または９．
ｌＯ−エタノ−９，１０−ジヒドロ−ベンズアントリル
基例λば９．ｌＯ−エタノ−９，１０−ジヒドロ−１−
アントリル基であり、前記の種類の部分的に飽和されて
いる基は芳香族部分の環炭素原子を通じて酸素原子に結
合している。

複素環式基Ａｒ、は環へテロ原子として特に環窒素原子
を１つまたはそれ以上ならびに好ましくは環窒素原子に
加えて環酸素原子または環硫黄原子をも含有する。その
ような基は特に単環の。

５または６貫のモノ−、ジーまたはトリアザ環式基、第
１に芳香族性の単環モノアザ環式６員の基例えばピリジ
ル基例えば２−１３−または４−ピリジル基、芳香族性
の単環ジアザ環式６員の基例えばピリダジニル基例えば
３−ピリダジニル基、ピリミジニル基例えば２−または
４−ピリミジニル基あるいはピラジニル基例えば２−ピ
ラジニル基、芳香族性の単環チアジアザ環式５貝の基例
えばチアジアゾリル基例えば１．２．５−チアジアゾー
ル−３−イル基、芳香族性で、５員または６員の複素環
をもつ場合によっては部分的に飽和されている２環モノ
アザ環式基例えばインドリル基例えば４−インドリル基
、または場合によっては部分的に飽和されているキノリ
ニル基例えば１．２，３．４−テトラヒドロ−５−キノ
リニル基あるいは部分的に芳香族性の２環モノチア環式
基例えば２Ｈ−チオクロメニル基例えば２Ｈ−８−チオ
クロメニル基である。

前記の基Ａ　ｒ　＋は置換されていなくてもまたは置換
されていてもよく、置換されている場合はＡ　ｒ　＋は
第１に１つ、しかしまたそれ以上の、特に２つの置換基
を含有する。置換基は第１に場合によっては置換されて
いる脂肪族また脂環式炭化水素残基、場合によってはエ
ーテル化またはエステル化されている水酸基またはメル
カプト基、アシル基、場合によっては官能的に変性され
ているカルボキシル基、ニトロ基あるいは場合によって
は置換されているアミノ基である。基Ａ　ｒ　＋の飽和
されている部分は前記の置換基のほかに２重結合されて
いる置換基、第１にオキソ基を含有していてもよい。

基Ａ　ｒ　＋の置換基としての脂肪族炭化水素残基は特
に低級アルキル基または低級アルケニル基、さらに低級
アルキニル基である。そのような基、特に低級アルキル
基ならびに低級アルケニル基は場合によってはエーテル
化またはエステル化されている水酸基またはメルカプト
基、例えば低級アルコキシ基、低級アルキルチオ基また
はハロゲン原子、場合によっては官能的に変性されてい
るカルボキシル基、特に場合によってはＮ−置換されて
いる、例えばＮ−低級アルキル化されているカルバモイ
ル基あるいは場合によっては置換されているアミノ基、
特に、アシル基が有機カルボン酸、炭酸半語導体または
有機スルホン酸の残基であるアシルアミノ基、例えば低
級アルカノイルアミノ基、低級アルコキシカルボニルア
ミノ基あるいは場合によってはＮ−置換されている、例
えばＮ′−低級アルキル化されているウレイド基例λば
ウレイド基、Ｎ′−低級アルキル−ウレイド基またはＮ
′、Ｎ′−ジ低級アルキル−ウレイド基、さらに低級ア
ルキルスルホニルアミノ基である。置換されている低級
アルキル基は第１にヒドロキシ低級アルキル基、低級ア
ルコキシ−低級アルキル基、低級アルキルチオ−低級ア
ルキル基、ハロゲノ低級アルキル基、場合によってはＮ
−低級アルキル化されているカルバモイル−低級アルキ
ル基、低級アルカノイルアミノ低級アルキル基または低
級アルコキシカルボニルアミノ−低級アルキル基、さら
に低級アルカノイルアミノ−低級アルケニル基または低
級アルコキシカルボニルアミノ−低級アルケニル基であ
る。

脂環式炭化水素残基は特に単環または多環のシクロアル
キル基である。

基Ａ　ｒ　＋の置換基としてのエーテル化されている水
酸基またはメルカプト基は第１に場合によっては置換さ
れている脂肪族炭化水素残基でエーテル化されている水
酸基またはメルカプト基例えば低級アルコキシ基または
フェニル低級アルコキシ基、低級アルケニルオキシ基あ
るいは低級アルキニルオキシ基、さらにテトラヒドロフ
ルフリルオキシ基、低級アルキルチオ基または低級アル
ケニルチオ基である。そのようなエーテル化する脂肪族
炭化水素残基の特にエーテル化する低級アルキル基の置
換基は特に場合によってはエーテル化またはエステル化
されている水酸基またはメルカプト基例＾ば低級アルキ
ルオキシ基、低級アルキルチオ基またはハロゲン原子あ
るいは場合によっては置換されているアミノ基例λばア
シルアミノ基例えば低級アルカノイルアミノ基または低
級アルコキシカルボニルアミノ基である。対応する置換
されている脂肪族炭化水素残基によってエーテル化され
ている水酸基またはメルカプト基は特に低級アルコキシ
−低級アルコキシ基、低級アルキルチオ−低級アルコキ
シ基あるいは低級アルコキシ−低級アルキルチオ基、さ
らに低級アルカノイルアミノ−低級アルコキシ基または
低級アルコキシカルボニルアミノ−低級アルコキシ基で
ある。

基Ａｒ＋の置換基としてのエステル化されている水酸基
またはメルカプト基は特にハロゲン原子、さらに低級ア
ルカノイルオキシ基である。

基Ａｒ＋の置換基としてのアシル基は第１に低級アルカ
ノイル基である。

Ａｒ＋の置換基としての場合によっては官能的に変性さ
れているカルボキシル基は特にエステル化またはアミド
化されているカルボキシル基、さらにシアノ基である、
エステル化されているカルボキシル基は特に低級アルコ
キシカルボニル基であり、一方アミド化されているカル
ボキシル基は場合によっては置換されているカルバモイ
ル基例えばカルバモイル基、Ｎ−低級アルキル−カルバ
モイル基またはＮ、Ｎ−ジ低級アルキル−カルバモイル
基である。

基Ａｒ＋の置換基としての、場合によっては置換されて
いるアミノ基は特に、アシル基がとりわけ有機カルボン
酸または炭酸半語導体、またはさらに有機スルホン酸の
対応する基であるアシルアミノ基例えば低級アルカノイ
ルアミノ基、低級アルコキシカルボニルアミノ基あるい
は場合によってはＮ′−低級アルキル化されているウレ
イド基またはＮ−シクロアルキル置換されているウレイ
ド基例えばウレイド基、Ｎ′−低級アルキル−ウレイド
基またはＮ’、Ｎ′−ジ低級アルキルーウレイド基また
はＮ′−シクロアルキル−ウレイド基、さらに低級アル
キルスルホニルアミノ基ならびにＮ−低級アルキル化ア
ミノ基例えばＮ−低級アルキルアミノ基またはＮ、Ｎ−
ジ低級アルキルアミノ基、場合によっては不飽和のＮ、
Ｎ−低級アルキレンアミノ基、Ｎ、Ｎ−アザ低級アルキ
レンアミノ基、Ｎ、Ｎ−オキサ低級アルキレンアミノ基
またはＮ、Ｎ−チア低級アルキレンアミノ基である。

脂肪族炭化水素残基Ｒ３は第１に低級アルキル基、特に
結合炭素原子のところで分枝している低級アルキル基、
さらに低級アルケニル基または低級アルキニル基であり
、一方脂環式炭化水素残基は特に多環のシクロアルキル
基を含めたシクロアルキル基であり、アリール置換脂肪
族炭化水素残基は第１にフェニル低級アルキル基である
。そのような炭化水素残基の置換基は例えば低級アルキ
ル基に対しては、エーテル化されている水酸基、特に場
合によっては例えば官能的に変性されているカルボキシ
ル基例えば場合によってはＮ−低級アルキル化されてい
るカルバモイル基、例えばカルバモイル基、Ｎ−低級ア
ルキル−カルバモイル基またはＮ、Ｎ−ジ低級アルキル
−カルバモイル基で置検されているフェニルオキシ基ま
たはピリジルオキシ基あるいは場合によっては官能的に
変性されているカルボキシル基例えばカルボキシル基、
エステル化されているカルボキシル基例えば低級アルコ
キシカルボニル基、アミド化されているカルボキシル基
例＾ば場合によってはＮ−低級アルキル化されているカ
ルバモイル基例えばカルバモイル基、Ｎ−低級アルキル
−カルバモイル基またはＮ、Ｎ−ジ低級アルキル−カル
バモイル基あるいはシアノ基であり、例えばフェニル低
級アルキル基の芳香族部分に対しては場合によっては官
能的に変性されているカルボキシル基、第１にアミド化
されているカルボキシル基例えば場合によっては低級ア
ルキル基によって置換されているカルバモイル基例えば
Ｎ−低級アルキルカルバモイル基またはＮ、Ｎ−ジ低級
アルキル−カルバモイル基および（または）水酸基であ
る。この方法で置換されている低級アルキル基はフェニ
ルオキシ−低級アルキル基またはとりわけ場合によって
はＮ−アルキル化されているカルバモイルフェニルオキ
シ低級アルキル基、さらにピリジルオキシ−低級アルキ
ル基またはとりわけ場合によってはＮ−アルキル化され
ているカルバモイルピリジルオキシ−低級アルキル基、
さらに低級アルコキシカルボニル−低級アルキル基、場
合によってはＮ−低級アルキル化されているカルバモイ
ル−低級アルキル基またはシアノ−低級アルキル基であ
る。

特別な記載がない場合は、前記ならびに後記で「低級ｊ
と表示されている基および化合物は炭素原子好ましくは
７個まで、特に５個までをもつ１価の基および炭素原子
３〜６個、特に４個または５個をもつ２価の基を包含す
る。

前記ならびに後記して適用される一般的概念は特別の記
載がない場合、好ましくは次の意味を持つ。

低級アルキル基は例えばメチル基、エチル基。

ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソ
ブチル基、５ｅｃ−ブチル基またはｔｅｒｔ−ブチル基
、ｎ−ペンチル基、インペンチル基、ネオペンチル基、
ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基またはｎ−へブチル基
である。結合炭素原子のところで分枝している低級アル
キル基は第１にイソプロピル基またはｔｅｒｔ−ブチル
基である。

低級アルケニル基は第１にアリル基、さらにビニル基、
２−メチル−アリル基、２−ブテニル基または３．３−
ジメチルアリル基であり、一方低級アルキニル基は例え
ばエチニル基またはプロパルギル基である。

低級アルコキシ基は例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ
−プロポキシ基、インブトキシ基、ｎ−ブトキシ基、イ
ンブトキシ基またはｔｅｒｔ−ブトキシ基である。

フェニル低級アルコキシ基は例えばベンジルオキシ基で
ある。

低級アルキルチオ基は例えばメチルチオ基、工チルチオ
基、イソブロビルヂオ基またはｎ−ブチルチオ基である
。

ハロゲン原子は例λば塩素原子、または臭素原子、さら
に弗素原子ならびに沃素原子である。

場合によってはＮ−低級アルキル化されているカルバモ
イル基は例えばカルバモイル基さらにＮ−低級アルキル
−カルバモイル基例えばＮ−メチルカルバモイル基また
はＮ−エチル−カルバモイル基あるいはＮ、Ｎ−ジ低級
アルキルカルバモイル基例＾ばＮ、Ｎ−ジメチル−カル
バモイル基またはＮ、Ｎ−ジエチル−カルバモイル基で
ある。

低級アルカノイルアミノ基は飼犬ばホルミルアミノ基、
アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、ブチリルア
ミノ基またはピバロイルアミノ基である。

低級アルコキシカルボニルアミノ基は例えばメトキシカ
ルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、また
はｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ基であり、一方
Ｎ′−低級アルキルーウレイド基とＮ’、Ｎ’−ジ低級
アルキル−ウレイド基とは例えばＮ′−メチルウレイド
基、Ｎ′−エチルウレイド基、Ｎ’、Ｎ’−ジメチルウ
レイド基またはＮ′、Ｎ’−ジエチルウレイド基であり
、一方Ｎ′−シクロアルキルウレイド基は例えばＮ′−
シクロプロピルウレイド基、Ｎ′−シクロペンチル−ウ
レイド基、Ｎ′−シクロヘキシルウレイド基またはＮ′
−シクロへブチルウレイド基である。

低級アルキルスルホニルアミノ基は例えばメチルスルホ
ニルアミノ基またはエチルスルホニルアミノ基である。

ヒドロキシ低級アルキルは例えばヒドロキシメチル基あ
るいは１−または２−ヒドロキシエチル基である。

低級アルコキシ−低級アルキル基は例えば低級アルコキ
シ−メチル基または好ましくは２−（低級アルコキシ）
−エチル基例えばメトキシメチル基、エトキシメチル基
、２−メトキシ−エチル基、２−エトキシ−エチル基ま
たは２−イソプロポキシ−エチル基である。

低級アルキルチオ−低級アルキル基は例えば低級アルキ
ルチオメチル基または特に２−（低級アルキルチオ）−
エチル基例えばメチルチオメチル基、エチルチオメチル
基、２−メチルチオエチル基または２−エチルチオエチ
ル基である。

ハロゲン低級アルキル基は特にトリフルオロメチル基で
ある。

場合によってはＮ−低級アルキル化されているカルバモ
イル−低級アルキル基は例えばカルバモイルメチル基あ
るいはｌ−または２−カルバモイルエチル基、ざらにＮ
−低級アルキルーカルバモイルー低級アルキル基例えば
Ｎ−メチルカルバモイルメチル基あるいはｌ−または２
−Ｎ−メチルカルバモイル−エチル基あるいはＮ、Ｎ−
ジ低級アルキル−カルバモイル−低級アルキル基例えば
Ｎ、Ｎ−ジメチルカルバモイル−メチル基あるいは１−
または２−Ｎ、Ｎ−ジメチルカルバモイル−エチル基で
ある。

低級アルカノイルアミノ−低級アルキル基は例えば低級
アルカノイルアミノメチル基またはとりわけ２−低級ア
ルカノイルアミノエチル基例えばアセチルアミノメチル
基、プロピオニルアミノメチル基、２−アセチルアミノ
エチル基、２−プロピオニルアミノ−エチル基または２
−ピバロイルアミノ−エチル基であり、一方低級アルコ
キシ力ルポニルアミノー低級アルキル基例えば低級アル
コキシカルボニルアミノ−メチル基またはとりわけ、２
−低級アルコキシカルボニルアミノ−エチル基例えばメ
トキシカルボニルアミノ−メチル基、エトキシカルボニ
ルアミノ−エチル基、２−メトキシカルボニルアミノエ
チル基、２−エトキシカルボニルアミノエチル基または
２−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ−エチル基で
ある。

低級アルカノイルアミノ−低級アルケニル基は特に２−
低級アルカノイルアミノ−ビニル基、例えば２−アセチ
ルアミノ−ビニル基、２−プロピオニルアミノ−ビニル
基または２−ピバロイルアミノ−ビニル基であり、一方
低級アルコキシカルボニルアミノ−低級アルケニル基は
とりわけ２−低級アルコキシカルボニルアミノ−ビニル
基例えば２−メトキシカルボニルアミノ−ビニル基、２
−エトキシカルボニルアミノ−ビニル基または２−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ−ビニル基である。

多環のシクロアルキル基を含めシクロアルキル基はとり
わけ環炭素原子３〜１０個を含有し、シクロプロピル基
または特にシクロペンチル基、シクロヘキシル基または
シクロへブチル基、さらにアダマンチル基例えば１−ア
ダマンチル基である。

低級アルケニルオキシ基は特にアリルオキシ基ならびに
２−メチルアリルオキシ基、さらにビニルオキシ基、２
−ブテニルオキシ基または３，３−ジメチルアリルオキ
シ基であり、一方低級アルキニルオキシ基は例えばプロ
パルギルオキシ基である。

低級アルケニルチオ基は例えばアリルチオ基、さらに２
−メチルアリルチオ基または２−ブテニルチオ基である
。

低級アルコキシ−低級アルコキシ基においては両酸素原
子はとりわけ炭素原子少なくとも２個、例えば２または
３個で分離され、そのような基は例えばメトキシメトキ
シ基またはエトキシメトキシ基、しかし第１には２−（
低級アルコキシ）−エトキシ基例えばメトキシエトキシ
または２−エトキシ−エトキシ基ならびに３−（低級ア
ルコキシ）−プロポキシ基例えば３−メトキシ−プロポ
キシ基または３−エトキシプロポキシ基である。

低級アルキルチオ−低級アルコキシ基においては硫黄原
子と酸素原子とはとりわけ炭素原子少なくとも２個、例
えば２または３個で互に分離されていて、そのような基
は第１に２−（低級アルキルチオ）−エトキシ基飼犬ば
２−メチルチオ−エトキシ基または２−エチルチオ−エ
トキシ基である。

同様に低級アルコキシ−低級アルキルチオ基においては
酸素原子と硫黄原子とはとりわけ炭素原子少なくとも２
個例えば２または３個で互に分離されていて、そのよう
な基は第１に２−（低級アルコキシ）−エチルチオ基例
えば２−メトキシ−エチルチオ基または２−エトキシ−
エチルチオ基である。

低級アルカノイルアミノ−低級アルコキシ基と低級アル
コキシカルボニルアミノ−低級アルコキシ基とにおいて
窒素原子と結合酸素原子とはとりわけ炭素原子少なくと
も２個、例えば２または３個で互に分離され、これらの
基は第１に２−低級アルカノイルアミノ−エトキシ基、
例えば２−アセチルアミノ−エトキシ基、２−プロとオ
ニルアミノ−エトキシ基または２−ピバロイルアミノ−
エトキシ基あるいは２−低級アルコキシカルボニルアミ
ノエトキシ基例えば２−メトキシカルボニルアミノ−エ
トキシ基または２−エトキシカルボニル−エトキシ基で
ある。

低級アルカノイル基は特にアセチル基、プロピオニル基
またはピバロイル基である。

低級アルカノイルオキシ基は例えばアセチルオキシ基、
プロビオノキシ基またはピバロイルオキシ基である。

低級アルコキシカルボニル基は例えばメトキシカルボニ
ル基、エトキシカルボニル基またはｔｅｒｔ−ブトキシ
カルボニル基である。

Ｎ−低級アルキルアミノ基またはＮ、Ｎ−ジ低級アルキ
ルアミノ基は例えばメチルアミノ基、エチルアミノ基、
ジメチルアミノ基またはジエチルアミノ基である。

場合によっては不飽和のＮ、Ｎ−低級アルキルアミノ基
はとりわけ環員数５〜７であり、特にピロリジノ基また
はピペリジノ基、さらにｌ−ピリル基、であり、一方Ｎ
、Ｎ−アザ低級アルキレンアミノ基、Ｎ、Ｎ−オキサ低
級アルキレンアミノ基およびＮ、Ｎ−チア低級アルキレ
ンアミノ基はとりわけ環員数６であり、第２の環へテロ
原子は結合窒素原子から炭素原子２個で分離され、Ｎ。

Ｎ−アザ低級アルキレンアミノ基においては場合によっ
ては例えば低級アルキル基によって置換されていて、そ
のような基は例えば４−メチル−ｉ−ピペリジノ基、４
−モルホリノ基または４−チオモルホリノ基である。

フェニル低級アルキル基は例えばベンジル基あるいはｌ
−または２−フェネチル基である。

ピリジルオキシ基は例えば２−ピリジルオキシ基、３−
ピリジルオキシ基または４−ピリジルオキシ基である。

置換基として、とりわけ場合によってはＮ−低級アルキ
ル化されているカルバモイル基を含有しているフェニル
オキシ低級アルキル基およびピリジルオキシ−低級アル
キル基Ｒ＋においては酸素原子と、窒素原子に結合する
結合炭素原子とはとりわけ炭素原子少なくとも２個例え
ば２または３個で互に分離されている。そのような置換
基は特に２−（場合によってはＮ−低級アルキル化され
ているカルバモイル−フェニルオキシ）−低級アルキル
基例えば２−（２−カルバモイルフェノキシ）−エチル
、２−　（４−カルバモイルフェノオキシ）−エチル基
、２−　（２−Ｎ−メチルカルバモイル−フェノキシ）
−エチル基または２−　（４−Ｎ、Ｎ−ジメチルカルバ
モイル−フェノキシ）−エチル基、さらに２−（場合に
よってはＮ−アルキル化されているカルバモイル−ピリ
ジルオキシ）−低級アルキル基例えば２−　（４−カル
バモイル−２−ピリジルオキシ）−エチル基、２−（２
−カルバモイル−４−ピリジルオキシ）−エチル基また
は２−（３−カルバモイル−２−ピリジルオキシ）−エ
チル基である。

低級アルコキシカルボニル−低級アルキル基は例えば低
級アルコキシカルボニルメチル基または１−低級アルコ
キシ力ルボニルー２−プロピル基例えばメトキシカルボ
ニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、１−メト
キシカルボニル−２−プロピル基または１−エトキシカ
ルボニル−２−プロピル基である。

場合によればＮ−低級アルキル化されているカルバモイ
ル−低級アルキル基は第１にカルバモイルメチル基、さ
らにＮ−低級アルキルカルバモイル−メチル基またはＮ
、Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル−メチル基、例えば
Ｎ−メチルカルバモイルメチル基、Ｎ−エチルカルバモ
イルメチル基、Ｎ、Ｎ−ジメチルカルバモイルメチル基
またはＮ、Ｎ−ジエチルカルバモイルメチルならびに１
−カルバモイル−２−プロピル基さらにＬ−Ｎ−低級ア
ルキル−カルバモイル−２−プロピル基または１−Ｎ、
Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル−２−プロピル基例え
ば１−Ｎ−メチルカルバモイル−２−プロピル基、１−
Ｎ−エチルカルバモイル−２−プロピル基、１−Ｎ、Ｎ
−ジメチルカルバモイル−２−プロピル基または１−Ｎ
、Ｎ−ジエチルカルバモイル−２−プロピル基である。

シアノ−低級アリキル基は例えばシアノメチル基または
ｌ−シアノ−２−プロピル基である。

本発明は、例えば、Ｘがハロゲン原子あるいは硫酸また
はリン酸の残基であり、Ａ　ｒ　＋がナフチル基、低級
アルキル−フェニル基、低級アルケニル−フェニル基、
低級アルケニルオキシ−フェニル基、低級アルカノイル
アミノ−フェニル基、低級アルコキシ低級アルキル−フ
ェニル基、９゜１０−エフノー９，１０−ジヒドローベ
ンズアントリル基、ピラジニル基、ピリミジル基、イン
ドリル基、ベンゾフリル基、シアノ−ピリジル基。

ピリル−フェニル基、低級アルコキシカルボニルアミノ
低級アルキル−ピリジル基、Ｎ゛−シクロアルキル−ウ
レイド−フェニル基、（ベンゾイミダゾール−２−オン
）−イル基、フェニル低級アルコキシ−フェニル基、ヒ
ドロキシフェニル基であり、Ｒ１が低級アルキル基、フ
ェニル低級アルキル基、フェノキシ低級アルキル基また
はピリジルオキシ基であり、Ｒｚが低級アルキル基、フ
ェニル低級アルキル基、フェノキシ低級アルキル基また
はフェニル基である式（ＩＩＩ　）で表わされる光学活
性化合物あるいは遊離の塩基としてのそのような化合物
に関する。

本発明の最も重要な態様は、さらに、Ｘが塩素原子また
は臭素原子あるいは硫酸またはリン酸の残基であり、Ａ
ｒ＋が１−ナフチル基、３−低級アルキル−フェニル基
、２−低級アルケニル−フェニル基、２−低級アルケニ
ルオキシ−フェニル基、４−低級アルカノイルアミノー
フェニル基、４−（２−低級アルコキシ−エチル）−フ
ェニル基、２−ピラジニル基、２−ピリミジニル基、（
１−ピリル）−フェニル基、４−インドリル基、５−（
２−低級アルコキシカルボニルアミノ−エチル）−ピリ
ジル基、３−シアノ−ピリジル基、４−（ベンゾイミダ
ゾール−２−オン）−イル基、４−　（Ｎ’　−シクロ
アルキル−ウレイド）−フェニル基、ベンジルオキシ−
フェニル基、ヒドロキシフェニル基であり、Ｒ１が低級
アルキル基、フェニル低級アルキル基、またはフェノキ
シ低級アルキル基であり、Ｒ２が低級アルキル基、フェ
ニル低級アルキル基またはフェニル基である式（ｎＢで
表わされる光学活性の化合物あるいは遊離の塩基として
のそのような化合物に関する。

本発明は、実質的に、Ｘが塩素原子または臭素原子ある
いは硫酸またはリン酸の残基であり、Ａｒ、がｌ−ナフ
チル基、３−メチル−フェニル基、２−アリル−フェニ
ル基、２−アリルオキシ−フェニル基、４−アセチルア
ミノ−フェニル基、４−インドリル基、４−（２−メト
キシエチル）−フェニル基、２−ピラジニル基、２−ピ
リミジニル基、２−　（１−ピリル）−フェニル基、４
−　（Ｎ′−シクロヘキシルウレイド）−フェニル基、
４−ベンジルオキシ−フェニル基、または４−ヒドロキ
シ−フェニル基であり、Ｒ，が低級アルキル基またはフ
ェニル低級アルキル基であり、Ｒ２が低級アルキル基、
フェニル低級アルキル基またはフェニル基である式（■
【）で表わされる光学活性の化合物あるいは遊離の塩基
としてのそのような化合物に関する。

本発明は、特に、Ｘが塩素原子または硫酸の残基であり
、Ａｒｌが２−（ｌ−ピリル）−フェニル基、■−ナフ
チル基、２−アリル−フェニル基、２−アリルオキシ−
フェニル基、４−　（Ｎ′−シクロヘキシルウレイド）
−フェニル基、２−ピラジニル基、４−ベンジルオキシ
−フェニル基、または４−ヒドロキシフェニル基であり
、ＲＩが低級アルキル基であり、Ｒ２が低級アルキル基
またはフェニル基である式（Ｉｎ）で表わされる光学活
性の化合物あるいは遊離の塩基としてのそのような化合
物に関する。

本発明は特に、例に記載されている式（ＩＩＩ）で表わ
される化合物に関する。

ドイツ特許公開筒５８５．１６４号明細書から光学活性
フェニルアルキルアミンの旋光性の反転法は公知であり
、そこでは例えばｄ−ｍ−ヒドロキシフェニルエタノー
ルメチルアミンを無水酢酸と濃硫酸と共に還流して加熱
し、過剰の無水酢酸を蒸発後桟る残渣を希硫酸でヒドロ
リシスし、そのヒドロリシス物からｌ−ｍ−ヒドロキシ
フェニルエタノールメチルアミンを単離している。

ＮａｇａｆとＫａｎａｏ　［Ｌｉｅｂｉｇ’ｓ　Ａｎｎ
ａｌｅｎ　ｄｅｒＣｈｅｍｉｅ　４７０．１５７−１８
２　（１９２９１１とは、特に第１６０頁でＮ−ベンゾ
イル−ツルーｄ、ｌ−エフェドリンから濃硫酸により閉
環の下にオキサゾリンを生成させ、それを希塩酸と煮沸
してヒドロリシスすることを記載している。

米国特許第２．４４６．１９２号明細書には例えばメチ
ル−またはエチルエステルの形のＮ−アセチル−または
Ｎ−ベンゾイル−ｄ、１−アロトレオニンを塩化チオニ
ルを用いて対応するオキサゾリンに変換し、これを酸性
またはアルカリ性のヒドロリシスによってｄ、１−）−
レオニンに移行させるｄ、ｌ−アロトレオニンからｄ、
１−トレオニンへの変換を記載している。塩化チオニル
の代わりに脱水ならびに環化作用のある薬剤としては５
塩化リン、３塩化リンまたは５酸化リンが引用されてい
るが塩化チオニルが好ましい。

Ｊ、　Ａｍｅｒ、　Ｃｈｅｍ、　Ｓｏｅ、、　ＴＯ２２
９７−９８ｆ１９４８）からはさらにＮ−ベンゾイル−
ｄ、１−アロトレオニン−メチルエステルを塩化チオニ
ルによって対応するオキサゾリン塩酸塩に移行させ、こ
れがら希塩酸を用いるヒドロリシスによってｄ、ｌ−ト
レオニンを得ることが公知である。これに続いて。

記載されたオキサゾリン反転が高収率のジアステレオマ
ー〇、β−アミノアルコールの逆向きの変換のために、
一般的に適用できる方法であることが記載されている。

前記の方法においては第２Ｎ−アシルアミノアルコール
が出発材料として用いられ、その場合は窒素原子に存在
する水素原子がオキサゾリン環形成の際除去される。

Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ａｂｓｔｒａｃｔｓ　８４．４３５
９３　ｘ　（１９７６１によればフェニルエタノールア
ミンおよびフェノキシエタノールアミンの誘導体をハロ
ゲノギ酸エステルと反応させ、得られるＮ−アルコキシ
カルボニル−化合物を塩化チオニルまたは臭化チオニル
によって対応するオキサゾリジノンに環化する。それか
らアルカリ性のヒドロリシスまたは水素化リチウムアル
ミニウムでの還元により出発物質に対応し、逆の立体配
置をもつ化合物を得る。

Ｈｌに、　Ｍｕｌｌｅｒ、　Ａｎｎ、　５９９．２１１
−２２１　ｔ１９５６１は前記して説明した文献Ｗ、　
Ｈ，ＮａｇａｉとＳ、にａｎａｏを参照し、硫酸の代わ
りに塩化チオニルを適用するとＮ−ベンゾイル−ｄ、ｌ
−ノルエフェドリンの転位を満足すべき収率で達成し、
生成する中間生成物がより容易に鹸化される故にｄ、１
−プソイドエフェドリンの出発材料としてはＮ−アセチ
ル−ｄ、ｌ−ノルエフェドリンの方がより適しているこ
とを明らかにした。Ｎ−アセチル誘導体から出発して対
応するオキサゾリンの不安定な前生成物、２−クロル−
２，４−ジメチル−５−フヱニルーオキサゾリジン塩酸
塩を単離し、その上ｄ。

１−ノルエフェドリンと塩化チオニルとの反応および引
つづ（Ｎ−アセチル化によって、明らかに異なった性質
をもつ異性体ｄ、１−トレオー１−フェニル−１−クロ
ル−２−アセタミド−プロパン塩酸塩を製造してオキサ
ゾリンの構造を確認した。

技術の現在の状態からとりわけＮ−アシル化されている
、特にＮ−アセチル化されている第１アミノ基をもつα
−アミノアルコールの配置反転にはＮ−アシル誘導体の
塩化チオニルによる、対応するオキサゾリンへの移行、
およびとりわけアルカリ性のヒドロリシスが使用できる
有利な方法であることが判明し、他の方法も同様に考え
られる。

これに対し、第２７ミノ基をもっα−アミノアルコール
の配置反転は今まではＮ−アシル化とそのＮ−アシル誘
導体の、無水酢酸中での濃硫酸との煮沸と未知の構造を
もつその反応生成物の希硫酸でのヒドロリシスによって
行なわれている。この方法のｄ−プソイドエフェドリン
への適用においては反転生成物の収率が僅に６５％であ
って、それはモノステレオマ−化合物において新たに分
離すべきラセミ体約７０％のばか反転生成物の収率僅３
０％に対応する。その上、第１にＮ−アシル化合物のオ
キサゾリンへの変換にはかなり苛酷な反応条件を要する
。他方例えばＣｈｅｍｉｃａｌＲｅｖｉｅｗｓ　５４．
６１４　６８５　、特に６３２と６３３　ｆ１９５４）
およびそこに引用されている文献から、多くのアリール
−アルキルエーテルは従来氷酢酸中での硫酸と一緒の煮
沸において分裂することが公知である。さらに前記の、
ＮａｇａｉとＫａｎａｏとによって記載された配置反転
の方法の、Ｓ　（−）　−４−（４−ベンジルオキシ−
フェノキシ）−３−イソプロピルアミノ−２−プロパツ
ールでの対応するＲ（＋）−化合物製造のための適用は
本質的にエーテル分裂により非常に不純にされている生
成物になることが見出された。そのような結果は３−ア
ルキルアミノ−２−プロパツールのエーテル誘導体への
公知の方法が不満足な結果になることをよ（説明する。

このことを考慮すれば１−アリールオキシ−３−第２ア
ミノ−２−プロパツールの型の光学活性化合物において
同様な配置反転を行うことが出来ると云うことは期待で
きない、α−第１アミノアルコールにおいて緩和な反応
条件の下に良好な結果で行うことができる、Ｎ−アシル
誘導体例＾ばＮ−アセチル化合物の例えば塩化チオニル
との中間の方法段階としてのオキサゾリン化合物の形成
の反応の反応順序は、オキサゾリンの形成がＮ−アシル
化されている出発物質の窒素原子に水素原子が欠損して
いるために可能とは思われない故に、■−アリールオキ
シー３−第２アミノ−２−プロパツールにおける適用に
はなおさら考慮されるようには思われない。

驚くべきことには式（Ｉ）で表わされる光学活性化合物
における配置の反転は式 （この式で、Ｒ２は単環または多環、炭素環式または複
素環式の基あるいは場合によっては置換されている脂肪
族、脂環式またはアリール置換脂肪族の炭化水素残基で
ある） で表わされ、　Ｒ（＋）−あるいは５（−）−配置をも
つ光学活性化合物を、強い酸素原子含有の無機または有
機酸またはそのハロゲン化物での処理によって式 （この式で、Ｘｅは強い酸素原子含有の無機または有機
酸の陰イオンあるいはハロゲン原子の陰イオンである） で表わされる光学活性化合物へ変換し、そうして得られ
る、式（ＩＩＩ）で表わされる化合物を、場合によって
は中間段階として対応する遊離の塩基を経て、適用した
出発材料の配置とは反対の配置をもつ式（Ｉ）で表わさ
れる化合物にヒドロリシスし、所望の場合は式（ｉ）で
表わされる遊離の化合物を塩にあるいは得られる塩を遊
離の化合物に移行させて実現できることが発見された。

強い酸素原子含有の無機または有機酸としては例えば濃
硫酸またはリン酸あるいは強い有機スルホン酸例えば脂
肪族スルホン酸例えばメタンスルホン酸または芳香族ス
ルホン酸例えば場合によっては置換されているフェニル
スルホン酸例えば４−メチル−１４−’ロムー１４−ニ
トローマタハ２．４−ジニトロ−フェニルスルホン酸ま
たはナフチルスルホン酸例えばｌ−ナフチルスルホン酸
あるいはそれらの酸ハロゲン化物第１に塩化物または臭
化物例えば塩化チオニル、臭化チオニル、塩化スルフリ
ル、クロルスルホン酸、３塩化リン、５塩化リン、塩化
ホスホリルまたは塩化メタンスルホニルが考えられる。

さらに前記の酸ハロゲン化物に対応する混合エステル例
えばハロゲン化低級アルコキシスルホニル例えば塩化メ
トキシスルホニルまたは塩化エトキシスルホニルあるい
はハロゲン化リン酸−低級アルキルエステル例えば塩化
リン酸ジメチルエステルも適用してもよい。

それに従って式（ＩＩＩ　）中のＸｅは特に塩素原子ま
たは臭素原子、硫酸、リン酸あるいは強い有機スルホン
酸例えば前記の１つの陰イオンである。

環化縮合は前記の酸を縮合剤として使用する場合、通常
温度範囲的＋５０℃〜＋２００℃、酸ハロゲン化物適用
においては−ｌＯ℃〜＋７０℃、とりわけ＋１０℃〜＋
５０℃で行なわれる。

前記のヒドロリシスは酸性または塩基性媒質中で行なわ
れる。適当な酸性の薬剤は例えば水性の酸例えば水性の
鉱酸例えば水性の塩酸、硫酸またはリン酸である。酸性
のヒドロリシスは温度範囲０〜１２０℃、有利には＋１
０℃〜＋５０℃で行なう、塩基性媒質としては例えば水
性のアルカリ溜液例えばアルカリ金属またはアルカリ土
類金属の水酸化物例えば水酸化ナトリウムまたは水酸化
カリウムあるいはカルシウムまたはマグネシウムの水酸
化物が適当で、その場合前記の試薬は高めた温度例えば
５０〜１５０℃の範囲で用いるのが有利である。

前記のヒドロリシスはまた段階的に行うこともでき１式
（ＩＩＩ）で表わされる化合物は水性媒質中中間段階と
して対応する遊離の塩基を経て逆の立体配置をもつ式（
ＩＩ）で表わされる対応するＮ−アシル化合物例えば式
（ＩＩ）で表わされ適用される出発材料にヒドロリシス
され、ついでこの化合物が式（Ｉ）で表わされる化合物
の１つのヒドロリシスされる。

本方法は有利には、その場で用いられる、式（ｒ（）で
表わされる出発生成物を純粋な形で単離することなく同
じ反応項目で式（ＩＩＩ　）で表わされる化合物に加工
し、得られる式（ＩＩＩ）で表わされる化合物をそれ以
上精製することなくヒドロリシスにかけて行うこともで
きる。

式（ＩＩ　）で表わされる出発材料または式（ｌｉｔ）
で表わされる中間生成物においてＲ２は例えば基Ａｒ＋
または基Ｒ冒こ対応する意味をもち、特に場合によって
は例えば前記の置換されているフェニル基、ナフチル基
またはピリジル基、さらに低級アルキル基例λばイソプ
ロピル基またはｔｅｒｔ−ブチル基、場合によっては結
合炭素原子のところで分枝している低級アルキル基をも
つフェニル低級アルキル基またはフェニルオキシ低級ア
ルキル基例えば１−メチル−３−フェニルプロピル基ま
たはｌ−メチル−３−フェノキシプロビル基である。

以下の実施例によって本発明を示す、温度は摂氏温度で
ある。

例１ ジメチルホルムアミド７８ｎｌ中のＲ（＋）−１−（４
−ベンジルオキシ−フェノキシ）−３−イソプロピルア
ミノ−２−プロパツール２６．２ｇ溶液に１０℃で無水
酢酸１８ｇを滴下する。その溶液を２０℃で２時間かき
まぜ、水３００ｎｌに注加し、トルエン１６０＋１で抽
出する。このトルエン溶液を炭酸水素ナトリウム溶液で
洗浄し、硫酸ナトリウム上乾燥し、真空中蒸発すると、
粗Ｒ（＋）−１−（４−ベンジルオキシフェノキシ）−
３−Ｎ−イソプロピル−Ｎ−アセチルアミノ−２−プロ
パツールを得る。

これを塩化メチレン４０ｎ＋１中に溶解し、５〜１０℃
、４５分間で塩化メチレン１８ｍ１中の塩化チオニル６
．２ｍｌ溶液に滴下して加える。この溶液を２０℃で２
時間、それから３５℃で１時間かきまぜ、ついで真空中
乾燥するまで蒸発する。

粗塩化Ｓ　（−）　−１−イソプロピル−２−メチル−
５−（４−ベンジルオキシ−フェノキシメチル）−オキ
サゾリウム３２ｇ　（９３％）を濃厚な、直に、結晶す
る油として得る。この吸湿性の結晶は結晶塩化水素１モ
ルを含有し、塩化メチレン−酢酸エチルエステル混合物
から再結晶するとその結晶は７８〜８２℃で融ける。

粗塩化５（−）−１−イソプロピル−２−メチル−５−
（４−ベンジルオキシ−フェノキシメチル）−オキサゾ
リウム３２ｇに水２５ｍ１とエタノール１０１００ｒと
水酸化ナトリウム１６ｇとを混合し、この混合物を１時
間還流して煮沸し、この後その反応混合物を水３００ｎ
＋１に注加し、０℃に冷却する。析出する結晶を吸引し
、乾燥すると、Ｓ　（−）−１−（４−ベンジルオキシ
フェノキシ）−３−イソプロピルアミノ−２−プロパツ
ール２３．．６ｇ（理論量の９０％）を得る。

〔α〕♂０出発生成物夕＋２５°　（ＩＮ硫酸中１％溶
液） ［α］♂０目的生成物々−２２°　（ＩＮ硫酸中１％溶
液） 光学的収率：８７％ Ｒ（＋）−１−（４−ベンジルオキシフェノキシ）−３
−イソプロピルアミノ−２−プロパツールは例えば次の
ようにして得ることができる。

（ａ）　　　（＋）−１−（４−ヒドロキシフェノキシ
）−２−ヒドロキシ−３−（イソプロピルアミノ）−プ
ロパン４．５ｇをメタノール３０ｍ１中に溶解し、メタ
ノール２５ｎ＋１と水２５ｎ＋１との中の（−）−ジー
ｏ、ｏ′−ｐ−トルオイル−し一酒石酸８．１ｇ溶液と
混合する。それからこの溶液を室温で水流ポンプ真空中
少し濁りが出るまで濃縮し、ついで結晶するまで０℃に
１５時間放置する。析出する結晶を吸引し、ついでメタ
ノール−水１：１から２回再結晶する。　Ｒ（＋）　−
１−（４−ヒドロキシフェノキシ）−２−ヒドロキシ−
３−イソプロピルアミノ−プロパン−（−）−ジーｏ、
ｏ’−ｐ−トルオイル−Ｌ−水素酒石酸塩を得る。融点
１３４〜１３７℃。

遊離の鏡像異性体の塩基の単離のためその塩を２Ｎ−塩
酸中にとり、酢酸エチルエステルを用いて抽出する。こ
の抽出液から（−）−ジーｏ、ｏ’−ｐ−トルオイル−
Ｄ−酒石酸を再生できる。この塩酸溶液を濃アンモニア
でアルカリ性にし、塩化ナトリウムで飽和し、酢酸エチ
ルエステルで抽出する。この有機相を塩水で洗浄し、硫
酸ナトリウム上乾燥し、水流ポンプ真空中で蒸発する。

残渣を酢酸エチルエステルから結晶させると、融点１２
９〜１３０℃の純粋なＲ（＋）−ｔ−（４−ヒドロキシ
フェノキシ）−３−イソブロビルアミノ）−２−プロパ
ツールを得る。

〔α１み’：＋０．９±０．５°　（メタノール中１％
溶液） ［α］乙’：＋２０．５±０．５”　　（ＩＮ硫酸中１
％溶液） （ｂ）　　ジメチルホルムアミド中Ｒ（＋）−１−（４
−ヒドロキシフェノキシ）−３−イソプロピルアミノ−
２−プロパツール塩酸塩５２ｇの溶液を室温で、水中の
水酸化ナトリウムの５０％溶液４２ｇと混合する。この
混合物に３０℃、１５分間で臭化ベンジル３３ｇを滴加
し、室温で１時間かきまぜる０反応混合物を０℃に冷却
した水６００ｍ１に注ぎ込み、０℃で１時間かきまぜ、
析出する結晶を吸引ろ化し、乾燥すると、融点９１〜９
３℃のＲ（＋）−１−（４−ベンジルオキシフェノキシ
）−３−イソプロピルアミノ−２−プロパツールを得る
。

例２ 無水酢酸２５ｍ１中にかきまぜなからＳ　（−）−１−
（４−ヒドロキシフェノキシ）−３−イソプロピルアミ
ノ−２−プロパツール６．５ｇを滴下して入れると発熱
の下に透明な溶液が生成する。これを無水酢酸１０ｍ１
中硫酸（９６％）３ｇの溶液と混合し、その混合物を２
時間還流する。ついで得られた溶液を真空中濃縮する。

その残渣は粗硫酸Ｒ（＋）　−１−イソプロピル−２−
メチル−５−（４−ヒドロキシフェノキシメチル）−オ
キサゾリウムで、それをＩＮ硫酸５０ｍ１中にとり、２
時間還流する。それから氷１００ｇを加え、アンモニア
でｐＨ９に調節する。その溶液を酢酸エチルエステルそ
れぞれ１００ｍ１で４回抽出し、−緒にしたその有機相
を硫酸ナトリウム上で乾燥し、乾燥するまで蒸発する。

　Ｒ（＋）　−１−（４−ヒドロキシフェノキシ）−３
−イソプロピルアミノ−２−プロパツール５．５ｇ（理
論量の８５％）を得る。

〔α〕占０出発材料ニー２０．５°　（ＩＮ硫酸中１％
溶液） （ａｌ♂０目的生成物：＋１７．３°　（ＬＮ硫酸中１
％溶液） 光学的収率：８５％ 例３ 無水酢酸２５ｍＪ中にかきまぜなからＳ　（−）−１−
（４−ベンジルオキシフェノキシ）−３−イソプロピル
アミノ−２−プロパツール６．５ｇを滴下して入れると
、発熱を伴って透明な溶液が生成する。これを無水酢酸
１０ｍ１中の硫酸（９６％）３ｇの溶液と混合し、その
混合物を２時間還流する。ついで得られた溶液を真空中
濃縮し、その残渣をＩＮ硫酸５０ｍ１中にとり、２時間
還流する。それから氷１００ｇを加λ、アンモニアでｐ
Ｈ９に調節する。この溶液を酢酸エチルエステルそれぞ
れ１００１ＩＩ■で４回抽出し、その−緒にした有機相
を硫酸ナトリウム上で乾燥し、乾燥するまで蒸発する。

残渣３．５ｇを得、それは非常に不純のＲ（＋）−１−
（４−ヒドロキシフェノキシ）−３−イソプロピルアミ
ノ−２−プロパツールである。

例４ Ｄ（＋）−１−（ｏ−アリルオキシフェノキシ）−３−
イソプロピルアミノ−２−プロパツール０．９ｇをジメ
チルホルムアミド５＋ｎｌ中に溶解し、１０℃で無水酢
酸０．３４ｎ＋１を滴下する。この溶液を２０℃で２時
間かきまぜ、水２５ｍ１中に注加し、トルエンそれぞれ
３Ｃ）ｍｌで２回抽出する。そのトルエン溶液を硫酸マ
グネシウム上で乾燥の後、真空中乾燥するまで蒸発する
と粗Ｄ（＋）−１−（ｏ−アリルオキシフェノキシ）−
３−Ｎ−イソプロピル−Ｎ−アセチルアミノ−２−プロ
パツールを得る。これを塩化メチレン５ｍｌ中に溶解し
、５〜ｌＯ℃、４５分間で塩化メチレン５ｍｌ中の塩化
チオニル０．６ｍｌ溶液に滴下し、ついで２０℃で２時
間、３５℃で１時間かきまぜ、ついで真空中乾燥するま
で蒸発する。その残渣は粗塩化Ｌ（−）−１−イソプロ
ピル−２−メチル−５−（ｏ−アリルオキシ−フェノキ
シメチル）−オキサゾリウムである。水１ｍｌとエタノ
ール１０ｎ＋１との中のこの化合物の溶液を水酸化ナト
リウム１．０ｇと混合し、その混合物を１時間還流して
煮沸し、それから水２５ｍ１中に注加し、この溶液をト
ルエンそれぞれ２５ｍ１で２回抽出し、−緒にした有機
相を硫酸マグネシウム上で乾燥後真空中で乾燥するまで
蒸発する。その残渣をシクロヘキサノール２．５＋ａｌ
に溶解し、その溶液を冷却する。そこで析出する結晶を
吸引すると、Ｌ（−）−１−（ｏ−アリルオキシフェノ
キシ）−３−イソプロピルアミノ−２−プロパツール０
．７ｇ（理論量の７８％）を得る。

〔α１　。出発生成物：＋１３．５°±０．５（ＩＮ硫
酸中１％溶液） ［αｌｏ目的生成物ニー１２．７°±０．５（ＩＮ硫酸
中１％溶液） 光学的収率：９４％。

出発材料として適用するＤ　（＋）　−１−（ｏ　−ア
リルオキシフェノキシ）−３−イソプロピルアミノ−２
−プロパツールは次のように製造することができる。

ラセミ体１−（ｏ−アリルオキシフェノキシ）−３−イ
ソプロピルアミノ−２−プロパツール２６５ｇ　（１モ
ル）とＬ（＋）−グルタミン酸（［α］　５２４゜ｅ　
　＝　＋　３６±２°、５Ｎ水性塩酸中５％溶液）１４
０ｇ　（０−９５モル）とを乳鉢中でよ（混合し、この
混合物を７０℃に加温しである水４７０ｍ１中に溶解す
る。この暖い溶液を透明に濾過し、その無色の濾液を９
６％エタノール２３００＋ｍｌと混合し、その溶液を５
０℃に２４時間放置する。析出する微結晶沈殿を吸引し
、エタノール２００ｍ１で洗浄し、風乾する。融点１７
２〜１７３℃の粗Ｄ（＋）−１−（ｏ−アリルオキシフ
ェノキシ）−３−イソプロピルアミノ−２−プロバノー
ルＬ（＋）グルタミン酸塩２２０ｇを得る。これを７０
℃で水１００ｍ１に溶解し、その溶液をメタノール８０
０ｍ１と混合する。５℃で１５時間放直後析出する沈殿
を吸引すると鏡像異性の塩２１０ｇを得る６融点１７６
〜１７８℃。

同じ条件で更に再結晶すると純粋なり（＋）−１−（０
−アリルオキシフェノキシ）−３−イソプロピルアミノ
−２−プロパツールしく＋）−グルタミン酸塩１２５ｇ
となり、それは８時間。

６０℃１０．Ｏ３Ｈｇで乾燥すると次のような特性を示
す、融点１７９〜１８１℃； ［α〕：ｓ＋ｓ　　：　＋　３４±１°　（水中１％溶
液として） ［α］　ｏ　　：　＋７．２°　（水中１％溶液として
）。

Ｃ，Ｈ，、Ｎｏ、−Ｃ，Ｈ，ＮＯ，に対する元素分析 ＣＨＮ 計算値（％）　　５８．２　　７．８　　６．８分析値
（％）　　　５８．２　　７．９　　６．７Ｄ（＋）−
１−（ｏ−アリルオキシフェノキシ）−３−イソプロピ
ルアミノ−２−プロパツールしく＋）−グルタミン酸塩
の水溶液に水性アンモニアを加えてアルカリ反応を起こ
し、塩化メチレンで抽出し、それを乾燥するまで蒸発し
、その残渣をエーテルとヘキサンとから再結晶して融点
５５〜５６℃の遊離の塩基を得る。その塩酸塩は次の性
質をもつ、融点７２〜７４℃：　〔α〕乙０：＋１９±
１°　（エタノール９１％溶液）。

−緒にした母液に水性アンモニアを加えアルカリ反応を
起こし、塩化メチレンで抽出し蒸発することによって、
Ｌ（−）一対掌体に富んだ生成物を得る。この生成物か
らはＤ　（−）−グルタミン酸適用の下に前記の方法を
同様に適用して対応するＬ（−）−１−（ｏ−アリルオ
キシフェノキシ）−３−イソプロピルアミノ）−２−プ
ロパツールを得、その塩酸塩は次の性質を示す。

融点７３〜７５℃＝　［α］、！０＝−１９±１゜（エ
タノール９１％溶液）。

例５ （−）−１−（１−ナフチルオキシ）−３−イソプロピ
ルアミノ−２−プロパツール塩酸塩０．９ｇを水１ＯＩ
１１１に溶解し、ＩＮ水酸化ナトリウム溶液４ａ＋１と
混合し、その混合物を酢酸エチルエステルそれぞれ２５
耐で３回抽出する。その有機溶液を硫酸マグネシウム上
で乾燥後真空中で蒸発し、残渣として得られる遊離の塩
基なジメチルホルムアミド５ｍｌに溶解し、この溶液に
１０℃で無水酢酸０．３４ｍ１を滴下して加える。その
溶液を２０℃で２時間かきまぜ、水２５ｍ１中に注加し
、トルエンそれぞれ３０ｍ１で２回抽出する。そのトル
エン溶液を硫酸マグネシウム上で乾燥後乾燥するまで蒸
発すると、粗（−）−１−（１−ナフチルオキシ）−３
−Ｎ−イソプロピル−Ｎ−アセチルアミノ−２−プロパ
ツールを得る。これを塩化メチレン５ｍｌに溶解し、５
〜ｌＯ℃、４５分間で塩化メチレン５ｍｌ中の塩化ヂオ
ニル０．６ｍｌ溶液に滴下し、ついで２０℃で２時間、
３５℃で１時間かきまぜ、ついで真空中乾燥するまで蒸
発する。油状の残渣は粗塩化（＋）−１−イソプロピル
−２−メチル−５−（ｌ−ナフチルオキシメチル）−オ
キサゾリウムである。水１ｍｌとエタノール１０＋＋１
との中のこの化合物の溶液を水酸化ナトリウムＩｇと混
合し、その混合物を１時間還流する。その後反応混合物
を水２５ｍ１中に注加し、トルエンそれぞれ２５１１１
１で２回抽出し、そのトルエン層を硫酸マグネシウム上
で乾燥後真空中で乾燥するまで蒸発する。

その残渣をイソプロパツール５ｍｌに溶解し、イソプロ
パツール中の塩酸ガス溶液でメチルレッドに対して中性
にする。そこで析出する結晶を吸引すると（＋）−１−
（１−ナフチルオキシ）−３−イソプロピルアミノ−２
−プロパツール塩酸塩０．７ｇ　（理論量の７８％）を
得る。

［α］　Ｄ出発生成物ニー１３．２°±０．５（水中１
％溶液、２０℃） ［α］Ｄ目的生成物ニー１３．７±０．５（水中１％溶
液、２０℃） 光学的収率：１００％。

出発材料として適用される（−）−１−（１−ナフチル
オキシ）−３−イソプロピルアミノ−２−プロパツール
塩酸塩は例４に記載の、ラセミ体分割法と同様にして得
られる。この出発材料は次の性質を示す。

（＋）−１−（１−ナフチルオキシ）−３−イソプロピ
ルアミノ−２−プロパツール塩酸塩：融点１９２〜１９
３℃：［α］Δ０＋２５±１°（エタノール中１％溶液
）： （−）−１−（１−ナフチルオキシ）−３−イソプロピ
ルアミノ−２−プロパツール塩酸塩：融点１９２〜１９
３℃：〔α〕ε’ニー２５±１゜（エタノール中１％溶
液）。

手続補正（！Ｆ（方幻 昭和６３年　４月２７日 特許庁長官　　小　川　邦　夫　殿 １、事件の表示 昭和６２年特許願第２８９６６１号 ２、発明の名称 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住　所　チバ・ガイギー、アクチェンゲゼルシャフト４
、代理人

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）式： ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （この式で、Ａｒ＿１は芳香族性をもつ環を少なくとも
   １個もち、とりわけ芳香族性をもつ環の環炭素原子を通
   じて酸素原子と結合する単環または多環で、炭素環式ま
   たは複素環式の基であり、Ｒ＿１は場合によっては置換
   されている脂肪族、脂環式またはアリール置換脂肪族の
   炭化水素残基であり、Ｒ＿２は単環または多環で、炭素
   環式または複素環式の基あるいは場合によっては置換さ
   れている脂肪族、脂環式またはアリール置換脂肪族の炭
   化水素残基であり、Ｘ＾■は強い、酸素原子含有無機ま
   たは有機酸の陰イオンあるいはハロゲン原子の陰イオン
   である） で表わされる光学活性化合物または遊離の塩基の形のそ
   のような化合物。
2. （２）前記式（III）において、Ｘがハロゲン原子ある
   いは硫酸またはリン酸の残基であり、Ａｒ＿１がナフチ
   ル基、低級アルキル−フェニル基、低級アルケニルフェ
   ニル基、低級アルケニルオキシ−フェニル基、低級アル
   カノイルアミノ−フェニル基、低級アルコキシ低級アル
   キル−フェニル基、９，１０−エタノ−９，１０−ジヒ
   ドロ−ベンズアントリル基、ピラジニル基、ピリミジニ
   ル基、インドリル基、ベンゾフリル基、シアノ−ピリジ
   ル基、ピリル−フェニル基、低級アルコキシカルボニル
   アミノ−低級アルキル−ピリジル基、Ｎ′−シクロアル
   キル−ウレイド−フェニル基、（ベンゾイミダゾール−
   ２−オン）−イル基、フェニル低級アルコキシフェニル
   基、ヒドロキシフェニル基であり、Ｒ＿１が低級アルキ
   ル基、フェニル低級アルキル基またはピリジルオキシ基
   であり、Ｒ＿２が低級アルキル基、フェニル低級アルキ
   ル基、フェノキシ低級アルキル基またはフェニル基であ
   る特許請求の範囲第１項記載の光学活性化合物または遊
   離の塩基の形のそのような化合物。
3. （３）前記式（III）において、Ｘが塩素原子または臭
   素原子あるいは硫酸またはリン酸の残基であり、Ａｒ＿
   １が１−ナフチル基、３−低級アルキル−フェニル基、
   ２−低級アルケニル−フェニル基、２−低級アルケニル
   オキシ−フェニル基、４−低級アルカノイルアミノ−フ
   ェニル基、４−（２−低級アルコキシ−エチル）−フェ
   ニル基、２−ピラジニル基、２−ピリミジニル基、（１
   −ピリル）−フェニル基、４−インドリル基、５−（２
   −低級アルコキシカルボニルアミノ−エチル）−ピリジ
   ル基、３−シアノ−ピリジル基、４−（ベンゾイミダゾ
   ール−２−オン）−イル基、４−（Ｎ′−シクロアルキ
   ル−ウレイド）−フェニル基、ベンジルオキシ−フェニ
   ル基、ヒドロキシフェニル基であり、Ｒ＿１が低級アル
   キル基、フェニル低級アルキル基またはフェノキシ低級
   アルキル基であり、Ｒ＿２が低級アルキル基、フェニル
   低級アルキル基またはフェニル基である特許請求の範囲
   第１項記載の光学活性化合物または遊離の塩基の形のそ
   のような化合物。
4. （４）前記式（III）において、Ｘが塩素原子または臭
   素原子あるいは硫酸またはリン酸の残基であり、Ａｒ＿
   １が１−ナフチル基、３−メチル−フェニル基、２−ア
   リル−フェニル基、２−アリルオキシ−フェニル基、４
   −アセチルアミノ−フェニル基、４−インドリル基、４
   −（２−メトキシ−エチル）−フェニル基、２−ピラジ
   ニル基、２−ピリミジニル基、２−（１−ピリル）−フ
   ェニル基、４−（Ｎ′−シクロヘキシルウレイド）−フ
   ェニル基、４−ベンジルオキシ−フェニル基、または４
   −ヒドロキシ−フェニル基であり、Ｒ＿１が低級アルキ
   ル基またはフェニル低級アルキル基であり、Ｒ＿２が低
   級アルキル基、フェニル低級アルキル基またはフェニル
   基である特許請求の基の形のそのような化合物。
5. （５）前記式（III）においてＸが塩素原子または硫酸
   の残基であり、Ａｒ＿１が２−（１−ピリル）−フェニ
   ル基、１−ナフチル基、２−アリル−フェニル基、２−
   アリルオキシ−フェニル基、４−（Ｎ′−シクロヘキシ
   ルウレイド）−フェニル基、２−ピラジニル基、４−ベ
   ンジルオキシ−フェニル基または４−ヒドロキシフェニ
   ル基であり、Ｒ＿１が低級アルキル基であり、Ｒ＿２が
   低級アルキル基またはフェニル基である特許請求の範囲
   第１項記載の光学活性化合物または遊離の塩基の形のそ
   のような化合物。
6. （６）Ｓ（−）−１−イソプロピル−２−メチル−５−
   （４−ベンジルオキシ−フェノキシメチル）−オキサゾ
   リニウムクロリドである特許請求の範囲第１項記載の化
   合物。
7. （７）Ｒ（＋）−１−イソプロピル−２−メチル−５−
   （４−ヒドロキシ−フェノキシメチル）−オキサゾリニ
   ウム−スルフアトである特許請求の範囲第１項記載の化
   合物。
8. （８）Ｌ（−）−１−イソプロピル−２−メチル５−（
   ｏ−アロイルオキシ−フェノキシメチル）−オキサゾリ
   ニウムクロリドである特許請求の範囲第１項記載の化合
   物。
9. （９）（＋）−１−イソプロピル−２−メチル−５−（
   １−ナフチルオキシメチル）−オキサゾリニウムクロリ
   ドである特許請求の範囲第１項記載の化合物。