JPH0153232B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0153232B2 JPH0153232B2 JP58132176A JP13217683A JPH0153232B2 JP H0153232 B2 JPH0153232 B2 JP H0153232B2 JP 58132176 A JP58132176 A JP 58132176A JP 13217683 A JP13217683 A JP 13217683A JP H0153232 B2 JPH0153232 B2 JP H0153232B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystals
- ceramics
- decorative
- ceramic
- sintered body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Adornments (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は各種装飾品に使用するセラミツクス装
飾体に関する。
飾体に関する。
従来ネクタイピン、ブローチ、イアリング、ブ
レスレツト、ペンダント、ヘアバンド、ベルト、
ゴルフクラブヘツド、時計、額縁、置物、装飾ケ
ース等の各種飾りに使用する天然物以外のセラミ
ツクス装飾体は透明なもの、白色のもの、あるい
は種々の色に着色したものが一般的であり、灰色
や黒色のセラミツクスはあまり装飾品としては用
いられていない。
レスレツト、ペンダント、ヘアバンド、ベルト、
ゴルフクラブヘツド、時計、額縁、置物、装飾ケ
ース等の各種飾りに使用する天然物以外のセラミ
ツクス装飾体は透明なもの、白色のもの、あるい
は種々の色に着色したものが一般的であり、灰色
や黒色のセラミツクスはあまり装飾品としては用
いられていない。
一方近年脚光を浴びているニユーセラミツクス
にはたとえば、窒化ケイ素、サイアロン等の窒化
物セラミツクス、炭化ケイ素や炭化ホウ素等の炭
化物セラミツクス、さらにホウ化物セラミツクス
その他があり、このようなセラミツクスは鏡面研
磨して粒界をエツチングし、顕微鏡で観る微構造
は種々の模様があるが焼成したままのあるいは研
磨後のものは装飾品として使用できる模様ではな
い。
にはたとえば、窒化ケイ素、サイアロン等の窒化
物セラミツクス、炭化ケイ素や炭化ホウ素等の炭
化物セラミツクス、さらにホウ化物セラミツクス
その他があり、このようなセラミツクスは鏡面研
磨して粒界をエツチングし、顕微鏡で観る微構造
は種々の模様があるが焼成したままのあるいは研
磨後のものは装飾品として使用できる模様ではな
い。
本発明は、上記した欠点を解消し、灰色や黒色
であつても十分鑑賞にたえる新規なセラミツク装
飾体を提供することを目的とする。
であつても十分鑑賞にたえる新規なセラミツク装
飾体を提供することを目的とする。
本発明者等は前記した例えば炭化ケイ素の結晶
を更に成長させることにより、目視可能な模様が
表面に現われ、装飾品として使用できることを見
出した。
を更に成長させることにより、目視可能な模様が
表面に現われ、装飾品として使用できることを見
出した。
本発明は、単一のセラミツクス焼結体における
結晶を針状又は板状に成長させて、該結晶の少な
くとも50％は粒子の長さを２mm以上とし、成長し
た結晶が焼結体表面に10μｍ以上盛り上がるよう
にしたセラミツクス装飾体に関する。
結晶を針状又は板状に成長させて、該結晶の少な
くとも50％は粒子の長さを２mm以上とし、成長し
た結晶が焼結体表面に10μｍ以上盛り上がるよう
にしたセラミツクス装飾体に関する。
本発明において針状又は板状の少なくとも50％
は粒子の長さを２mm以上にしないと、光の反射に
よつてキラキラと輝く美観を呈さず、又成長した
結果は焼結体の表面に10μｍ以上盛り上がつてい
ないと同様に美観を十分に発揮できず、装飾品と
しての価値が低下する。
は粒子の長さを２mm以上にしないと、光の反射に
よつてキラキラと輝く美観を呈さず、又成長した
結果は焼結体の表面に10μｍ以上盛り上がつてい
ないと同様に美観を十分に発揮できず、装飾品と
しての価値が低下する。
このようなセラミツク装飾体を得るためには、
次のような手段による。
次のような手段による。
(1) 通常の焼結温度より高い温度で焼成する。例
えば炭化ケイ素焼結体の場合は通常の焼結温度
よりも100〜300℃高い温度で焼成する。
えば炭化ケイ素焼結体の場合は通常の焼結温度
よりも100〜300℃高い温度で焼成する。
(2) 通常の焼結温度で長時間焼成する。例えば炭
化ケイ素焼結体の場合は通常焼成時間より約10
倍長い時間をかけて焼成する。
化ケイ素焼結体の場合は通常焼成時間より約10
倍長い時間をかけて焼成する。
(3) 既に焼結されたものを研磨等の表面仕上げを
した後に(1)又は(2)の条件で焼成する。
した後に(1)又は(2)の条件で焼成する。
上記(3)の手段によれば下地がきれいでその上に
模様が浮き上つて見え易く好ましい。
模様が浮き上つて見え易く好ましい。
上記焼成の際の雰囲気は窒素、アルゴン、ヘリ
ウム、水素等のガスによる非酸化性の雰囲気であ
ればよく制限はない。
ウム、水素等のガスによる非酸化性の雰囲気であ
ればよく制限はない。
実施例 １
ケイ石粉とコークス粉とを熱処理して得られた
平均粒径0.8μｍのα−SiC粉100重量部、平均粒径
2μｍの焼結助剤としてのB4C粉1.5重量部、ノボ
ラツクフエノールレジン（三菱ガス化学K.K.製、
商品名SM−P107A）６重量部、アセトン10重量
部を混合、乾燥後ポリビニルアルコール水溶液で
造粒し、次に成形し、外径20mm、厚さ５mmの円盤
を得た。この成形体をAr雰囲気で毎時100℃で昇
温し、2300℃で１時間焼成し、冷却後表面を研磨
して平坦としたのち再度Ar雰囲気とし2300℃で
16時間焼成した。このものの表面の写真を第１図
に示す。このものは、径約0.1μｍ、長さ約４mm程
度の針状結晶が表面に成長しており表面アラサは
約48μｍである。針状結晶を発生させる前の表面
アラサは約4μｍであるので、前記結晶は約44μｍ
盛り上がつていることになる。また一部板状結晶
も現われている。また結晶の面が基材の炭化ケイ
素焼結体に対して傾いているため光の当たる方向
により反射する場所が異なり、キラキラ輝いて装
飾品としての効果を発揮する。
平均粒径0.8μｍのα−SiC粉100重量部、平均粒径
2μｍの焼結助剤としてのB4C粉1.5重量部、ノボ
ラツクフエノールレジン（三菱ガス化学K.K.製、
商品名SM−P107A）６重量部、アセトン10重量
部を混合、乾燥後ポリビニルアルコール水溶液で
造粒し、次に成形し、外径20mm、厚さ５mmの円盤
を得た。この成形体をAr雰囲気で毎時100℃で昇
温し、2300℃で１時間焼成し、冷却後表面を研磨
して平坦としたのち再度Ar雰囲気とし2300℃で
16時間焼成した。このものの表面の写真を第１図
に示す。このものは、径約0.1μｍ、長さ約４mm程
度の針状結晶が表面に成長しており表面アラサは
約48μｍである。針状結晶を発生させる前の表面
アラサは約4μｍであるので、前記結晶は約44μｍ
盛り上がつていることになる。また一部板状結晶
も現われている。また結晶の面が基材の炭化ケイ
素焼結体に対して傾いているため光の当たる方向
により反射する場所が異なり、キラキラ輝いて装
飾品としての効果を発揮する。
本発明は装飾品としてあまり使用されていなか
つたセラミツクスの表面にその結晶を肉眼で見え
る模様として浮き上がらせることにより装飾品と
しての価値を高めたものであり、従来のセラミツ
クスにはこのような模様はなかつたことから装飾
品として画期的なものである。
つたセラミツクスの表面にその結晶を肉眼で見え
る模様として浮き上がらせることにより装飾品と
しての価値を高めたものであり、従来のセラミツ
クスにはこのような模様はなかつたことから装飾
品として画期的なものである。
第１図は本発明の一実施例になるセラミツクス
装飾体表面の拡大写真である。
装飾体表面の拡大写真である。
Claims (1)
- １ 単一のセラミツクス焼結体における結晶を針
状又は板状に成長させて、該結晶の少なくとも50
％は粒子の長さを２mm以上とし成長した結晶が焼
結体表面に10μｍ以上盛り上がるようにしたセラ
ミツクス装飾体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58132176A JPS6027666A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | セラミツクス装飾体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58132176A JPS6027666A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | セラミツクス装飾体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6027666A JPS6027666A (ja) | 1985-02-12 |
| JPH0153232B2 true JPH0153232B2 (ja) | 1989-11-13 |
Family
ID=15075150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58132176A Granted JPS6027666A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | セラミツクス装飾体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6027666A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5487353A (en) * | 1994-02-14 | 1996-01-30 | General Electric Company | Conversion of doped polycrystalline material to single crystal |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5133130A (en) * | 1974-09-13 | 1976-03-22 | Showa Electric Wire & Cable Co | Denkizetsuentoryo no seizohoho |
| JPS5323178U (ja) * | 1976-08-06 | 1978-02-27 |
-
1983
- 1983-07-20 JP JP58132176A patent/JPS6027666A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6027666A (ja) | 1985-02-12 |
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