JPH0155558B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0155558B2 JPH0155558B2 JP57173166A JP17316682A JPH0155558B2 JP H0155558 B2 JPH0155558 B2 JP H0155558B2 JP 57173166 A JP57173166 A JP 57173166A JP 17316682 A JP17316682 A JP 17316682A JP H0155558 B2 JPH0155558 B2 JP H0155558B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode layer
- back electrode
- insulating
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、２重絶縁膜構造の薄膜ELパネル
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
２重絶縁膜構造の薄膜ELパネルの断面図を第
１図に示す。第１図において、１は透明なガラス
基板であり、このガラス基板１の面上に透明電極
層２が形成される。この透明電極層２はたとえば
In2O3よりなり、エツチング法により複数本の電
極子にパターニングされている。このような透明
電極層２上には第１の絶縁層３と発光層４と第２
の絶縁層５とが順次形成される。そして、第２の
絶縁層５上には背面電極層６が形成される。この
背面電極層６はAlよりなり、前記透明電極層２
の電極子と交差するような複数本の直線状の電極
子にエツチング法またはリフトオフ法によりパタ
ーニングされている。なお、７は封止板であつ
て、層３〜６を覆つている。この封止板７内に防
湿油８を注入して薄膜ELパネルの防湿を図るこ
とにより、薄膜ELパネルが水分により絶縁破壊
を起すのを防止する。
１図に示す。第１図において、１は透明なガラス
基板であり、このガラス基板１の面上に透明電極
層２が形成される。この透明電極層２はたとえば
In2O3よりなり、エツチング法により複数本の電
極子にパターニングされている。このような透明
電極層２上には第１の絶縁層３と発光層４と第２
の絶縁層５とが順次形成される。そして、第２の
絶縁層５上には背面電極層６が形成される。この
背面電極層６はAlよりなり、前記透明電極層２
の電極子と交差するような複数本の直線状の電極
子にエツチング法またはリフトオフ法によりパタ
ーニングされている。なお、７は封止板であつ
て、層３〜６を覆つている。この封止板７内に防
湿油８を注入して薄膜ELパネルの防湿を図るこ
とにより、薄膜ELパネルが水分により絶縁破壊
を起すのを防止する。
このような薄膜ELパネルにおいては、透明電
極層２および背面電極層６の所定の電極子間に電
荷をかけると、電極子の交差点で発光する。発光
色は発光層４の材料によつて異なる。たとえば、
ZnSを母体としMnを発光中心とした発光層４は
黄橙色を発光する。発光輝度は透明電極層２と背
面電極層６とにかける電荷すなわち電位差によつ
て異なる。
極層２および背面電極層６の所定の電極子間に電
荷をかけると、電極子の交差点で発光する。発光
色は発光層４の材料によつて異なる。たとえば、
ZnSを母体としMnを発光中心とした発光層４は
黄橙色を発光する。発光輝度は透明電極層２と背
面電極層６とにかける電荷すなわち電位差によつ
て異なる。
以上のような薄膜ELパネルは、第１の絶縁層
３と発光層４と第２の絶縁層５の膜厚が３層合せ
てたかだか1μｍと非常に薄く、その薄い層の両
側に100〜200Vの電位差をかけるため絶縁破壊を
おこす恐れがある。したがつて、第１および第２
の絶縁層３，５の薄膜に欠陥などの少ない膜質の
よいものを形成する必要がある。
３と発光層４と第２の絶縁層５の膜厚が３層合せ
てたかだか1μｍと非常に薄く、その薄い層の両
側に100〜200Vの電位差をかけるため絶縁破壊を
おこす恐れがある。したがつて、第１および第２
の絶縁層３，５の薄膜に欠陥などの少ない膜質の
よいものを形成する必要がある。
誘電率の高い材料で第１および第２の絶縁層
３，５を形成することにより、透明電極層２と背
面電極層６との間にかける電位差すなわち駆動電
圧（以下駆動電圧と呼ぶ）を低くできる。そこ
で、従来は第１および第２の絶縁層３，５の材料
としてY2O3あるいはTa2O5などの誘電率の高い
材料を使用していた。これらの材料によれば、電
子ビーム蒸着装置で、しかも発光層４と同一真空
中で第１および第２の絶縁層３，５を形成でき
る。しかし、形成された第１および第２の絶縁層
３，５の欠陥が多いという欠点がある。
３，５を形成することにより、透明電極層２と背
面電極層６との間にかける電位差すなわち駆動電
圧（以下駆動電圧と呼ぶ）を低くできる。そこ
で、従来は第１および第２の絶縁層３，５の材料
としてY2O3あるいはTa2O5などの誘電率の高い
材料を使用していた。これらの材料によれば、電
子ビーム蒸着装置で、しかも発光層４と同一真空
中で第１および第２の絶縁層３，５を形成でき
る。しかし、形成された第１および第２の絶縁層
３，５の欠陥が多いという欠点がある。
いま、第２の絶縁層５に第２図に示すように欠
陥９が生じたとする。この欠陥９が生じた場合、
第２の絶縁層５の面上にAlよりなる背面電極層
６を形成する時、第３図に示すように欠陥９に
Alが入り、たとえばZnSのように半導体材料であ
る発光層４と背面電極層６が導通状態となる。ま
た、第１の絶縁層３にも同様に欠陥が生じたとす
ると、その欠陥に発光層４の材料が入り、発光層
４と透明電極層２が導通状態となる。結局、第１
および第２の絶縁層３，５に欠陥が生じると、透
明電極層２と背面電極層６が導通状態になる。そ
して、電流が流れると、欠陥９において断面積が
小さく抵抗値が大きいため、ジユール熱により背
面電極層６の電極子が破損してしまうことにな
る。
陥９が生じたとする。この欠陥９が生じた場合、
第２の絶縁層５の面上にAlよりなる背面電極層
６を形成する時、第３図に示すように欠陥９に
Alが入り、たとえばZnSのように半導体材料であ
る発光層４と背面電極層６が導通状態となる。ま
た、第１の絶縁層３にも同様に欠陥が生じたとす
ると、その欠陥に発光層４の材料が入り、発光層
４と透明電極層２が導通状態となる。結局、第１
および第２の絶縁層３，５に欠陥が生じると、透
明電極層２と背面電極層６が導通状態になる。そ
して、電流が流れると、欠陥９において断面積が
小さく抵抗値が大きいため、ジユール熱により背
面電極層６の電極子が破損してしまうことにな
る。
この問題点の解決法として、第１および第２の
絶縁層３，５の材料として比較的欠陥の少ない薄
膜が得られるSi3N4などを用いることが考えられ
る。しかし、Si3N4は誘電率が小さく、駆動電圧
の低電圧化が図れないという欠点がある。また、
Si3N4はスパツタ法によらなければ薄膜形成でき
ないため、電子ビーム蒸着法により形成する発光
層４と同一真空中で形成できず、真空操作が増え
るという欠点がある。
絶縁層３，５の材料として比較的欠陥の少ない薄
膜が得られるSi3N4などを用いることが考えられ
る。しかし、Si3N4は誘電率が小さく、駆動電圧
の低電圧化が図れないという欠点がある。また、
Si3N4はスパツタ法によらなければ薄膜形成でき
ないため、電子ビーム蒸着法により形成する発光
層４と同一真空中で形成できず、真空操作が増え
るという欠点がある。
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、従
来の欠点をすべて解決できる薄膜ELパネルの製
造方法を提供することを目的とする。
来の欠点をすべて解決できる薄膜ELパネルの製
造方法を提供することを目的とする。
以下この発明の実施例を図面を参照して説明す
る。第４図はこの発明の実施例を示す図である。
この図において、１１は透明なガラス基板（透明
基板）であり、このガラス基板１１の面上に透明
電極層１２が形成される。この透明電極層１２
は、蒸着法により1000〜3000Åの膜厚に形成され
たたとえばIn2O3よりなる。また、この透明電極
層１２は、線幅が100〜400μｍの直線状の電極
子、しかも等ピツチで複数本配設されるような電
極子にエツチング法によりパターニングされてい
る。このような透明電極層１２上には第１の絶縁
層１３が形成される。この第１の絶縁層１３は、
たとえばY2O3あるいはTa2O5などのように高誘
電率を有する材料よりなり、膜厚は1500〜6000Å
である。このような第１の絶縁層１３上には発光
層１４が形成される。この発光層１４は、たとえ
ばZnSを母体としMnを発光中心として発光層で
あつて、1500〜8000Åの膜厚に形成される。この
ような発光層１４上には第２の絶縁層１５が形成
される。この第２の絶縁層１５は前記第１の絶縁
層１３と同じ薄膜である。この第２の絶縁層１５
上に金属酸化物１６が形成される。さらに、金属
酸化物１６上に背面電極層１７が形成される。こ
の背面電極層１７はたとえばAlからなる。また、
この背面電極層１７は、前記透明電極層１２の電
極子と直角に交差する線幅100〜400μｍの直線状
の電極子、しかも等ピツチで配列された複数本の
電極子にエツチング法またはリフトオフ法により
パターニングされている。
る。第４図はこの発明の実施例を示す図である。
この図において、１１は透明なガラス基板（透明
基板）であり、このガラス基板１１の面上に透明
電極層１２が形成される。この透明電極層１２
は、蒸着法により1000〜3000Åの膜厚に形成され
たたとえばIn2O3よりなる。また、この透明電極
層１２は、線幅が100〜400μｍの直線状の電極
子、しかも等ピツチで複数本配設されるような電
極子にエツチング法によりパターニングされてい
る。このような透明電極層１２上には第１の絶縁
層１３が形成される。この第１の絶縁層１３は、
たとえばY2O3あるいはTa2O5などのように高誘
電率を有する材料よりなり、膜厚は1500〜6000Å
である。このような第１の絶縁層１３上には発光
層１４が形成される。この発光層１４は、たとえ
ばZnSを母体としMnを発光中心として発光層で
あつて、1500〜8000Åの膜厚に形成される。この
ような発光層１４上には第２の絶縁層１５が形成
される。この第２の絶縁層１５は前記第１の絶縁
層１３と同じ薄膜である。この第２の絶縁層１５
上に金属酸化物１６が形成される。さらに、金属
酸化物１６上に背面電極層１７が形成される。こ
の背面電極層１７はたとえばAlからなる。また、
この背面電極層１７は、前記透明電極層１２の電
極子と直角に交差する線幅100〜400μｍの直線状
の電極子、しかも等ピツチで配列された複数本の
電極子にエツチング法またはリフトオフ法により
パターニングされている。
このような薄膜ELパネルにおいて、透明電極
層１２から第２の絶縁層１５までは従来から用い
られている形成法により作成できる。しかも、第
１の絶縁層１３と発光層１４さらには第２の絶縁
層１５は、各々の層形成時に大気に戻すことな
く、同一の電子ビーム蒸着装置を用い同一真空中
において（すなわち、真空を破らずに）連続して
順次形成することができる。そのようにして第２
の絶縁層１５の形成が終ると、次に、金属酸化物
１６さらには背面電極層１７が形成される。これ
らは、次のようにして作成される。
層１２から第２の絶縁層１５までは従来から用い
られている形成法により作成できる。しかも、第
１の絶縁層１３と発光層１４さらには第２の絶縁
層１５は、各々の層形成時に大気に戻すことな
く、同一の電子ビーム蒸着装置を用い同一真空中
において（すなわち、真空を破らずに）連続して
順次形成することができる。そのようにして第２
の絶縁層１５の形成が終ると、次に、金属酸化物
１６さらには背面電極層１７が形成される。これ
らは、次のようにして作成される。
いま、背面電極層１７をAlで形成するならば、
Alのターゲツトをスパツタ法によりO2とArの混
合ガス雰囲気内で蒸着する。これにより、Al2O3
からなる金属酸化物１６を数10Å〜数100Åの膜
厚に形成する。次に、O2ガスの注入を止め、Ar
ガス雰囲気内でAlをスパツタする。これにより、
Al2O3からなる金属酸化物１６の面上に、Alから
なる背面電極層１７を形成する。すなわち金属酸
化物１６及び背面電極層１７は、同一のAlター
ゲツトを用い同一真空中において（すなわち真空
を破らずに）雰囲気ガスを変えるのみでスパツタ
法により連続して形成される。
Alのターゲツトをスパツタ法によりO2とArの混
合ガス雰囲気内で蒸着する。これにより、Al2O3
からなる金属酸化物１６を数10Å〜数100Åの膜
厚に形成する。次に、O2ガスの注入を止め、Ar
ガス雰囲気内でAlをスパツタする。これにより、
Al2O3からなる金属酸化物１６の面上に、Alから
なる背面電極層１７を形成する。すなわち金属酸
化物１６及び背面電極層１７は、同一のAlター
ゲツトを用い同一真空中において（すなわち真空
を破らずに）雰囲気ガスを変えるのみでスパツタ
法により連続して形成される。
このようにして金属酸化物１６と背面電極層１
７を形成するが、AlをO2とArの混合ガス雰囲気
内で蒸着してAl2O3からなる金属酸化物１６を形
成する際、この金属酸化物１６は第５図に示すよ
うに、第２の絶縁層１５に生じた欠陥部１８に注
入される。Al2O3からなる金属酸化物１６は絶縁
材料である。したがつて、第２の絶縁層１５に欠
陥部１８が生じていても、上記のようにして金属
酸化物１６を形成することにより、背面電極層１
７と発光層１４とは完全に絶縁される。
７を形成するが、AlをO2とArの混合ガス雰囲気
内で蒸着してAl2O3からなる金属酸化物１６を形
成する際、この金属酸化物１６は第５図に示すよ
うに、第２の絶縁層１５に生じた欠陥部１８に注
入される。Al2O3からなる金属酸化物１６は絶縁
材料である。したがつて、第２の絶縁層１５に欠
陥部１８が生じていても、上記のようにして金属
酸化物１６を形成することにより、背面電極層１
７と発光層１４とは完全に絶縁される。
上記の説明から明らかな通り、金属酸化物１６
は、背面電極層１７として使用する金属材料の酸
化物からなる。したがつて、背面電極層１７は、
比抵抗値が小さく、かつ酸化物が絶縁材料となる
金属を使用する必要がある。
は、背面電極層１７として使用する金属材料の酸
化物からなる。したがつて、背面電極層１７は、
比抵抗値が小さく、かつ酸化物が絶縁材料となる
金属を使用する必要がある。
また、金属酸化物１６は第４図および第５図に
示すように、第２の絶縁層１５と背面電極層１７
の間にのみ形成してもよく、または第６図に示す
ように第２の絶縁層１５の全面に形成してもよ
い。
示すように、第２の絶縁層１５と背面電極層１７
の間にのみ形成してもよく、または第６図に示す
ように第２の絶縁層１５の全面に形成してもよ
い。
しかして、以上のような薄膜ELパネルは、透
明電極層１２および背面電極層１７の所定の電極
子間に電圧をかけると、その電極子の交差点にお
いて発光層１４の発光中心が励起されて発光す
る。
明電極層１２および背面電極層１７の所定の電極
子間に電圧をかけると、その電極子の交差点にお
いて発光層１４の発光中心が励起されて発光す
る。
なお、第４図において、１９は封止板であつ
て、層１３〜１５，１７および金属酸化物１６を
覆つている。この封止板１９内に防湿油２０を注
入することにより、薄膜ELパネルの防湿を図る。
て、層１３〜１５，１７および金属酸化物１６を
覆つている。この封止板１９内に防湿油２０を注
入することにより、薄膜ELパネルの防湿を図る。
以上詳細に説明した如く、この発明の薄膜EL
パネルの製造方法によれば、第１の絶縁層、発光
層、第２の絶縁層は同一電子ビーム蒸着装置を用
いて真空を破らずに連続して順次形成され、また
金属酸化物層、背面電極層は同一の金属ターゲツ
トを用い真空を破らずに雰囲気ガスを変えるのみ
でスパツタ法により連続して形成されるものであ
るため、真空操作の回数は２回で済むこととな
り、製造工程が簡略化され、製造コストの低減が
図れるものである。この発明により製造される薄
膜ELパネルでは、第１および第２の絶縁層を誘
電率の高い絶縁材料で形成し、かつ第２の絶縁層
と背面電極層との間に、その背面電極層として使
用した金属材料の酸化物を設けている。したがつ
て、誘電率の高い絶縁材料を薄膜として形成した
場合、欠陥の少ない良質の絶縁膜が得られにくい
ものであるが、この発明では、第２の絶縁層に欠
陥が生じても、前記背面電極層として使用した金
属材料の酸化物により、背面電極層と発光層の導
通を確実に防ぐことができる。ゆえに、背面電極
層と透明電極層の導通、延いてはこれら電極層の
電極子のジユール熱による破損を防止することが
できる。
パネルの製造方法によれば、第１の絶縁層、発光
層、第２の絶縁層は同一電子ビーム蒸着装置を用
いて真空を破らずに連続して順次形成され、また
金属酸化物層、背面電極層は同一の金属ターゲツ
トを用い真空を破らずに雰囲気ガスを変えるのみ
でスパツタ法により連続して形成されるものであ
るため、真空操作の回数は２回で済むこととな
り、製造工程が簡略化され、製造コストの低減が
図れるものである。この発明により製造される薄
膜ELパネルでは、第１および第２の絶縁層を誘
電率の高い絶縁材料で形成し、かつ第２の絶縁層
と背面電極層との間に、その背面電極層として使
用した金属材料の酸化物を設けている。したがつ
て、誘電率の高い絶縁材料を薄膜として形成した
場合、欠陥の少ない良質の絶縁膜が得られにくい
ものであるが、この発明では、第２の絶縁層に欠
陥が生じても、前記背面電極層として使用した金
属材料の酸化物により、背面電極層と発光層の導
通を確実に防ぐことができる。ゆえに、背面電極
層と透明電極層の導通、延いてはこれら電極層の
電極子のジユール熱による破損を防止することが
できる。
しかも、金属酸化物は、背面電極層の形成時
に、スパツタする雰囲気ガスとしてO2ガスを注
入し、O2とArの混合ガス雰囲気にするという簡
単な操作で形成できる。
に、スパツタする雰囲気ガスとしてO2ガスを注
入し、O2とArの混合ガス雰囲気にするという簡
単な操作で形成できる。
また、この発明では、第１および絶縁層を誘電
率の高い絶縁材料で形成している。したがつて、
絶縁層をSi3N4などで形成する場合に比べて、製
造作業性が向上するとともに駆動電圧の低電圧化
を図ることができる。
率の高い絶縁材料で形成している。したがつて、
絶縁層をSi3N4などで形成する場合に比べて、製
造作業性が向上するとともに駆動電圧の低電圧化
を図ることができる。
このような効果を有するこの発明の薄膜ELパ
ネルは、たとえばデイスプレイパネルとして利用
できる。
ネルは、たとえばデイスプレイパネルとして利用
できる。
第１図は従来の薄膜ELパネルの断面図、第２
図は絶縁層の欠陥部を示す一部拡大図、第３図は
欠陥部に背面電極層の一部が注入した状態を示す
一部拡大図、第４図はこの発明の薄膜ELパネル
の製造方法を説明するための断面図、第５図およ
び第６図は金属酸化物の形成状態を示す一部拡大
図である。 １１……ガラス基板、１２……透明電極層、１
３……第１の絶縁層、１４……発光層、１５……
第２の絶縁層、１６……金属酸化物、１７……背
面電極層。
図は絶縁層の欠陥部を示す一部拡大図、第３図は
欠陥部に背面電極層の一部が注入した状態を示す
一部拡大図、第４図はこの発明の薄膜ELパネル
の製造方法を説明するための断面図、第５図およ
び第６図は金属酸化物の形成状態を示す一部拡大
図である。 １１……ガラス基板、１２……透明電極層、１
３……第１の絶縁層、１４……発光層、１５……
第２の絶縁層、１６……金属酸化物、１７……背
面電極層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明基板上に複数本の電極子よりなる透明電
極層を形成し、 前記透明電極層上に、高誘電率絶縁材料からな
る第１の絶縁層と、発光層と、高誘電率絶縁材料
からなる第２の絶縁層とを同一の電子ビーム蒸着
装置を用いて真空を破らずに連続して順次形成
し、 スパツタ装置を用い、O2とArの混合ガス雰囲
気内で背面電極に用いる金属をターゲツトとして
スパツタすることにより前記第２の絶縁層上に前
記金属の酸化物層を形成し、引き続いてO2ガス
の注入を止めArガス雰囲気とした上で前記金属
をターゲツトとしてスパツタすることにより前記
金属酸化物層上に前記金属からなる背面電極層を
形成し、 前記背面電極層を前記透明電極の各電極子と交
差するようにパターニングを行う 各工程を具備することを特徴とする薄膜ELパ
ネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57173166A JPS5963692A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57173166A JPS5963692A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5963692A JPS5963692A (ja) | 1984-04-11 |
| JPH0155558B2 true JPH0155558B2 (ja) | 1989-11-24 |
Family
ID=15955317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57173166A Granted JPS5963692A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5963692A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52129296A (en) * | 1977-03-11 | 1977-10-29 | Sharp Corp | Thin film light emitting element |
| JPS6040160B2 (ja) * | 1980-08-28 | 1985-09-09 | 松下電器産業株式会社 | 電場発光素子 |
| JPS58216391A (ja) * | 1982-06-10 | 1983-12-16 | 株式会社リコー | 薄膜ｅｌ素子 |
-
1982
- 1982-10-04 JP JP57173166A patent/JPS5963692A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5963692A (ja) | 1984-04-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5445711A (en) | Low resistance, thermally stable electrode structure for electroluminescent displays | |
| US6570323B1 (en) | Organic thin-film light-emitting device | |
| JP3066573B2 (ja) | 電界放出型表示素子 | |
| JPH11135257A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JP2793102B2 (ja) | Ｅｌ素子 | |
| JPH0155558B2 (ja) | ||
| US4728519A (en) | Polychromatic electroluminescent panel | |
| EP0450077A1 (en) | Thin-film electroluminescent element and method of manufacturing the same | |
| JP2754919B2 (ja) | 多色表示ｅｌディスプレイ | |
| JP2004014532A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 | |
| KR0164456B1 (ko) | 청색발광용 전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| JP2773773B2 (ja) | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 | |
| JPH0325895A (ja) | エレクトロルミネッセンス表示素子及びその製造方法 | |
| JPS62115694A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH05205874A (ja) | 薄膜ｅｌパネル | |
| JPS63181296A (ja) | 誘電体膜の形成方法 | |
| JP2004207255A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 | |
| JP2001196168A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JPS61188890A (ja) | 誘電体膜の形成方法 | |
| JPH01204394A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH0687430B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH04138690A (ja) | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPS60257096A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH05326151A (ja) | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JPS6344684A (ja) | エレクトロルミネセンス発光素子の製造方法 |