JPS5963692A - 薄膜ｅｌパネルの製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌパネルの製造方法Info
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- JPS5963692A JPS5963692A JP57173166A JP17316682A JPS5963692A JP S5963692 A JPS5963692 A JP S5963692A JP 57173166 A JP57173166 A JP 57173166A JP 17316682 A JP17316682 A JP 17316682A JP S5963692 A JPS5963692 A JP S5963692A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、２重絶縁膜構造の薄膜ＥＬ／＜ネルに関す
るものである。
るものである。
２重絶縁膜構造の薄膜ＥＬパネルの断面図を第１図に示
す。第１図において゛、・１は透明なガラス基板であシ
、このガラス基板１の面上に透明電極層２が形成される
。この透明電極層２はたとえばＩｎ２Ｏ３よシなシ、エ
ツチング法によりｉ数本の電極子にパターニングされて
いる。このような透明電極層２上には第１゛の絶縁層３
と発光層４と第２の絶縁層５とが順次形成される。そし
て、第２の絶縁層５上には背面電極層６が形成される。
す。第１図において゛、・１は透明なガラス基板であシ
、このガラス基板１の面上に透明電極層２が形成される
。この透明電極層２はたとえばＩｎ２Ｏ３よシなシ、エ
ツチング法によりｉ数本の電極子にパターニングされて
いる。このような透明電極層２上には第１゛の絶縁層３
と発光層４と第２の絶縁層５とが順次形成される。そし
て、第２の絶縁層５上には背面電極層６が形成される。
この背面電極層６はＡｌよシなシ、前記透明電極層２の
電極子と交差するような複数本の直線状の電極子にエツ
チング法またはリフトオフ法によシバターニングされて
いる。なお、７は封止板であって、層３〜６を覆ってい
る。この封止板７内に防湿油８を注入して薄膜ＥＬパネ
ルの防湿を図ることによシ、薄膜ＥＬパネルが水分によ
シ絶縁破壊を起すのを防止する。
電極子と交差するような複数本の直線状の電極子にエツ
チング法またはリフトオフ法によシバターニングされて
いる。なお、７は封止板であって、層３〜６を覆ってい
る。この封止板７内に防湿油８を注入して薄膜ＥＬパネ
ルの防湿を図ることによシ、薄膜ＥＬパネルが水分によ
シ絶縁破壊を起すのを防止する。
このような薄膜ＥＬパネルにおいては、透明電極層２お
よび背面電極層６の所定の電極子間′に電荷をかけると
、電極子の交差点で発光する。発光色は発光層４の材料
によって異なる。たとえば、ＺｎＳを母体どしＭｎを発
光中心とした発光層４は黄橙色を発光する。発光輝度は
透明電極層２と背面電極層６とにかける電荷すなわち電
位差によって異なる。
よび背面電極層６の所定の電極子間′に電荷をかけると
、電極子の交差点で発光する。発光色は発光層４の材料
によって異なる。たとえば、ＺｎＳを母体どしＭｎを発
光中心とした発光層４は黄橙色を発光する。発光輝度は
透明電極層２と背面電極層６とにかける電荷すなわち電
位差によって異なる。
以上のような薄膜ＥＩ、パネルは、第１の絶縁層３と発
光層４と第２の絶縁層５の膜厚が３層合せてたかだか１
μｍと非常に薄く、その薄い層の両側に１００〜２００
Ｖの電位差をかけるため絶縁破壊をおこす恐れがある。
光層４と第２の絶縁層５の膜厚が３層合せてたかだか１
μｍと非常に薄く、その薄い層の両側に１００〜２００
Ｖの電位差をかけるため絶縁破壊をおこす恐れがある。
したがって、第１および第２の絶縁層３，５の薄膜に欠
陥などの少ない膜質のよいものを形成する必要がある。
陥などの少ない膜質のよいものを形成する必要がある。
誘電率の高い材料で第１および第２の絶縁層３゜５を形
成することによシ、透明電極層２と背面電極層６との間
にかける電位差すなわち駆動電圧（以下駆動電圧と呼ぶ
）を低くできる。そこで、従来は第１および第２の絶縁
層３，５の材料としてＹ２Ｏ３あるいはＴａ２０．など
の誘電率の高い材料を使用していた。これらの材料によ
れば、電子ビーム蒸着装置で、しかも発光層４と同一真
空中で第１および第２の絶縁層３，５を形成できる。し
かし、形成された第１および第２の絶縁層３，５に欠陥
いま、第２の絶縁層５に第２図に示すように欠陥９が生
じたとする。この欠陥９が生じた場合、第２の絶縁層５
の面上にＡＪよりなる背面電極層６を形成する時、第３
図に示すように欠陥９にＡｌが入り、たとえばＺｎＳの
ように半導体材料である発光層４と背面電極層６が導通
状態となる。また、第１の絶縁Ｎ３にも同様に欠陥が生
じたとすると、その欠陥に発光層４の材料が入り、発光
層４と透明電極層２が導通状態となる。結局、第１およ
び第２の絶縁層３，５に欠陥が生じると、透明電極層２
と背面電極層６が導通状態になる。そして、電流が流れ
ると、欠陥９において断面積が小さく抵抗値が大きいた
め、ジュール熱によシ背面電極層６の電極子が破損して
しまうことになる。
成することによシ、透明電極層２と背面電極層６との間
にかける電位差すなわち駆動電圧（以下駆動電圧と呼ぶ
）を低くできる。そこで、従来は第１および第２の絶縁
層３，５の材料としてＹ２Ｏ３あるいはＴａ２０．など
の誘電率の高い材料を使用していた。これらの材料によ
れば、電子ビーム蒸着装置で、しかも発光層４と同一真
空中で第１および第２の絶縁層３，５を形成できる。し
かし、形成された第１および第２の絶縁層３，５に欠陥
いま、第２の絶縁層５に第２図に示すように欠陥９が生
じたとする。この欠陥９が生じた場合、第２の絶縁層５
の面上にＡＪよりなる背面電極層６を形成する時、第３
図に示すように欠陥９にＡｌが入り、たとえばＺｎＳの
ように半導体材料である発光層４と背面電極層６が導通
状態となる。また、第１の絶縁Ｎ３にも同様に欠陥が生
じたとすると、その欠陥に発光層４の材料が入り、発光
層４と透明電極層２が導通状態となる。結局、第１およ
び第２の絶縁層３，５に欠陥が生じると、透明電極層２
と背面電極層６が導通状態になる。そして、電流が流れ
ると、欠陥９において断面積が小さく抵抗値が大きいた
め、ジュール熱によシ背面電極層６の電極子が破損して
しまうことになる。
この問題点の解決法として、第１および第２の絶縁層３
，５の拐料として比較的欠陥の少な°い薄膜が得られる
Ｓｉ、Ｎ、などを用いることが考えられる。
，５の拐料として比較的欠陥の少な°い薄膜が得られる
Ｓｉ、Ｎ、などを用いることが考えられる。
しかし、Ｓｉ、Ｎ４は誘電率が小さく、駆動電圧の低電
圧化が図れないという欠点がある。また、Ｓ ｉ ３
Ｎ４はスパッタ法によらなければ薄膜形成できないため
、成子ビーム蒸着法により形成する発光層４と同一真空
中で形成できず、真空操作が増えるという欠点がある。
圧化が図れないという欠点がある。また、Ｓ ｉ ３
Ｎ４はスパッタ法によらなければ薄膜形成できないため
、成子ビーム蒸着法により形成する発光層４と同一真空
中で形成できず、真空操作が増えるという欠点がある。
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、従来の欠点
をすべて解決できる薄膜ＥＬパネルを提供することを目
的とする。
をすべて解決できる薄膜ＥＬパネルを提供することを目
的とする。
以下この発明の実施例を図面を参照して説明する。第４
図はこの発明の実施例を示す図である。
図はこの発明の実施例を示す図である。
この図において、１１は透明なガラス基板（透明基板）
であり、このガラス基板１１０面上に透明電極層１２が
形成される。この透明電極層１２は、蒸着法によ９１０
００〜３０００人の膜厚に形成されたたとえばＩｎ２Ｏ
３よシなる。また、この透明電極層１２は、線幅が１０
０〜４００μｍの直線状の電極子、しかも等ピッチで複
数本配設されるような電極子にエツチング法によシバタ
ーニングされている。
であり、このガラス基板１１０面上に透明電極層１２が
形成される。この透明電極層１２は、蒸着法によ９１０
００〜３０００人の膜厚に形成されたたとえばＩｎ２Ｏ
３よシなる。また、この透明電極層１２は、線幅が１０
０〜４００μｍの直線状の電極子、しかも等ピッチで複
数本配設されるような電極子にエツチング法によシバタ
ーニングされている。
このような透明電極層１２上には第１の絶縁層１３が形
成される。この第１の絶縁層１３は、たとえばＹ２Ｏ，
あるいはＴａ２０５などのように高誘電率を有する材料
よりなシ、膜厚は１ｓｏｏ〜６０００人である。
成される。この第１の絶縁層１３は、たとえばＹ２Ｏ，
あるいはＴａ２０５などのように高誘電率を有する材料
よりなシ、膜厚は１ｓｏｏ〜６０００人である。
このような第１の絶縁層１３上には発光層１４が形成さ
れる。この発光層１４は、たとえばＺｎｓを母体としＭ
ｎを発光中心とした発光層であって、１５００〜５ｏｏ
ｏ人の膜厚に形成される。このような発光層１４上には
第２の絶縁層１５が形成される。この第２の絶縁層１５
は前記第１の絶縁層１３と同じ薄膜である。この第２の
絶縁層Ｊ５上に金属酸化物１６が形成される。さらに、
金属酸化物１６上に背面電極層１７が形成される。この
背面電極層１７はたとえばＡＩＩからなる。また、この
背面電極層１７は、前記透明電極層１２の電極子と直角
に交差する線幅１ｏｏ〜４００μｍの直線状の電極子、
しかも等ピッチで配列された複数本の電極子にエツチン
グ法またはリフトオフ法にょシバターニングされている
。
れる。この発光層１４は、たとえばＺｎｓを母体としＭ
ｎを発光中心とした発光層であって、１５００〜５ｏｏ
ｏ人の膜厚に形成される。このような発光層１４上には
第２の絶縁層１５が形成される。この第２の絶縁層１５
は前記第１の絶縁層１３と同じ薄膜である。この第２の
絶縁層Ｊ５上に金属酸化物１６が形成される。さらに、
金属酸化物１６上に背面電極層１７が形成される。この
背面電極層１７はたとえばＡＩＩからなる。また、この
背面電極層１７は、前記透明電極層１２の電極子と直角
に交差する線幅１ｏｏ〜４００μｍの直線状の電極子、
しかも等ピッチで配列された複数本の電極子にエツチン
グ法またはリフトオフ法にょシバターニングされている
。
このような薄膜ＥＬパネルにおいて、透明電極層１２か
ら第２の絶縁層１５までは従来から用いられている形成
法にょシ作成できる。しかも、第１の絶縁層１３と発光
層１４さらには第２の絶縁層１５は、電子ビーム蒸着装
置などにより同−真全中において連続して順次形成する
ことができる。
ら第２の絶縁層１５までは従来から用いられている形成
法にょシ作成できる。しかも、第１の絶縁層１３と発光
層１４さらには第２の絶縁層１５は、電子ビーム蒸着装
置などにより同−真全中において連続して順次形成する
ことができる。
そのようにして第２の絶縁層１５の形成が終ると、次に
、金属酸化物１６さらには背面電極層１７が形成される
。これらは、次のようにして作成される。 ′ いま、背面電極層１７をＡｌで形成するならば、Ａ７Ｉ
のターゲットをスパッタ法により０２とＡｒの混合ガス
雰囲気内で蒸着する。これにより、Ａｌ２０３からなる
金属酸化物１６を数１０人〜数１００人の膜厚に形成す
る。次に、０．ガスの注入を止め、Ａｒガス雰囲気内で
Ａ／をスパッタする。これによシ、Ａｌ１２０．からな
る金属酸化物１６０面上に、Ａｊ？からなる背面電極Ｊ
＠１７を形成する。
、金属酸化物１６さらには背面電極層１７が形成される
。これらは、次のようにして作成される。 ′ いま、背面電極層１７をＡｌで形成するならば、Ａ７Ｉ
のターゲットをスパッタ法により０２とＡｒの混合ガス
雰囲気内で蒸着する。これにより、Ａｌ２０３からなる
金属酸化物１６を数１０人〜数１００人の膜厚に形成す
る。次に、０．ガスの注入を止め、Ａｒガス雰囲気内で
Ａ／をスパッタする。これによシ、Ａｌ１２０．からな
る金属酸化物１６０面上に、Ａｊ？からなる背面電極Ｊ
＠１７を形成する。
このようにして金属酸化物１６と背面電極層１７を形成
するが、ＡＡを０２とＡｒの混合ガス雰囲気内で蒸着し
てＡＡ２０ｇからなる金属酸化物１６を形成する際、こ
の金属酸化物１６は第５図に示すように、第２の絶縁層
１５に生じた欠陥部１８に注入される。Ａｌ２Ｏ３から
なる金属酸化物１６は絶縁材料である。したがって、第
２の絶縁層１５に欠陥部１８が生じていても、上記のよ
うにして金属酸化物１６を形成することによシ、背面電
極層１７と発光層１４とは完全に絶縁される。
するが、ＡＡを０２とＡｒの混合ガス雰囲気内で蒸着し
てＡＡ２０ｇからなる金属酸化物１６を形成する際、こ
の金属酸化物１６は第５図に示すように、第２の絶縁層
１５に生じた欠陥部１８に注入される。Ａｌ２Ｏ３から
なる金属酸化物１６は絶縁材料である。したがって、第
２の絶縁層１５に欠陥部１８が生じていても、上記のよ
うにして金属酸化物１６を形成することによシ、背面電
極層１７と発光層１４とは完全に絶縁される。
上記の説明から明らかな通シ、金属酸化物１！５は、背
面電極層１７として使用する金属材料の酸化物からなる
。したがって、背面電極層１７は、比抵抗値が小さく、
かつ酸化物が絶縁材料となる金属を使用する必要がある
。
面電極層１７として使用する金属材料の酸化物からなる
。したがって、背面電極層１７は、比抵抗値が小さく、
かつ酸化物が絶縁材料となる金属を使用する必要がある
。
また、金属酸化物１６は第４図および第５図に示すよう
に、第２の絶縁層１５と背面電極層１７の間にのみ形成
してもよく、または第６図に示すように第２の絶縁層１
５の全面に形成してもよい。
に、第２の絶縁層１５と背面電極層１７の間にのみ形成
してもよく、または第６図に示すように第２の絶縁層１
５の全面に形成してもよい。
しかして、以上のような薄膜ＥＬノくネルは、透明電極
層１２および背面電極層１７の所定の電極子間に電圧を
かけると、その電極子の交差点において発光層１４０発
光中心が励起されて発光する。
層１２および背面電極層１７の所定の電極子間に電圧を
かけると、その電極子の交差点において発光層１４０発
光中心が励起されて発光する。
なお、第１図において１．１９は封止板であって、層１
３〜１５．１７および金属酸化物１６を覆っている。こ
の封止板１９内に防湿油２０を注入することによシ、薄
膜ＥＬパネルの防湿を図る。
３〜１５．１７および金属酸化物１６を覆っている。こ
の封止板１９内に防湿油２０を注入することによシ、薄
膜ＥＬパネルの防湿を図る。
以上の実施例から明らかなようにこの発明の薄膜ＥＬパ
ネルでは、第１および第２の絶縁層を誘電率の高い絶縁
材料で形成し、かつ第２の絶縁層と背面電極層との間に
、その背面電極層として使用した金属材料の酸化物を設
ける。しだがって、誘電率の高い絶縁材料を薄膜として
形成した場合、欠陥の少ない良質の絶縁膜が得られにく
いものであるが、この発明では、第２の絶縁層に欠陥が
生じても、前記背向電極層として使用した金属材料の酸
化物によシ、背面電極層と発光層の導通を確実に防ぐこ
とができる。ゆえに、背面電極層と透明電極層の導通、
延いてはこれら電極層の電極子のジュール熱による破損
を防止することができる。
ネルでは、第１および第２の絶縁層を誘電率の高い絶縁
材料で形成し、かつ第２の絶縁層と背面電極層との間に
、その背面電極層として使用した金属材料の酸化物を設
ける。しだがって、誘電率の高い絶縁材料を薄膜として
形成した場合、欠陥の少ない良質の絶縁膜が得られにく
いものであるが、この発明では、第２の絶縁層に欠陥が
生じても、前記背向電極層として使用した金属材料の酸
化物によシ、背面電極層と発光層の導通を確実に防ぐこ
とができる。ゆえに、背面電極層と透明電極層の導通、
延いてはこれら電極層の電極子のジュール熱による破損
を防止することができる。
しかも、金属酸化物は、背面電極層の形成時に、スパッ
タする雰囲気ガスとして０２ガスを注入し、０、とＡｒ
の混合ガス雰囲気にするという簡単な操作で形成できる
。
タする雰囲気ガスとして０２ガスを注入し、０、とＡｒ
の混合ガス雰囲気にするという簡単な操作で形成できる
。
また、この発明では、第１および絶縁層を誘電率の高い
絶縁材料で形成している。したがって、絶縁層をＳｉ３
Ｎ、などで形成する場合に比べて、製造作業性が向上す
るとともに駆動電圧の低電圧化を図ることができる。
絶縁材料で形成している。したがって、絶縁層をＳｉ３
Ｎ、などで形成する場合に比べて、製造作業性が向上す
るとともに駆動電圧の低電圧化を図ることができる。
このような効果を有するこの発明の薄膜Ｅ’Ｌパネルは
、たとえばディスプレイバネ−ルとして利用できる。
、たとえばディスプレイバネ−ルとして利用できる。
第１図は従来の薄膜ＥＬパネルの断面図、第２図は顛縁
層の欠陥部を示す一部拡大図、第３図は欠陥部に背面電
極層の一部が注入した状態を示す一部拡大図、第４図は
この発明の薄Ｊ１％ＥＬパネルの実施例を示す断面図、
第５図および第６図は金属酸化物の形成状態を示す一部
拡大図である。 １１・・・ガラス基板、１２・・・透明電極層、１３・
・・第１の絶縁層、１４・・・発光層、１５・・・第２
の絶縁層、１６・・・金属酸化物、１７・・・背面電極
層。 第１ＷＪ 第２図 第３図 第５図 ７ 第６図 ７
層の欠陥部を示す一部拡大図、第３図は欠陥部に背面電
極層の一部が注入した状態を示す一部拡大図、第４図は
この発明の薄Ｊ１％ＥＬパネルの実施例を示す断面図、
第５図および第６図は金属酸化物の形成状態を示す一部
拡大図である。 １１・・・ガラス基板、１２・・・透明電極層、１３・
・・第１の絶縁層、１４・・・発光層、１５・・・第２
の絶縁層、１６・・・金属酸化物、１７・・・背面電極
層。 第１ＷＪ 第２図 第３図 第５図 ７ 第６図 ７
Claims (1)
- 透明基板上に複数本の電極子よシなる透明電極層を形成
し、この透明電極層上に第１の絶縁層と発光層と第２の
絶縁層とを順次形成し、この第２の絶縁層上に前記透明
電極層の電極子と交差するようにパターニングされた複
数本の電極子よシなる背面電極層を形成した２重絶縁膜
構造の薄膜ＥＬパネルにおいて、前記第１および第２の
絶縁層を誘電率の高い絶縁材料で形成し、かつ第２の絶
縁層と背面電極層との間に、その、背面電極層として使
用した金属材料の酸化物を設けたことを特徴とする薄膜
ＥＬパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57173166A JPS5963692A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57173166A JPS5963692A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5963692A true JPS5963692A (ja) | 1984-04-11 |
| JPH0155558B2 JPH0155558B2 (ja) | 1989-11-24 |
Family
ID=15955317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57173166A Granted JPS5963692A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5963692A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52129296A (en) * | 1977-03-11 | 1977-10-29 | Sharp Corp | Thin film light emitting element |
| JPS5743392A (en) * | 1980-08-28 | 1982-03-11 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Electric field light emitting element |
| JPS58216391A (ja) * | 1982-06-10 | 1983-12-16 | 株式会社リコー | 薄膜ｅｌ素子 |
-
1982
- 1982-10-04 JP JP57173166A patent/JPS5963692A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52129296A (en) * | 1977-03-11 | 1977-10-29 | Sharp Corp | Thin film light emitting element |
| JPS5743392A (en) * | 1980-08-28 | 1982-03-11 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Electric field light emitting element |
| JPS58216391A (ja) * | 1982-06-10 | 1983-12-16 | 株式会社リコー | 薄膜ｅｌ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0155558B2 (ja) | 1989-11-24 |
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