JPH0155768B2 - - Google Patents

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JPH0155768B2
JPH0155768B2 JP58228002A JP22800283A JPH0155768B2 JP H0155768 B2 JPH0155768 B2 JP H0155768B2 JP 58228002 A JP58228002 A JP 58228002A JP 22800283 A JP22800283 A JP 22800283A JP H0155768 B2 JPH0155768 B2 JP H0155768B2
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JP
Japan
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transistor
collector
emitter
current
voltage
Prior art date
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Application number
JP58228002A
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English (en)
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JPS60119108A (ja
Inventor
Kenji Kano
Shintaro Mori
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS60119108A publication Critical patent/JPS60119108A/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、制御信号の状態によつて出力端子か
ら流出又は流入する電流の電流比が、出力端子電
圧によつて変化することのない流入、流出電流発
生回路に関するものである。
〔従来技術〕
第1図に従来の流入、流出電流発生回路を示
す。この回路において、Q1,Q2はそれぞれの
ベースが同一のバイアス電源Vbに接続された同
一エミツタサイズの第1、第2のトランジスタで
ある。このためトランジスタQ1のコレクタ電流
I1とトランジスタQ2のコレクタ電流I2との間に
は次の関係が成立する。
I1=I2 ……(1) Q3,Q4は同じベース、エミツタ間電圧を持
ち、そのエミツタ面積比が1:nである第3、第
4のトランジスタであり、トランジスタQ3のコ
レクタ電流をI3、トランジスタQ4のコレクタ電
流をI4とすると次式が成立する。
I4=nI3 ……(2) また、第5のトランジスタQ5のベース電流が
無視できるとすれば次式が成立する。
I1=I3 ……(3) したがつて、制御信号の入力がなく、第6のト
ランジスタQ6がOFF状態の時には、出力から
Io=I4−I2、即ち(n−1)I1の電流が流出す
る。
一方、制御信号の入力があり、トランジスタQ
6がONしている時は、トランジスタQ4からの
電流がなくなるため、出力にIi=I2、即ちI1の電
源が流れ込む。
したがつて流入する電流Iiと流出する電流Ioの
比は1:(n−1)となる。
以上が第1図の回路の概略の動作説明である
が、この回路において、トランジスタQ1とトラ
ンジスタQ2、及びトランジスタQ3とトランジ
スタQ4のコレクタ、エミツタ間電圧が出力端子
電圧に依存するため、トランジスタのアーリ効果
によつてトランジスタQ1,Q2の電流比、及び
トランジスタQ3,Q4の電流比が出力電圧
Voutに依存することとなる。
次にこの効果によりどの程度上記電流比が変化
するかを考察してみる。
NPNトランジスタQ1,Q2のアーリ効果と
して、そのコレクタ、エミツタ間電圧が1V変化
する毎にαだけ上記電流比がずれるとする。一
方、PNPトランジスタQ3,Q4のアーリ効果
として、そのコレクタ、エミツタ間電圧が1V変
化する毎にβだけ上記電流比がずれるものとす
る。
各トランジスタのベース、エミツタ間電圧を
Vbe、ダイオードD1の順方向電圧降下をVfと
すれば、トランジスタQ1のコレクタ、エミツタ
間電圧はVcc−2Vbe、一方、トランジスタQ2
のコレクタ、エミツタ間電圧はVoutである。従
つて次式が成立する。
I2={1+(Vout−Vcc+2Vbe)α}I1 ……(4) また、トランジスタQ3のコレクタ、エミツタ
間電圧は2Vbeであり、トランジスタQ4のコレ
クタ、エミツタ間電圧はVcc−Vf−Voutである。
したがつて次式が成立する。
I4=n{1+(Vcc−Vf−Vout−2Vbe)β}I3
……(5) したがつて流出電流Ioと流入電流Iiの比は次の
様になる。
Io/Ii=I4−I2/I2 =n{1+(Vcc−Vf−Vout−2Vbe)β/1+(Vout
−Vcc+2Vbe)α−1 (n−1){1+n/n−1(Vcc−Vf−Vout −2Vbe)β−(Vout−Vcc+2Vbe)α}
……(6) 但しI3≒I1 α、βの値は通常1%/V程度のオーダであ
り、したがつて流出電流Ioと流入電流Iiの比は2
%/V程度のオーダで変化してしまうことにな
る。従つてこの回路の出力端子に各種の制御回路
を接続する場合、該出力端子電圧の変動によつて
上記制御回路の性能が損なわれてしまうなどの問
題があつた。
〔発明の概要〕
本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、
各々ベース、エミツタが共通接続された第1、第
2のトランジスタ、及び各々ベース、エミツタが
共通接続され各々のコレクタが上記第1、第2の
トランジスタのコレクタに接続された第3、第4
のトランジスタからなり、上記第4のトランジス
タのコレクタ電流を制御して、上記第2のトラン
ジスタのコレクタに接続された出力端子から流
入、流出電流を得るようにした流入、流出電流発
生回路において、上記第2のトランジスタのコレ
クタに、入力インピーダンスがその入力電流を0
とするほど高く、しかも電圧利得を持たないバツ
フア回路を接続し、その出力電圧を所定レベルシ
フトして上記第3、第4のトランジスタのエミツ
タに接続することにより、上記出力端子に得られ
る流入、流出電流の比を出力端子電圧の値に無関
係にすることができる流入、流出電流発生回路を
提供することを目的としている。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第2図は本発明の一実施例による流入、流出電流
発生回路を示し、図において、Q1はバイアス用
電源Vbにベースが接続された第1導電型、即ち
NPNの第1のトランジスタ、Q2はベースが上
記バイアス用電源Vbに、エミツタが上記トラン
ジスタQ1のエミツタに接続された第2のNPN
トランジスタ、Q3はコレクタが上記トランジス
タQ1のコレクタに接続され、そのコレクタとベ
ースとがトランジスタQ5(エミツタフオロア回
路)のベース、エミツタを介して接続された第2
導電型の、即ちPNPのトランジスタ、Q4はこ
のトランジスタQ3とベース、エミツタを共通と
し、コレクタがダイオードD1を介して上記トラ
ンジスタQ2のコレクタに接続された第4の
PNPトランジスタ、11はトランジスタQ2の
コレクタにその入力が接続され、入力インピーダ
ンスが非常に高く電圧利得を持たないバツフア回
路、12は2つのダイオードD2,D3を直列接
続してなり、バツフア回路11の出力電圧を一定
値(2Vf)シフトさせるレベルシフト回路であ
り、その出力は上記トランジスタQ3,Q4のエ
ミツタに接続されている。そして上記トランジス
タQ4のコレクタをトランジスタQ6で制御する
ことにより、流入又は流出電流Ii、Ioを上記トラ
ンジスタQ2のコレクタに接続された出力端子に
得るようになつている。また、上記トランジスタ
Q3,Q4は同じベース、エミツタ間電圧を持
ち、そのエミツタ面積比は1:nとなつている。
本実施例におけるミラー回路の電源電圧(トラ
ンジスタQ3,Q4のエミツタ電圧)は、バツフ
ア回路11の出力Voutにレベルシフト回路12
のダイオードD2,D3の順方向電圧降下分を加
えたVout+2Vfとなる。ここでトランジスタQ
1のコレクタ、エミツタ間電圧はトランジスタQ
4のエミツタ電圧Vout+2Vfよりトランジスタ
Q3のベース・エミツタ過電圧Vbeおよびトラン
ジスタQ5のベース・エミツタ間電圧Vbeを引い
た値、即ちVout+2Vf−2Vbeとなる。ダイオー
ドの順方向電圧降下Vfはトランジスタのベース、
エミツタ間電圧Vbeに等しいからトランジスタQ
1のコレクタ、エミツタ間電圧はVoutとなり、
一方トランジスタQ2のコレクタ、エミツタ間電
圧もVoutであるから、トランジスタQ1,Q2
のコレクタ、エミツタ間電圧は出力電圧Voutの
値に関わらず常に等しくなる。従つてアーリ効果
を考慮した場合にも次式が成立する。
I2=I1 ……(7) またトランジスタQ3のコレクタ、エミツタ間
電圧は2Vbe、トランジスタQ4のコレクタ、エ
ミツタ間電圧はVfであり、次式が成立する。
I4=n{1−(2Vbe−Vf)β}I3 ……(8) したがつて流出電流Ioと流入電流Iiの比は次の
様になる。
Io/Ii=I4−I2/I2 =n{1−(2Vbe−Vf)β}−1 ……(9) (9)式は流入電流Iiと流出電流Ioの比が出力電圧
Voutの値に無関係であることを示している。
このような本実施例回路では、出力端子が接続
されたトランジスタQ2のコレクタに、入力イン
ピーダンスが非常に高く、しかも電圧利得を持た
ないバツフア回路11を接続し、このバツフア回
路11の出力電圧を所定電圧分シフトしてトラン
ジスタQ3,Q4のエミツタに印加するようにし
たので、上記出力端子に得られる流入、流出電流
の比を出力電圧の値に無関係にすることができ
る。そしてこの電流比が出力電圧に関係せず一定
であるということは、例えば、上記出力端子に容
量を接続して積分機能をさせる回路において、そ
の性能を向上できることになる。
〔発明の効果〕
以上のように、本発明によれば、ベース、エミ
ツタが共通接続された第1、第2のトランジスタ
のコレクタに、ベース、エミツタが共通接続され
た第3、第4のトランジスタのコレクタのそれぞ
れを接続し、上記第4のトランジスタのコレクタ
電流を制御して上記第2のトランジスタのコレク
タに接続された出力端子に流入、流出電流を得る
ようにした流入、流出電流発生回路において、上
記出力端子と接続された第2のトランジスタのコ
レクタに、入力インピーダンスがその入力電流を
0とするほど高く、しかも電圧利得を持たないバ
ツフア回路を接続し、このバツフア回路の出力電
位を所定電圧分シフトしてこれを上記第3、第4
のトランジスタに印加するようにしたので、上記
流入、流出電流の電流比を出力端子電圧にかかわ
らず一定とすることができ、該出力端子に接続さ
れる各種回路の性能を向上させることができる効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の流入、流出電流発生回路の構成
図、第2図は本発明の一実施例による流入、流出
電流発生回路の構成図である。 Q1……第1のトランジスタ、Q2……第2の
トランジスタ、Q3……第3のトランジスタ、Q
4……第4のトランジスタ、Q5……エミツタフ
オロア回路、Vb……バイアス用電源、11……
バツフア回路、12……レベルシフト回路。なお
図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ベースがバイアス用電源に接続された第1導
    電型の第1のトランジスタと、ベース、エミツタ
    が上記第1のトランジスタのベース、エミツタと
    共通接続された第1導電型の第2のトランジスタ
    と、コレクタが上記第1のトランジスタのコレク
    タに接続されベースがそのコレクタに接続された
    第2導電型の第3のトランジスタと、ベース、エ
    ミツタが上記第3のトランジスタのベース、エミ
    ツタと共通接続されコレクタが上記第2のトラン
    ジスタのコレクタに接続された第2導電型の第4
    のトランジスタと、入力が上記第2のトランジス
    タのコレクタに接続され入力インピーダンスがそ
    の入力電源を0とするほど高く電圧利得を持たな
    いバツフア回路と、該バツフア回路の出力電位を
    所定値シフトさせこれを上記第3、第4のトラン
    ジスタのエミツタに印加するレベルシフト回路
    と、上記第4のトランジスタのコレクタに電流制
    御用信号を印加するための制御信号入力端子と、
    上記第2のトランジスタのコレクタから取り出さ
    れ上記制御信号に応じて本回路への流入又は流出
    電流を得る出力端子とを備えたことを特徴とする
    流入、流出電流発生回路。 2 上記第3のトランジスタのベースは、エミツ
    タフオロア回路を介してそのコレクタに接続され
    ていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載の流入、流出電流発生回路。
JP58228002A 1983-11-30 1983-11-30 流入、流出電流発生回路 Granted JPS60119108A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58228002A JPS60119108A (ja) 1983-11-30 1983-11-30 流入、流出電流発生回路

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Publication Number Publication Date
JPS60119108A JPS60119108A (ja) 1985-06-26
JPH0155768B2 true JPH0155768B2 (ja) 1989-11-27

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