JPH0158134B2 - - Google Patents
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- JPH0158134B2 JPH0158134B2 JP58188125A JP18812583A JPH0158134B2 JP H0158134 B2 JPH0158134 B2 JP H0158134B2 JP 58188125 A JP58188125 A JP 58188125A JP 18812583 A JP18812583 A JP 18812583A JP H0158134 B2 JPH0158134 B2 JP H0158134B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- titanium
- titanium nitride
- glass
- sputtering
- titanium oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3429—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating
- C03C17/3435—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising a nitride, oxynitride, boronitride or carbonitride
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は窒化チタン薄膜付きガラスおよびその
作製方法に関する。
作製方法に関する。
本発明の窒化チタン薄膜付きガラスは、ガラス
を基体とし装飾物、例えば自動車の窓ガラスに設
ける装飾マーク等に用いることができる。
を基体とし装飾物、例えば自動車の窓ガラスに設
ける装飾マーク等に用いることができる。
窒化チタン（TiN）は高い硬さを有し、光沢
のある黄金色を呈し、また比較的電気抵抗が低い
等の特性を具えている。このため、従来は、前記
特性を利用して、鋼等の金属表面に被覆すること
で、超硬材料、装飾物等に用いられている。
のある黄金色を呈し、また比較的電気抵抗が低い
等の特性を具えている。このため、従来は、前記
特性を利用して、鋼等の金属表面に被覆すること
で、超硬材料、装飾物等に用いられている。
ところで、窒化チタンは金属であるチタン原子
のマトリツクス中に窒素原子が侵入した侵入型化
合物であり、また、共有結合性の高いため、金属
と窒化チタンの密着性は比較的良好である。
のマトリツクス中に窒素原子が侵入した侵入型化
合物であり、また、共有結合性の高いため、金属
と窒化チタンの密着性は比較的良好である。
しかしながら、ガラスはイオン結合の寄与が大
きいため、共有結合性の高い窒化チタンはガラス
との密着性が十分でなく、耐久性が要求される部
位、例えば自動車の窓ガラスの表面に適用するに
は問題があつた。このため、窒化チタンの優れた
特性が、金属基材に対してしか利用できず、ガラ
スに適用しにくいため、窒化チタンの利用分野を
狭くしていた。
きいため、共有結合性の高い窒化チタンはガラス
との密着性が十分でなく、耐久性が要求される部
位、例えば自動車の窓ガラスの表面に適用するに
は問題があつた。このため、窒化チタンの優れた
特性が、金属基材に対してしか利用できず、ガラ
スに適用しにくいため、窒化チタンの利用分野を
狭くしていた。
本発明は、上記従来技術の問題を解決するため
になされたもので、窒化チタン薄膜とガラスとの
密着性が良好な窒化チタン薄膜付きガラスおよび
その作製方法を提供することを目的とする。
になされたもので、窒化チタン薄膜とガラスとの
密着性が良好な窒化チタン薄膜付きガラスおよび
その作製方法を提供することを目的とする。
かかる目的は、本第１の発明によれば、ガラス
と、このガラスの表面に順次形成された酸化チタ
ン（TiO2）層と、酸素に対する窒素の比率が
徐々に増大する状態で酸化チタンに窒素が拡散さ
れ酸化チタンと窒化チタン（TiN2）の馴染み層
と、窒化チタン層とからなる窒化チタン薄膜付き
ガラスよつて達成される。
と、このガラスの表面に順次形成された酸化チタ
ン（TiO2）層と、酸素に対する窒素の比率が
徐々に増大する状態で酸化チタンに窒素が拡散さ
れ酸化チタンと窒化チタン（TiN2）の馴染み層
と、窒化チタン層とからなる窒化チタン薄膜付き
ガラスよつて達成される。
また、かかる目的は、本第２の発明によれば、
チタン（Ti）と酸素（O2）と窒素（N2）による
反応性スパツタリングを用いた窒化チタン薄膜付
きガラスの作製方法であつて、 まずスパツタリング装置内において、陰極側に
チタンを、陽極側にガラスを設置し、続いて、酸
素を導入してチタンとの反応性スパツタリングに
よりガラス上に酸化チタン層を所定の厚さに設け
た後、窒素をスパツタリング装置内に徐々に導入
し、酸素との置換をなかりながら反応性スパツタ
リングを行うことにより、酸素に対する窒素の比
率が徐々に増大する状態で酸化チタンに窒素が拡
散された酸化チタンと窒化チタン（TiN2）の馴
染み層を設け、次いで酸素が０になつた状態で、
窒素とチタンの反応性スパツタリングで窒化チタ
ン層を形成することを特徴とする窒化チタン薄膜
付きガラスの作製方法によつて達成される。
チタン（Ti）と酸素（O2）と窒素（N2）による
反応性スパツタリングを用いた窒化チタン薄膜付
きガラスの作製方法であつて、 まずスパツタリング装置内において、陰極側に
チタンを、陽極側にガラスを設置し、続いて、酸
素を導入してチタンとの反応性スパツタリングに
よりガラス上に酸化チタン層を所定の厚さに設け
た後、窒素をスパツタリング装置内に徐々に導入
し、酸素との置換をなかりながら反応性スパツタ
リングを行うことにより、酸素に対する窒素の比
率が徐々に増大する状態で酸化チタンに窒素が拡
散された酸化チタンと窒化チタン（TiN2）の馴
染み層を設け、次いで酸素が０になつた状態で、
窒素とチタンの反応性スパツタリングで窒化チタ
ン層を形成することを特徴とする窒化チタン薄膜
付きガラスの作製方法によつて達成される。
更に、かかる目的は、本第３の発明によれば、
酸化チタンと窒化チタンの２元スパツタリングを
用いた窒化チタン薄膜付きガラスの作製方法であ
つて、初めにスパツタリング装置内において、第
１の陰極側に酸化チタンを、第２の陰極側に窒化
チタンを、陽極側にガラスを設置し、まず酸化チ
タンを一定量スパツタリングした後、酸化チタン
のスパツタリング投入出力を徐々に下げると同時
に、窒化チタンを参入させて、窒化チタンの投入
出力を徐々に上げ、同時スパツタリングにより、
酸素に対する窒素の比率が徐々に増大する状態で
酸化チタンに窒素が拡散された酸化チタンと窒化
チタン（TiN2）の馴染み層を設け、最後に酸化
チタンの投入を止め、窒化チタンのみのスパツタ
リングを行い窒化チタン層を形成することを特徴
とする窒化チタン薄膜付きガラスの作製方法によ
つて達成される。
酸化チタンと窒化チタンの２元スパツタリングを
用いた窒化チタン薄膜付きガラスの作製方法であ
つて、初めにスパツタリング装置内において、第
１の陰極側に酸化チタンを、第２の陰極側に窒化
チタンを、陽極側にガラスを設置し、まず酸化チ
タンを一定量スパツタリングした後、酸化チタン
のスパツタリング投入出力を徐々に下げると同時
に、窒化チタンを参入させて、窒化チタンの投入
出力を徐々に上げ、同時スパツタリングにより、
酸素に対する窒素の比率が徐々に増大する状態で
酸化チタンに窒素が拡散された酸化チタンと窒化
チタン（TiN2）の馴染み層を設け、最後に酸化
チタンの投入を止め、窒化チタンのみのスパツタ
リングを行い窒化チタン層を形成することを特徴
とする窒化チタン薄膜付きガラスの作製方法によ
つて達成される。
なお、上記第１の発明が特定発明であり、第２
の発明および第３の発明は、共に第１の発明に対
し特許法第37条但書第２号の関係にある。
の発明および第３の発明は、共に第１の発明に対
し特許法第37条但書第２号の関係にある。
第１の発明によれば、イオン結合の寄与の大き
いガラスの表面に、同じくイオン結合性の高い酸
化チタン（TiO2）が設けられているため、両者
の密着性はよい。また、酸化チタン層の上に、酸
化チタンと共有結合性の高い窒化チタンとからな
る、すなわち、正方晶構造の酸化チタンから次第
にその結晶に歪みを生じ、酸化チタンに窒素が拡
散したTi−０−Ｎへと変化し、更には食塩型構
造の窒化チタンへと構造変化する酸化チタンと窒
化チタンの馴染み層が設けられているため、酸化
チタンと馴染み層の密着性もよい。更に、その上
に窒化チタンが設けられているが、馴染み層に窒
化チタンが含まれているため、窒化チタンと馴染
み層の密着性もよい。従つて、第１の発明に係る
窒化チタン薄膜付きガラスによれば、ガラスから
窒化チタンに至るまでが、イオン結合から共有結
合へと連続的に変化するようになるため、ガラス
上に窒化チタン層を直接設ける場合に比べ、窒化
チタンの密着性が大幅に向上する。
いガラスの表面に、同じくイオン結合性の高い酸
化チタン（TiO2）が設けられているため、両者
の密着性はよい。また、酸化チタン層の上に、酸
化チタンと共有結合性の高い窒化チタンとからな
る、すなわち、正方晶構造の酸化チタンから次第
にその結晶に歪みを生じ、酸化チタンに窒素が拡
散したTi−０−Ｎへと変化し、更には食塩型構
造の窒化チタンへと構造変化する酸化チタンと窒
化チタンの馴染み層が設けられているため、酸化
チタンと馴染み層の密着性もよい。更に、その上
に窒化チタンが設けられているが、馴染み層に窒
化チタンが含まれているため、窒化チタンと馴染
み層の密着性もよい。従つて、第１の発明に係る
窒化チタン薄膜付きガラスによれば、ガラスから
窒化チタンに至るまでが、イオン結合から共有結
合へと連続的に変化するようになるため、ガラス
上に窒化チタン層を直接設ける場合に比べ、窒化
チタンの密着性が大幅に向上する。
また、第２の発明によれば、ガラス上に酸化チ
タン層を形成した後、酸素と窒素の割合を徐々に
窒素が多くなるように変化させることにより、酸
化チタンと窒化チタンの比率が徐々に変わる極め
て連続的な酸化チタン・窒化チタン混合層が形成
される。
タン層を形成した後、酸素と窒素の割合を徐々に
窒素が多くなるように変化させることにより、酸
化チタンと窒化チタンの比率が徐々に変わる極め
て連続的な酸化チタン・窒化チタン混合層が形成
される。
さらに、第３の発明によれば、ガラス上に酸化
チタン層を形成した後、酸化チタンと窒化チタン
の割合を、徐々に窒化チタンが多くなるように変
化させることにより、正方晶構造の酸化チタンか
ら次第にその結晶に歪みを生じ、酸化チタンに窒
素が拡散したTi−０−Ｎへと変化し、更には食
塩型構造の窒化チタンへと徐々に構造変化する極
めて連続的な酸化チタンと窒化チタンの馴染み層
が形成される。
チタン層を形成した後、酸化チタンと窒化チタン
の割合を、徐々に窒化チタンが多くなるように変
化させることにより、正方晶構造の酸化チタンか
ら次第にその結晶に歪みを生じ、酸化チタンに窒
素が拡散したTi−０−Ｎへと変化し、更には食
塩型構造の窒化チタンへと徐々に構造変化する極
めて連続的な酸化チタンと窒化チタンの馴染み層
が形成される。
以上より、本発明によれば、以下の効果を奏す
る。
る。
(イ) 窒化チタン薄膜付きガラスとの密着性が極め
て良い。このため、耐久性が必要な部位にも使
用でき、適用範囲が大幅に広がる。
て良い。このため、耐久性が必要な部位にも使
用でき、適用範囲が大幅に広がる。
(ロ) 従来公知のスパツタリング装置をそのまま用
いることができるため、極めて容易に実施がで
きる。
いることができるため、極めて容易に実施がで
きる。
以下、本発明の実施例を説明する。
（第１の実施例）
反応性スパツタリングにより窒化チタン薄膜付
きガラスを作製した。
きガラスを作製した。
まず、ガラスを所定の形状に切断し、十分に洗
浄、乾燥した後、スパツタリング装置内の陽極側
にこのガラスを設置した。同時に、陰極側にチタ
ンを設置した。続いて、スパツタリング装置内を
２×10-5torrの真空度とした後、アルゴンガスを
導入し１×10-5torrとした。この状態で、酸素を
導入し、3kVのスパツタ電圧をかけた。一定時間
経過後、酸素の導入を止め、排気を続けて所定圧
に保ちながら、窒素を徐々に導入し、酸素と順次
置換した。完全に窒素に置換した後、一定時間反
応性スパツタリングを継続した。
浄、乾燥した後、スパツタリング装置内の陽極側
にこのガラスを設置した。同時に、陰極側にチタ
ンを設置した。続いて、スパツタリング装置内を
２×10-5torrの真空度とした後、アルゴンガスを
導入し１×10-5torrとした。この状態で、酸素を
導入し、3kVのスパツタ電圧をかけた。一定時間
経過後、酸素の導入を止め、排気を続けて所定圧
に保ちながら、窒素を徐々に導入し、酸素と順次
置換した。完全に窒素に置換した後、一定時間反
応性スパツタリングを継続した。
この結果、図にその概要を示す窒化チタン薄膜
付きガラスが作製された。図は、本発明の第１の
実施例に係る窒化チタン薄膜付きガラスの断面図
である。図において、１はガラスであり、このガ
ラス１の上に酸化チタン層２、酸化チタンと窒化
チタンの馴染み層３、窒化チタン層４がこの順に
積層されている。ここで、酸化チタン層２、馴染
み層３、窒化チタン層４の膜厚は、それぞれ800
Å、1200Å、1000Åであつた。
付きガラスが作製された。図は、本発明の第１の
実施例に係る窒化チタン薄膜付きガラスの断面図
である。図において、１はガラスであり、このガ
ラス１の上に酸化チタン層２、酸化チタンと窒化
チタンの馴染み層３、窒化チタン層４がこの順に
積層されている。ここで、酸化チタン層２、馴染
み層３、窒化チタン層４の膜厚は、それぞれ800
Å、1200Å、1000Åであつた。
この窒化チタン薄膜付きガラスの密着性を、
JIS Ｒ 3212のテーパ磨耗試験にて調べたとこ
ろ、本実施例の窒化チタン薄膜付きガラスのサン
プルは約4500回の摩擦で、ガラス表面が露出しは
じめたのに対し、ガラス上に直接窒化チタン層を
設ける従来のものサンプルは約1500回の摩擦でガ
ラス表面が露出しはじめており、本実施例は従来
のものに比べ、約３倍密着性が向上していること
が確かめられた。
JIS Ｒ 3212のテーパ磨耗試験にて調べたとこ
ろ、本実施例の窒化チタン薄膜付きガラスのサン
プルは約4500回の摩擦で、ガラス表面が露出しは
じめたのに対し、ガラス上に直接窒化チタン層を
設ける従来のものサンプルは約1500回の摩擦でガ
ラス表面が露出しはじめており、本実施例は従来
のものに比べ、約３倍密着性が向上していること
が確かめられた。
（第２の実施例）
２元スパツタリングにより窒化チタン薄膜付き
ガラスを作製した。
ガラスを作製した。
まず、ガラスを所定の形状に切断し、十分に洗
浄、乾燥した後、スパツタリング装置内の陽極側
にこのガラスを設置した。同時に、２つの陰極の
うち、第１の陰極に酸化チタンを、第２の陰極に
窒化チタンを設置した。続いて、スパツタリング
装置内を２×10-5torrの真空度とした後、アルゴ
ンガスを導入し１×10-5torrとした。次いで、
4kVのスパツタ電圧を第１の陰極と陽極間に印加
し、一定時間スパツタリングした後、酸化チタン
のスパツタ電圧を徐々に下げ、これと同時に第２
の陰極と陽極間に電圧を印加し、徐々に上げてい
つた。その後、酸化チタンのスパツタ電圧が０と
なり窒化チタンのスパツタ電圧が4kVとなつたと
ころから、一定時間窒化チタンのみのスパツタリ
ングを行つた。
浄、乾燥した後、スパツタリング装置内の陽極側
にこのガラスを設置した。同時に、２つの陰極の
うち、第１の陰極に酸化チタンを、第２の陰極に
窒化チタンを設置した。続いて、スパツタリング
装置内を２×10-5torrの真空度とした後、アルゴ
ンガスを導入し１×10-5torrとした。次いで、
4kVのスパツタ電圧を第１の陰極と陽極間に印加
し、一定時間スパツタリングした後、酸化チタン
のスパツタ電圧を徐々に下げ、これと同時に第２
の陰極と陽極間に電圧を印加し、徐々に上げてい
つた。その後、酸化チタンのスパツタ電圧が０と
なり窒化チタンのスパツタ電圧が4kVとなつたと
ころから、一定時間窒化チタンのみのスパツタリ
ングを行つた。
この結果、前記第１の実施例と同様な窒化チタ
ン薄膜付きガラスが形成された。このとき、酸化
チタン層２、馴染み層３、窒化チタン層４の膜厚
は、それぞれ800Å、1200Å、1000Åであつた。
この第２実施例に係る窒化チタン薄膜付きガラス
も、前記第１の実施例と同様良好な密着性を示し
た。
ン薄膜付きガラスが形成された。このとき、酸化
チタン層２、馴染み層３、窒化チタン層４の膜厚
は、それぞれ800Å、1200Å、1000Åであつた。
この第２実施例に係る窒化チタン薄膜付きガラス
も、前記第１の実施例と同様良好な密着性を示し
た。
図は本発明の実施例に係わる窒化チタン薄膜付
きガラスの概要を示す断面図である。 １……ガラス、２……酸化チタン層、３……酸
化チタンと窒化チタンの馴染み層、４……窒化チ
タン薄膜（窒化チタン層）。
きガラスの概要を示す断面図である。 １……ガラス、２……酸化チタン層、３……酸
化チタンと窒化チタンの馴染み層、４……窒化チ
タン薄膜（窒化チタン層）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ガラスと、このガラスの表面に順次形成され
た酸化チタン（TiO2）層と、酸素に対する窒素
の比率が徐々に増大する状態で酸化チタンに窒素
が拡散された酸化チタンと窒化チタン（TiN2）
の馴染み層と、窒化チタン層とからなることを特
徴とする窒化チタン薄膜付きガラス。 ２ チタン（Ti）と酸素（O2）と窒素（N2）に
よる反応性スパツタリングを用いた窒化チタン薄
膜付きガラスの作製方法であつて、 まずスパツタリング装置内において、陰極側に
チタンを、陽極側にガラスを設置し、続いて、酸
素を導入してチタンとの反応性スパツタリングに
よりガラス上に酸化チタン層を所定の厚さに設け
た後、窒素をスパツタリング装置内に徐々に導入
し、酸素との置換をはかりながら反応性スパツタ
リングを行うことにより、酸素に対する窒素の比
率が徐々に増大する状態で酸化チタンに窒素が拡
散された酸化チタンと窒化チタン（TiN2）の馴
染み層を設け、次いで酸素が０になつた状態で、
窒素とチタンの反応性スパツタリングで窒化チタ
ン層を形成することを特徴とする窒化チタン薄膜
付きガラスの作製方法。 ３ 酸化チタンと窒化チタンの２元スパツタリン
グを用いた窒化チタン薄膜付きガラスの作製方法
であつて、 初めにスパツタリング装置内において、第１の
陰極側に酸化チタンを、第２の陰極側に窒化チタ
ンを、陽極側にガラスを設置し、まず酸化チタン
を一定量スパツタリングした後、酸化チタンのス
パツタリング投入出力を徐々に下げると同時に、
窒化チタンを参入させて、窒化チタンの投入出力
を徐々に上げ、同時スパツタリングにより酸素に
対する窒素の比率が徐々に増大する状態で酸化チ
タンに窒素が拡散された酸化チタンと窒化チタン
（TiN2）の馴染み層を設け、最後に酸化チタンの
投入を止め、窒化チタンのみのスパツタリングを
行い窒化チタン層を形成することを特徴とする窒
化チタン薄膜付きガラスの作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18812583A JPS6081048A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 窒化チタン薄膜付きガラスおよびその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18812583A JPS6081048A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 窒化チタン薄膜付きガラスおよびその作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6081048A JPS6081048A (ja) | 1985-05-09 |
| JPH0158134B2 true JPH0158134B2 (ja) | 1989-12-08 |
Family
ID=16218148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18812583A Granted JPS6081048A (ja) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | 窒化チタン薄膜付きガラスおよびその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6081048A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62200011U (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-19 | ||
| CA1333270C (en) * | 1987-03-26 | 1994-11-29 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Sputtered titanium oxynitride films |
| JP2555737B2 (ja) * | 1988-09-01 | 1996-11-20 | 旭硝子株式会社 | 自動車用窓ガラス |
| DE59205177D1 (de) * | 1991-12-13 | 1996-03-07 | Balzers Hochvakuum | Beschichtetes transparentes Substrat, Verwendung hiervon, Verfahren und Anlage zur Herstellung der Schichten, und Hafnium-Oxinitrid (HfOxNy) mit 1,5 x/y 3 und 2,6 n 2,8 |
| JP3473485B2 (ja) | 1999-04-08 | 2003-12-02 | 日本電気株式会社 | 薄膜抵抗体およびその製造方法 |
| WO2005063646A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-07-14 | Cardinal Cg Company | Graded photocatalytic coatings |
| EP1743876A3 (en) * | 2003-12-22 | 2007-07-25 | Cardinal CG Company | Graded photocatalytic coatings |
| WO2006017311A1 (en) | 2004-07-12 | 2006-02-16 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coatings |
| US7923114B2 (en) | 2004-12-03 | 2011-04-12 | Cardinal Cg Company | Hydrophilic coatings, methods for depositing hydrophilic coatings, and improved deposition technology for thin films |
| US8092660B2 (en) | 2004-12-03 | 2012-01-10 | Cardinal Cg Company | Methods and equipment for depositing hydrophilic coatings, and deposition technologies for thin films |
| US20080011599A1 (en) | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Brabender Dennis M | Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control |
| JP5589310B2 (ja) * | 2009-06-03 | 2014-09-17 | 株式会社ニコン | 被膜形成物の製造方法 |
| EP3541762B1 (en) | 2016-11-17 | 2022-03-02 | Cardinal CG Company | Static-dissipative coating technology |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5335798B2 (ja) * | 1973-09-28 | 1978-09-28 |
-
1983
- 1983-10-06 JP JP18812583A patent/JPS6081048A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6081048A (ja) | 1985-05-09 |
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