JPS6316622A - 電極形成方法 - Google Patents
電極形成方法Info
- Publication number
- JPS6316622A JPS6316622A JP61161017A JP16101786A JPS6316622A JP S6316622 A JPS6316622 A JP S6316622A JP 61161017 A JP61161017 A JP 61161017A JP 16101786 A JP16101786 A JP 16101786A JP S6316622 A JPS6316622 A JP S6316622A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thickness
- heat treatment
- electrode
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は発光ダイオード、その他の各種ｇ５桔回路等に
オコする電極を形成する方法に関するものである。
オコする電極を形成する方法に関するものである。
びりえば、発光ダイオードをｎ型ＳｉＣ基板上に形成し
、又は他の基板上にｎ型ＳｉＣエピタキシャル層を形成
し、この層上に発光ダイオードを形成するような場合、
Ｐ型ＳｉＣ層のときに用いられるＡ７！を電極として用
いることは接合強度上の問題があるため、電極にはＮｉ
を用いることが広く行われている。ところでこのＮｉ電
極とリード線との間にＡｕワイヤのボンディングを行う
場合、ＮｉとＡｕとの接着力が弱いという問題があり、
通常はＮｉ電極の表面にＡｕの薄膜をスパッタリング等
にて形成した後、熱処理を施してＮｉとＡｕとを合金化
し、これにＡｕワイヤのボンディングを行うこととして
いる。
、又は他の基板上にｎ型ＳｉＣエピタキシャル層を形成
し、この層上に発光ダイオードを形成するような場合、
Ｐ型ＳｉＣ層のときに用いられるＡ７！を電極として用
いることは接合強度上の問題があるため、電極にはＮｉ
を用いることが広く行われている。ところでこのＮｉ電
極とリード線との間にＡｕワイヤのボンディングを行う
場合、ＮｉとＡｕとの接着力が弱いという問題があり、
通常はＮｉ電極の表面にＡｕの薄膜をスパッタリング等
にて形成した後、熱処理を施してＮｉとＡｕとを合金化
し、これにＡｕワイヤのボンディングを行うこととして
いる。
ところで上述した如き従来の方法ではオーミック性、ワ
イヤボンディング性ともに未だ十分ではないという問題
があった。
イヤボンディング性ともに未だ十分ではないという問題
があった。
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、その
目的とするところはオーミック性、ワイヤボンディング
性共に優れた電極形成方法を提供するにある。
目的とするところはオーミック性、ワイヤボンディング
性共に優れた電極形成方法を提供するにある。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明方法にあっては電極としてＮｉを用いるとき、Ｎ
ｉ層層形後後第１回目熱処理を施す工程とこの上にクロ
ム層を挟んでＡｕ層を形成し、この債層体に第一２回目
の熱処理を施す工程とを備える。
ｉ層層形後後第１回目熱処理を施す工程とこの上にクロ
ム層を挟んでＡｕ層を形成し、この債層体に第一２回目
の熱処理を施す工程とを備える。
本発明はこれによってオーミック性、ワイヤボンディン
グ性を大幅に向上せしめ得干こ牛となる。
グ性を大幅に向上せしめ得干こ牛となる。
以下に本発明方法をｎ型ＳｉＣ基板を用いた発光ダイオ
ードに適用した場合につき、図面に基づき具体的に説明
する。第１図は本発明方法によって得た電極の断面構造
図であり、ｎ型ＳｉＣ製の基板１上にＮ１層２ ＊ Ｃ
ｒＮ３ ＋ Ａｕ層４をこの順序に接層して電極が形成
されている。Ｎ１層２は真空蒸着方法又はスパッタリン
グ法等にて厚さ０．１〜１μ…の薄膜として形成する。
ードに適用した場合につき、図面に基づき具体的に説明
する。第１図は本発明方法によって得た電極の断面構造
図であり、ｎ型ＳｉＣ製の基板１上にＮ１層２ ＊ Ｃ
ｒＮ３ ＋ Ａｕ層４をこの順序に接層して電極が形成
されている。Ｎ１層２は真空蒸着方法又はスパッタリン
グ法等にて厚さ０．１〜１μ…の薄膜として形成する。
Ｎ１層２の形成後Ａｒ等の不活性ガス、若しくはＨ２ガ
ス若しくは真空中にて８００〜１２００℃で１〜３０分
間熱処理をする。つぎにこの＋Ｊｉ層２の表面にＣｒ層
３を真空Ｎ着法、又はスパッタリング法等により４００
Å以上の厚さに形成する。表１はＣｒ層３の膜厚とボン
ディング性との関係を調べた結果を示してあり、これか
ら明らかな如＜Ｃｒ層３の厚さが２００Å以下ではＡｕ
ワイヤボンディング時にＣｒ間で剥離が発生してＡｕワ
イヤボンディング性は悪いが、４００人程度ではワイヤ
ボンディング性がやや良好となり、５００〜１０００人
程度の厚さで丈夫な付看強度が得られることが解る。
ス若しくは真空中にて８００〜１２００℃で１〜３０分
間熱処理をする。つぎにこの＋Ｊｉ層２の表面にＣｒ層
３を真空Ｎ着法、又はスパッタリング法等により４００
Å以上の厚さに形成する。表１はＣｒ層３の膜厚とボン
ディング性との関係を調べた結果を示してあり、これか
ら明らかな如＜Ｃｒ層３の厚さが２００Å以下ではＡｕ
ワイヤボンディング時にＣｒ間で剥離が発生してＡｕワ
イヤボンディング性は悪いが、４００人程度ではワイヤ
ボンディング性がやや良好となり、５００〜１０００人
程度の厚さで丈夫な付看強度が得られることが解る。
Ｃｒ’ｒｉｉ−３の形成後、その表面にＡｕを０．５〜
２ μｍの厚さに形成する。その後Ａｒ等の不活性ガス
若し” くはＨ２ガス若しくは真空中にて２００〜５０
０℃で５〜３０分間熱処理を行う。
２ μｍの厚さに形成する。その後Ａｒ等の不活性ガス
若し” くはＨ２ガス若しくは真空中にて２００〜５０
０℃で５〜３０分間熱処理を行う。
このときの熱処理の温度とＡｕワイヤのボンディング性
との関係は表２に示すとおりである。なお、Ｃｒ層３の
厚さは５００人、また熱処理時間は１０分と表２から明
らかなように、熱処理を施さなかった場合、また熱処理
は施すが、熱処堺温度が１００℃以下の場合にはＡｕワ
イヤボンディング性は不良であるが、３００．９００℃
ではやや良好となり、５００〜７００℃では極めて良好
な結果が得られていることが解る。
との関係は表２に示すとおりである。なお、Ｃｒ層３の
厚さは５００人、また熱処理時間は１０分と表２から明
らかなように、熱処理を施さなかった場合、また熱処理
は施すが、熱処堺温度が１００℃以下の場合にはＡｕワ
イヤボンディング性は不良であるが、３００．９００℃
ではやや良好となり、５００〜７００℃では極めて良好
な結果が得られていることが解る。
上！（７）実施例はＮｉｆｆ１２ 、 ＣｒＮ ３ 、
Ａｕｒａ４ ヲ主トして真空蒸着にて形成する場合に
つき説明したが、スパンタンリング法にて形成した場合
につきそのオーミンク性、Ａｕワイヤボンディング性を
調べた結果、真空蒸着法４こよった場合と実質的な差異
がないことが確認された。
Ａｕｒａ４ ヲ主トして真空蒸着にて形成する場合に
つき説明したが、スパンタンリング法にて形成した場合
につきそのオーミンク性、Ａｕワイヤボンディング性を
調べた結果、真空蒸着法４こよった場合と実質的な差異
がないことが確認された。
以下本発明方法の形成条件を具体的な数値を揚げて示す
。
。
ｎ型ＳｉＣ基板上に、真空蒸着法にて真空度５×１０−
７〜２ Ｘ １０二’Ｔｏｒｒｓ基板温度１５０〜３０
０℃に設定して０．５ μｍの厚さのＮ１層２を形成し
た。 Ｎ１Ｆｉ２の形成後上記と同じ真空度に維持して
５分間焼真空蒸着にて形成し、更にこのＣｒ層の表面に
１μｍの厚さにＡＵ層を真空蒸着にて形成した。その後
真空度をＩ Ｘ １０＝ Ｔｏｒｒに設定して４００℃
で１５分間の熱処理を行い、電極を形成した。
７〜２ Ｘ １０二’Ｔｏｒｒｓ基板温度１５０〜３０
０℃に設定して０．５ μｍの厚さのＮ１層２を形成し
た。 Ｎ１Ｆｉ２の形成後上記と同じ真空度に維持して
５分間焼真空蒸着にて形成し、更にこのＣｒ層の表面に
１μｍの厚さにＡＵ層を真空蒸着にて形成した。その後
真空度をＩ Ｘ １０＝ Ｔｏｒｒに設定して４００℃
で１５分間の熱処理を行い、電極を形成した。
第２図は上記の如くして得た電極のオーミック性を示す
グラフであり、横軸に電圧（ｖ）を、また縦軸に電流（
ａ＋Ａ）をとって夫々示しである。このグラフから明ら
かなように略直線状となっており、良好なオーミック性
が１７られることが解る。
グラフであり、横軸に電圧（ｖ）を、また縦軸に電流（
ａ＋Ａ）をとって夫々示しである。このグラフから明ら
かなように略直線状となっており、良好なオーミック性
が１７られることが解る。
なお、Ａｕワイヤのボンディング性についても調査した
が従来方法によって得た電極とは比較して格段に良好な
結果が得られることも確認出来た。
が従来方法によって得た電極とは比較して格段に良好な
結果が得られることも確認出来た。
以上の如（本発明方法にあっては基板面又は、これに形
成した層の表面にＮｉ層を形成してこれを熱処理した後
、Ｃｒ層を４００Å以上、次いでＡｕ層を０．５〜２μ
ｍの厚さに形成して再度熱処理することとしているから
オーミック性、Ａｕワイヤポンディング性共に優れた電
極を得ることが出来るなど本発明は優れた効果を奏する
ものである。
成した層の表面にＮｉ層を形成してこれを熱処理した後
、Ｃｒ層を４００Å以上、次いでＡｕ層を０．５〜２μ
ｍの厚さに形成して再度熱処理することとしているから
オーミック性、Ａｕワイヤポンディング性共に優れた電
極を得ることが出来るなど本発明は優れた効果を奏する
ものである。
第１図は本発明方法によって得た電極の断面構造図、第
２図は本発明方法により数値例として示す条件のもとで
得た電極のオーミンク性を示すグラフである。 １・・・基板 ２・・・Ｎｉ層 ３・・・Ｃｒ層 ４・
・・Ａｕ層特 許 出願人 三洋ｉｉ機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 ’ｉ う 図 阜 ２図
２図は本発明方法により数値例として示す条件のもとで
得た電極のオーミンク性を示すグラフである。 １・・・基板 ２・・・Ｎｉ層 ３・・・Ｃｒ層 ４・
・・Ａｕ層特 許 出願人 三洋ｉｉ機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 ’ｉ う 図 阜 ２図
Claims (1)
- １、基板面又は基板面上に形成した層の表面に０．１〜
１μｍの厚さにＮｉ層を形成する工程と、該Ｎｉ層の形
成後８００〜１２００℃の温度で熱処理する工程と、熱
処理後Ｎｉ層上に４００Å以上の厚さにＣｒを形成する
工程と、該Ｃｒ層上に０．５〜２μｍの厚さにＡｕ層を
形成する工程と、Ａｕ層形成後、これらの積層体を１０
０〜７００℃で熱処理する工程とを含むことを特徴とす
る電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16101786A JPH0670981B2 (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16101786A JPH0670981B2 (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6316622A true JPS6316622A (ja) | 1988-01-23 |
| JPH0670981B2 JPH0670981B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=15726999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16101786A Expired - Lifetime JPH0670981B2 (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0670981B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0245976A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 炭化ケイ素の電極形成方法 |
| JP2002026392A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-25 | Toshiba Corp | 半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置 |
| CN113394115A (zh) * | 2020-03-12 | 2021-09-14 | 麦克赛尔控股株式会社 | 半导体装置用基板、半导体装置用基板的制造方法以及半导体装置 |
| JP2024080988A (ja) * | 2022-12-05 | 2024-06-17 | 豊田合成株式会社 | 発光素子およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-07-08 JP JP16101786A patent/JPH0670981B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0245976A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 炭化ケイ素の電極形成方法 |
| JP2002026392A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-25 | Toshiba Corp | 半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置 |
| CN113394115A (zh) * | 2020-03-12 | 2021-09-14 | 麦克赛尔控股株式会社 | 半导体装置用基板、半导体装置用基板的制造方法以及半导体装置 |
| JP2024080988A (ja) * | 2022-12-05 | 2024-06-17 | 豊田合成株式会社 | 発光素子およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0670981B2 (ja) | 1994-09-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |