JPH0160140B2 - - Google Patents
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- JPH0160140B2 JPH0160140B2 JP56207246A JP20724681A JPH0160140B2 JP H0160140 B2 JPH0160140 B2 JP H0160140B2 JP 56207246 A JP56207246 A JP 56207246A JP 20724681 A JP20724681 A JP 20724681A JP H0160140 B2 JPH0160140 B2 JP H0160140B2
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Description
本発明は、新規なバルビツル酸残基またはチオ
バルビツル酸残基を有する化合物を含む光導電性
組成物に関する。 電子写真感光体の光導電過程は (1) 露光により電荷をを発生する過程、 (2) 電荷を輸送する過程、 から成る。 (1)と(2)を同一物質で行う例としてセレン感光板
が挙げられる。一方(1)と(2)を別々の物質で行う例
として無定形セレンとポリ―Ｎ―ビニルカルバゾ
ールの組合せが良く知られている。(1)と(2)を別々
の物質で行なう方法は感光体に用いる材料の選択
範囲を拡げ、それに伴い、感光体の感度、受容電
位等の電子写真特性が向上し、また感光体塗膜作
製上好都合な物質を広い範囲から選び得るという
長所を有している。 従来、電子写真方式において使用される感光体
の光導電性素材として用いられているものに、セ
レン、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無機物質
がある。 電子写真法はすでにカールソンが米国特許第
297691号に明らかにしたように、画像露光の間に
受けた照射量に応じその電気抵抗が変化する暗所
で絶縁性の物質をコーテイングした支持体よりな
る光導電性材料を用いる。この光導電性材料は一
般に適当な間の暗順応の後、暗所で、まず一様な
表面電荷を与えられる。次に、この材料は照射パ
ターンの種々の部分に含まれる相対エネルギーに
応じて表面電荷を減らす効果を有する照射のパタ
ーンにより画像露光される。このようにして光導
電性物質層（感光層）表面に残つた表面電荷又は
静電潜像は次にその表面が適当な検電表示物質、
すなわちトナーで接触されて可視像となる。トナ
ーは絶縁液中に含まれようと乾燥担体中に含まれ
ようと、電荷パターンに応じて感光層表面上に付
着させることができる。付着した表示物質は、
熱、圧力、溶媒蒸気のような公知の手段により定
着することができる。又静電潜像は第２の支持体
（例えば紙、フイルムなど）に転写することがで
きる。同様に静電潜像を第２の支持体に転写し、
そこで現像することも可能である。電子写真法は
この様にして画像を形成するようにした画像形成
法の一つである。 このような電子写真法において感光体に要求さ
れる基本的な特性としては、(1)暗所で適当な電位
に帯電できること、(2)暗所において電荷の逸散が
少ないこと、(3)光照射によつて速やかに電荷を逸
散せしめうることなどがあげられる。従来用いら
れている前記無機物質は、多くの長所を持つてい
ると同時にさまざまな欠点を有していることは事
実である。例えば、現在広く用いられているセレ
ンは前記(1)〜(3)の条件は十分に満足するが、製造
する条件がむずかしく、製造コストが高くなり、
可撓性がなく、ベルト状に加工することがむづか
しく、熱や機械的衝撃に鋭敏なため取扱いに注意
を要するなどの欠点もある。硫化カドミウムや酸
化亜鉛は、結合剤としての樹脂に分散させて感光
体として用いられているが、平滑性、硬度、引張
り強度、耐摩擦性などの機械的な欠点があるため
にそのままでは反復して使用することができな
い。 近年、これら無機物質の欠点を排除するために
いろいろの有機物質を用いた電子写真感光体が提
案され、実用に供されているものもある。例え
ば、ポリ―Ｎ―ビニルカルバゾールと２，４，７
―トリニトロフルオレン―９―オンとからなる感
光体（米国特許第3484237）、ポリ―Ｎ―ビニルカ
ルバゾールをビリリウム塩系色素で増感したもの
（特公昭48―25658）、有機顔料を主成分とする感
光体（特開昭47−37543）、染料と樹脂とからなる
共晶錯体を主成分とする感光体（特開昭47−
10735）などである。これらの感光体は優れた特
性を有するものであり、実用的にも価値が高いと
思われるものであるが、電子写真法において、製
造法が簡便であつて、かつ十分な電子写真特性を
示すと共に、電子写真感光体をレーザービームプ
リンタまたは表示素子に適用する際に必要とされ
る波長選択性の良さなど感光体に対するいろいろ
の要求を考慮すると、まだ、これらの要求を十分
に満足するものが得られていないのが実情であ
る。 本発明者らは電荷発生材料について研究を行つ
た結果、後記する一般式（）〜（）で表わさ
れるバルビツル酸残基またはチオバルビツル酸残
基（以下、（チオ）バルビツル酸残基という。）
と、ピリリウム塩残基、チオピリリウム塩残基、
ベンゾピリリウム塩残基、またはベンゾチオピリ
リウム塩残基とを結合させた新規化合物が、光、
熱、または空気酸化に対する抵抗性をもち従つて
安定性がよく、且つ電荷発生材料として秀れてお
り、また感光体に対するいろいろの要求を十分に
満足する事を発見して本発明に到達した。 この（チオ）バルビツル酸残基を有する化合物
は優れた電荷発生機能を示すので、このものを電
荷発生材料として電荷輸送材料とともに組み合わ
せて用いた電子写真感光体は非常に高感度でかつ
製造法が簡便であつて耐久性にも優れ十分な電子
写真特性を有する事を発見した。 また、この（チオ）バルビツル酸残基を有する
化合物はこの電子写真感光体をレーザービームプ
リンターまたは表示素子に適用する際に必要とさ
れる波長選択性も良い事、及び電荷発生材料であ
る（チオ）バルビツル酸残基を有する化合物と電
荷輸送材料とを均一に分散する事も可能で、その
場合には透明性の高い感光体が得られるという特
性を有する事を発見した。 本発明は (1) 一般式（）〜（）で表わされるバルビツ
ル酸残基またはチオバルビツル酸残基を有する
化合物を含む光導電性組成物である。 式中 ） ｎは０、１、２を表わす ） Ｘ、Ｙは、同種または異種の基であつて
もよく、酸素原子または硫黄原子を表わす ） R1、R2は同種または異種の基であつて
もよく、水素原子、炭素原子数１〜４のアル
キル基およびフエニル基を表わし、これらの
基は、置換基を有していてもよい。 ） R3、R4は、同種又は異種の基であつて
もよく、水素原子、アルキル基、アラルキル
基、アリール基を表わす。 ） R5、R6は、同種または異種の基であつ
てもよく、水素原子、アルキル基、アラルキ
ル基、フエニル基を表わす。またこれらは置
換基を有していてもよい。 ） R7、R8は、同種または異種の基であつ
てもよく、水素原子、炭素原子数１〜４のア
ルキル基、無置換または置換基を有するフエ
ニル基、およびナチフル基を表わす。 ） R9、R10、R11は同種または異種の基で
あつてもよく、水素原子、炭素原子数１〜４
のアルキル基、ヒドロキシ基、炭素原子数１
〜２のアルコキシ基、無置換または置換基を
有するフエニル基、ニトロ基およびハロゲン
原子を表わす。 R1、R2の具体例としては、水素原子；炭素原
子数１〜４のアルキル基として、メチル基、エチ
ル基、プロキル基、ブチル基、第３ブチル基；フ
エニル基である。置換アルキルの置換基の具体例
としては、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基
などの炭素原子数１〜４のアルコキシ基である。
置換フエニル基の置換基の具体例としては塩素原
子、臭素原子などのハロゲン原子；シアノ基；ニ
トロ基；メチル基、エチル基、ブチル基などの炭
素原子数１〜４のアルキル基；メトキシ基、エト
キシ基、ブトキシ基などの炭素原子数１〜４のア
ルコキシ基である。 R3およびR4の具体例としては、水素原子；炭
素原子数１ないし12のアルキル基として、例えば
メチル基、エチル基、ブチル基、オクチル基等；
炭素原子数７ないし10のアラルキル基として例え
ば、ベンジル基、フエネチル基等および炭素原子
数６ないし14のアリール基として、例えばフエニ
ル基、ナフチル基等がある。 R5およびR6の具体例としては、水素原子；炭
素原子数１ないし12のアルキル基として、メチル
基、エチル基、ブチル基、オクチル基；炭素原子
数７ないし14のアラルキル基として、例えば、ベ
ンジル基、フエネチル基等およびフエニル基であ
る。これらは置換基を有していてもよく、この置
換基としては、ａ）炭素数１〜４のアルキル基、
ｂ）炭素数１〜４のアルコキシ基、ｃ）炭素数６
〜７のアリールオキシ基、ｄ）炭素数２〜８のア
シル基、ｅ）炭素数２〜５のアルコキシカルボニ
ル基、ｆ）ハロゲン原子、ｇ）炭素数１〜４のア
ルキル基で置換されたモノアルキルアミノ基、
ｈ）炭素数１〜４のアルキル基で置換されたジア
ルキルアミノ基、ｉ）炭素数２〜４のアミド基お
よびｊ）ニトロ基などがある。 さらに、上記置換基の具体例としては、(a)炭素
原子数１ないし４のアルキル基として、メチル
基、エチル基、ブチル基、(b)炭素原子数１ないし
４個のアルコキシ基としてメトキシ基、エトキシ
基、プロボキシ基、ブトキシ基、(c)アリールオキ
シ基としてフエノキシ基、ｏ―、ｍ―またはｐ―
トリルオキシ基、(d)アシル基として、アセチル
基、プロピオニル基、ベンゾイル基、ｏ―、ｍ―
またはｐ―トルオイル基、(e)炭素原子数２ないし
５のアルコキシカルボニル基としてメトキシカル
ボニル基、エトキシカルボニル基、ブロボキシカ
ルボニル基、ブトキシカルボニル基、(f)ハロゲン
原子として塩素原子、臭素原子、弗素原子、(g)炭
素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたモ
ノアルキルアミノ基として、メチルアミノ基、エ
チルアミノ基、ブチルアミノ基、(h)炭素原子数１
ないし４のアルキル基で置換されたジアルキルア
ミノ基としてジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基、ジプロピルアミノ基、シブチルアミノ基、Ｎ
―メチル―Ｎ―エチルアミノ基、(i)アミド基とし
てアセトアミド基、プロピオンアミド基、(j)その
他の置換基としてニトロ基およびフエニル基があ
る。 R7、R8の具体例としては、水素原子；メチル
基、エチル基、ブチル基等の炭素原子数１〜４の
アルキル基；フエニル基；ナフチル基；置換フエ
ニル基の置換基の具体例としてはR5、R6で述べ
た置換基の具体例(a)〜(j)と同一である。 R9、R10、R11の具体例としては、水素原子；
メチル基、エチル基、ブチル基等の炭素原子数１
〜４のアルキル基；ヒドロキシ基；メトキシ基、
エトキシ基、ブトキシ基等の炭素原子数１〜４の
アルコキシ基；フエニル基；ニトロ基；塩素原
子、臭素原子等のハロゲン原子；置換フエニル基
の置換基の具体例は、R1、R2で述べた置換フエ
ニル基の置換基と同一である。 一般式（）〜（）で表わされる（チオ）バ
ルビツル酸を有する化合物の具体例を以下に示
す。この具体例においてEtはC2H5を表わす。 一般式（）〜（）で表わされる（チオ）バ
ルビツル酸残基を有する化合物は、特開昭57−
21245号および特開昭57−119355号公報に記載の
方法に基いて製造する事ができる。 即ち（チオ）ビリリウム塩もしくはベンゾ（チ
オ）ピリリウム塩（）のβ―アセトアニリドビ
ニル誘導体（ｎ＝１）、もしくは４―アセトアニ
リド―１，３―ブタジエニル誘導体（ｎ＝２）と
（チオ）バルビツル酸残基とを、塩基触媒下に反
応させて得ることができる。 つぎにそれらの中の代表的化合物について製造
法を説明する。 (i) １，３―ジエチル―２―チオ、―５―〔２，
６―ジフエニル―４―チオピリリデン）エチリ
デン〕バルビツル酸（化合物(3)） E.Molemaar，J.Straiting、Tetrahedron
Letters1965、2941の記載の方法で合成した２，
６―ジフエニル、４―メチルチオピリリウムパ
ークロレート３ｇとＮ，N′―ジフエニルオル
フマミジン５ｇとを、無水酢酸10ml中で、120
℃の温度で、10分間反応させた。溶媒を留去し
たのち、残渣をエーテルで洗浄し、β―アセト
アニリドビニル誘導体の褐色固体2.3ｇを得た。
これをアセトン60mlに溶解した溶液に１，３―
ジメチル、―２―チオバルビツル酸0.92ｇのア
ルコール溶液30mlと、ピリジン５mlを加えた。
20分間還流した後、折出した灰縁色結晶を
別、アセトンで洗浄した後、ベンゼン溶媒で再
結晶を行なつた。 m.p.314〜316℃の灰緑色結晶1.8ｇを得た。 元素分析（C27H24N2O2S2として） 計算値 実測値 Ｃ％ 68.62 68.59 Ｈ％ 5.12 5.33 Ｎ％ 5.93 6.07 ジクロルエタン中の最大吸収波長λnaxは612、
566nm、分子吸光係数εの10gεはそれぞれ
4.89、4.77であつた。 (ii) １，３―ジエチル―２―チオ―５―〔（2.6―
ジ―ｔ―ブチル―４―チオピリリデン）エチリ
デン〕バルビツル酸……（化合物(1)） 特開昭55−129283に記載の方法で合成した
2.6―ジ―ｔ―ブチル―４―メチルチオピリリ
ウムパークロレート３ｇと、Ｎ，N′―ジフエ
ニルフオルマミジン５ｇ、無水酢酸、10mlとか
ら製造法（））と同様の反応条件、後処理を
行なつて、β―アセトアニリドビニル誘導体
2.7ｇを得た。これと、１，３―ジエチル―２
―チオバルビツル酸1.15ｇとから製造法(1)と同
様の反応条件、後処理を行なつて得た緑色結晶
を、アルコール溶媒で再結晶した。 m.p.279.3〜280.7℃の緑色結晶0.95ｇを得た。 元素分析（C23H32N2S2O2として） 計算値 実測値 Ｃ％ 63.85 64.01 Ｈ％ 7.46 7.43 Ｎ％ 6.47 6.40 ジクロルエタン中のλnaxは581nm、10gεは
5.16であつた。 (iii) １，３―ジエチル―２―チオ―５―〔（２，
４―ジフエニル―６―ピリリデン）エチリデ
ン〕バルビツル酸……（化合物(5)） 特公昭40−28499に記載の方法で合成した２，
４−ジフエニル―６―メチルピリリウムパーク
ロレート３ｇ、１，３―ジエチル―２―チオバ
ルビツル酸1.73ｇを用いた他は、製造法（））
と同様の反応条件、後処理を行なつた緑色針状
晶2.0ｇを得た。 m.p.306.8〜307.5℃ 元素分析（C27H24N2SO3として） 計算値 実測値 Ｃ％ 71.03 71.29 Ｈ％ 5.30 5.25 Ｎ％ 6.14 5.96 ジクロルエタン中でのλnax；615、
570nm10gε；4.60、4.55であつた。 (v) １，３―ジエチル―２―チオ―５―〔（２，
４―ジ―ｐ―トリル、―６―ピリリデン）エチ
リデン〕バルビツル酸……（化合物(6)） 特公昭40−28499に記載の方法で合成した２，
４−ジ―ｐ―トリル―６―メチルピリリウムパ
ークロレート３ｇと、１，３―ジエチル―２―
チオバルビツル酸2.1ｇを用いた他は、製造法
（）と同様の反応条件、後処理を行なつて緑
色結晶2.2ｇを得た。 m.p.293.5〜294℃ 元素分析（C29H28N2SO3として） 計算値 実測値 Ｃ％ 71.88 71.70 Ｈ％ 5.82 5.92 Ｎ％ 5.78 5.77 ジクロルエタン中でのλnax；616、572nm、
10ｇε：4.64、4.56であつた。 (v) １，３―ジエチル―２―チオ―５―〔（4H―
フラベン―４―インリン）エチリデン〕バルビ
ツル酸……（化合物（13）） G.A.Reynolds et al.J.Heterocyclic
Chemistry７(6)1395（1970）に記載の方法で合
成した４―メチルフラビリウムパークロレート
１ｇと、Ｎ，N′―ジフエニルフオルマミジン
３ｇとを無水酢酸５ml中で120℃の温度で５分
間反応させた。冷時、析出した緑色固体をアセ
トンで洗浄しその赤色洗液を減圧下に溶媒を留
去した。残渣をエーテル洗浄してβ―アセトア
ニリドビニル誘導体の赤色固体1.0ｇを得た。
これをアセトン60mlに溶かした溶液に、１，３
―ジエチル―２―チオバルビツル酸0.46ｇのア
ルコール溶液20mlとピリジン５mlを加えた。20
分間還流した後、析出した赤紫色固体を過、
アルコール洗浄した。 ベンゼン溶媒で再結晶を行なつて、m.p.305
〜307℃の赤紫色針状晶0.30ｇを得た。 元素分析（C25H22N2O3Sとして） 計算値 実測値 Ｃ％ 69.75 69.68 Ｈ％ 5.15 5.11 Ｎ％ 6.51 6.60 ジクロルエタン中でのλnaxは581nm、
538nm、10gεはそれぞれ4.78、4.77であつた。 (vi) １，３―ジエチル―２―チオ―５―〔（4′―
メトキシ―４―Ｈ―フラベン―４―イリデン）
エチリデン〕バルビツル酸……（化合物（14）） 4′―メトキシ―４―メチルフラビリウムパー
クロレート１ｇ、１，３―ジエチル―２―チオ
バルビツル酸0.31ｇを用いた他は、製造法
（））と同様の反応条件、後処理を行なつて、
赤紫色結晶0.50ｇを得た。 m.p.309〜310℃ 元素分析（C26H24N2O4Sとして） 計算値 実測値 Ｃ％ 67.81 67.63 Ｈ％ 5.25 5.36 Ｎ％ 6.08 6.05 ジクロルエタン中のλnaxは591、545nm、
10gεはそれぞれ4.87、4.78であつた。 (vii) １，３―ジエチル―２―チオ―５―〔（4H―
フラベン―４―イリデン）２―ブテニリデン〕
バルビツル酸……（化合物（18）） プロペンジアニルと１，３―ジエチル―２―
チオバルビツル酸とを無水酢酸中で反応させて
得られた３―アセトアニリドアリリデン誘導体
0.85ｇと、４―メチルフラビリウムパークロレ
ート0.74ｇとをベンンゼン50mlに溶解し、ピリ
ジン５mlを加えた。 一時間還流した後、析出した固体をベンゼン
から再結晶した。 m.p.266.5〜267.5の緑色結晶0.50ｇを得た。 元素分析（C27H24N2O3Sとして） 計算値 実測値 Ｃ％ 71.03 71.28 Ｈ％ 5.30 5.22 Ｎ％ 6.14 6.17 ジクロルエタン中のλnaxは609nm、10gεは
4.82であつた。 本発明の感光体は以上の様な（チオ）バルビツ
ル酸残基を有する化合物を電荷発生材料として使
用し、且つ電荷輸送材料と一緒に組み合わせて用
いられるが、その応用のし方によつて第１図から
第３図に示した様に用いる事ができる。 第１図の感光体は少なくとも表面が導電性であ
る導電性支持体１の上に電荷発生材料である（チ
オ）バルビツル酸残基を有する化合物３を電荷輸
送材料と結合剤からなる電荷移動媒体４の中に分
散せしめた電子写真感光層２を設けたものであ
る。 第２図に感光体は少なくとも表面が導電性であ
る導電性支持体１の上に（チオ）バルビツル酸残
基を有する化合物３を主体とする電荷発生層５
と、電荷輸送材料を含む電荷移動層４からなる電
子写真感光層２を設けたものである。 第３図の感光体は少なくとも表面が導電性であ
る導電性支持体１の上に電荷輸送材料を含む電荷
移動層４と、さらにその上に（チオ）バルビツル
酸残基を有する化合物３を主体とする電荷発生層
５からなる電子写真感光層２を設けたものであ
る。 第１図の感光体を作製するには電荷輸送材料と
結合剤を溶解した溶液に（チオ）バルビツル酸残
基を有する化合物を溶解又は分散せしめ、これを
導電性支持体上に塗布、乾燥する。 第２図の感光体は、導電性支持体上に、電荷発
生材料である（チオ）バルビツル酸残基を有する
化合物を真空蒸着するか、あるいは、（チオ）バ
ルビツル酸残基を有する化合物を必要に応じて結
合剤を溶解した適当な溶媒中に、溶解又は分散し
て得た分散液を塗布、乾燥し、さらに必要があれ
ば、例えばバフ研磨などの方法によつて表面仕上
げをするか、膜厚を調整した後、その上に電荷輸
送材料および結合剤を含む溶液を塗布、乾燥して
得られる。塗布は通常の手段、例えばドクターブ
レード、ワイヤーバーなどを用いて行う。 第３図の感光体は電荷輸送材料および結合剤を
含む溶液を通常の手段で導電性の支持体上に塗布
乾燥した後、第２図の感光体と同様な手段で電荷
発生層を設けることにより得られる。 感光層の厚さは第１図のものでは３〜50μm、
好ましくは５〜20μmである。また第２図、第３
図のものでは、電荷発生層の厚さは、5μm以下、
好ましくは2μm以下であり、電荷移動層の厚さは
３〜50μm、好ましくは５〜20μmである。 第１図の感光体において感光層中の電荷輸送材
料の割合は、結合剤に対して10〜150重量％、好
ましくは30〜100重量％であり、また（チオ）バ
ルビツル酸液を有する化合物の割合は、結合剤に
対して１〜150重量％、好ましくは５〜50重量％
である。 第２図、第３図の感光体における電荷移動層中
の電荷輸送材料の割合は、第１図の感光体の感光
層の場合と同様に10〜150重量％、好ましくは30
〜100重量％である。第２図および第３図の感光
体において電荷発生材料を結合剤中に含有させる
こともできるが、その場合には、電荷発生材料の
割合は、結合剤に対して１〜150重量％、好まし
くは５〜50重量％である。なお、第１〜３図のい
ずれの感光体においても、結合剤とともに可塑剤
を用いることができる。 本発明の感光体において、少なくとも表面が導
電性を有する導電性支持体としては、アルミニウ
ムなどの金属板または金属箔、アルミニウムなど
の金属を蒸着したプラスチツクフイルム、あるい
は、導電処理を施した紙などが用いられる。結合
剤としては、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエ
ステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカルボ
ネートなどの縮合樹脂や、ポリビニルケトン、ポ
リスチレン、ポリ―Ｎ―ビニルカルバゾール、ポ
リアクリルアミドのようなビニル重合体などが用
いられるが、絶縁性でかつ接着性のある樹脂はす
べて使用できる。 可塑剤としてはビフエニル、塩化ビフエニル、
ｏ―テルフエニル、ｐ―テルフエニル、ジブチル
フタレート、ジメチルグリコールフタレート、ジ
オクチルフタレート、トリフエニル燐酸、メチル
ナフタリン、ベンゾフエノン、塩素化パラフイ
ン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ジラウリル
チオジプロピオネート、３，５―ジニトロサリチ
ル酸、各種フルオロ炭化水素類等が挙げられる。 第１〜３図に示した電子写真感光体に用いるこ
とができる電荷輸送材料の例として、米国特許
357450、特公昭49−35702、西独国特許（DAS）
1110518などに開示されているトリフエニルアミ
ン誘導体、米国特許3542544、特公昭45−555、特
開昭51−93224などに開示されているポリアリー
ルアルカン誘導体、特開昭52−72231、特開昭49
−105537、特公昭52−4188などに開示されている
ピラゾリン誘導体、米国特許3717462、特開昭54
−59143（米国特許4150987に対応）、特開昭55−
52063、特開昭55−52064、特開昭55−46760、特
開昭55−85495、特願昭55−85495などに開示され
ているヒドラゾン誘導体などがある。これらの電
荷輸送材料は場合により２種類以上を伴用するこ
とも可能である。 本発明においては、感光波長域の異なる２種類
以上の（チオ）バルビツル酸残基を有する化合物
を用いることで感光波長域を制御できるが、公知
の染色増感剤を併用することによる感光波長域の
制御も可能である。 なお、以上のようにして得られる感光体には、
導電性支持体と感光層の間に、必要に応じて接着
層またはバリヤ層を設けることができる。これら
の層に用いられる材料としては、ポリアミド、ニ
トロセルロース、酸化アルミニウムなどであり、
これらの層の厚さは1μm以下が好ましい。 本発明の感光体は非常に高感度であり且つ製造
法が簡便であり、かつ耐久性に優れている。また
電子写真感光体をレーザービームプリンターまた
は表示素子に適用する際に必要とされる波長選択
性が極めて高いという利点を有する。本発明の感
光体の他の用途としては画像露光してトナー画像
形成後エツチングにより高解像力、高耐久性、高
感度の印刷板（平版もしくは凸版）が得られる等
の工業上の利点がある。 次に本発明を実施例により便に具体的に説明す
るが、本発明はその要旨をこえない限り以下の実
施例に限定されるものではない。なお、下記実施
例において部はすべて重量部を示す。 実施例 １ 電荷輸送材料として下記構造式のヒドラゾン化
合物２部とビスフエノールＡのポリカルポネート
５部をジクロロメタン130部に溶解させた。 この電荷移動材料溶液にチオバルビツル酸残基
を有する化合物(1)１部を添加し溶解させて電子写
真感光層塗布液を調製した。 この塗布液をワイヤーラウンドロツドを用いて
導電性透明支持体（100μm）のポリエチレンテレ
フタレート支持体上に、酸化インジウムの蒸着膜
を有する。表面抵抗103Ω。）上に塗布、乾燥して
厚さ約7μmの単層型電子写真感光層を有する感光
体を得た。 この感光体について、静電複写紙試験装置（川
口電機製作所製SP−428型）を用いて＋5KVのコ
ロナ放電により正に帯電させ、次いで3000゜Kの
タングステンランプによつてその表面が照度10ル
ツクスになる様にして光を照射し、その表面電位
が、初期表面電位の半分に減衰する時間を求め、
半減露光量を得たところ、E50は63lux・secであ
つた。 実施例 ２〜12 実施例１で用いた電荷発生材料の代わりに下記
の第１表の（チオ）バルビツル酸残基を有する化
合物を用いたほかは、実施例１と同様にして、単
層型電子写真感光体を作製し、E50を測定して第
１表の値を得た。
バルビツル酸残基を有する化合物を含む光導電性
組成物に関する。 電子写真感光体の光導電過程は (1) 露光により電荷をを発生する過程、 (2) 電荷を輸送する過程、 から成る。 (1)と(2)を同一物質で行う例としてセレン感光板
が挙げられる。一方(1)と(2)を別々の物質で行う例
として無定形セレンとポリ―Ｎ―ビニルカルバゾ
ールの組合せが良く知られている。(1)と(2)を別々
の物質で行なう方法は感光体に用いる材料の選択
範囲を拡げ、それに伴い、感光体の感度、受容電
位等の電子写真特性が向上し、また感光体塗膜作
製上好都合な物質を広い範囲から選び得るという
長所を有している。 従来、電子写真方式において使用される感光体
の光導電性素材として用いられているものに、セ
レン、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無機物質
がある。 電子写真法はすでにカールソンが米国特許第
297691号に明らかにしたように、画像露光の間に
受けた照射量に応じその電気抵抗が変化する暗所
で絶縁性の物質をコーテイングした支持体よりな
る光導電性材料を用いる。この光導電性材料は一
般に適当な間の暗順応の後、暗所で、まず一様な
表面電荷を与えられる。次に、この材料は照射パ
ターンの種々の部分に含まれる相対エネルギーに
応じて表面電荷を減らす効果を有する照射のパタ
ーンにより画像露光される。このようにして光導
電性物質層（感光層）表面に残つた表面電荷又は
静電潜像は次にその表面が適当な検電表示物質、
すなわちトナーで接触されて可視像となる。トナ
ーは絶縁液中に含まれようと乾燥担体中に含まれ
ようと、電荷パターンに応じて感光層表面上に付
着させることができる。付着した表示物質は、
熱、圧力、溶媒蒸気のような公知の手段により定
着することができる。又静電潜像は第２の支持体
（例えば紙、フイルムなど）に転写することがで
きる。同様に静電潜像を第２の支持体に転写し、
そこで現像することも可能である。電子写真法は
この様にして画像を形成するようにした画像形成
法の一つである。 このような電子写真法において感光体に要求さ
れる基本的な特性としては、(1)暗所で適当な電位
に帯電できること、(2)暗所において電荷の逸散が
少ないこと、(3)光照射によつて速やかに電荷を逸
散せしめうることなどがあげられる。従来用いら
れている前記無機物質は、多くの長所を持つてい
ると同時にさまざまな欠点を有していることは事
実である。例えば、現在広く用いられているセレ
ンは前記(1)〜(3)の条件は十分に満足するが、製造
する条件がむずかしく、製造コストが高くなり、
可撓性がなく、ベルト状に加工することがむづか
しく、熱や機械的衝撃に鋭敏なため取扱いに注意
を要するなどの欠点もある。硫化カドミウムや酸
化亜鉛は、結合剤としての樹脂に分散させて感光
体として用いられているが、平滑性、硬度、引張
り強度、耐摩擦性などの機械的な欠点があるため
にそのままでは反復して使用することができな
い。 近年、これら無機物質の欠点を排除するために
いろいろの有機物質を用いた電子写真感光体が提
案され、実用に供されているものもある。例え
ば、ポリ―Ｎ―ビニルカルバゾールと２，４，７
―トリニトロフルオレン―９―オンとからなる感
光体（米国特許第3484237）、ポリ―Ｎ―ビニルカ
ルバゾールをビリリウム塩系色素で増感したもの
（特公昭48―25658）、有機顔料を主成分とする感
光体（特開昭47−37543）、染料と樹脂とからなる
共晶錯体を主成分とする感光体（特開昭47−
10735）などである。これらの感光体は優れた特
性を有するものであり、実用的にも価値が高いと
思われるものであるが、電子写真法において、製
造法が簡便であつて、かつ十分な電子写真特性を
示すと共に、電子写真感光体をレーザービームプ
リンタまたは表示素子に適用する際に必要とされ
る波長選択性の良さなど感光体に対するいろいろ
の要求を考慮すると、まだ、これらの要求を十分
に満足するものが得られていないのが実情であ
る。 本発明者らは電荷発生材料について研究を行つ
た結果、後記する一般式（）〜（）で表わさ
れるバルビツル酸残基またはチオバルビツル酸残
基（以下、（チオ）バルビツル酸残基という。）
と、ピリリウム塩残基、チオピリリウム塩残基、
ベンゾピリリウム塩残基、またはベンゾチオピリ
リウム塩残基とを結合させた新規化合物が、光、
熱、または空気酸化に対する抵抗性をもち従つて
安定性がよく、且つ電荷発生材料として秀れてお
り、また感光体に対するいろいろの要求を十分に
満足する事を発見して本発明に到達した。 この（チオ）バルビツル酸残基を有する化合物
は優れた電荷発生機能を示すので、このものを電
荷発生材料として電荷輸送材料とともに組み合わ
せて用いた電子写真感光体は非常に高感度でかつ
製造法が簡便であつて耐久性にも優れ十分な電子
写真特性を有する事を発見した。 また、この（チオ）バルビツル酸残基を有する
化合物はこの電子写真感光体をレーザービームプ
リンターまたは表示素子に適用する際に必要とさ
れる波長選択性も良い事、及び電荷発生材料であ
る（チオ）バルビツル酸残基を有する化合物と電
荷輸送材料とを均一に分散する事も可能で、その
場合には透明性の高い感光体が得られるという特
性を有する事を発見した。 本発明は (1) 一般式（）〜（）で表わされるバルビツ
ル酸残基またはチオバルビツル酸残基を有する
化合物を含む光導電性組成物である。 式中 ） ｎは０、１、２を表わす ） Ｘ、Ｙは、同種または異種の基であつて
もよく、酸素原子または硫黄原子を表わす ） R1、R2は同種または異種の基であつて
もよく、水素原子、炭素原子数１〜４のアル
キル基およびフエニル基を表わし、これらの
基は、置換基を有していてもよい。 ） R3、R4は、同種又は異種の基であつて
もよく、水素原子、アルキル基、アラルキル
基、アリール基を表わす。 ） R5、R6は、同種または異種の基であつ
てもよく、水素原子、アルキル基、アラルキ
ル基、フエニル基を表わす。またこれらは置
換基を有していてもよい。 ） R7、R8は、同種または異種の基であつ
てもよく、水素原子、炭素原子数１〜４のア
ルキル基、無置換または置換基を有するフエ
ニル基、およびナチフル基を表わす。 ） R9、R10、R11は同種または異種の基で
あつてもよく、水素原子、炭素原子数１〜４
のアルキル基、ヒドロキシ基、炭素原子数１
〜２のアルコキシ基、無置換または置換基を
有するフエニル基、ニトロ基およびハロゲン
原子を表わす。 R1、R2の具体例としては、水素原子；炭素原
子数１〜４のアルキル基として、メチル基、エチ
ル基、プロキル基、ブチル基、第３ブチル基；フ
エニル基である。置換アルキルの置換基の具体例
としては、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基
などの炭素原子数１〜４のアルコキシ基である。
置換フエニル基の置換基の具体例としては塩素原
子、臭素原子などのハロゲン原子；シアノ基；ニ
トロ基；メチル基、エチル基、ブチル基などの炭
素原子数１〜４のアルキル基；メトキシ基、エト
キシ基、ブトキシ基などの炭素原子数１〜４のア
ルコキシ基である。 R3およびR4の具体例としては、水素原子；炭
素原子数１ないし12のアルキル基として、例えば
メチル基、エチル基、ブチル基、オクチル基等；
炭素原子数７ないし10のアラルキル基として例え
ば、ベンジル基、フエネチル基等および炭素原子
数６ないし14のアリール基として、例えばフエニ
ル基、ナフチル基等がある。 R5およびR6の具体例としては、水素原子；炭
素原子数１ないし12のアルキル基として、メチル
基、エチル基、ブチル基、オクチル基；炭素原子
数７ないし14のアラルキル基として、例えば、ベ
ンジル基、フエネチル基等およびフエニル基であ
る。これらは置換基を有していてもよく、この置
換基としては、ａ）炭素数１〜４のアルキル基、
ｂ）炭素数１〜４のアルコキシ基、ｃ）炭素数６
〜７のアリールオキシ基、ｄ）炭素数２〜８のア
シル基、ｅ）炭素数２〜５のアルコキシカルボニ
ル基、ｆ）ハロゲン原子、ｇ）炭素数１〜４のア
ルキル基で置換されたモノアルキルアミノ基、
ｈ）炭素数１〜４のアルキル基で置換されたジア
ルキルアミノ基、ｉ）炭素数２〜４のアミド基お
よびｊ）ニトロ基などがある。 さらに、上記置換基の具体例としては、(a)炭素
原子数１ないし４のアルキル基として、メチル
基、エチル基、ブチル基、(b)炭素原子数１ないし
４個のアルコキシ基としてメトキシ基、エトキシ
基、プロボキシ基、ブトキシ基、(c)アリールオキ
シ基としてフエノキシ基、ｏ―、ｍ―またはｐ―
トリルオキシ基、(d)アシル基として、アセチル
基、プロピオニル基、ベンゾイル基、ｏ―、ｍ―
またはｐ―トルオイル基、(e)炭素原子数２ないし
５のアルコキシカルボニル基としてメトキシカル
ボニル基、エトキシカルボニル基、ブロボキシカ
ルボニル基、ブトキシカルボニル基、(f)ハロゲン
原子として塩素原子、臭素原子、弗素原子、(g)炭
素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたモ
ノアルキルアミノ基として、メチルアミノ基、エ
チルアミノ基、ブチルアミノ基、(h)炭素原子数１
ないし４のアルキル基で置換されたジアルキルア
ミノ基としてジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基、ジプロピルアミノ基、シブチルアミノ基、Ｎ
―メチル―Ｎ―エチルアミノ基、(i)アミド基とし
てアセトアミド基、プロピオンアミド基、(j)その
他の置換基としてニトロ基およびフエニル基があ
る。 R7、R8の具体例としては、水素原子；メチル
基、エチル基、ブチル基等の炭素原子数１〜４の
アルキル基；フエニル基；ナフチル基；置換フエ
ニル基の置換基の具体例としてはR5、R6で述べ
た置換基の具体例(a)〜(j)と同一である。 R9、R10、R11の具体例としては、水素原子；
メチル基、エチル基、ブチル基等の炭素原子数１
〜４のアルキル基；ヒドロキシ基；メトキシ基、
エトキシ基、ブトキシ基等の炭素原子数１〜４の
アルコキシ基；フエニル基；ニトロ基；塩素原
子、臭素原子等のハロゲン原子；置換フエニル基
の置換基の具体例は、R1、R2で述べた置換フエ
ニル基の置換基と同一である。 一般式（）〜（）で表わされる（チオ）バ
ルビツル酸を有する化合物の具体例を以下に示
す。この具体例においてEtはC2H5を表わす。 一般式（）〜（）で表わされる（チオ）バ
ルビツル酸残基を有する化合物は、特開昭57−
21245号および特開昭57−119355号公報に記載の
方法に基いて製造する事ができる。 即ち（チオ）ビリリウム塩もしくはベンゾ（チ
オ）ピリリウム塩（）のβ―アセトアニリドビ
ニル誘導体（ｎ＝１）、もしくは４―アセトアニ
リド―１，３―ブタジエニル誘導体（ｎ＝２）と
（チオ）バルビツル酸残基とを、塩基触媒下に反
応させて得ることができる。 つぎにそれらの中の代表的化合物について製造
法を説明する。 (i) １，３―ジエチル―２―チオ、―５―〔２，
６―ジフエニル―４―チオピリリデン）エチリ
デン〕バルビツル酸（化合物(3)） E.Molemaar，J.Straiting、Tetrahedron
Letters1965、2941の記載の方法で合成した２，
６―ジフエニル、４―メチルチオピリリウムパ
ークロレート３ｇとＮ，N′―ジフエニルオル
フマミジン５ｇとを、無水酢酸10ml中で、120
℃の温度で、10分間反応させた。溶媒を留去し
たのち、残渣をエーテルで洗浄し、β―アセト
アニリドビニル誘導体の褐色固体2.3ｇを得た。
これをアセトン60mlに溶解した溶液に１，３―
ジメチル、―２―チオバルビツル酸0.92ｇのア
ルコール溶液30mlと、ピリジン５mlを加えた。
20分間還流した後、折出した灰縁色結晶を
別、アセトンで洗浄した後、ベンゼン溶媒で再
結晶を行なつた。 m.p.314〜316℃の灰緑色結晶1.8ｇを得た。 元素分析（C27H24N2O2S2として） 計算値 実測値 Ｃ％ 68.62 68.59 Ｈ％ 5.12 5.33 Ｎ％ 5.93 6.07 ジクロルエタン中の最大吸収波長λnaxは612、
566nm、分子吸光係数εの10gεはそれぞれ
4.89、4.77であつた。 (ii) １，３―ジエチル―２―チオ―５―〔（2.6―
ジ―ｔ―ブチル―４―チオピリリデン）エチリ
デン〕バルビツル酸……（化合物(1)） 特開昭55−129283に記載の方法で合成した
2.6―ジ―ｔ―ブチル―４―メチルチオピリリ
ウムパークロレート３ｇと、Ｎ，N′―ジフエ
ニルフオルマミジン５ｇ、無水酢酸、10mlとか
ら製造法（））と同様の反応条件、後処理を
行なつて、β―アセトアニリドビニル誘導体
2.7ｇを得た。これと、１，３―ジエチル―２
―チオバルビツル酸1.15ｇとから製造法(1)と同
様の反応条件、後処理を行なつて得た緑色結晶
を、アルコール溶媒で再結晶した。 m.p.279.3〜280.7℃の緑色結晶0.95ｇを得た。 元素分析（C23H32N2S2O2として） 計算値 実測値 Ｃ％ 63.85 64.01 Ｈ％ 7.46 7.43 Ｎ％ 6.47 6.40 ジクロルエタン中のλnaxは581nm、10gεは
5.16であつた。 (iii) １，３―ジエチル―２―チオ―５―〔（２，
４―ジフエニル―６―ピリリデン）エチリデ
ン〕バルビツル酸……（化合物(5)） 特公昭40−28499に記載の方法で合成した２，
４−ジフエニル―６―メチルピリリウムパーク
ロレート３ｇ、１，３―ジエチル―２―チオバ
ルビツル酸1.73ｇを用いた他は、製造法（））
と同様の反応条件、後処理を行なつた緑色針状
晶2.0ｇを得た。 m.p.306.8〜307.5℃ 元素分析（C27H24N2SO3として） 計算値 実測値 Ｃ％ 71.03 71.29 Ｈ％ 5.30 5.25 Ｎ％ 6.14 5.96 ジクロルエタン中でのλnax；615、
570nm10gε；4.60、4.55であつた。 (v) １，３―ジエチル―２―チオ―５―〔（２，
４―ジ―ｐ―トリル、―６―ピリリデン）エチ
リデン〕バルビツル酸……（化合物(6)） 特公昭40−28499に記載の方法で合成した２，
４−ジ―ｐ―トリル―６―メチルピリリウムパ
ークロレート３ｇと、１，３―ジエチル―２―
チオバルビツル酸2.1ｇを用いた他は、製造法
（）と同様の反応条件、後処理を行なつて緑
色結晶2.2ｇを得た。 m.p.293.5〜294℃ 元素分析（C29H28N2SO3として） 計算値 実測値 Ｃ％ 71.88 71.70 Ｈ％ 5.82 5.92 Ｎ％ 5.78 5.77 ジクロルエタン中でのλnax；616、572nm、
10ｇε：4.64、4.56であつた。 (v) １，３―ジエチル―２―チオ―５―〔（4H―
フラベン―４―インリン）エチリデン〕バルビ
ツル酸……（化合物（13）） G.A.Reynolds et al.J.Heterocyclic
Chemistry７(6)1395（1970）に記載の方法で合
成した４―メチルフラビリウムパークロレート
１ｇと、Ｎ，N′―ジフエニルフオルマミジン
３ｇとを無水酢酸５ml中で120℃の温度で５分
間反応させた。冷時、析出した緑色固体をアセ
トンで洗浄しその赤色洗液を減圧下に溶媒を留
去した。残渣をエーテル洗浄してβ―アセトア
ニリドビニル誘導体の赤色固体1.0ｇを得た。
これをアセトン60mlに溶かした溶液に、１，３
―ジエチル―２―チオバルビツル酸0.46ｇのア
ルコール溶液20mlとピリジン５mlを加えた。20
分間還流した後、析出した赤紫色固体を過、
アルコール洗浄した。 ベンゼン溶媒で再結晶を行なつて、m.p.305
〜307℃の赤紫色針状晶0.30ｇを得た。 元素分析（C25H22N2O3Sとして） 計算値 実測値 Ｃ％ 69.75 69.68 Ｈ％ 5.15 5.11 Ｎ％ 6.51 6.60 ジクロルエタン中でのλnaxは581nm、
538nm、10gεはそれぞれ4.78、4.77であつた。 (vi) １，３―ジエチル―２―チオ―５―〔（4′―
メトキシ―４―Ｈ―フラベン―４―イリデン）
エチリデン〕バルビツル酸……（化合物（14）） 4′―メトキシ―４―メチルフラビリウムパー
クロレート１ｇ、１，３―ジエチル―２―チオ
バルビツル酸0.31ｇを用いた他は、製造法
（））と同様の反応条件、後処理を行なつて、
赤紫色結晶0.50ｇを得た。 m.p.309〜310℃ 元素分析（C26H24N2O4Sとして） 計算値 実測値 Ｃ％ 67.81 67.63 Ｈ％ 5.25 5.36 Ｎ％ 6.08 6.05 ジクロルエタン中のλnaxは591、545nm、
10gεはそれぞれ4.87、4.78であつた。 (vii) １，３―ジエチル―２―チオ―５―〔（4H―
フラベン―４―イリデン）２―ブテニリデン〕
バルビツル酸……（化合物（18）） プロペンジアニルと１，３―ジエチル―２―
チオバルビツル酸とを無水酢酸中で反応させて
得られた３―アセトアニリドアリリデン誘導体
0.85ｇと、４―メチルフラビリウムパークロレ
ート0.74ｇとをベンンゼン50mlに溶解し、ピリ
ジン５mlを加えた。 一時間還流した後、析出した固体をベンゼン
から再結晶した。 m.p.266.5〜267.5の緑色結晶0.50ｇを得た。 元素分析（C27H24N2O3Sとして） 計算値 実測値 Ｃ％ 71.03 71.28 Ｈ％ 5.30 5.22 Ｎ％ 6.14 6.17 ジクロルエタン中のλnaxは609nm、10gεは
4.82であつた。 本発明の感光体は以上の様な（チオ）バルビツ
ル酸残基を有する化合物を電荷発生材料として使
用し、且つ電荷輸送材料と一緒に組み合わせて用
いられるが、その応用のし方によつて第１図から
第３図に示した様に用いる事ができる。 第１図の感光体は少なくとも表面が導電性であ
る導電性支持体１の上に電荷発生材料である（チ
オ）バルビツル酸残基を有する化合物３を電荷輸
送材料と結合剤からなる電荷移動媒体４の中に分
散せしめた電子写真感光層２を設けたものであ
る。 第２図に感光体は少なくとも表面が導電性であ
る導電性支持体１の上に（チオ）バルビツル酸残
基を有する化合物３を主体とする電荷発生層５
と、電荷輸送材料を含む電荷移動層４からなる電
子写真感光層２を設けたものである。 第３図の感光体は少なくとも表面が導電性であ
る導電性支持体１の上に電荷輸送材料を含む電荷
移動層４と、さらにその上に（チオ）バルビツル
酸残基を有する化合物３を主体とする電荷発生層
５からなる電子写真感光層２を設けたものであ
る。 第１図の感光体を作製するには電荷輸送材料と
結合剤を溶解した溶液に（チオ）バルビツル酸残
基を有する化合物を溶解又は分散せしめ、これを
導電性支持体上に塗布、乾燥する。 第２図の感光体は、導電性支持体上に、電荷発
生材料である（チオ）バルビツル酸残基を有する
化合物を真空蒸着するか、あるいは、（チオ）バ
ルビツル酸残基を有する化合物を必要に応じて結
合剤を溶解した適当な溶媒中に、溶解又は分散し
て得た分散液を塗布、乾燥し、さらに必要があれ
ば、例えばバフ研磨などの方法によつて表面仕上
げをするか、膜厚を調整した後、その上に電荷輸
送材料および結合剤を含む溶液を塗布、乾燥して
得られる。塗布は通常の手段、例えばドクターブ
レード、ワイヤーバーなどを用いて行う。 第３図の感光体は電荷輸送材料および結合剤を
含む溶液を通常の手段で導電性の支持体上に塗布
乾燥した後、第２図の感光体と同様な手段で電荷
発生層を設けることにより得られる。 感光層の厚さは第１図のものでは３〜50μm、
好ましくは５〜20μmである。また第２図、第３
図のものでは、電荷発生層の厚さは、5μm以下、
好ましくは2μm以下であり、電荷移動層の厚さは
３〜50μm、好ましくは５〜20μmである。 第１図の感光体において感光層中の電荷輸送材
料の割合は、結合剤に対して10〜150重量％、好
ましくは30〜100重量％であり、また（チオ）バ
ルビツル酸液を有する化合物の割合は、結合剤に
対して１〜150重量％、好ましくは５〜50重量％
である。 第２図、第３図の感光体における電荷移動層中
の電荷輸送材料の割合は、第１図の感光体の感光
層の場合と同様に10〜150重量％、好ましくは30
〜100重量％である。第２図および第３図の感光
体において電荷発生材料を結合剤中に含有させる
こともできるが、その場合には、電荷発生材料の
割合は、結合剤に対して１〜150重量％、好まし
くは５〜50重量％である。なお、第１〜３図のい
ずれの感光体においても、結合剤とともに可塑剤
を用いることができる。 本発明の感光体において、少なくとも表面が導
電性を有する導電性支持体としては、アルミニウ
ムなどの金属板または金属箔、アルミニウムなど
の金属を蒸着したプラスチツクフイルム、あるい
は、導電処理を施した紙などが用いられる。結合
剤としては、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエ
ステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカルボ
ネートなどの縮合樹脂や、ポリビニルケトン、ポ
リスチレン、ポリ―Ｎ―ビニルカルバゾール、ポ
リアクリルアミドのようなビニル重合体などが用
いられるが、絶縁性でかつ接着性のある樹脂はす
べて使用できる。 可塑剤としてはビフエニル、塩化ビフエニル、
ｏ―テルフエニル、ｐ―テルフエニル、ジブチル
フタレート、ジメチルグリコールフタレート、ジ
オクチルフタレート、トリフエニル燐酸、メチル
ナフタリン、ベンゾフエノン、塩素化パラフイ
ン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ジラウリル
チオジプロピオネート、３，５―ジニトロサリチ
ル酸、各種フルオロ炭化水素類等が挙げられる。 第１〜３図に示した電子写真感光体に用いるこ
とができる電荷輸送材料の例として、米国特許
357450、特公昭49−35702、西独国特許（DAS）
1110518などに開示されているトリフエニルアミ
ン誘導体、米国特許3542544、特公昭45−555、特
開昭51−93224などに開示されているポリアリー
ルアルカン誘導体、特開昭52−72231、特開昭49
−105537、特公昭52−4188などに開示されている
ピラゾリン誘導体、米国特許3717462、特開昭54
−59143（米国特許4150987に対応）、特開昭55−
52063、特開昭55−52064、特開昭55−46760、特
開昭55−85495、特願昭55−85495などに開示され
ているヒドラゾン誘導体などがある。これらの電
荷輸送材料は場合により２種類以上を伴用するこ
とも可能である。 本発明においては、感光波長域の異なる２種類
以上の（チオ）バルビツル酸残基を有する化合物
を用いることで感光波長域を制御できるが、公知
の染色増感剤を併用することによる感光波長域の
制御も可能である。 なお、以上のようにして得られる感光体には、
導電性支持体と感光層の間に、必要に応じて接着
層またはバリヤ層を設けることができる。これら
の層に用いられる材料としては、ポリアミド、ニ
トロセルロース、酸化アルミニウムなどであり、
これらの層の厚さは1μm以下が好ましい。 本発明の感光体は非常に高感度であり且つ製造
法が簡便であり、かつ耐久性に優れている。また
電子写真感光体をレーザービームプリンターまた
は表示素子に適用する際に必要とされる波長選択
性が極めて高いという利点を有する。本発明の感
光体の他の用途としては画像露光してトナー画像
形成後エツチングにより高解像力、高耐久性、高
感度の印刷板（平版もしくは凸版）が得られる等
の工業上の利点がある。 次に本発明を実施例により便に具体的に説明す
るが、本発明はその要旨をこえない限り以下の実
施例に限定されるものではない。なお、下記実施
例において部はすべて重量部を示す。 実施例 １ 電荷輸送材料として下記構造式のヒドラゾン化
合物２部とビスフエノールＡのポリカルポネート
５部をジクロロメタン130部に溶解させた。 この電荷移動材料溶液にチオバルビツル酸残基
を有する化合物(1)１部を添加し溶解させて電子写
真感光層塗布液を調製した。 この塗布液をワイヤーラウンドロツドを用いて
導電性透明支持体（100μm）のポリエチレンテレ
フタレート支持体上に、酸化インジウムの蒸着膜
を有する。表面抵抗103Ω。）上に塗布、乾燥して
厚さ約7μmの単層型電子写真感光層を有する感光
体を得た。 この感光体について、静電複写紙試験装置（川
口電機製作所製SP−428型）を用いて＋5KVのコ
ロナ放電により正に帯電させ、次いで3000゜Kの
タングステンランプによつてその表面が照度10ル
ツクスになる様にして光を照射し、その表面電位
が、初期表面電位の半分に減衰する時間を求め、
半減露光量を得たところ、E50は63lux・secであ
つた。 実施例 ２〜12 実施例１で用いた電荷発生材料の代わりに下記
の第１表の（チオ）バルビツル酸残基を有する化
合物を用いたほかは、実施例１と同様にして、単
層型電子写真感光体を作製し、E50を測定して第
１表の値を得た。
【表】
実施例 13
厚さ100μmの砂目立てしたアルミニウム板の上
に２×10-5Torr、蒸着温度300℃で15分間チオバ
ルビツル酸残基を有する化合物(1)を蒸着し、厚さ
0.5μmの電荷発生層を設けた。 次に、電荷輸送材料として４，4′―ビス（ジエ
チルアミノ）―２，2′―ジメチルトリフエニルメ
タン５部とビスフエノールＡのポリカルボネート
４部とをジクロロメタン100部に溶解させた。こ
の溶液を前記電荷発生層の上に回転塗布法によつ
て塗布、乾燥して厚さ7μmの積層型電子写真感光
層を有する電子写真感光体を得た。 実施例１と同様にして感度を測定した所、E50
は47.6lux・secであつた。 実施例 14 ヒドラゾン化合物（実施例１） 0.4部、 ベンジルメタアクリレートとメタアクリル酸の
コポリマー30℃ 1.0部、 （〔η〕メチルエチルケトン：0.12メタアクリ
ル酸32.9モル％）チオバルビツル酸残基を有す
る化合物（13） 0.04部 を、メチレンクロリド８部に溶解した。 この溶液を砂目立てした厚さ0.25mmのアルミニ
ウム版上に塗布、乾燥し乾燥膜厚６mmの電子写真
感光層を有する電子写真感光性印刷版材料を調製
した。 この試料を暗所でコロナ放電（＋6KV）する
ことにより、感光層の表面電位を約＋600Vに帯
電させた後、色温度2854゜Kのタングステン光を
試料面に照度30ルツクスで露光した所、半減露光
量は32ルツクス秒であつた。 つぎに、この試料を暗所で表面電位を約＋
400Vに帯電させた後、ポジ画像の透過原稿と密
着させて画像露光した。これをIsoper Ｈ（エツソ
スタンダード社、石油系溶剤）１中に微粒子状
に分散されたポリメチルメタアクリレート（トナ
ー）５ｇ及び大豆油レシチン0.01ｇを添加するこ
とによつて作製したトナーを含む液体現像液中に
浸漬し、鮮明なポジのトナー画像を得ることがで
きた。 更に100℃で30秒間加熱してトナー画像を定着
した。この印刷版材料をメタ珪酸ナトリウム水和
物70ｇをグリセリン140ml、エチレングリコール
550ml、およびエタノール150mlに溶解した液に約
１分間浸漬し、水流で軽くブラツシングしながら
洗うことにより、トナーの付着してない部分の電
子写真感光層を除去した。 また液体現像液の代わりに、得られた静電潜像
を、ゼロツクス3500用トナー（Fuji Xerox社）
を用いて磁気ブラシ現像した後80℃で30秒間加
熱、定着した。次にアルカリ溶液でトナー付着し
てない部分の感光層を除去することによつても、
刷版が得られた。 このようにして作製した刷版をハマダスター
600CDオフセツト印刷機を用いて常法により印刷
した所地汚れのない非常に鮮明な印刷物を５万枚
印刷することができた。
に２×10-5Torr、蒸着温度300℃で15分間チオバ
ルビツル酸残基を有する化合物(1)を蒸着し、厚さ
0.5μmの電荷発生層を設けた。 次に、電荷輸送材料として４，4′―ビス（ジエ
チルアミノ）―２，2′―ジメチルトリフエニルメ
タン５部とビスフエノールＡのポリカルボネート
４部とをジクロロメタン100部に溶解させた。こ
の溶液を前記電荷発生層の上に回転塗布法によつ
て塗布、乾燥して厚さ7μmの積層型電子写真感光
層を有する電子写真感光体を得た。 実施例１と同様にして感度を測定した所、E50
は47.6lux・secであつた。 実施例 14 ヒドラゾン化合物（実施例１） 0.4部、 ベンジルメタアクリレートとメタアクリル酸の
コポリマー30℃ 1.0部、 （〔η〕メチルエチルケトン：0.12メタアクリ
ル酸32.9モル％）チオバルビツル酸残基を有す
る化合物（13） 0.04部 を、メチレンクロリド８部に溶解した。 この溶液を砂目立てした厚さ0.25mmのアルミニ
ウム版上に塗布、乾燥し乾燥膜厚６mmの電子写真
感光層を有する電子写真感光性印刷版材料を調製
した。 この試料を暗所でコロナ放電（＋6KV）する
ことにより、感光層の表面電位を約＋600Vに帯
電させた後、色温度2854゜Kのタングステン光を
試料面に照度30ルツクスで露光した所、半減露光
量は32ルツクス秒であつた。 つぎに、この試料を暗所で表面電位を約＋
400Vに帯電させた後、ポジ画像の透過原稿と密
着させて画像露光した。これをIsoper Ｈ（エツソ
スタンダード社、石油系溶剤）１中に微粒子状
に分散されたポリメチルメタアクリレート（トナ
ー）５ｇ及び大豆油レシチン0.01ｇを添加するこ
とによつて作製したトナーを含む液体現像液中に
浸漬し、鮮明なポジのトナー画像を得ることがで
きた。 更に100℃で30秒間加熱してトナー画像を定着
した。この印刷版材料をメタ珪酸ナトリウム水和
物70ｇをグリセリン140ml、エチレングリコール
550ml、およびエタノール150mlに溶解した液に約
１分間浸漬し、水流で軽くブラツシングしながら
洗うことにより、トナーの付着してない部分の電
子写真感光層を除去した。 また液体現像液の代わりに、得られた静電潜像
を、ゼロツクス3500用トナー（Fuji Xerox社）
を用いて磁気ブラシ現像した後80℃で30秒間加
熱、定着した。次にアルカリ溶液でトナー付着し
てない部分の感光層を除去することによつても、
刷版が得られた。 このようにして作製した刷版をハマダスター
600CDオフセツト印刷機を用いて常法により印刷
した所地汚れのない非常に鮮明な印刷物を５万枚
印刷することができた。
第１図から第３図は、本発明の電子写真用感光
体を厚さ方向に拡大した断面概念図である。 １…導電性支持体、２…電子写真感光層、３…
電荷発生材料、４…電荷移動層、５…電荷発生
層。
体を厚さ方向に拡大した断面概念図である。 １…導電性支持体、２…電子写真感光層、３…
電荷発生材料、４…電荷移動層、５…電荷発生
層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式（）〜（）で表わされるバルビツ
ル酸残基、またはチオバルビツル酸残基を有する
化合物を含む光導電性組成物。 式中 ） ｎは０、１、２を表わす ） Ｘ、Ｙは、同種または異種の基であつても
よく、酸素原子または硫黄原子を表わす ） R1、R2は同種または異種の基であつても
よく水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル
基、およびフエニル基を表わし、これらの基
は、置換基を有していてもよい。 ） R3、R4は、同種又は異種の基であつても
よく、水素原子、アルキル基、アラルキル基、
アリール基を表わす。 ） R5、R6は、同種または異種の基であつて
もよく、水素原子、アルキル基、アラルキル
基、フエニル基を表わす。またこれらは置換基
を有していてもよい。 ） R7、R8は、同種または異種の基であつて
もよく、水素原子、炭素原子数１〜４のアルキ
ル基、無置換または置換基を有するフエニル基
およびナフチル基を表わす。 ） R9、R10、R11は同種または異種の基であ
つてもよく、水素原子、炭素原子数１〜４のア
ルキル基、ヒドロキシ基、炭素原子数１〜２の
アルコキシ基、無置換または置換基を有するフ
エニル基、ニトロ基およびハロゲン原子を表わ
す。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56207246A JPS58109483A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | バルビツル酸残基またはチオバルビツル酸残基を有する化合物を含む光導電性組成物 |
| DE19823247812 DE3247812A1 (de) | 1981-12-23 | 1982-12-23 | Verbindungen mit einem barbitursaeure- oder thiobarbitursaeurerest, photoleitfaehige zusammensetzungen und elektrophotographische aufzeichnungsmaterialien |
| US06/452,654 US4476208A (en) | 1981-12-23 | 1982-12-23 | Compounds having barbituric acid or thiobarbituric acid residue, photoconductive compositions and electrophotographic light sensitive materials containing the compounds as charge generating materials |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56207246A JPS58109483A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | バルビツル酸残基またはチオバルビツル酸残基を有する化合物を含む光導電性組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58109483A JPS58109483A (ja) | 1983-06-29 |
| JPH0160140B2 true JPH0160140B2 (ja) | 1989-12-21 |
Family
ID=16536627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56207246A Granted JPS58109483A (ja) | 1981-12-23 | 1981-12-23 | バルビツル酸残基またはチオバルビツル酸残基を有する化合物を含む光導電性組成物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4476208A (ja) |
| JP (1) | JPS58109483A (ja) |
| DE (1) | DE3247812A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6148859A (ja) * | 1984-08-17 | 1986-03-10 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 正帯電用感光体 |
| JPS61123850A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-06-11 | Canon Inc | 電子写真感光体及び画像形成法 |
| JPS61123848A (ja) * | 1984-11-21 | 1986-06-11 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
| JPH0638174B2 (ja) * | 1987-03-16 | 1994-05-18 | 三菱製紙株式会社 | 電子写真平版印刷版 |
| US4906750A (en) * | 1988-06-08 | 1990-03-06 | Eastman Kodak Company | Sulfoalkyl benzoxazoleinylidene butenylidene thiobarbituric acid derivatives |
| JP3124663B2 (ja) * | 1993-03-24 | 2001-01-15 | 富士写真フイルム株式会社 | ハロゲン化銀写真感光材料 |
| US20020192841A1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-12-19 | Masayoshi Kojima | Measurement chip for biosensor |
| JP4995314B2 (ja) * | 2010-10-28 | 2012-08-08 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3536484A (en) * | 1967-12-15 | 1970-10-27 | Ibm | Small molecule heterocyclic photoconductors and their use in electrophotography |
| BE763391A (fr) * | 1971-02-24 | 1971-08-24 | Xerox Corp | Nouvelle plaque xerographique contenant des pigments d' indigo photo-injecteurs. |
| US4145215A (en) * | 1977-07-15 | 1979-03-20 | Eastman Kodak Company | Migration imaging process and compositions |
| US4241157A (en) * | 1977-07-25 | 1980-12-23 | Eastman Kodak Company | Organic heterocyclic electrophotosensitive materials for migration imaging processes |
| US4322487A (en) * | 1979-08-08 | 1982-03-30 | Eastman Kodak Company | Composite electrically photosensitive particles for electrophoretic migration imaging process |
| JPS56149462A (en) * | 1980-04-22 | 1981-11-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photoconducting composition and photosensitive material for electrophotography by use of same |
-
1981
- 1981-12-23 JP JP56207246A patent/JPS58109483A/ja active Granted
-
1982
- 1982-12-23 US US06/452,654 patent/US4476208A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-12-23 DE DE19823247812 patent/DE3247812A1/de not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4476208A (en) | 1984-10-09 |
| DE3247812A1 (de) | 1983-06-30 |
| JPS58109483A (ja) | 1983-06-29 |
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