JPS595552A - 電子銃 - Google Patents
電子銃Info
- Publication number
- JPS595552A JPS595552A JP57113735A JP11373582A JPS595552A JP S595552 A JPS595552 A JP S595552A JP 57113735 A JP57113735 A JP 57113735A JP 11373582 A JP11373582 A JP 11373582A JP S595552 A JPS595552 A JP S595552A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electron gun
- emitter
- anode
- mesh
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
- H01J37/073—Electron guns using field emission, photo emission, or secondary emission electron sources
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は放電を少くし、以って１ミツターの長寿命化を
可能とり−る電子銃に関する。
可能とり−る電子銃に関する。
電界放出型電子銃の寿命を決めるのは、主に電。
子銃室内でイオン化された分子の振舞である。即ち、電
子銃室内に正のイオンが生ずるとアノードとＪｌミツタ
ー間に形成された強電界によって加速され、それが１ミ
ツターに衝突してその表面を荒らし、その結果電界放射
を不安定にして放電を惹起し、ついには］ミツターを破
壊してしまうのである。この様な現象を起こすイオンは
エミッターから放射された電子がアノード表面に衝突し
た際、その表面部に付着した分子を電ａすることにより
発生ずるものが土である。°この為、従来は、１ノード
から発生するイオンを減少さけるために、アノードを常
時或いは時々加熱し、ガス分子σ）付着を防止、或いは
付着ガス分子の除去を行つでいる。
子銃室内に正のイオンが生ずるとアノードとＪｌミツタ
ー間に形成された強電界によって加速され、それが１ミ
ツターに衝突してその表面を荒らし、その結果電界放射
を不安定にして放電を惹起し、ついには］ミツターを破
壊してしまうのである。この様な現象を起こすイオンは
エミッターから放射された電子がアノード表面に衝突し
た際、その表面部に付着した分子を電ａすることにより
発生ずるものが土である。°この為、従来は、１ノード
から発生するイオンを減少さけるために、アノードを常
時或いは時々加熱し、ガス分子σ）付着を防止、或いは
付着ガス分子の除去を行つでいる。
この手法による効果は非常に大きいが、ｔ、 ｈｔ ｕ
１５１分子の付着を完全には除去できず、従−）で放
電の発生を充分に少くすることはぐきない。
１５１分子の付着を完全には除去できず、従−）で放
電の発生を充分に少くすることはぐきない。
本発明は上記点に鑑み、エミッターに衝突するイオンの
発生を一層減少させることを目的とするもので、その構
成は電子を放出するエミッターとこの１ミツターに対し
正の高電位に保持された少くとも一個の電極とを有し、
該電極のエミッター側に近接しＣ多数の電子線通過孔を
有づるメ・ンシコ状電極を配置し、該メツシュ状電極を
前記電極に対しわずかに高い正の電位に保持する手段を
備えている電子銃に特徴がある、。
発生を一層減少させることを目的とするもので、その構
成は電子を放出するエミッターとこの１ミツターに対し
正の高電位に保持された少くとも一個の電極とを有し、
該電極のエミッター側に近接しＣ多数の電子線通過孔を
有づるメ・ンシコ状電極を配置し、該メツシュ状電極を
前記電極に対しわずかに高い正の電位に保持する手段を
備えている電子銃に特徴がある、。
以下本発明の一実施例を添イ；１図１ｆＩｉに基づき詳
述する。
述する。
第１図は本発明の一例を示づ、主要部断面図であり、１
は電界放出型電子銃のエミ・ツタ−で常温に保持される
か成るいは一定渇疫に加熱され℃いる。
は電界放出型電子銃のエミ・ツタ−で常温に保持される
か成るいは一定渇疫に加熱され℃いる。
この］ニエミッタには図示しないが、直流高電圧電源よ
り負の＾電圧が印加されている。２は引出し電極（第１
アノード）であり、エミッター１に対し正の高電位に保
たれており、■ミツター先端部に電界放射に必要な強電
界を与えている。エミ・ンターより放射された電子はア
ース電位のアノード３ど引出し電４ｆｉ２との間に形成
される加速電界により加速され、下方に取出される。前
記アノ−；２３土の」エミッタ−１に対向°する位置に
は電気絶縁物４を介してメツシュ状電極５が設置され、
直流１？ｌ１ｉ６よりアノード３に対し数乃至十数ボル
トの正の電圧が与えられている。前記メツシュ状電極と
してはその形状は特に重要ではなく、網状、格子状もメ
ツシュの概念に含まれるもので、重要なことは多数の電
子線通過孔を右し、その間口率（電極総面積に対する開
口部面積の比串）が高いことである。
り負の＾電圧が印加されている。２は引出し電極（第１
アノード）であり、エミッター１に対し正の高電位に保
たれており、■ミツター先端部に電界放射に必要な強電
界を与えている。エミ・ンターより放射された電子はア
ース電位のアノード３ど引出し電４ｆｉ２との間に形成
される加速電界により加速され、下方に取出される。前
記アノ−；２３土の」エミッタ−１に対向°する位置に
は電気絶縁物４を介してメツシュ状電極５が設置され、
直流１？ｌ１ｉ６よりアノード３に対し数乃至十数ボル
トの正の電圧が与えられている。前記メツシュ状電極と
してはその形状は特に重要ではなく、網状、格子状もメ
ツシュの概念に含まれるもので、重要なことは多数の電
子線通過孔を右し、その間口率（電極総面積に対する開
口部面積の比串）が高いことである。
この様な構成において、電子銃を作動さけると、メツシ
ュ状電極５の多数の電子線通過孔を通して電子がアノ−
ド３の表面に衝突リ−る−この衝突によりアノード表面
部に付着している分子がイオン化されるわけであるが、
このイオンは殆／υどが正イオンＣあり、且−）土ネル
ギーを殆んどイｊしていない。而して、アノード３とメ
ツシュ状電極５との間には逆バイアス、つまりメツシュ
状電極５の方がｉｌ二の電位に保たれＣいるの文、前記
発生した正のイオンは図の如くその空間に形成された電
界に五り追返えされ、メツシュ電極５には到達しない。
ュ状電極５の多数の電子線通過孔を通して電子がアノ−
ド３の表面に衝突リ−る−この衝突によりアノード表面
部に付着している分子がイオン化されるわけであるが、
このイオンは殆／υどが正イオンＣあり、且−）土ネル
ギーを殆んどイｊしていない。而して、アノード３とメ
ツシュ状電極５との間には逆バイアス、つまりメツシュ
状電極５の方がｉｌ二の電位に保たれＣいるの文、前記
発生した正のイオンは図の如くその空間に形成された電
界に五り追返えされ、メツシュ電極５には到達しない。
従って、該イオンが電子加速電界にＪ、リエミッタ一方
向に加速されていくことはなくなり、エミッターをイＡ
＞衝撃から保護りることができる。
向に加速されていくことはなくなり、エミッターをイＡ
＞衝撃から保護りることができる。
尚、上記構成において、メツシュ電極５が電子′ｏｊ撃
を受りるので、その部分からの若干のイオン生成は避り
られない。しかし、イオン生成は前−述の如くメツシュ
電極開口率を高く（例えば０．９稈度）シ（おりば、電
子の衝突するσがそれだけ少なくなり、殆んど問題は４
ｆくなる。
を受りるので、その部分からの若干のイオン生成は避り
られない。しかし、イオン生成は前−述の如くメツシュ
電極開口率を高く（例えば０．９稈度）シ（おりば、電
子の衝突するσがそれだけ少なくなり、殆んど問題は４
ｆくなる。
第２図は本発明の他の実施例を示すもので、引出し電極
２とアノード３とでパトラ−電極を構成した電子銃に応
用したものである。メツシュ状電極５は絶縁物４を介し
て引出し電極２の上に取付けられている。該電極には端
子７を介して引出電圧が与えられる。
２とアノード３とでパトラ−電極を構成した電子銃に応
用したものである。メツシュ状電極５は絶縁物４を介し
て引出し電極２の上に取付けられている。該電極には端
子７を介して引出電圧が与えられる。
尚、パトラ−電極を構成しない通／Ｐ、の電界放出型電
子銃（第１図のような）でも引出し電極２にメツシュ状
電極を取りイ４りるＪ、うになし−Ｃも良い。
子銃（第１図のような）でも引出し電極２にメツシュ状
電極を取りイ４りるＪ、うになし−Ｃも良い。
第３図は更に他の実施例を示すもので、メツシュ状電極
５をアノード３部分のみならず、電子銃室８の内側全域
、成るいはその一部（反射電子が当たる部分）にも張り
めぐらしたものである。これにより、アノード３表面か
らの一次電子の衝突によるイオン生成のみならず、反射
電子の電子銃室内壁への衝突によるイオン生成を防止で
き、収電発生の確率を更に低下させることができる。
５をアノード３部分のみならず、電子銃室８の内側全域
、成るいはその一部（反射電子が当たる部分）にも張り
めぐらしたものである。これにより、アノード３表面か
らの一次電子の衝突によるイオン生成のみならず、反射
電子の電子銃室内壁への衝突によるイオン生成を防止で
き、収電発生の確率を更に低下させることができる。
尚、上記は電界放出型電子銃について説明したが熱電子
放出型電子銃、特にＬａｒ３６をエミッターに使用覆る
電子銃に適用しても同様な効果が期待できる。又、直流
電源６は、数ボルト乃至十数ボルトの電圧が得られれば
良いので、図面に示した如き、特別な電源を設【ノずに
、高低抗体でメツシュ電極とアノード又は引出し電極を
接続し、メツシュ電極からの２次電子放出に伴って流れ
る電流の電圧効果を利用づるようにしても良い。
放出型電子銃、特にＬａｒ３６をエミッターに使用覆る
電子銃に適用しても同様な効果が期待できる。又、直流
電源６は、数ボルト乃至十数ボルトの電圧が得られれば
良いので、図面に示した如き、特別な電源を設【ノずに
、高低抗体でメツシュ電極とアノード又は引出し電極を
接続し、メツシュ電極からの２次電子放出に伴って流れ
る電流の電圧効果を利用づるようにしても良い。
更に、メツシュ電極（は−個のみてなく、各電極へ設置
すると更に良い結果が得られる。
すると更に良い結果が得られる。
第１図乃至第３図は夫々本発明の一実施例を示づ主要部
断面図である。 １：エミッター、２：引出し電極、３ニアノード、４：
電気絶縁物、５：メツシュ、６：直流電源、７：端子、
８：電子銃室。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 伊藤 −夫
断面図である。 １：エミッター、２：引出し電極、３ニアノード、４：
電気絶縁物、５：メツシュ、６：直流電源、７：端子、
８：電子銃室。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 伊藤 −夫
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電子を放出りる」ミツターとこの１ミツターに対し
正の高電位に保持された少くとも一個の電極とを有し、
該電極の１ミツター側に近接して多数の電子線通過孔を
有づるメツシュ状電極を配置し、該メツシュ状電極を前
記電極に対しわずかに高い正の電位に保持りる手段を備
えＣいることを特徴とりる電子銃 ２、前記電極は電界ｈり山型電子銃の引き出し電極で゛
ある特許請求の範囲第１項記載の電子銃３、前記電極は
電界放出型電子銃のアノードＣある特許請求の範囲第１
項記載の電子銃 ４．１ｉｉｉ記７■極は熱電子放出型電子銃のアノード
で゛ある特許請求の範囲第１項記載の電子銃５、前記メ
ツシュ状電極は、電極部分のみならず電子銃室の内側に
も配置しである特許請求の範囲第１項乃至第４項記載の
いずれかに記載の電子銃６ 、 ｉｆｆ記メツジノ状電
極へ前記電極に、対し数〜十数ボルトの正の直流電圧を
印加Ｊる電源を有する特許請求の範囲第１項乃至第５項
記載のいずれかに記載の電子銃 ７、前記メツシュ状電極製前記電極とを畠抵抗を通して
接続し−Ｃある特許請求の範囲第１項乃至第５項記載の
いずれかに記載の電子銃
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57113735A JPS595552A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 電子銃 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57113735A JPS595552A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 電子銃 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS595552A true JPS595552A (ja) | 1984-01-12 |
Family
ID=14619804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57113735A Pending JPS595552A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 電子銃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS595552A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63133439A (ja) * | 1986-11-22 | 1988-06-06 | Ulvac Corp | 空間電荷中和型電子銃 |
| EP1306871A3 (en) * | 2001-10-25 | 2004-04-21 | Northrop Grumman Corporation | Apparatus and method for focusing high-density electron beam emitted from planar cold cathode electron emitter |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP57113735A patent/JPS595552A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63133439A (ja) * | 1986-11-22 | 1988-06-06 | Ulvac Corp | 空間電荷中和型電子銃 |
| EP1306871A3 (en) * | 2001-10-25 | 2004-04-21 | Northrop Grumman Corporation | Apparatus and method for focusing high-density electron beam emitted from planar cold cathode electron emitter |
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