JPH0165852U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0165852U JPH0165852U JP1987162372U JP16237287U JPH0165852U JP H0165852 U JPH0165852 U JP H0165852U JP 1987162372 U JP1987162372 U JP 1987162372U JP 16237287 U JP16237287 U JP 16237287U JP H0165852 U JPH0165852 U JP H0165852U
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- JP
- Japan
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- source
- evaporation source
- deposition
- deposition source
- semiconductor manufacturing
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- Pending
Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
第１図は本考案に係る半導体製造装置の一実施
例を示す要部側断面図、第２図は従来の半導体製
造装置の一具体例を示す概略構成図、第３図と第
４図は第２図の半導体製造装置に含まれる蒸着源
容器とこの容器に蒸着源を補充した状態を示す側
断面図である。 ２……真空容器、１５……電子ビーム、１７…
…蒸着源、１８……蒸着源容器、１９……昇降機
構。
例を示す要部側断面図、第２図は従来の半導体製
造装置の一具体例を示す概略構成図、第３図と第
４図は第２図の半導体製造装置に含まれる蒸着源
容器とこの容器に蒸着源を補充した状態を示す側
断面図である。 ２……真空容器、１５……電子ビーム、１７…
…蒸着源、１８……蒸着源容器、１９……昇降機
構。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 真空容器内に、蒸着源を収容した蒸着源容器を
配置すると共に上記蒸着源に被蒸着体を対設し、
上記蒸着源に電子ビームを照射して溶融させ上記
被蒸着体に蒸着する半導体製造装置において、 上記蒸着源を柱状の直立形状で収容すると共に
、その上部を蒸着源の消費量ずつ上昇させる昇降
機構を設け、蒸着源表面を一定の高さに保持する
ようにしたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987162372U JPH0165852U (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987162372U JPH0165852U (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0165852U true JPH0165852U (ja) | 1989-04-27 |
Family
ID=31446136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987162372U Pending JPH0165852U (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0165852U (ja) |
-
1987
- 1987-10-22 JP JP1987162372U patent/JPH0165852U/ja active Pending