JPH0167732U - - Google Patents

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JPH0167732U
JPH0167732U JP1987162629U JP16262987U JPH0167732U JP H0167732 U JPH0167732 U JP H0167732U JP 1987162629 U JP1987162629 U JP 1987162629U JP 16262987 U JP16262987 U JP 16262987U JP H0167732 U JPH0167732 U JP H0167732U
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semiconductor
vacuum chamber
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本考案に係る半導体製造装
置の一実施例を説明するためのもので、第1図は
ウエーハ搬入前の状態を示す断面図、第2図はウ
エーハ搬入後の状態を示す断面図である。第3図
及び第4図は縦型減圧CVD装置の従来例を説明
するためのもので、第3図はウエーハ搬入前の状
態を示す断面図、第4図はウエーハ搬入後の状態
を示す断面図である。 2……ウエーハロード・アンロード部、3……
炉芯管、11……半導体ウエーハ、13……真空
チヤンバ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 複数の半導体ウエーハをその被処理面を略水平
    にして垂直方向に整列収納して熱処理する縦配置
    の炉芯管に、上記半導体ウエーハのロード・アン
    ロード用真空チヤンバを気密的に連設したことを
    特徴とする半導体製造装置。
JP1987162629U 1987-10-23 1987-10-23 Pending JPH0167732U (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6112035A (ja) * 1984-06-27 1986-01-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体製造装置
JPS62293610A (ja) * 1986-06-12 1987-12-21 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体薄膜気相成長装置
JPS63166215A (ja) * 1986-12-27 1988-07-09 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体気相成長装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JPS62293610A (ja) * 1986-06-12 1987-12-21 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体薄膜気相成長装置
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