JPH0175804U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0175804U JPH0175804U JP1987171060U JP17106087U JPH0175804U JP H0175804 U JPH0175804 U JP H0175804U JP 1987171060 U JP1987171060 U JP 1987171060U JP 17106087 U JP17106087 U JP 17106087U JP H0175804 U JPH0175804 U JP H0175804U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- light
- region
- opposite conductivity
- type region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
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Landscapes
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
第１図は本考案に係る半導体光位置検出装置の
第１の実施例を示す平面図、第２，３図は本考案
の第２の実施例を示すものであつて、第２図はそ
の平面図、第３図は第２図のＡ―Ａ線断面図、第
４，５図は従来の半導体光位置検出装置を示すも
のであつて、第４図はその平面図および第５図は
従来の半導体光位置検出装置の素子構成を示す断
面図である。 １……エピタキシヤル基板、２……Ｐ形シリコ
ン基板、３……ｎ形エピタキシヤル層、４……Ｐ
＋分離拡散領域、５……ｎ＋埋め込み層、６，６
ａ，７，７ａ……Ｐ形ベース拡散領域、８……ｎ
＋エミツタ領域、９，９ａ……Ｐ形抵抗層（反対
導電形領域）、１０，１０ａ，１１，１１ａ……
出力用金属電極、１２……バイアス用金属電極、
１３……ＳｉＯ２膜、１４……コンタクトホール
、１５……遮光膜、ＰＳＤａ１〜ａ５……検出用
検出素子、ＰＳＤｂ１〜ｂ５……ダミー用検出素
子。
第１の実施例を示す平面図、第２，３図は本考案
の第２の実施例を示すものであつて、第２図はそ
の平面図、第３図は第２図のＡ―Ａ線断面図、第
４，５図は従来の半導体光位置検出装置を示すも
のであつて、第４図はその平面図および第５図は
従来の半導体光位置検出装置の素子構成を示す断
面図である。 １……エピタキシヤル基板、２……Ｐ形シリコ
ン基板、３……ｎ形エピタキシヤル層、４……Ｐ
＋分離拡散領域、５……ｎ＋埋め込み層、６，６
ａ，７，７ａ……Ｐ形ベース拡散領域、８……ｎ
＋エミツタ領域、９，９ａ……Ｐ形抵抗層（反対
導電形領域）、１０，１０ａ，１１，１１ａ……
出力用金属電極、１２……バイアス用金属電極、
１３……ＳｉＯ２膜、１４……コンタクトホール
、１５……遮光膜、ＰＳＤａ１〜ａ５……検出用
検出素子、ＰＳＤｂ１〜ｂ５……ダミー用検出素
子。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 一導電形半導体領域に光が照射される反対導電
形領域と光が遮光される反対導電形領域とを形成
し、上記光が照射される反対導電形領域の出力信
号から光が遮光される反対導電形領域の出力信号
を減算しリーク電流を補償して光位置を検出する
半導体光位置検出装置において、 前記光が照射される反対導電形領域と遮光され
る反対導電形領域を交互に複数配置するとともに
、それぞれの領域を並列接続したことを特徴とす
る半導体光位置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17106087U JPH0543365Y2 (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17106087U JPH0543365Y2 (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0175804U true JPH0175804U (ja) | 1989-05-23 |
| JPH0543365Y2 JPH0543365Y2 (ja) | 1993-11-01 |
Family
ID=31462547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17106087U Expired - Lifetime JPH0543365Y2 (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0543365Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001044403A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Fujitsu Ltd | 半導体撮像装置 |
-
1987
- 1987-11-09 JP JP17106087U patent/JPH0543365Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001044403A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Fujitsu Ltd | 半導体撮像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0543365Y2 (ja) | 1993-11-01 |
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