JPH01117375A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH01117375A JPH01117375A JP62274864A JP27486487A JPH01117375A JP H01117375 A JPH01117375 A JP H01117375A JP 62274864 A JP62274864 A JP 62274864A JP 27486487 A JP27486487 A JP 27486487A JP H01117375 A JPH01117375 A JP H01117375A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
- H10F30/221—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a PN homojunction
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/103—Integrated devices the at least one element covered by H10F30/00 having potential barriers, e.g. integrated devices comprising photodiodes or phototransistors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H10F77/334—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers or cold shields for infrared detectors
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板にフォトダイオードを構成した半導
体装置に関する。
体装置に関する。
従来のフォトダイオードには、第４図に示されるものが
ある。この装置では、ｐ型の基板１上にｎ型のエピタキ
シャル成長層２を形成して半導体基板１０が構成される
。基板１とエピタキシャル成長層２の境界部にはｎ 型
の埋込領域３が形成されると共に、エピタキシャル成長
層２はｐ＋型のアイソレージジン領域４によって素子ご
とに分離されている。そして、フォトダイオードはエピ
タキシャル成長層２にイオン注入法や拡散法で形成され
たｐ型のアノード領域５と、その周囲に一定の間隔をあ
けて形成されたｎ 型のカソード領域６により構成され
る。
ある。この装置では、ｐ型の基板１上にｎ型のエピタキ
シャル成長層２を形成して半導体基板１０が構成される
。基板１とエピタキシャル成長層２の境界部にはｎ 型
の埋込領域３が形成されると共に、エピタキシャル成長
層２はｐ＋型のアイソレージジン領域４によって素子ご
とに分離されている。そして、フォトダイオードはエピ
タキシャル成長層２にイオン注入法や拡散法で形成され
たｐ型のアノード領域５と、その周囲に一定の間隔をあ
けて形成されたｎ 型のカソード領域６により構成され
る。
このような半導体装置において、第５図（ａ）のように
アノード領域５、カソード領域６にそれぞれアノード電
極１５およびカソード電極１６をオーミック接触して形
成し、基板１の裏面に電極１１を形成してアースすると
、第５図（ａ）のフォトダイオードが完成する。
アノード領域５、カソード領域６にそれぞれアノード電
極１５およびカソード電極１６をオーミック接触して形
成し、基板１の裏面に電極１１を形成してアースすると
、第５図（ａ）のフォトダイオードが完成する。
このようなフォトダイオードに第５図（ａ）の如く光入
射があると、ｐｎ接合付近で電子／正孔対が発生する。
射があると、ｐｎ接合付近で電子／正孔対が発生する。
このとき、ｐｎ接合がゼロバイアス又は逆バイアスにな
っていると、発生した正孔はアノード領域５側の空乏層
内をドリフトし、フォトダイオードに光電流が流れる。
っていると、発生した正孔はアノード領域５側の空乏層
内をドリフトし、フォトダイオードに光電流が流れる。
従って、光入力を電気信号として検出することができる
。
。
ところが、第４図の装置ではｐ型のアイソレーション領
域４が設けられているため、アノード領域５およびカソ
ード領域６によるフォトダイオードＤ１がアイソレーシ
ョン領域４と接近すると、第５図（ａ）に点線で示すよ
うな寄生ダイオードＤ２が無視できなくなる。そこで、
同図（ｂ）の如き等価回路で具体的データを求めてみる
と、１１− １６５．７ （μＡ） ■２ ″ ＩＰＤＩ −９３，９（μＡ） ■３ ″ ＩＰＤ２ −７０．６（μＡ） となり、 Ｉ ４１ ＋１ １ ＰＤＩ ＰＤ２ となることがわかった。
域４が設けられているため、アノード領域５およびカソ
ード領域６によるフォトダイオードＤ１がアイソレーシ
ョン領域４と接近すると、第５図（ａ）に点線で示すよ
うな寄生ダイオードＤ２が無視できなくなる。そこで、
同図（ｂ）の如き等価回路で具体的データを求めてみる
と、１１− １６５．７ （μＡ） ■２ ″ ＩＰＤＩ −９３，９（μＡ） ■３ ″ ＩＰＤ２ −７０．６（μＡ） となり、 Ｉ ４１ ＋１ １ ＰＤＩ ＰＤ２ となることがわかった。
ここで１．寄生ダイオードＤ２はフォトダイオードＤ１
に対して全く寄生的なものであり、しかもその光電流Ｉ
は照射される光の波長、半導体Ｄ２ 基板のバラツキ、バイアス電圧等に影響されてくる。従
って、フォトダイオードＤ１のｎ側光電流■１，１はこ
の寄生的要素を含むため、設計上の精度に欠ける。
に対して全く寄生的なものであり、しかもその光電流Ｉ
は照射される光の波長、半導体Ｄ２ 基板のバラツキ、バイアス電圧等に影響されてくる。従
って、フォトダイオードＤ１のｎ側光電流■１，１はこ
の寄生的要素を含むため、設計上の精度に欠ける。
また、カソード領域６の下方で発生した正孔については
、寄生ダイオードＤ２の影響でアイソレーション領域４
側にドリフトする確率が、逆バイアスが大きくなるほど
高くなる。従って、フォトダイオードＤ のｐ側光電流
ｌ は寄生ダイオｌ ＰＤＩ −ドＤ２の影響を受けて小さくなる。
、寄生ダイオードＤ２の影響でアイソレーション領域４
側にドリフトする確率が、逆バイアスが大きくなるほど
高くなる。従って、フォトダイオードＤ のｐ側光電流
ｌ は寄生ダイオｌ ＰＤＩ −ドＤ２の影響を受けて小さくなる。
さらに、フォトダイオードＤｌが順バイアスとなった時
には、フォトダイオードＤｌのアノード領域５をエミッ
タとし、カソード領域６をベースとし、アイソレーショ
ン領域４をコレクタとする寄生ｐｎｐ）ランジスタが動
作する。すると、アノード領域５よりアイソレーション
領域４および基板１へと電流が流れ、これによって基板
電位が上昇し、アイソレーション領域４を隔てて隣接す
る他の回路（図示せず）に影響を与えることになる。
には、フォトダイオードＤｌのアノード領域５をエミッ
タとし、カソード領域６をベースとし、アイソレーショ
ン領域４をコレクタとする寄生ｐｎｐ）ランジスタが動
作する。すると、アノード領域５よりアイソレーション
領域４および基板１へと電流が流れ、これによって基板
電位が上昇し、アイソレーション領域４を隔てて隣接す
る他の回路（図示せず）に影響を与えることになる。
以上のような問題点は、アノード領域５、カソード領域
６からなるフォトダイオードと、ｐ型のアイソレーショ
ン領域４が接近するほど著しくなるものである。従って
、フォトダイオードをアイソレーション領域４から離せ
ばある程度まで回避できる。しかしながら、このように
すると基板における占有面積が大きくなり、高集積化が
困難になるという欠点が現れるだけでなく、寄生素子の
影響は完全には除去できない。
６からなるフォトダイオードと、ｐ型のアイソレーショ
ン領域４が接近するほど著しくなるものである。従って
、フォトダイオードをアイソレーション領域４から離せ
ばある程度まで回避できる。しかしながら、このように
すると基板における占有面積が大きくなり、高集積化が
困難になるという欠点が現れるだけでなく、寄生素子の
影響は完全には除去できない。
そこで本発明は、寄生ダイオードや寄生トランジスタが
作用するのを抑制し、高集積化をすることが可能な半導
体装置を提供することを目的とする。
作用するのを抑制し、高集積化をすることが可能な半導
体装置を提供することを目的とする。
本出願の第１の発明に係る半導体装置は、第１導電型の
半導体基板に第２導電型の第１の半導体領域を形成し、
この第１の半導体領域の周囲に所定の距離を隔てて第１
導電型の第２の半導体領域を形成し、これによりフォト
ダイオードを構成した半導体装置であって、下記のよう
に構成される。
半導体基板に第２導電型の第１の半導体領域を形成し、
この第１の半導体領域の周囲に所定の距離を隔てて第１
導電型の第２の半導体領域を形成し、これによりフォト
ダイオードを構成した半導体装置であって、下記のよう
に構成される。
すなわち、第２の半導体領域の下側には当該領域より延
びる第１導電型の側壁領域が形成され、この側壁領域は
第２の半導体領域により囲まれる部分の直下の半導体基
板中に形成された第１導電型の埋込領域に接続され、も
しくはこの側壁領域による空乏層が埋込領域に達する程
度に深く形成されていることを特徴とする。
びる第１導電型の側壁領域が形成され、この側壁領域は
第２の半導体領域により囲まれる部分の直下の半導体基
板中に形成された第１導電型の埋込領域に接続され、も
しくはこの側壁領域による空乏層が埋込領域に達する程
度に深く形成されていることを特徴とする。
また、第２の発明に係る半導体装置は、上記第１の発明
の構成要件に加えて、フォトダイオードの受光部として
使われない領域を遮光膜で覆うようにしたことを特徴と
する。
の構成要件に加えて、フォトダイオードの受光部として
使われない領域を遮光膜で覆うようにしたことを特徴と
する。
第１の発明の構成によれば、逆バイアス時にアイソレー
ション領域側の空乏層がどのように広がっても、フォト
ダイオード側で発生したキャリアは影響を受けることが
なく、フォトダイオードのバイアスが順バイアスになっ
たときでも寄生トランジスタが作用することはない。
ション領域側の空乏層がどのように広がっても、フォト
ダイオード側で発生したキャリアは影響を受けることが
なく、フォトダイオードのバイアスが順バイアスになっ
たときでも寄生トランジスタが作用することはない。
また、第２・の発明の構成によれば、フォトダイオード
の外側では電子／正孔対が光入射により発生することは
なく、従ってアイソレーション領域との間の寄生フォト
ダイオードにおける光電流は生じない。
の外側では電子／正孔対が光入射により発生することは
なく、従ってアイソレーション領域との間の寄生フォト
ダイオードにおける光電流は生じない。
以下、添付図面を参照して、本発明のいくつかの実施例
を説明する。なお、図面の説明において同一要素には同
一符号を付し、重複する説明を省略する。
を説明する。なお、図面の説明において同一要素には同
一符号を付し、重複する説明を省略する。
ｍ１図は第１実施例の構成を示し、同図（ａ）は平面図
、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。そして、こ
れが第４図の従来例と異なる点は、カソード領域６の下
方にｎ型の側壁領域３６が形成され、この側壁領域３６
がｎ型の埋込領域３１；まで延びていることである。こ
の側壁領域３６はアノ７ド領域５を囲むように形成され
、従ってアノード領域５は埋込領域３と側壁領域３６に
よってアイソレーション領域４と分離されている。なお
、例えば５１０２からなる絶縁膜３０の開口に形成され
たアノード電極１５は、例えばアルミニウムからなる配
線２５により外部回路（図示せず）に接続され、カソー
ド電極１６は配線２６により外部回路に接続される。
、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。そして、こ
れが第４図の従来例と異なる点は、カソード領域６の下
方にｎ型の側壁領域３６が形成され、この側壁領域３６
がｎ型の埋込領域３１；まで延びていることである。こ
の側壁領域３６はアノ７ド領域５を囲むように形成され
、従ってアノード領域５は埋込領域３と側壁領域３６に
よってアイソレーション領域４と分離されている。なお
、例えば５１０２からなる絶縁膜３０の開口に形成され
たアノード電極１５は、例えばアルミニウムからなる配
線２５により外部回路（図示せず）に接続され、カソー
ド電極１６は配線２６により外部回路に接続される。
次に、上記の第１実施例の装置の作用を説明する。
まず、アノード領域５とカソード領域６が逆バイアスと
なった状態で光入射があると、電子／正孔対が発生して
正孔がｐ型のアノード領域５に流れ込む。ところで、フ
ォトダイオードの領域はｎ型の埋込領域３と側壁領域３
６により囲まれている。従９て、ｐ型のアイソレージジ
ン領域４側の空乏層が逆バイアスにより広がっても、上
記の正孔はこれに影響されることは全くないので、フォ
トダイオードのｐ側光電流が少なくなることはない。
なった状態で光入射があると、電子／正孔対が発生して
正孔がｐ型のアノード領域５に流れ込む。ところで、フ
ォトダイオードの領域はｎ型の埋込領域３と側壁領域３
６により囲まれている。従９て、ｐ型のアイソレージジ
ン領域４側の空乏層が逆バイアスにより広がっても、上
記の正孔はこれに影響されることは全くないので、フォ
トダイオードのｐ側光電流が少なくなることはない。
一方、アノード領域５とカソード領域６が順バイアスと
なっているときでも、寄生のｐｎｐ ）ランジスタが動
作することはない。従って、基板電位が上昇して他の回
路に影響を与えるようなことはない。
なっているときでも、寄生のｐｎｐ ）ランジスタが動
作することはない。従って、基板電位が上昇して他の回
路に影響を与えるようなことはない。
次に、本発明の第２実施例を、第２図および第３図によ
り説明する。
り説明する。
この実施例では、フォトダイオードの領域以外の部分に
は光が入射しないように、遮光膜４０を設けている。第
２図はその第１の例の構成を示し、同図（ａ）は平面図
、同図（ｂ）はＡ−Ａ線断面図である。そして、これが
第１図のものと異なる点は、絶縁膜３０およびアノード
電極１５、配線２５上に、ＣＶＤ法などによる絶縁膜３
０′を介してアルミニウムなどからなる遮光膜４０が設
けられていることである。この遮光膜４０は図示のよう
に、ｎ型のカソード領域６、ｐ型のアイソレーション領
域４およびそれらの間のエピタキシャル成長層２を覆う
ように設けられ、従ってここへの光入射は遮られる。
は光が入射しないように、遮光膜４０を設けている。第
２図はその第１の例の構成を示し、同図（ａ）は平面図
、同図（ｂ）はＡ−Ａ線断面図である。そして、これが
第１図のものと異なる点は、絶縁膜３０およびアノード
電極１５、配線２５上に、ＣＶＤ法などによる絶縁膜３
０′を介してアルミニウムなどからなる遮光膜４０が設
けられていることである。この遮光膜４０は図示のよう
に、ｎ型のカソード領域６、ｐ型のアイソレーション領
域４およびそれらの間のエピタキシャル成長層２を覆う
ように設けられ、従ってここへの光入射は遮られる。
第３図は第２の例を示し、同図（ａ）は平面図、同図（
ｂ）はＡ−Ａ線断面図である。そして、これが第２図の
ものと異なる点は、遮光膜４０がマスクパターンにより
配線２５．２６と分離して形成されていることである。
ｂ）はＡ−Ａ線断面図である。そして、これが第２図の
ものと異なる点は、遮光膜４０がマスクパターンにより
配線２５．２６と分離して形成されていることである。
すなわち、遮光膜４０は配線２５および配線２６と同一
の絶縁膜３０上に形成されるが、これらは所定の間隔で
離れることにより電気的に絶縁されている。なお、遮光
膜４０が覆う領域については、第１の例のものと同様で
ある。
の絶縁膜３０上に形成されるが、これらは所定の間隔で
離れることにより電気的に絶縁されている。なお、遮光
膜４０が覆う領域については、第１の例のものと同様で
ある。
次に、上記の第２実施例の装置の作用を説明する。
この実施例によれば、カソード領域６および側壁領域３
６の外側では光入射による電子／正孔対は全く発生しな
い。従って、電極１１において現れる光電流■ は、
はとんどゼロにすることがＤ２ できる。なお、本実施例においても側壁領域３６が設け
られているので、先の第１の実施例と同様に、寄生のダ
イオード、トランジスタによる悪影響を除去することが
できる。
６の外側では光入射による電子／正孔対は全く発生しな
い。従って、電極１１において現れる光電流■ は、
はとんどゼロにすることがＤ２ できる。なお、本実施例においても側壁領域３６が設け
られているので、先の第１の実施例と同様に、寄生のダ
イオード、トランジスタによる悪影響を除去することが
できる。
本発明によれば、寄生のフォトダイオードと寄生のｐｎ
ｐ ）ランジスタの影響を無視できるので、例えば次の
ような用途に適用できる。
ｐ ）ランジスタの影響を無視できるので、例えば次の
ような用途に適用できる。
第１に、フォトダイオードの光電流と受光面積は比例関
係にあり、寄生フォトダイオードの影響は、本発明によ
り解決できるので、光電流の比較が可能である。例えば
、数個の同一構造かつ同一面積のフォトダイオードの光
電流を比較する場合には、寄生フォトダイオードを考慮
しなければならないのなら、ｎ側光電流は明らかにこの
影響を受けており、これと他のフォトダイオードのｐ側
光電流は比較できない。しかし、本発明、によれば寄生
フォトダイオードは無視でき、ｎ側光電流■ｐ側光電流
となるので、あるフォトダイオードのｐ側光電流と他の
フォトダイオードのｎ側光電流が比較できることになる
。
係にあり、寄生フォトダイオードの影響は、本発明によ
り解決できるので、光電流の比較が可能である。例えば
、数個の同一構造かつ同一面積のフォトダイオードの光
電流を比較する場合には、寄生フォトダイオードを考慮
しなければならないのなら、ｎ側光電流は明らかにこの
影響を受けており、これと他のフォトダイオードのｐ側
光電流は比較できない。しかし、本発明、によれば寄生
フォトダイオードは無視でき、ｎ側光電流■ｐ側光電流
となるので、あるフォトダイオードのｐ側光電流と他の
フォトダイオードのｎ側光電流が比較できることになる
。
第２に、ＯＰ−ＡＭＰの反転入力端子および非反転入力
端子に各々フォトダイオードのアノードおよびカソード
を接続した場合、理想的にはＡＭＰ入力はイマジナリシ
ョートであるからフォトダイオードは０バイアスとなる
が、実際には入力オフセット等で電圧が生じて順バイア
スとなり、前述のように寄生ｐｎｐ ）ランジスタが動
作することがある。本発明では、前述のように寄生ｐｎ
ｐトランジスタは動作せず、ＡＭＰの入力状態がいかな
る場合でも、寄生ｐｎｐトランジスタのコレクタの電流
が基板に流れ込むことはなく、従って隣接する半導体回
路に影響を与えることはない。
端子に各々フォトダイオードのアノードおよびカソード
を接続した場合、理想的にはＡＭＰ入力はイマジナリシ
ョートであるからフォトダイオードは０バイアスとなる
が、実際には入力オフセット等で電圧が生じて順バイア
スとなり、前述のように寄生ｐｎｐ ）ランジスタが動
作することがある。本発明では、前述のように寄生ｐｎ
ｐトランジスタは動作せず、ＡＭＰの入力状態がいかな
る場合でも、寄生ｐｎｐトランジスタのコレクタの電流
が基板に流れ込むことはなく、従って隣接する半導体回
路に影響を与えることはない。
本発明は上記の実施例に限定されるものではなく、種々
の変形が可能である。
の変形が可能である。
例えば、導電型は逆になってもよく、また、基板にエピ
タキシャル成長層を形成した半゛導体基板を用いるもの
に限られない。さらに、側壁領域３６は埋込領域３に接
続されていなくてもよく、側壁領域３６による空乏層が
埋込領域３にまで届いていれば、実施例と同様の効果が
得られる。
タキシャル成長層を形成した半゛導体基板を用いるもの
に限られない。さらに、側壁領域３６は埋込領域３に接
続されていなくてもよく、側壁領域３６による空乏層が
埋込領域３にまで届いていれば、実施例と同様の効果が
得られる。
以上の通り本発明によれば、逆バイアス時にアイソレー
ション領域側の空乏層がどのように広がっても、フォト
ダイオード側で発生したキャリアは影響を受けることが
なく、フォトダイオードのバイアスが順バイアスになっ
たときでも寄生トランジスタが動作することはない。従
って、寄生ダイオードや寄生トランジスタの影響を抑制
し、かつ高集積化をすることが可能となる。
ション領域側の空乏層がどのように広がっても、フォト
ダイオード側で発生したキャリアは影響を受けることが
なく、フォトダイオードのバイアスが順バイアスになっ
たときでも寄生トランジスタが動作することはない。従
って、寄生ダイオードや寄生トランジスタの影響を抑制
し、かつ高集積化をすることが可能となる。
また、遮光膜を設ければ、フォトダイオードの外側では
電子／正孔対が発生することはなく、従ってアイソレー
ション領域との間の寄生フォトダイオードにおける光電
流が生じないという効果を奏する。
電子／正孔対が発生することはなく、従ってアイソレー
ション領域との間の寄生フォトダイオードにおける光電
流が生じないという効果を奏する。
第１図は本発明の第１実施例に係る半導体装置の構成図
、第２図および第３図は本発明の第２実施例に係る半導
体装置の構成図、第４図は従来例の半導体装置の構成図
、第５図は従来例の問題点を示す図である。 １・・・基板、２・・・エピタキシャル成長層、３・・
・埋込領域、４・・・アイソレーション領域、５・・・
アノード領域、６・・・カソード領域、１０・・・半導
体基板、１１・・・電極、１５・・・アノード電極、１
６・・・カソード電極、２５．２６・・・配線、３０・
・・絶縁膜、３６・・・側壁領域、４０・・・遮光膜。 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社代理人弁理士
長谷用 芳 樹第４図 従来の問題点 第５図 手続補正書 昭和６２年１２月８日
、第２図および第３図は本発明の第２実施例に係る半導
体装置の構成図、第４図は従来例の半導体装置の構成図
、第５図は従来例の問題点を示す図である。 １・・・基板、２・・・エピタキシャル成長層、３・・
・埋込領域、４・・・アイソレーション領域、５・・・
アノード領域、６・・・カソード領域、１０・・・半導
体基板、１１・・・電極、１５・・・アノード電極、１
６・・・カソード電極、２５．２６・・・配線、３０・
・・絶縁膜、３６・・・側壁領域、４０・・・遮光膜。 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社代理人弁理士
長谷用 芳 樹第４図 従来の問題点 第５図 手続補正書 昭和６２年１２月８日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１導電型の半導体基板に第２導電型の第１の半導
体領域を形成し、この第１の半導体領域の周囲に所定の
距離を隔てて第１導電型の第２の半導体領域を形成し、
前記第１および第２の半導体領域によりフォトダイオー
ドを構成した半導体装置において、 前記第２の半導体領域の下側には当該領域より延びる第
１導電型の側壁領域が形成され、この側壁領域は前記第
２の半導体領域により囲まれる部分の直下の前記半導体
基板中に形成された第１導電型の埋込領域に接続され、
もしくはこの側壁領域による空乏層が前記埋込領域に達
する程度に深く形成されていることを特徴とする半導体
装置。 ２、前記半導体基板が、第２導電型の基板に第１導電型
のエピタキシャル成長層を形成して構成されている特許
請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ３、第１導電型の半導体基板に第２導電型の第１の半導
体領域を形成し、この第１の半導体領域の周囲に所定の
距離を隔てて第１導電型の第２の半導体領域を形成し、
前記第１および第２の半導体領域によりフォトダイオー
ドを構成した半導体装置において、 前記第２の半導体領域の下側には当該領域より延びる第
１導電型の側壁領域が形成され、この側壁領域は前記第
２の半導体領域により囲まれる部分の直下の前記半導体
基板中に形成された第１導電型の埋込領域に接続され、
もしくはこの側壁領域による空乏層が前記埋込領域に達
する程度に深く形成され、かつ前記第１の半導体領域の
少なくとも外側領域上には、遮光膜が形成されているこ
とを特徴とする半導体装置。 ４、前記半導体基板が、第２導電型の基板に第１導電型
のエピタキシャル成長層を形成して構成されている特許
請求の範囲第３項記載の半導体装置。 ５、前記第２の半導体領域の外側の第１導電型の領域の
更に外側には、素子分離のためのアイソレーション領域
が形成され、前記遮光膜は前記アイソレーション領域上
にも形成されている特許請求の範囲第３項記載の半導体
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62274864A JPH01117375A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 半導体装置 |
| US07/263,203 US4903103A (en) | 1987-10-30 | 1988-10-27 | Semiconductor photodiode device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62274864A JPH01117375A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01117375A true JPH01117375A (ja) | 1989-05-10 |
Family
ID=17547633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62274864A Pending JPH01117375A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4903103A (ja) |
| JP (1) | JPH01117375A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03136381A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-11 | Fuji Electric Co Ltd | 光センサ |
Families Citing this family (8)
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|---|---|---|---|---|
| JPH04111478A (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子 |
| JP3404848B2 (ja) * | 1993-12-21 | 2003-05-12 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
| DE4439995A1 (de) * | 1994-11-09 | 1996-05-15 | Siemens Ag | Photodiodenarray |
| EP0730304B1 (en) * | 1995-02-27 | 2001-10-17 | Co.Ri.M.Me. Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | A semiconductor particle-detector and methods for the manufacture thereof |
| DE19649851C2 (de) * | 1995-12-05 | 2002-06-20 | Intel Gmbh | Vorrichtung zur Übersprechdämpfung integrierter Fototransistoren |
| JPH09289333A (ja) * | 1996-04-23 | 1997-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光素子 |
| US6218719B1 (en) | 1998-09-18 | 2001-04-17 | Capella Microsystems, Inc. | Photodetector and device employing the photodetector for converting an optical signal into an electrical signal |
| JP4099672B2 (ja) * | 2004-12-21 | 2008-06-11 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6216567A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Sharp Corp | 回路内蔵受光素子 |
| JPS62202567A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-07 | Canon Inc | 光センサおよびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
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|---|---|---|---|---|
| US4606115A (en) * | 1985-05-14 | 1986-08-19 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing optically sensitive semiconductor devices including anti-reflective coatings |
-
1987
- 1987-10-30 JP JP62274864A patent/JPH01117375A/ja active Pending
-
1988
- 1988-10-27 US US07/263,203 patent/US4903103A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6216567A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Sharp Corp | 回路内蔵受光素子 |
| JPS62202567A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-07 | Canon Inc | 光センサおよびその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03136381A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-11 | Fuji Electric Co Ltd | 光センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4903103A (en) | 1990-02-20 |
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