JPH017724Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH017724Y2 JPH017724Y2 JP1826884U JP1826884U JPH017724Y2 JP H017724 Y2 JPH017724 Y2 JP H017724Y2 JP 1826884 U JP1826884 U JP 1826884U JP 1826884 U JP1826884 U JP 1826884U JP H017724 Y2 JPH017724 Y2 JP H017724Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz tube
- reaction system
- substrate
- present
- jig
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔技術分野〕
本考案はGaAsの気相成長に用いる気相成長装
置に関するものである。
置に関するものである。
近年、GaAsを用いたμ波デパイス、特に
GaAsFETの需要が急増している。GaAsFETは
半絶縁性GaAs基板上に成長させたエピタキシヤ
ル層に形成されるが、このエピタキシヤル層を成
長させるにはGa／AsCl3／H2系による気相成長
方法が一般に用いられている。この方法は反応系
石英管内の高温領域に置かれたGaをAs供給のガ
ス状原料と反応せしめ、生じたガスを低温領域に
て反応させてGaAsを基板上にエピタキシヤル成
長させるものである。この基板領域よりさらに低
温の領域では反応生成物として生じたHCl，
GaCl3，As等が反応系石英管内に付着し、特に成
長炉の出口付近で温度が急激に低下する場所では
上記の反応生成物の付着が著るしい。
GaAsFETの需要が急増している。GaAsFETは
半絶縁性GaAs基板上に成長させたエピタキシヤ
ル層に形成されるが、このエピタキシヤル層を成
長させるにはGa／AsCl3／H2系による気相成長
方法が一般に用いられている。この方法は反応系
石英管内の高温領域に置かれたGaをAs供給のガ
ス状原料と反応せしめ、生じたガスを低温領域に
て反応させてGaAsを基板上にエピタキシヤル成
長させるものである。この基板領域よりさらに低
温の領域では反応生成物として生じたHCl，
GaCl3，As等が反応系石英管内に付着し、特に成
長炉の出口付近で温度が急激に低下する場所では
上記の反応生成物の付着が著るしい。
従来は、この反応系石英管内に何も施さなかつ
たためエピタキシヤル成長後反応系石英管冷却中
に、これらの反応生成物と石英との収縮率の差の
ために石英管にひずみがかかり、まだ石英管が高
温の状態（＞200℃）で破損するという現象が発
生し、危険であつた。また、反応系石英管が高価
であるため破損により多額の費用がかかるという
欠点があつた。さらにまた、上記反応生成物のガ
スが基板領域に逆流して基板を汚染し、エピタキ
シヤル成長表面にピツトが発生するという欠点が
あつた。
たためエピタキシヤル成長後反応系石英管冷却中
に、これらの反応生成物と石英との収縮率の差の
ために石英管にひずみがかかり、まだ石英管が高
温の状態（＞200℃）で破損するという現象が発
生し、危険であつた。また、反応系石英管が高価
であるため破損により多額の費用がかかるという
欠点があつた。さらにまた、上記反応生成物のガ
スが基板領域に逆流して基板を汚染し、エピタキ
シヤル成長表面にピツトが発生するという欠点が
あつた。
本考案の目的は、エピタキシヤル成長後の反応
系石英管冷却中での石英管の破損を防止し、同時
にエピタキシヤル成長表面にピツトの少ない良好
なエピタキシヤル層を得ることの出来る治具を提
供するものである。
系石英管冷却中での石英管の破損を防止し、同時
にエピタキシヤル成長表面にピツトの少ない良好
なエピタキシヤル層を得ることの出来る治具を提
供するものである。
本考案の特徴は、反応系石英管の径より幾分小
さい径で、一端に円形の穴のあいた底部を有する
事ににあり、以下、図面に用いて本考案を説明す
る。
さい径で、一端に円形の穴のあいた底部を有する
事ににあり、以下、図面に用いて本考案を説明す
る。
第１図は本考案の一実施例であり、１は反応系
石英管破損防止治具本体、２は円形の穴を有する
底部である。
石英管破損防止治具本体、２は円形の穴を有する
底部である。
第１図に示す反応系石英管破損防止治具を第２
図に示すように反応系石英管の基板領域下流、つ
まり成長炉出口付近に設置し、エピタキシヤル成
長を行なう。第２図において、３は成長炉、４は
反応系石英管、５は原料Ga、６は基板である。
第２図に示すようにエピタキシヤル成長時に、反
応系石英管４の基板領域下流成長炉出口付近に本
考案の石英治具１を設置することにより、反応生
成物が主に本考案なる石英治具１に付着し、反応
系石英管４への付着が減少する。このため冷却中
に反応生成物と石英との収縮率の差のために反応
系石英管４が破損するかわりに、本考案なる石英
治具１が破損し、高温の状態（＞200℃）で反応
系石英管が破損することによる危険がなくなる。
また、高価な石英管４が破損しなくなることから
費用の低減を行なうことが出来る。さらにまた、
本考案は円形の穴のあいた底部２を有しているた
め、反応生成物のガスが基板領域に逆流して基板
を汚染することがなくなり、エピタキシヤル成長
表面にピツトの少ない良好なエピタキシヤル層を
得ることが出来る。
図に示すように反応系石英管の基板領域下流、つ
まり成長炉出口付近に設置し、エピタキシヤル成
長を行なう。第２図において、３は成長炉、４は
反応系石英管、５は原料Ga、６は基板である。
第２図に示すようにエピタキシヤル成長時に、反
応系石英管４の基板領域下流成長炉出口付近に本
考案の石英治具１を設置することにより、反応生
成物が主に本考案なる石英治具１に付着し、反応
系石英管４への付着が減少する。このため冷却中
に反応生成物と石英との収縮率の差のために反応
系石英管４が破損するかわりに、本考案なる石英
治具１が破損し、高温の状態（＞200℃）で反応
系石英管が破損することによる危険がなくなる。
また、高価な石英管４が破損しなくなることから
費用の低減を行なうことが出来る。さらにまた、
本考案は円形の穴のあいた底部２を有しているた
め、反応生成物のガスが基板領域に逆流して基板
を汚染することがなくなり、エピタキシヤル成長
表面にピツトの少ない良好なエピタキシヤル層を
得ることが出来る。
第１図は本考案の一実施例を示す外観略図、第
２図は従来のエピタキシヤル成長装置への本考案
の実施を説明する断面図である。 図において１……反応系石英管破損防止治具本
体、２……円形の穴を有する底部、３……成長
炉、４……反応系石英管、５……原料Ga、６…
…基板、である。
２図は従来のエピタキシヤル成長装置への本考案
の実施を説明する断面図である。 図において１……反応系石英管破損防止治具本
体、２……円形の穴を有する底部、３……成長
炉、４……反応系石英管、５……原料Ga、６…
…基板、である。
Claims (1)
- 石英製円筒形容器の一端に円形の穴のあいた底
部を有する治具を反応系石英管内に挿入して気相
成長を行なうことを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1826884U JPS60132458U (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1826884U JPS60132458U (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60132458U JPS60132458U (ja) | 1985-09-04 |
| JPH017724Y2 true JPH017724Y2 (ja) | 1989-03-01 |
Family
ID=30506742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1826884U Granted JPS60132458U (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60132458U (ja) |
-
1984
- 1984-02-10 JP JP1826884U patent/JPS60132458U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60132458U (ja) | 1985-09-04 |
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