JPH0186235U - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0186235U
JPH0186235U JP18326287U JP18326287U JPH0186235U JP H0186235 U JPH0186235 U JP H0186235U JP 18326287 U JP18326287 U JP 18326287U JP 18326287 U JP18326287 U JP 18326287U JP H0186235 U JPH0186235 U JP H0186235U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
etching depth
mesa groove
shallow
deep
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP18326287U
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP18326287U priority Critical patent/JPH0186235U/ja
Publication of JPH0186235U publication Critical patent/JPH0186235U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1A図、第1B図、第1C図は、本考案の一
実施例を示すpn接合ダイオードのメサ溝の形成
工程を示す断面図である。第2A図、第2B図、
第2C図は、従来pn接合ダイオードのメサ溝の
形成工程を示す断面図である。 図において、1はn型シリコン基板、2はp型
拡散部、3は酸化膜、11はメサ溝、12はグラ
シベーシヨン膜を示す。図中、同一符号は同一ま
たは相当する部分を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. その周辺領域のエツチング深さが浅く、その中
    央領域のエツチング深さが深くなるようにエツチ
    ングして形成されたメサ溝の壁面上に、保護膜を
    形成したことを特徴とする、半導体装置。
JP18326287U 1987-11-30 1987-11-30 Pending JPH0186235U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18326287U JPH0186235U (ja) 1987-11-30 1987-11-30

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18326287U JPH0186235U (ja) 1987-11-30 1987-11-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0186235U true JPH0186235U (ja) 1989-06-07

Family

ID=31474691

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18326287U Pending JPH0186235U (ja) 1987-11-30 1987-11-30

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0186235U (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0186235U (ja)
JPS6411556U (ja)
JPS6327066U (ja)
JPS6268252U (ja)
JPH0741168Y2 (ja) 半導体受光素子
JPH02122455U (ja)
JPS61162066U (ja)
JPS64349U (ja)
JPS6411557U (ja)
EP0404109A3 (en) Diode used in reference potential generating circuit for dram
JPS62145348U (ja)
JPH0390461U (ja)
JPH0244354U (ja)
JPS6457658U (ja)
JPH0365262U (ja)
JPH0365258U (ja)
JPS62120365U (ja)
JPS6113955U (ja) 集積回路に組込まれるツエナ−ダイオ−ド
JPS6390867U (ja)
JPS62122363U (ja)
JPS62204352U (ja)
JPS6219758U (ja)
JPH0325254U (ja)
JPS6194361U (ja)
JPH0262720U (ja)