JPS6268252U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6268252U JPS6268252U JP16014885U JP16014885U JPS6268252U JP S6268252 U JPS6268252 U JP S6268252U JP 16014885 U JP16014885 U JP 16014885U JP 16014885 U JP16014885 U JP 16014885U JP S6268252 U JPS6268252 U JP S6268252U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- type
- integrated circuit
- semiconductor substrate
- diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
Landscapes
- Element Separation (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例であり集積回路に組
込まれるダイオードを示す断面図、第２図は従来
の集積回路に組込まれるダイオードを示す断面図
である。 主な図番の説明、１はＮ＋型の半導体基板、２
はＮ−型のエピタキシヤル層、３はＰ型の第１領
域、４はＮ＋型の第２領域、５は熱酸化膜である
。
込まれるダイオードを示す断面図、第２図は従来
の集積回路に組込まれるダイオードを示す断面図
である。 主な図番の説明、１はＮ＋型の半導体基板、２
はＮ−型のエピタキシヤル層、３はＰ型の第１領
域、４はＮ＋型の第２領域、５は熱酸化膜である
。
Claims (1)
- 少なくともＮ型の半導体基板と該半導体基板に
形成されたＰ型の第１領域と前記第１領域内に形
成されたＮ＋型の第２領域とを具備する集積回路
に組込まれるダイオードに於いて、少なくとも前
記第１領域と第２領域との接合部の表面露出部に
新たに形成し直した熱酸化膜を具備することを特
徴とした集積回路に組込まれるダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16014885U JPS6268252U (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16014885U JPS6268252U (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6268252U true JPS6268252U (ja) | 1987-04-28 |
Family
ID=31085257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16014885U Pending JPS6268252U (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6268252U (ja) |
-
1985
- 1985-10-18 JP JP16014885U patent/JPS6268252U/ja active Pending
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