JPH0187538U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0187538U JPH0187538U JP18470287U JP18470287U JPH0187538U JP H0187538 U JPH0187538 U JP H0187538U JP 18470287 U JP18470287 U JP 18470287U JP 18470287 U JP18470287 U JP 18470287U JP H0187538 U JPH0187538 U JP H0187538U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- misalignment
- linear side
- patterns
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
第１図は本考案の第１の実施例のパターン図、
第２図は第１図の第１の実施例において目ずれ量
がｘ方向にあるときのパターン図、第３図は第１
図の第１の実施例において目ずれ量がｙ方向にあ
るときのパターン図、第４図は本考案の第２の実
施例のパターン図、第５図は第４図の第２の実施
例において目ずれ量がｘ方向にあるときのパター
ン図、第６図は本考案の第３の実施例のパターン
図、第７図は第６図の第３の実施例においてパタ
ーンに目ずれ量がなく太り量があるときのパター
ン図、第８図は第６図の第３の実施例においてパ
ターンに目ずれ量と太り量があるときのパターン
図、第９図は本考案の第４の実施例のパターン図
、第１０図は第９図の第４の実施例においてパタ
ーンに目ずれ量と太り量があるときのパターン図
、第１１図は本考案の第５の実施例のパターン図
、第１２図は従来の目ずれチエツクパターンの第
１の例のパターン図、第１３図は従来の目ずれチ
エツクパターンの第２の例のパターン図である。 １，１ａ……長方形パターン、２，２ａ，２ｂ
，２ｃ……平行四辺形パターン、３，３ａ，４，
４ａ，５，５ａ，５ｂ，５ｃ，６，６ａ……辺、
７，８，９，９ａ，９ｂ，９ｃ，１０，１０ａ…
…交点、１１，１２，１２ａ……平行四辺形パタ
ーン、１３，１５，１５ａ……辺、１７，１９…
…交点、２１，２１ａ，２２，２２ａ……平行四
辺形パターン、２３，２３ａ，２４，２４ａ，２
５，２５ａ，２６，２６ａ……辺、２７，２８，
２９，３０……交点、３１，３２……正方形パタ
ーン、３２，３３……辺、４０……第１のパター
ン、４１……第２のパターン、４２〜４９……辺
、５０〜６３……長方形パターン、Ｄ１〜Ｄ５，
Ｈ１，Ｈ２……座標変動量、Ｇ１〜Ｇ４……距離
、Ｐ１，Ｐ２……繰返しピツチ、Δｘ１〜Δｘ４
……目ずれ量、Δｗ１，Δｗ２……太り量。
第２図は第１図の第１の実施例において目ずれ量
がｘ方向にあるときのパターン図、第３図は第１
図の第１の実施例において目ずれ量がｙ方向にあ
るときのパターン図、第４図は本考案の第２の実
施例のパターン図、第５図は第４図の第２の実施
例において目ずれ量がｘ方向にあるときのパター
ン図、第６図は本考案の第３の実施例のパターン
図、第７図は第６図の第３の実施例においてパタ
ーンに目ずれ量がなく太り量があるときのパター
ン図、第８図は第６図の第３の実施例においてパ
ターンに目ずれ量と太り量があるときのパターン
図、第９図は本考案の第４の実施例のパターン図
、第１０図は第９図の第４の実施例においてパタ
ーンに目ずれ量と太り量があるときのパターン図
、第１１図は本考案の第５の実施例のパターン図
、第１２図は従来の目ずれチエツクパターンの第
１の例のパターン図、第１３図は従来の目ずれチ
エツクパターンの第２の例のパターン図である。 １，１ａ……長方形パターン、２，２ａ，２ｂ
，２ｃ……平行四辺形パターン、３，３ａ，４，
４ａ，５，５ａ，５ｂ，５ｃ，６，６ａ……辺、
７，８，９，９ａ，９ｂ，９ｃ，１０，１０ａ…
…交点、１１，１２，１２ａ……平行四辺形パタ
ーン、１３，１５，１５ａ……辺、１７，１９…
…交点、２１，２１ａ，２２，２２ａ……平行四
辺形パターン、２３，２３ａ，２４，２４ａ，２
５，２５ａ，２６，２６ａ……辺、２７，２８，
２９，３０……交点、３１，３２……正方形パタ
ーン、３２，３３……辺、４０……第１のパター
ン、４１……第２のパターン、４２〜４９……辺
、５０〜６３……長方形パターン、Ｄ１〜Ｄ５，
Ｈ１，Ｈ２……座標変動量、Ｇ１〜Ｇ４……距離
、Ｐ１，Ｐ２……繰返しピツチ、Δｘ１〜Δｘ４
……目ずれ量、Δｗ１，Δｗ２……太り量。
Claims (1)
- 半導体基板の主面に形成された第１のパターン
と、該第１のパターンと別に前記半導体基板の主
面に形成された第２のパターンとを有し、前記第
１及び第２のパターンの位置関係を測定して前記
第１及び第２のパターンの相対的目ずれをチエツ
クする目ずれチエツクパターンにおいて、前記第
１及び第２のパターンはそれぞれ目ずれ検出方向
に対して所定の角度を有する少くとも１つの第１
の直線状の辺と、該第１の直線状の辺と鋭角をな
して交差する少くとも１つの第２の直線状の辺と
を有することを特徴とする目ずれチエツクパター
ン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18470287U JPH0187538U (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18470287U JPH0187538U (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0187538U true JPH0187538U (ja) | 1989-06-09 |
Family
ID=31476043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18470287U Pending JPH0187538U (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0187538U (ja) |
-
1987
- 1987-12-02 JP JP18470287U patent/JPH0187538U/ja active Pending