JPH0191485A - 半導体レーザ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半導体レーザに関し、特にストライプ状の電流
狭窄構造を有する半導体レーザに関する。

〔従来技術〕

半導体レーザは小型で取り扱いが容易であるなどの特徴
を有することから、レーザビームプリンタ、光磁気記録
、光通信等の光源として広く応用されている。

このような半導体レーザにおいては、効率良く発光させ
る為に、レーザ共振器の共振方向に延びるストライブ状
の・領域に電流を集中させる所謂ストライプ構造が不可
欠である。このようなストライブ構造を有する従来の半
導体レーザの例を以下に説明する。

第６図および第７図は、各々半導体レーザの従来例の概
略的構成図である。

第６図において、ｎ型基板ｌｌ上にｎバッファ層１２、
ｎクラッド層１３、ノンドープ活性層１４、ｐクラッド
層１５が形成され、さらに部分的に開口されたｎ−Ｇａ
Ａｓの電流ブロック層１６、ｐクラッド層１７、ｐコン
タクト層１８および電極１９．２０が形成されている。

このような構成において、電圧を印加すると電極１９か
ら電極２０へ電流が流れる。その際、電流ブロック層１
６の部分は電流が流れにくいために、電流は矢印２２の
ように電流ブロック層１６の開口部に集中する。

さらに、活性層１４からの光のしみ出しを考慮して、電
流ブロック層１６と活性層１４との距離２１を電流ブロ
ック層１６での光の吸収を生ずる距離に設定すると、電
流ブロック層１６の開口部のみに発光部が制限される。

これによって低いしきい値（代表的には３０〜４０ｍＡ
）でレーザ発振を生じさせることができる。

上記レーザ構造の具体的数値としては、距離２１が０．
４μｍ１電流ブロツク層１６の厚さ及びキャリア濃度が
、各々０．６μｍおよび６　Ｘ　１０”　ｃ　ｍ−”、
ｐクラッド層１５および１７のキャリア濃度が１×１０
”ｃｍ−”である。また電流ブロック層１６の開口部は
３μｍ幅である。

第７図に示す半導体レーザでは、段差を設けたｎ基板３
１上に、ｎバッファ層３２、クラッド層３３、ノンドー
プ活性層３４、ｐクラッド層３５および３６、開口部を
有するｎ−ＧａＡｓの電流ブロック層４１、コンタクト
層３７および電極４０．３８が形成されている。

この例においても、電流は電流ブロック層４１の開口部
に集中しく矢印３９）、また段差によって横方向にも屈
折率の差があるために、光は段差部に閉じ込められ、高
い効率を達成することができる。

しかしながら、上記のような半導体レーザでは、電流ブ
ロック層（１６，４１）を製造するために、まずｎ　　
ＧａＡｓ層を前面に形成した後で、開口部を化学エツチ
ング等により形成する必要がある。

このために、エツチングによって欠陥が発生し、あるい
は堆積室の外に取り出す際のゴミ等の付着によって欠陥
が°発生する可能性があった。

更に、活性層（１４，３４）の近傍に電流ブロック層（
１６，４１）を設けるために、上記エツチングを精度良
く制御することが必要となる。特に、第７図に示すレー
ザでは、傾斜を有しているためにエツチングの制御が困
難であった。

また、エツチングの前後に半導体の成長を行わなくては
ならない為に、製造工程が複雑で、コストが高かった。

第８図は従来のＢＭＱＷレーザ（Ｂｕｒｉｅｄ　ｍｕｌ
ｔｉｑｕａｎｔｕｍｗｅｌｌ　　１ａｓｅｒｓ）の概略
的構成図である。ＢＭＱＷレーザの報告例には、アプラ
イド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、
Ｌｅｔｔ、）　Ｖｏｌ、４５．　　Ｎｏ。

１、　　Ｉ　　Ｊｕｌｙ　　１９８４がある。

同図において、８２はｐ−ＧａＡｓ基板、８３はｐ−Ａ
ｊ！　ｘ＋Ｇａｙ＋Ａｓ　（ｘｌ＝０．３５．　ｙｌ＝
０．６５、以下同じ。）のバッファ層、８４はｐ−Ａｊ
！　ｘＧａｙＡｓのクラッド層、８５はＺｎの拡散によ
って無秩序化された領域、８６はＺｎ拡散領域、８７は
５ｉ０２の電流ブロック層、８８はＡｕＧｅＮｉ−Ａｕ
の電極、８１はＣｒ−Ａｕの電極、８９はＺｎの拡散し
ていないｎ−Ａｊ２ｘｔＧａｙ＋Ａｓの上部クラッド層
、９０はｎ−ＧａＡｓのコンタクト層、９１は多重量子
井戸型活性層である。

このレーザの特徴は、Ｚｎ拡散により多重量子井戸型活
性層であった領域８５が無秩序化されることで、無秩序
化した領域８５の組織化が変り、屈折率の変化を生じて
光が活性層９１に閉じ込められるところにある。更に、
Ｚｎ拡散によって、横方向にｐｎ接合が形成されるため
に、電流の集中化という効果も生じる。また、このレー
ザは３３ｍＡという低いしきい値電流で発振している。

しかしながら、この例では、Ｚｎ拡散をした後の加工を
必要とし、製造において制御性等に技術的な問題を有し
ていた。

第９図は従来のＢＨレーザ（Ｂｕｒｉｅｄ−ｈｅｔｅｒ
ｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｉｎｊｅｃｔｉｏｎ　　１ａｓｅ
ｒｓ）の概略的構成図である。ＢＨレーザの報告例とし
ては、ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス（
Ｊｏｕｒｎａｌ　　ｏｆ　　ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉ
ｃｓ）、Ｖｏｌ、４５．Ｎｏ、１１．Ｎｏｖｅｍｂｅｒ
１９７４、Ｐ４８９９が挙げられる。

同図において、１０２はｎ−ＧａＡｓ基板、１０３は電
流を閉じ込めるためのｎ−ＡｌＧａＡｓ層、１０４は酸
化膜、１０１および１０５は電極、１０６はｐ−ＡｌＧ
ａＡｓのクラッド層、１０７はＧａＡｓの活性層、１０
８はｎ−Ａｊ！　ＧａＡｓの下部クラッド層である。

このレーザの製造方法は、基板１０２上に、下部クラッ
ド層１０８、活性層１０７およびクラッド層１０６を形
成した後、エツチングにより中心部分だけを残して他を
除去し、電流を閉じ込めるためのｎ−Ａｊｉ　ＧａＡｓ
層１０３を再成長させる、というものである。

このレーザは１５ｍＡという非常に低いしきい値電流を
示すが、上述したように製造工程が多いといった問題が
あった。

一方、アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌ
。

Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、）、　Ｖｏｌ、４７．　Ｎｏ、１
２．１５　　Ｄｅｃｅｍｂｅｒ１９８５には、前述の拡
散法等を用いずに、ラテラルｐ−ｎ接合を形成する手法
が開示されている。この方法は、両性不純物を含む半導
体層がその堆積面の面方位に応じて、異なる導電型を持
つことを利用したものである。本出願人はこの方法によ
って作製される半導体レーザに関して、特願昭６１−２
２９０８５号及び特願昭６２−２４８７１号で既に提案
している。

〔発明の概要〕

本発明の目的は、上記既提案の半導体レーザを更に改良
し、特に電流狭窄機能に優れた低しきい値の半導体レー
ザを提供することにある。

本発明の上記目的は、断面が台形状でレーザ共振方向に
延在する凸部が設けられた基板、該基板上に形成された
レーザ活性層、同じく基板上の前記レーザ活性層に対し
て一方の側に形成されたｐ型の第１の半導体層、同じく
基板上の前記レーザ活性層に対して他方の側に形成され
、前記台形状凸部の傾斜した２辺の上に当たる部分のみ
ｐ型で他の部分がｎ型の第２の半導体層、該第２の半導
体層と前記レーザ活性層との間に形成されたｎ型の第３
の半導体層及びこれらの半導体層を通して前記レーザ活
性層に電流を流す一対の電極から半導体レーザを構成す
ることによって達成される。

ここで前記第２の半導体層が形成される堆積面は、前記
傾斜した２辺の上に当たる部分が格子方向指数で示す（
１１０＞軸にほぼ平行で、かつミラー指数で示す［００
１］面と２０″　以上の角度をなし、他の部分が（００
１）面と２０’未満の角度をなすように形成される。（
１１０）軸とは格子方向を示す指数で、対称関係にある
〔工１０）、　　（１０１）、　　［０１１）等を代表
して示すものである。また、（００１１面はミラー指数
で、対称関係にある同等な格子面（００１）、　　（０
１０）。

（１００）等を代表するものである。

〔実施例〕

以下に本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。

第２図及び第３図は、本発明に基づ（半導体レーザ製造
の原理を説明する為の図で、夫々半導体基板に形成され
た傾斜面の概略図及びこの傾斜面が（ＯＯ１’）面とな
す角度に応じて基板上に成長する半導体層の導電型を示
す図である。ここでは、基板としてＧａＡｓを用いた場
合を例に説明する。

通常、ＧａＡｓ基板上にＳｉをドープしたＧａＡｓ等の
半導体を積層すると、ｎ型の半導体層が成長する。

しかし、これはＡｓが安定な面、つまりＡｓ面と呼ばれ
ている面での話である。従来は、このＡｓ面のみを利用
して半導体素子を作製していた。

ところが、ＧａＡｓの様なＩＩＩ　−Ｖ族の化合物に対
して、Ｓｉの様なＩＩＩ族は両性不純物である。Ｓｉが
Ｇａサイトに入ればｎ型、Ａｓサイトに入ればｐ型とな
る。つまり、ＳｉがＡｓサイトに入る様な面を作れば、
ＳｔをドープしたＧａＡｓを用いても、ｐ型半導体層を
成長させることが出来る。このような面を、以下Ｇａ面
と呼ぶ。

ＧａＡｓ基板の（００１）面はＡｓ面であるが、第２図
のように、この面に対して（１１０）軸にほぼ平行に角
度θをなす傾斜面を形成すると、θが２Ｏ２以上でＧａ
面が出る。即ち、第３図に示すように、（００１）面と
なす角度θが２Ｏ２以上になると、この傾斜面上にはｐ
型の半導体層が成長する。すなわち、同一基板上に（０
０１）面となす角度が２０″以上の面と、２Ｏ２未満の
面とを形成すると、−回の成長で各々の面上にｐ型及び
ｎ型の半導体層を得ることが出来る。

また、このような面はエツチング等によって、微細な構
造の加工が可能である。本発明はこの原理を用いて半導
体層の導電型を制御し、微細な構造のｐ−ｎ領域を有す
る半導体レーザを作製するものである。本発明の方法は
、例えば、基板温度６５０℃程度、ＧａＡｓの成長速度
１μｍ　／　ｈの条件のもとで行われる。また、フラッ
クス比Ｊ　ＡＳ４　／　Ｊ　ａｎは５以下、特に２以下
であることが望ましい。

以下に、この方法を用いて製造した具体的な半導体レー
ザの例を説明する。

第１図は、本発明による半導体レーザの第１実施例の略
断面図である。

同図において、後述するリッジ１４０ａを形成したｐ−
ＧａＡｓ基板１４０上に、ｐ型バッファ層１４１１ｐ型
クラッド層１４２および多重量子井戸（ＭＱＷ）構造の
ノンドープレーザ活性層１４３が形成されている。そし
て、その上にｎ型第１クラッド層１４４、第２クラッド
層１４５およびコンタクト層１４６が形成されている。

続いて、リッジの頂上部を除いて絶縁層１４７が形成さ
れ、さらに電極１４９および１４８を形成して半導体レ
ーザが構成される。

リッジ１４０ａは、断面が台形状で、レーザ共振方向に
延在する凸部である。そして、第２クラッド層１４５及
びコンタクト層１４６は、第２図及び第３図で説明した
原理に従って、リッジ１４０ａの傾斜面の上に当たる領
域１３６のみｐ型で、他の部分がｎ型となっている。

このような半導体レーザでは、電極１４８及び１４９の
間に電圧を印加すると、ｎ型第１クラッド層１４４とｐ
型領域１３６とが逆バイアスが加わった状態となり、電
流１３７はリッジ１４０ａの頂上部上の領域に集中する
。したがって、しきい値電流が低く、また活性層１４３
がリッジ部の上部で孤立するために、光の閉じ込めが良
好となり高効率となる。

次に、この半導体レーザの具体的な製造方法について説
明する。

まず、基板１４０は、（ｏｏｉ）面を有したｐ−ＧａＡ
ｓ基板に、〔丁ｌＯ〕軸にそった方向でリッジ１４０ａ
を形成したものである。本実施例では、リッジの幅を頂
上部で６μｍ１段差を２μｍとしている。これらの数値
は任意である。また、傾斜面は（００１）面に対して５
０６傾斜している。

リッジ１４０ａの形成は通常のホトリソグラフィによる
。まずレジストを形成し、硫酸系エッチャントでエツチ
ングすると、基板に断面形状が台形のリッジ１４０ａが
形成される。

次に、ｐ−ＧａＡｓ基板１４０上に、Ｂｅをドープした
ＧａＡｓのバッファ層１４１を厚さ０．５μｍ形成し、
更に、ＢｅドープのＡｊ！　ｏ５Ｇａｏ、ｓＡｓのｐ型
クラッド層１４２を厚さ１．５μｍに形成し、更にレー
ザ活性層１４３を形成する。この活性層は、ＭＱＷ構造
で、ノンドープＡｊ２　ｏ、３Ｇａｏ７Ａｓバリア層１
００人及びノンドープＧａＡｓウェル層６０人を交互に
夫々４層及び５層積層して成る。

この活性層１４３上に、ＳｎをドープしたＡＩ！ｏ、ｓ
Ｇ　ａ　ｏ、ｓ　Ａ　ｓから成る第１のクラッド層１４
４を０．１〜１．５μｍの厚さに形成する。本実施例で
は厚さは０．３μｍとした。Ｓｎをドープした半導体は
、傾斜面上でもｎ型であり、この層が電流狭窄層となる
。

次に、Ｓｉをドープしたｋｌ　ｏフＧａｏ、ｓＡｓから
成る第２クラッド層１４５を１．２μｍ形成し、更にこ
の上にＳｔドープＧａＡｓから成るコンタクト層を０．
５μｍの厚さに形成する。層１４５の厚さは、層１４４
の厚さに依存し、２層合わせて２μｍ以下が望ましい。

場合によっては層１４５は無くても良い。以上の半導体
層の形成は、全て分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法で行
なった。

次に、ＳｉＯ３の絶縁層１４７を厚さ３０００人形成し
た後、通常のホトリソグラフィによってリッジ頂上部の
みを除去する。そして、最後にＡｕＧｅ−Ｎｊ−Ａｕの
ｎ型電極１４８およびＣｒ−Ａｕのｐ型電極１４９を蒸
着により形成した。

本実施例における作製時の基板温度は７００°Ｃ１フラ
ツクス比は〜２であった。本実施例のように基板として
（００１）面を用いる場合、第２クラッド層１４４の堆
積面、即ち、活性層１４３の傾斜面は（００１）面とな
す角度が２Ｏ２以上である必要がある。また、リッジ１
４０ａの高さは１０μｍ以下で、なるべくなら５μｍ以
下が望ましい。

第４図は、本実施例の第２の実施例を示す略断面図であ
る。本実施例の特徴はｎ型基板を用いることと、電流狭
窄を活性層の下部で行っていることである。１５０はｎ
−ＧａＡｓ基板である。この基板は（００１）面上に、
（１１０）軸にそって、リッジを形成している。具体的
には（１１０）軸に沿っている。

リッジ上部幅は３μｍであり、リッジの高さは１．５μ
ｍである。この上にＳｉドープＧａＡｓバッファ層１５
１を０．５　ｐｍ形成し、さらにＳｉドープｌ！０，３
Ｇ　ａ　Ｃ０７Ａ　ｓクラッド層１５２を１．３　μｍ
形成し、さらにこの上に、ＳｎドープＡｌｏ、ａＧａｏ
、７Ａｓ電流狭窄層１５３を０．１〜０．８μｍ形成す
る。本実施例では、層１５３の厚さは０．４μｍとした
。この上にノンドープＧａＡｓ活性層１５４を０．１μ
ｍ形成する。さらにこの上にＢｅドープＡｊ！　ｏ、５
Ｇａｏ、ｔＡｓ上部クラッド層１５５を１．５μｍ形成
し、さらにその上にＢｅドープＧａＡｓコンタクト層１
５６を０．５μｍ形成した。

そして、さらに５ｉ０２から成る絶縁層１５７を０．３
μｍ形成したのち、リッジ上部のみ取り除き、その後に
Ｃｒ−Ａｕから成るｎ型電極１５８とＡｕＧｅ−Ｎｉ−
Ａｕから成るｎ型電極１５９を形成して半導体レーザを
作製した。この構造では、ＳｉをドープしたＧａＡｓ層
１５１およびＡ　１　ｏ、ｓ　Ｇ　ａ　ｏ、７Ａ　ｓ層
１５２の斜面がｐ型になる。

本例も斜面部のｐ領域１６１からのもれ電流を防ぐため
ＳｎドープＡ　１　ｏ、ａ　Ｇ　ａ　Ｏ，７Ａ　ｓ層１
５３を形成している。即ち、この層１５３の斜面部はｎ
型となるため、この部分に形成されるｐ−ｎ接合には逆
バイアスが印加され、もれ電流が発生しない。

本実施例では更に、１６４に示すように、リッジサイド
を切り込んでいる為、層１５５．　１５６中での電流の
拡がりがかなり抑制される。従って、上記ｐ−ｎ接合の
逆バイアスを用いた電流狭窄と合せて、より発光効率の
高い半導体レーザを構成している。

本実施例作製時の基板温度は５００℃、フラックス比は
〜２であった。

第５図は本発明の第３の実施例を示す略断面図である。

本実施例の前実施例との違いは、クラッド層中に電流狭
窄用のＳｎドープＡｌＧａＡｓ層を入れたことである。

第５図において、１７０はｐ−ＧａＡｓ基板である。

リッジは（１１０）軸に沿って形成したものであり、リ
ッジの高さは３μｍ１リツジ上部の幅は４μｍである。

図は（１１０）端面から見たものである。

この基板１７０上に、ｐ−ＧａＡｓバッファ層１７１を
０．５　μｍ形成する。さらにｐ　−Ａｌｏ、６Ｇａｏ
、ｓＡｓクラッド層１７２を１．５μｍ形成し、この上
にノンドープＧａＡｓ活性層１７３を０．１μｍ形成し
ている。その上にＳｔドープｋｌ　ｏ、５Ｇａｏ、３Ａ
ｓ層１７４を０．３　μｍ形成している。さらにこの上
にＳｎドープＡｆ　ｏ、ｓ　Ｇ　ａ　ｏ、ｓＡｓ層１７
５を０．１〜０．８μｍ形成する。本実施例では層１７
５の厚さは０．４μｍとした。さらにＳｉドープＡＡ’
　ｏ、５Ｇａｏ、ｓＡｓ層１７６を１　μｍ、　Ｓｉド
ープＧａＡｓ層１７７を０．５μｍ形成した。この様に
成長させたレーザウェハー上に、Ｓｉ３Ｎ４からなる絶
縁層１７８を３０００人形成し、リッジ上部のみ窓を開
ける。最後にＡｕＧｅ−Ｎｉ−Ａｕから成るｎ型電極１
７９およびＣｒ−Ａｕから成るｐ型用電極１８０を形成
して、半導体レーザを作製した。

このレーザではＳｉをドープした各層の斜面がｐ型とな
る。ところがＳｎドープＡ　ｌ　ｏ、５Ｇａｏ、ｓＡｓ
層１７５は、斜面においてもｎ型となる。従って、層１
７５によって形成される逆バイアスのｐ−ｎ接合がもれ
電流を防ぎ、電流１６２はリッジ中央部に集中する。

さらにＳｉドープＡｊ’　ｏ、３Ｇａｏ、７Ａｓ層１７
４のＡｊ７含有量が、この層を挟む層１７３および層１
７５のｌの含有量より０．２はど少ないため、層１７４
が先導波層となる。これにより、Ｃ０Ｄ（端面破壊）レ
ベルが上がる等の効果が得られた。

本実施例作製時の基板温度は６００℃、フラックス比Ｊ
Ａｓｕ／Ｊａ、は〜２であった。

以上の実施例において、リッジ上部の幅は、成長条件と
リッジの高さにより異なるが、はぼ２０μｍ以下で望ま
しくは１０μｍ以下である。また半導体層の成長を真空
蒸着法で行う場合の成長条件は、基板温度４００°〜８
００℃、フラックス比は１〜１０、特に５以下が望まし
い。

また、ＳｉドープＡｆｘＧａ＋−ｘＡｓはＳｉの活性化
率が低い為、抵抗が高くなる傾向がある。従って、駆動
電圧を低（抑えたい場合には、Ａｊ？の含有量を太き（
したり（例えばｘ＝０．７以上）小さ（したりする（例
えばｘ　＝　０．３以下）のが有効である。

本発明の半導体レーザにおいて、リッジを形成する方向
は（１１０）にほぼ平行と表現しているが、「はぼ」と
は−３０°〜＋３０°の範囲を含む意味である。さらに
望ましくは一１Ｏ°〜＋１０°である。

本発明は以上説明した実施例の他にも、種々の応用が可
能である。例えば、実施例では半導体材料としてＧａＡ
ｓを用いたが、ＩｎＧａＡｓ、ｒｎＡｆＧａＰ。

ＩｎＰ等を用いても本発明は実施可能である。また、ド
ープする両性不純物としては、Ｓｉの他に、成長条件に
よって、Ｇｅ、Ｐｂ等を用いることも出来る。

更に、本発明に用いられる成長法としては、分子線エピ
タキシー（ＭＢＥ）が代表的であるが、有機金属化学気
相成長法（ＭＯ−ＣＶＤ）を用いることも出来る。　　
　・ 本発明は、特許請求の範囲を逸脱しない限りにおいて、
このような応用例を全て包含するものである。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明は半導体中に形成された逆
バイアスが印加されるｐ−ｎ接合領域によって電流狭窄
を行っているので、もれ電流が少なく、低しきい値、高
効率の半導体レーザが実現出来るものである。また工程
数が少ない簡易な方法で作製出来るので、製造歩留りお
よび信頼性を向上させる効果を有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の半導体レーザの第１実施例を示す略断
面図、第２図及び第３図は夫々本発明の半導体レーザを
作製する方法の原理を説明する図、第４図及び第５図は
夫々本発明の半導体レーザの第２及び第３実施例を示す
略断面図、第６図乃至第９図は夫々半導体レーザの従来
例を示す概略図である。 １３６・・・ｐ型頭域　　　　１３７・・・電流１４０
・・・ｐ型基板　　　　１４０ａ・・・リッジ１４１・
・・ｐ型バッファ層　１４２・・・ｐ型クラッド層１４
３・・・レーザ活性層　　１４４・・・第１クラッド層
１４５・・・第２クラッド層　１４６・・・コンタクト
層１４７・・・絶縁層　　　　　１４８，１４９・・・
電極第３図 男４図 ！八つ ノロ２ 乙す　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５
５第ｇ図 第９図 手糸売ネ甫正書（自発） 特許庁長官　　小　川　邦　夫　　殿 １、事件の表示 昭和６２年特許願第２４９４９　’４号２、発明の名称 半導体レーサ ３　補正をする者 事件との関係　　　　　特許出願人 住所　東京都大田区下丸子３−３０−２名称　（１００
”　　キャノン株式会社代表者　賀　　来　　龍　三　
部 ４、代理人 居所　〒１４６東京都大田区下丸子３−３０−２キャノ
ン株式会社内（電話７５８−２１１１）５、補正の対象 明　　細　　書 ６、補正の内容 明細書第１４頁第１８行のｒ　［１１０］軸」を「「了
１０コ軸」と訂正する。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）断面が台形状でレーザ共振方向に延在する凸部が
   設けられた基板、該基板上に形成されたレーザ活性層、
   同じく基板上の前記レーザ活性層に対して一方の側に形
   成されたｐ型の第１の半導体層、同じく基板上の前記レ
   ーザ活性層に対して他方の側に形成され、前記台形状凸
   部の傾斜した２辺の上に当たる部分のみｐ型で他の部分
   がｎ型の第２の半導体層、該第２の半導体層と前記レー
   ザ活性層との間に形成されたｎ型の第３の半導体層及び
   これらの半導体層を通して前記レーザ活性層に電流を流
   す一対の電極から成る半導体レーザ。