JPH0192360A - ホロ−カソ−ド型イオン源 - Google Patents
ホロ−カソ−ド型イオン源Info
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- JPH0192360A JPH0192360A JP62054110A JP5411087A JPH0192360A JP H0192360 A JPH0192360 A JP H0192360A JP 62054110 A JP62054110 A JP 62054110A JP 5411087 A JP5411087 A JP 5411087A JP H0192360 A JPH0192360 A JP H0192360A
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- ion
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- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
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- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、イオン注入装置用ホローカソード型イオン源
に関するものである。このイオン源はまたイオン注入用
以外に分析用イオン源としても使用されるものである。
に関するものである。このイオン源はまたイオン注入用
以外に分析用イオン源としても使用されるものである。
[従来の技術]
ホローが9−ド型イオン源としては、大部分をカソード
1!極とし、前記カソード電極に電気絶縁部材を介して
アノード電極を取付けた筒状放電室を有し、前記筒状放
電室に放電維持用ガスの導入口を設け、前記筒状放電室
のカソード電極部分にイオン引出し用開口を設け、前記
カソード電極部分を冷却するための冷却装置を設け、冷
陰極放電形態で作動するようにしたことを特徴とするホ
ローカソード型イオン源が出願者等によって提案された
。
1!極とし、前記カソード電極に電気絶縁部材を介して
アノード電極を取付けた筒状放電室を有し、前記筒状放
電室に放電維持用ガスの導入口を設け、前記筒状放電室
のカソード電極部分にイオン引出し用開口を設け、前記
カソード電極部分を冷却するための冷却装置を設け、冷
陰極放電形態で作動するようにしたことを特徴とするホ
ローカソード型イオン源が出願者等によって提案された
。
この従来のホローカソード型イオン源は、第3図に示す
ように、円筒状のカソード電tf!21の上に電気絶縁
部材27を介してアノード電極22を取付け、またカソ
ード電1Pi121の側面にはイオン引出し用開口24
、およびこの開口の後方のガス(または金属蒸気)導入
口25が設けられている。
ように、円筒状のカソード電tf!21の上に電気絶縁
部材27を介してアノード電極22を取付け、またカソ
ード電1Pi121の側面にはイオン引出し用開口24
、およびこの開口の後方のガス(または金属蒸気)導入
口25が設けられている。
カソード電極21の外周にはこれの支持を兼ねた熱シー
ルド28が設けられ、冷陰極放電形態で作動するように
熱シ、−ルドを純水にて冷却するための冷却手段29,
30.31が配備されている。
ルド28が設けられ、冷陰極放電形態で作動するように
熱シ、−ルドを純水にて冷却するための冷却手段29,
30.31が配備されている。
このホローカソ−ド型イオン源において、ガス−導入口
25より導入された試料ガス(または金属蒸気〉は、ア
ノード電極22とカソード電極21との間の放電によっ
て電離され、必要なイオンを生成する。生成されたイオ
ンは、イオン引出し用開口24からカソード電極21の
円筒軸線に垂直な方向に引出される。この種の冷却式の
ホローカソード型イオン源は、熱シールド28を純水等
の冷却液を冷却手段に流すことによってカソード電極2
1のスパッタを促進するものである。
25より導入された試料ガス(または金属蒸気〉は、ア
ノード電極22とカソード電極21との間の放電によっ
て電離され、必要なイオンを生成する。生成されたイオ
ンは、イオン引出し用開口24からカソード電極21の
円筒軸線に垂直な方向に引出される。この種の冷却式の
ホローカソード型イオン源は、熱シールド28を純水等
の冷却液を冷却手段に流すことによってカソード電極2
1のスパッタを促進するものである。
[発明が解決しようとする問題点]
ところが、従来のホローカソード型イオン源は、イオン
引出し用開口24をカソード電極21の側面に設けてい
るため、円形のイオンビームを得ようとする場合、あま
り大きなビーム径を得ることができないものであった。
引出し用開口24をカソード電極21の側面に設けてい
るため、円形のイオンビームを得ようとする場合、あま
り大きなビーム径を得ることができないものであった。
その上、このイオン源は、イオンをカソード電極21か
ら引出しているが、カソード近傍で加速されて、不揃い
のエネルギをもったイオンビームがカソード電極に設け
た引出し用開口24から自然に飛出してくるために、イ
オンビームを介析用に使用する場合問題が生じるもので
あった。
ら引出しているが、カソード近傍で加速されて、不揃い
のエネルギをもったイオンビームがカソード電極に設け
た引出し用開口24から自然に飛出してくるために、イ
オンビームを介析用に使用する場合問題が生じるもので
あった。
本発明は、上述したような従来技術の問題点を解決し、
より効率の良い、エネルギの揃った円形のイオンビーム
を得ることの可能なイオン源を提供することを目的とす
る。
より効率の良い、エネルギの揃った円形のイオンビーム
を得ることの可能なイオン源を提供することを目的とす
る。
[問題点を解決するめの手段]
本発明のイオン源は、円筒状カソード電極の上部のアノ
ード電極にイオン引出し孔を設けて、イオン源内部で生
成されたイオンを円筒状カソード電極の軸線方向に引出
すようにしたものである。
ード電極にイオン引出し孔を設けて、イオン源内部で生
成されたイオンを円筒状カソード電極の軸線方向に引出
すようにしたものである。
このため本発明によるホローカソード型イオン源は、円
筒状カソード電極の上部アノード電極にイオン引出し孔
を、また下部アノード電極に試料ガス及び金属蒸気導入
用の孔を設け、前記下部アノード電極から導入されたガ
ス又は金属蒸気をアノード@、[lとカソード電極との
間の放電によって電離させ、生成されたイオンを前記上
部アノード電極に設けたイオン引出し孔から前記カソー
ド電極の円筒の軸線方向に引出すことを特徴とする。
筒状カソード電極の上部アノード電極にイオン引出し孔
を、また下部アノード電極に試料ガス及び金属蒸気導入
用の孔を設け、前記下部アノード電極から導入されたガ
ス又は金属蒸気をアノード@、[lとカソード電極との
間の放電によって電離させ、生成されたイオンを前記上
部アノード電極に設けたイオン引出し孔から前記カソー
ド電極の円筒の軸線方向に引出すことを特徴とする。
[作用]
本発明のイオン源は、円筒状カソード電極の上部アノー
ド電極にイオン引出し孔を設けたために、孔の大きさを
円筒状カソード電極の内径の大きさまで無段階に選択す
ることが出来、また単一の孔とするだけでなくマルチア
パーチャとすることも出来る。
ド電極にイオン引出し孔を設けたために、孔の大きさを
円筒状カソード電極の内径の大きさまで無段階に選択す
ることが出来、また単一の孔とするだけでなくマルチア
パーチャとすることも出来る。
更に、従来のホローカソード型イオン源がカソード電極
からのイオン引出しであったのに対して、このイオン源
では、アノード電極からのイオン引出しとしたため、引
出されたイオンビームはエネルギの揃ったビームとなる
。
からのイオン引出しであったのに対して、このイオン源
では、アノード電極からのイオン引出しとしたため、引
出されたイオンビームはエネルギの揃ったビームとなる
。
[実施例]
以下本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
第1図は、本発明のホローカソード型イオン源の原理を
示す原型図であり、円筒状カソード電極1の上部と下部
にはそれぞれインシュレータ9を介して上部アノード電
極2と下部アノード電極3が取付けられる。上部アノー
ド電[!2のほぼ中央には、イオン引出し、′孔4が設
けられ、また下部アノード電極3には金属蒸気導入孔5
および試料ガス導入孔6が設けられる1円筒状カソード
電極lの外周には、これを支持する同じく円筒状の熱シ
ールド7が取付けられる。コールドタイプは、第1図に
点線で示すように、熱シールド7の周囲に純水等の冷却
液を流す冷却液導入パイプ8をめぐらし、熱シールド7
およびカソード電極1を冷却するよう構成し得る。
示す原型図であり、円筒状カソード電極1の上部と下部
にはそれぞれインシュレータ9を介して上部アノード電
極2と下部アノード電極3が取付けられる。上部アノー
ド電[!2のほぼ中央には、イオン引出し、′孔4が設
けられ、また下部アノード電極3には金属蒸気導入孔5
および試料ガス導入孔6が設けられる1円筒状カソード
電極lの外周には、これを支持する同じく円筒状の熱シ
ールド7が取付けられる。コールドタイプは、第1図に
点線で示すように、熱シールド7の周囲に純水等の冷却
液を流す冷却液導入パイプ8をめぐらし、熱シールド7
およびカソード電極1を冷却するよう構成し得る。
金属蒸気導入孔5から導入された金属蒸気又は、試料ガ
ス導入孔6から導入されたガスは、上部と下部のアノー
ド電極2と3およびカソード電極1との間の放電によっ
て電離される。こうして生成されたイオンは、上部アノ
ード電極2に設けたイオン引出し孔4から引出される。
ス導入孔6から導入されたガスは、上部と下部のアノー
ド電極2と3およびカソード電極1との間の放電によっ
て電離される。こうして生成されたイオンは、上部アノ
ード電極2に設けたイオン引出し孔4から引出される。
このイオン源においては、イオン引出し孔4を上部アノ
ード電極2に設けて、イオンをこの引出し孔から円筒状
カソード電極の軸線方向に引出すようにしたために、こ
の孔の直径を最大で円筒状カソード電極1の内径の寸法
まで無段階に選択出来、しかも引出されたθオンビーム
はエネルギの−揃ったビームとなる。
ード電極2に設けて、イオンをこの引出し孔から円筒状
カソード電極の軸線方向に引出すようにしたために、こ
の孔の直径を最大で円筒状カソード電極1の内径の寸法
まで無段階に選択出来、しかも引出されたθオンビーム
はエネルギの−揃ったビームとなる。
第2図に示す本発明によるホローカソード型イオン源は
、中空円筒状カソード電極11を備え、その外周には同
じく中空円筒状のカソードシールド12が取付けられる
。このシールド12は、カソード電極11の上端部と係
合する屈曲部12aとカソード電極の下端部とほぼ同一
平面内に位置されるフランジ12bとを有している。カ
ソード電極11とカソードシールド12は、カソード電
極−)13上に支持される。
、中空円筒状カソード電極11を備え、その外周には同
じく中空円筒状のカソードシールド12が取付けられる
。このシールド12は、カソード電極11の上端部と係
合する屈曲部12aとカソード電極の下端部とほぼ同一
平面内に位置されるフランジ12bとを有している。カ
ソード電極11とカソードシールド12は、カソード電
極−)13上に支持される。
カソードシールド12よりも大きな直径を有する上部ア
ノード電極14は、中空円筒状の帽状体であり、その天
井中央にはイオン引出し孔17が設けられ、また下方部
にはフランジ14aを有している。上部アノード環[!
14は、環状のインシュレータ16を介してカソードサ
ポートのフランジ12b上に支持される。
ノード電極14は、中空円筒状の帽状体であり、その天
井中央にはイオン引出し孔17が設けられ、また下方部
にはフランジ14aを有している。上部アノード環[!
14は、環状のインシュレータ16を介してカソードサ
ポートのフランジ12b上に支持される。
円盤状の下部アノード電極15は、上面に環状の突起1
5aを有し、また中央に金属蒸気導入孔18および中央
から1′かに離れた位置に試料ガス導入孔19が設けら
れる。このアノード環[!15は、環状のインシュレー
タ16°によりカソードサポート13を介してカソード
電f!ll、カソードシールド12および上部アノード
電極14を支持している。
5aを有し、また中央に金属蒸気導入孔18および中央
から1′かに離れた位置に試料ガス導入孔19が設けら
れる。このアノード環[!15は、環状のインシュレー
タ16°によりカソードサポート13を介してカソード
電f!ll、カソードシールド12および上部アノード
電極14を支持している。
コールドタイプは、第2図に点線で示すように、上部ア
ノード電極14の周囲に純水等の冷却液を流す冷却液導
入パイプ2oをめぐらし、上部アノード電極を冷却する
よう楕成し得る。カソード電f!11は熱副射により冷
却される。
ノード電極14の周囲に純水等の冷却液を流す冷却液導
入パイプ2oをめぐらし、上部アノード電極を冷却する
よう楕成し得る。カソード電f!11は熱副射により冷
却される。
このような構成のホローカソード型イオン源において、
下部アノード電極15に設けた試料ガス導入孔19(又
は金属蒸気導入孔18)によりイオン源内部に導入され
たガス(又は金属蒸気)は、アノード電極14.15と
カソード電極11.カソードシールド12、カソードサ
ポート13との間の放電により電離されてイオンを生成
する。生成されたイオンは、上部アノード環fi14に
設けたイオン引出し孔17からカソードの円筒軸線方向
に引出される。
下部アノード電極15に設けた試料ガス導入孔19(又
は金属蒸気導入孔18)によりイオン源内部に導入され
たガス(又は金属蒸気)は、アノード電極14.15と
カソード電極11.カソードシールド12、カソードサ
ポート13との間の放電により電離されてイオンを生成
する。生成されたイオンは、上部アノード環fi14に
設けたイオン引出し孔17からカソードの円筒軸線方向
に引出される。
コールドタイプとして使用する場合は、上部アノード電
極14の周囲に巻いた冷却液導入パイプ20に純水等の
冷却液を流して、上部アノード電極を冷却する。このと
き、カソード電極11およびカソードシールド12を、
必要なイオン種を含む金属、例えばMo、W、Ni等の
金属で作っておくと、スパッタ作用によりイオン源内部
に金属の原子が放出され、アノード電極14 、’ 1
5とカソード電極11.カソードシールド12、カソー
ドサポート13との間の放電により電離されてイオン化
される。
極14の周囲に巻いた冷却液導入パイプ20に純水等の
冷却液を流して、上部アノード電極を冷却する。このと
き、カソード電極11およびカソードシールド12を、
必要なイオン種を含む金属、例えばMo、W、Ni等の
金属で作っておくと、スパッタ作用によりイオン源内部
に金属の原子が放出され、アノード電極14 、’ 1
5とカソード電極11.カソードシールド12、カソー
ドサポート13との間の放電により電離されてイオン化
される。
[発明の効果]
本発明は、中空円筒状カソード電極の上部アノード電極
にイオン引出し孔を設けたことにより、イオンビーム径
がカソード内径の大きさまで無段階に選べ、また単一の
イオン引出し孔を設ける他にマルチアパーチャ方式でも
可能である。
にイオン引出し孔を設けたことにより、イオンビーム径
がカソード内径の大きさまで無段階に選べ、また単一の
イオン引出し孔を設ける他にマルチアパーチャ方式でも
可能である。
更に、イオン引出しがアノード電極から行われるために
、エネルギの揃ったビームが得られ、分析用イオンビー
ム生民・用としてのみならず、多種の装置のイオン源と
して使用することが出来る。
、エネルギの揃ったビームが得られ、分析用イオンビー
ム生民・用としてのみならず、多種の装置のイオン源と
して使用することが出来る。
第1図は、本発明のホローカソード型イオン源の原理を
示す縦断面図、第2図は、本発明の一実施例を示す縦断
面図、および第3図は、従来のホローカソード型イオン
源を示す部分破断斜視図である。 1・・・カソード電極、 2・・・上部アノード電極、
3・・・下部アノード電極、 4・・・イオン引出し孔
。 5・・・金属蒸気導入孔、 6・・・ガス導入孔、 7
・・・熱シールド、 8・・・冷却液導入パイプ、 9
・・・インシュレータ、 11・・・カソード電極、
12・・・カソードシールド、 13・・・カソ
ードサポート。 14・・・上部アノード電極、 15・・・下部アノー
ド電極、 16・・・インシュレータ、 17・・
・イオン引出し孔、 18・・・金属蒸気導入孔、 1
9・・・ガス導入孔、 20・・・冷却液導入パイプ、
21・・・カソード電極、 22・・・アノード電極
、 24・・・イオン引出しスリット、 25・・・ガ
ス(又は金属蒸気)導入孔、 ”17・・・絶縁用イン
シュレータ、−28・・・熱シールド 第1図 第2図 第3図
示す縦断面図、第2図は、本発明の一実施例を示す縦断
面図、および第3図は、従来のホローカソード型イオン
源を示す部分破断斜視図である。 1・・・カソード電極、 2・・・上部アノード電極、
3・・・下部アノード電極、 4・・・イオン引出し孔
。 5・・・金属蒸気導入孔、 6・・・ガス導入孔、 7
・・・熱シールド、 8・・・冷却液導入パイプ、 9
・・・インシュレータ、 11・・・カソード電極、
12・・・カソードシールド、 13・・・カソ
ードサポート。 14・・・上部アノード電極、 15・・・下部アノー
ド電極、 16・・・インシュレータ、 17・・
・イオン引出し孔、 18・・・金属蒸気導入孔、 1
9・・・ガス導入孔、 20・・・冷却液導入パイプ、
21・・・カソード電極、 22・・・アノード電極
、 24・・・イオン引出しスリット、 25・・・ガ
ス(又は金属蒸気)導入孔、 ”17・・・絶縁用イン
シュレータ、−28・・・熱シールド 第1図 第2図 第3図
Claims (1)
- 円筒状カソード電極の上部アノード電極にイオン引出し
孔を、また下部アノード電極に試料ガス及び金属蒸気導
入用の孔を設け、前記下部アノード電極から導入された
ガス又は金属蒸気をアノード電極とカソード電極との間
の放電によって電離させ、生成されたイオンを前記上部
アノード電極に設けたイオン引出し孔から前記カソード
電極の円筒の軸線方向に引出すことを特徴とするホロー
カソード型イオン源。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62054110A JP2519709B2 (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | ホロ−カソ−ド型イオン源 |
| US07/164,803 US4894546A (en) | 1987-03-11 | 1988-03-07 | Hollow cathode ion sources |
| EP88850086A EP0282467B1 (en) | 1987-03-11 | 1988-03-10 | Hollow cathode ion sources |
| DE88850086T DE3881418T2 (de) | 1987-03-11 | 1988-03-10 | Hohlkathoden-ionenquellen. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62054110A JP2519709B2 (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | ホロ−カソ−ド型イオン源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0192360A true JPH0192360A (ja) | 1989-04-11 |
| JP2519709B2 JP2519709B2 (ja) | 1996-07-31 |
Family
ID=12961458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62054110A Expired - Lifetime JP2519709B2 (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | ホロ−カソ−ド型イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2519709B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014086137A (ja) * | 2012-10-19 | 2014-05-12 | Ran Technical Service Kk | コールドカソード型イオン源 |
| RU172049U1 (ru) * | 2016-06-24 | 2017-06-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский политехнический университет" | Катод для ионной имплантации поверхности деталей из конструкционных материалов |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62281234A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-07 | Ulvac Corp | イオン源 |
-
1987
- 1987-03-11 JP JP62054110A patent/JP2519709B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62281234A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-07 | Ulvac Corp | イオン源 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014086137A (ja) * | 2012-10-19 | 2014-05-12 | Ran Technical Service Kk | コールドカソード型イオン源 |
| RU172049U1 (ru) * | 2016-06-24 | 2017-06-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский политехнический университет" | Катод для ионной имплантации поверхности деталей из конструкционных материалов |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2519709B2 (ja) | 1996-07-31 |
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