JPH0193499A - Fe−Si−Al系合金単結晶の育成法 - Google Patents

Fe−Si−Al系合金単結晶の育成法

Info

Publication number
JPH0193499A
JPH0193499A JP24748987A JP24748987A JPH0193499A JP H0193499 A JPH0193499 A JP H0193499A JP 24748987 A JP24748987 A JP 24748987A JP 24748987 A JP24748987 A JP 24748987A JP H0193499 A JPH0193499 A JP H0193499A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rod
crucible
single crystal
alloy
heating means
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24748987A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Suzuki
謙爾 鈴木
Michi Ono
小野 陲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to JP24748987A priority Critical patent/JPH0193499A/ja
Publication of JPH0193499A publication Critical patent/JPH0193499A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は磁気ヘッド等の磁気製品に使用されるFe−S
i−Al系合金単結晶の育成法に関し、とくに大口径の
単結晶を形成するのに好適なFe−Si−Al系合金単
結晶の育成法に関する。
〈従来の技術〉 第6図は従来の電子ビーム帯溶融法を用いたFe−Si
−Al系合金単結晶の育成法を示す図である。Fe−5
i−Al系合金の多結晶からなる丸棒試料lを下部チャ
ック2及び上部チャック3に固定し、その丸棒試料lに
真空雰囲気で、フィラメント4、電源7を備えた電子銃
5から発生する電子ビームを照射して溶融帯1aを形成
し、電子銃5を駆動部6により下部から上部へ除々に移
動することによりFe−Si−Al系合金の単結晶を育
成する。
又、他の従来例として一般にブリッジマン法と呼ばれる
rf成法がある。これはルツボに上記多結晶の丸棒試料
を収納してルツボの外部に設けられた高周波加熱コイル
により、上記丸棒試料を溶融し、そのルツボあるいは高
周波加熱コイルを移動させ、溶融された試料を除々に冷
却し、その冷却部を単結晶にする育成法である。
〈発明が解決しようとする問題点〉 しかしながら、上記電子ビーム帯溶融法によるFe−S
i−An系合金単結晶の育成法では、丸棒試料の径が大
きくなると、溶融帯1aが寸法的に大きくなり、このた
め溶融物が外へ流れ出したり、合金組成が偏析して不均
一な結晶が育成されてしまう等の問題点がある。
又、ブリッジマン法によるFe−Si−An系合金単結
晶の育成法では、多結品の丸棒試料全体を溶融するので
重力及び蒸発による組成偏析が大きいという問題点があ
る。
そこで、本発明は、上記育成法における問題点を解決す
べく大口径で合金組成が均一なFFe−Si−A系合金
単結晶の育成法を目的としたものである。
く問題点を解決するための手段及び作用〉上記問題点を
解決するために本発明では、Fe、Si、Anの原料を
非酸化性の雰囲気中で加熱溶解してFe−5i−AfL
系合金の多結晶棒を作製する工程と、該多結晶棒をルツ
ボ内に収納し、かつそれぞれを固定する工程と、加熱手
段で該ルツボを介して該多結晶棒の一部を溶解する工程
と、該多結晶棒及び該ルツボの少なくとも一方を回転さ
せる工程と、該加熱手段と該多結晶棒とを該多結晶棒の
長子方向に沿って相対的に除々に移動させてFe−Si
−An系合金の単結晶を成長させる工程とからなるFe
−Si−Al系合金単結晶のrrL&法である。
Fe−Si −AJL系合系合金高結晶記育成法とする
ことにより、大口径で合金組成が均一な単結晶をTfB
、する。
〈実施例〉 次に本発明になるFe−5i−A父系合金単結晶の育成
法の実施例について説明する。第1図は原料からTTI
&までのフローチャートである。このフローチャートに
従って本実施例を述べる。まず、高純度の原料例えば、
Fe99.98%、5i99.999%、Al99.9
99%の純度のFe、Si、Al原料を用意する0次に
上記原料をFe83.5%、Si9.5%、A部;L6
.0%の割合で秤量して、これら秤量したFe、Si。
Al原料1を第2図に示す真空溶解鋳造装置のアルミナ
製ルツボ9に入れ、真空状態又は不活性ガス中の非酸化
性雰囲気で高周波コイル10により加熱溶解(溶湯14
)する0次に、第2図の矢印49口、への如くアルミナ
製ルツボ9内の溶rgj14を鉄製金型に鋳込んで多結
品の丸棒試料11を作成する0次に第3図の如く丸棒試
料11をらせん状に形成された高周波加熱コイル21内
に貫装され、下端の細径部を下部チャック12で固定さ
れたアルミナ製ルツボ20内に収納し、その上端を上部
チャック13で固定する。24.25はそれぞれ丸棒試
料11及びルツボ20を矢印Bの如く回転する上部試料
回転上下駆動部及び下部回転駆動部である。22は高周
波加熱コイル21を上下に移動する駆動部である。第4
図、第5図は丸棒試料11を用いてFe−3t −AI
L系合金の単結晶を育成する様子を示す図である。第4
図は単結晶の育成が開始される前の状態で、ルツボ20
の細径部内には予め種結晶23が納められ、駆動部22
により高周波加熱コイル21が種結晶の付近に位こして
いる。この状態で高周波加熱コイル21に電流が流れ、
丸棒試料llの下部が溶融され、下部回転駆動部25で
ルツボ20を回転させながら、駆動部22により高周波
加熱コイル21が図面上方に除々に移動する。第5図は
高周波加熱コイル21が移動した状態で、高周波加熱コ
イル21によって加熱された部分(符号A)が溶融状態
になり、A部より下の部分は冷却されて、種結晶23と
同じ結晶方向の単結晶が形成される。
ここで、高周波加熱コイル21の加熱によって生じる丸
棒試料11の溶融物はルツボ20の存在により、外部に
流れ出ないようになっており、又ルツボ20の回転によ
り溶融部A内のFe、Si。
Alの各組成がかく拌されてこれらの合金組成の偏析を
防止している。更に、高周波加熱コイル21により多結
晶の丸棒試料の一部のみを溶融しているので重力及び蒸
発による組成偏析を少なくしている。又、丸棒試料11
の先端は溶融部Aの表面に常に接触していることが必要
であるが、丸棒試料11が単結晶化されると、その単結
晶化物は丸棒試料11とルツボ20間の隙間26を埋め
るのでその分九棒試料11の先端と溶融部Aの表面との
間に隙間が生じる。この隙間をなくすため上部試料回転
上下駆動部24を操作して丸棒試料11を下方に移動さ
せる。第5図の状態から駆動部22により高周波加熱コ
イルが上方に移動するにつれて溶融部Aは下部より冷却
されて単結晶が形成される。そして高周波加熱コイル2
1がルツボ20の上端付近にいたるまで駆動され、冷却
後ルツボ20から単結晶化された丸棒試料を抜出し、こ
れによりFe−Si−An系合金の単結晶育成が終了す
る。
なお、上記説明中、高周波加熱コイル21を移動させた
が、高周波加熱コイル21を固定して丸棒試料11及び
ルツボ20を上、下部チャック12.13と共に移動さ
せてもよい、又、ルツボ20を回転させたが、上部試料
回転上下駆動部24により丸棒試料11のみを回転させ
てもよく、又ルツボ20及び丸棒試料11を互いに速度
あるいは方向を変えて回転させてもよい。
〈発明の効果〉 上述の如く、本発明になるFe−5i−Al系合金単結
晶のrf成法は、Fe、Si、Alの原料を非酸化性の
雰囲気中で加熱溶解してFFe−Si−A系合金の多結
晶棒を作製する工程と、該多結晶棒をルツボ内に収納し
、かつそれぞれを固定する工程と、加熱手段で該ルツボ
を介して該多結晶の一部を溶解する工程と、該多結晶棒
及び該ルツボの少なくとも一方を回転させる工程と、該
加熱手段と該多結晶棒とを該多結晶棒の長子方向に沿っ
て相対的に除々に移動させてFe−Si−Al系合金の
単結晶を成長させる工程とからなるため、単結晶rr成
時における溶融物の流出を防止し得、大口径の単結晶を
育成でき、又合金組成が均一な単結晶を育成できる等の
効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第5図は本発明に係るFe−Si−Al系合金
の単結晶の育成法の実施例を示し、第1図は原料から育
成までのフロチャート、第2図は真空溶解鋳造装置の概
略図、第3図は単結晶育成装置の概略図、第4図は単結
晶育成開始前の状態を示す断面図、第5図は単結晶育成
時の状態を示す断面図、第6図は従来の単結晶装置の概
略図である。 1.11・・・丸棒試料、2.12・・・下部チャック
、3.13・・・上部チャック、   20・・・ルツ
ボ。 21・・・高周波加熱コイル、   22・・・駆動部
、23・・・種結晶、    A・・・溶融部24・・
・上部試料回転上下駆動部、 25・・・下部回転駆動部 特  許  出  願  人 第1図 第2図 第3図 B○ 第4図    第5図 B(つ       80

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. Fe、Si、Alの原料を非酸化性の雰囲気中で加熱溶
    解してFe−Si−Al系合金の多結晶棒を作製する工
    程と、該多結晶棒をルツボ内に収納し、かつそれぞれを
    固定する工程と、加熱手段で該ルツボを介して該多結晶
    棒の一部を溶解する工程と、該多結晶棒及び該ルツボの
    少なくとも一方を回転させる工程と、該加熱手段と該多
    結晶棒とを該多結晶棒の長手方向に沿って相対的に除々
    に移動させてFe−Si−Al系合金の単結晶を成長さ
    せる工程とからなるFe−Si−Al系合金単結晶の育
    成法。
JP24748987A 1987-09-30 1987-09-30 Fe−Si−Al系合金単結晶の育成法 Pending JPH0193499A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24748987A JPH0193499A (ja) 1987-09-30 1987-09-30 Fe−Si−Al系合金単結晶の育成法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24748987A JPH0193499A (ja) 1987-09-30 1987-09-30 Fe−Si−Al系合金単結晶の育成法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0193499A true JPH0193499A (ja) 1989-04-12

Family

ID=17164226

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24748987A Pending JPH0193499A (ja) 1987-09-30 1987-09-30 Fe−Si−Al系合金単結晶の育成法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0193499A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS63242442A (ja) 方向性磁気歪体の連続製造方法
EP0907756B1 (en) Processing of electroslag refined metal
US6059015A (en) Method for directional solidification of a molten material and apparatus therefor
US2902350A (en) Method for single crystal growth
US5067551A (en) Method for manufacturing alloy rod having giant magnetostriction
JP3069656B1 (ja) 球状の金属チタン及びチタン化合物の製造方法
JPH0193499A (ja) Fe−Si−Al系合金単結晶の育成法
US3261722A (en) Process for preparing semiconductor ingots within a depression
US5063986A (en) Method for manufacturing alloy rod having giant magnetostriction
JPH0193500A (ja) Fe−Si−Al系合金単結晶の育成法
JPH0226899A (ja) Fe−Si−Al系合金単結晶の育成法
US3175891A (en) Method for the production of dislocation-free monocrystalline silicon by floating zone melting
JPH04108699A (ja) Fe―Si―Al系合金単結晶の育成装置
US5114467A (en) Method for manufacturing magnetostrictive materials
JP3367069B2 (ja) 超磁歪合金ロッドの製造方法
JPH04219398A (ja) 単結晶シリコンの製造方法
JPH0196097A (ja) Fe−Si−Al系合金単結晶の育成法
JP3654314B2 (ja) フラックス法によるAlGaAs単結晶の製造方法およびそれに用いる製造装置
JPH05148098A (ja) Fe−Si−Al系合金単結晶の育成法
CN119571459A (zh) Pvt法生长碳化硅原料回收再利用区熔设备及方法
JP2000026191A (ja) 高品質結晶薄板材料の製造方法
JP2997760B2 (ja) 二ホウ化ハフニウム単結晶の製造方法
JPS6092432A (ja) プラズマア−ク溶解方法および溶解装置
JPS6369928A (ja) 合金の製造方法
JP2997762B2 (ja) 六ホウ化カルシウム結晶の育成法