JPH0193500A - Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金単結晶の育成法 - Google Patents
Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金単結晶の育成法Info
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- JPH0193500A JPH0193500A JP24749087A JP24749087A JPH0193500A JP H0193500 A JPH0193500 A JP H0193500A JP 24749087 A JP24749087 A JP 24749087A JP 24749087 A JP24749087 A JP 24749087A JP H0193500 A JPH0193500 A JP H0193500A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は磁気ヘッド等の磁気製品に使用されるＦｅ−Ｓ
ｉ−Ａｌ系合金単結晶の育成法に関し、とくに大口径の
単結晶を形成するのに好適なＦｅ−Ｓｉ −Ａｉ系合金
単結晶の育成法に関する。
ｉ−Ａｌ系合金単結晶の育成法に関し、とくに大口径の
単結晶を形成するのに好適なＦｅ−Ｓｉ −Ａｉ系合金
単結晶の育成法に関する。
〈従来の技術〉
第６図は従来の電子ビーム帯溶融法を用いたＦｅ −Ｓ
ｉ 、−Ａｌ系合金単結晶の育成法を示す図である。
ｉ 、−Ａｌ系合金単結晶の育成法を示す図である。
Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｎ系合金の多結晶からなる丸棒試料１を
下部チャック２及び上部チャック３に固定し、その丸棒
試料ｌに真空雰囲気で、フィラメント４、電源７を備え
た電子銃５から発生する電子ビームを照射して溶融帯１
ａを形成し、電子・銃５を駆動部６により下部から−Ｌ
部へ除々に移動することによりＦｅ−Ｓｉ−Ａｉ系合金
の単結晶をｒｆ成する。
下部チャック２及び上部チャック３に固定し、その丸棒
試料ｌに真空雰囲気で、フィラメント４、電源７を備え
た電子銃５から発生する電子ビームを照射して溶融帯１
ａを形成し、電子・銃５を駆動部６により下部から−Ｌ
部へ除々に移動することによりＦｅ−Ｓｉ−Ａｉ系合金
の単結晶をｒｆ成する。
又、他の従来例として一般にブリッジマン法と呼ばれる
ｆｆ成法がある。これはルツボに上記多結晶の大杯試料
を収納してルツボの外部に設けられた高周波加熱コイル
により、上記丸棒試料を溶融し、そのルツボあるいは高
周波加熱コイルを移動させ、溶融された試料を除々に冷
却し、その冷却部を単結晶にする育成法である。
ｆｆ成法がある。これはルツボに上記多結晶の大杯試料
を収納してルツボの外部に設けられた高周波加熱コイル
により、上記丸棒試料を溶融し、そのルツボあるいは高
周波加熱コイルを移動させ、溶融された試料を除々に冷
却し、その冷却部を単結晶にする育成法である。
〈発明が解決しようとする■１題点〉
しかしながら、上記電子ビーム帯溶融法によるＦｅ−５
ｉ−Ａｌ系合金単結晶の育成法では、丸棒試料の径が大
きくなると、溶融帯１ａが寸法的に大きくなり、このた
め溶融物が外へ流れ出してしまう等の問題点がある。
ｉ−Ａｌ系合金単結晶の育成法では、丸棒試料の径が大
きくなると、溶融帯１ａが寸法的に大きくなり、このた
め溶融物が外へ流れ出してしまう等の問題点がある。
又、ブリッジマン法によるＦｅ−Ｓｉ−Ａｎ系合金単結
晶の育成法では、多結晶の丸棒試料全体を溶融するので
重力及び蒸発による組成偏析が大きいという問題点があ
る。
晶の育成法では、多結晶の丸棒試料全体を溶融するので
重力及び蒸発による組成偏析が大きいという問題点があ
る。
そこで１本発明は、上記育成法における問題点を解決す
べく大口径のＦｅ−Ｓｉ−Ａｌｌ系合金単結晶の育成法
を目的としたものである。
べく大口径のＦｅ−Ｓｉ−Ａｌｌ系合金単結晶の育成法
を目的としたものである。
く問題点を解決するための手段及び作用〉上記問題点を
解決するために本発明では、Ｆｅ、Ｓｉ、ＡｆＬの原料
を非酸化性の雰囲気中で加熱溶解してＦＦｅ−Ｓｉ−Ａ
系合金の多結晶棒を作製する工程と、該多結晶棒をルツ
ボ内に収納し、かつそれぞれを固定する工程と、加熱手
段で該ルツボを介して該多結晶棒の一部を溶解する工程
と、該加熱手段と該多結晶棒とを該多結晶棒の長手方向
に沿って相対的に除々に移動させてＦｅ−Ｓｉ−Ａ立県
合金の単結晶を成長させる工程とからなるＦｅ−Ｓｉ−
Ａｎ系合金単結晶の育成法である。
解決するために本発明では、Ｆｅ、Ｓｉ、ＡｆＬの原料
を非酸化性の雰囲気中で加熱溶解してＦＦｅ−Ｓｉ−Ａ
系合金の多結晶棒を作製する工程と、該多結晶棒をルツ
ボ内に収納し、かつそれぞれを固定する工程と、加熱手
段で該ルツボを介して該多結晶棒の一部を溶解する工程
と、該加熱手段と該多結晶棒とを該多結晶棒の長手方向
に沿って相対的に除々に移動させてＦｅ−Ｓｉ−Ａ立県
合金の単結晶を成長させる工程とからなるＦｅ−Ｓｉ−
Ａｎ系合金単結晶の育成法である。
Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金単結晶を上記育成法とすること
により、大口径の単結晶を育成する。
により、大口径の単結晶を育成する。
〈実施例〉
次に本発明になるＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金単結晶の育成
法の実施例について説明する。第１図は原料から（ｆ成
までのフローチャートである。このフローチャートに従
って本実施例を述べる。まず、高純度の原料例えば、Ｆ
ｅ９９．９８％、５ｉ９９．９９９％、Ａｌ９９．９９
９％の純度のＦｅ、Ｓｉ、Ａｌ原料を川、ｔｉする０次
に上記原料をＦｅ８３．５％、Ｓｉ９．５％、Ａｌ６．
０％の割合で秤２課して、これら秤量したＦｅ、Ｓｉ。
法の実施例について説明する。第１図は原料から（ｆ成
までのフローチャートである。このフローチャートに従
って本実施例を述べる。まず、高純度の原料例えば、Ｆ
ｅ９９．９８％、５ｉ９９．９９９％、Ａｌ９９．９９
９％の純度のＦｅ、Ｓｉ、Ａｌ原料を川、ｔｉする０次
に上記原料をＦｅ８３．５％、Ｓｉ９．５％、Ａｌ６．
０％の割合で秤２課して、これら秤量したＦｅ、Ｓｉ。
Ａｉ原料１を第２図に示す真空溶解鋳造装置のアルミナ
製ルツボ９に入れ、真空状態又は不活性ガス中の非酸化
性雰囲気で高周波コイル１ｏにより加熱溶解（溶湯１４
）する０次に、第２図の矢印４９口、への如くアルミナ
製ルツボ９内の溶湯１４を鉄製金型に鋳込んで多結晶の
丸棒試料１１を作成する０次に第３図の如く丸棒試料１
１をらせん状に形成された高周波加熱コイル２１内に貫
装され、下端の細径部を下部チャック１２で固定された
アルミナ製ルツボ２０内に収納し、その上端を上部チャ
ック１３で固定する。２２は高周波加熱コイル２１を上
下に移動する駆動部である。第４図、第５図は丸棒試料
１１を用いてＦｅ−３ｔ−Ａｎ系合金の単結晶を育成す
る様子を示す図である。第４図は単結晶の育成が開始さ
れる前の状態で、ルツボ２０の細径部内には予め種結晶
２３が納められ、駆動部２２により高周波加熱コイル２
１が種結晶の付近に位置している。この状態で高周波加
熱コイル２１に電流が流れ、丸棒試料ｌｌの下部が溶融
され、駆動部２２により高周波加熱コイル２１が図面上
方に除々に移動する。第５図は高周波加熱コイル２１が
移動した状態で、高周波加熱コイル２１によって加熱さ
れた部分（符号Ａ）が溶融状態になり、Ａ部より下の部
分は冷却されて、種結晶２３と同じ結晶方向の単結晶が
形成される。ここで、高周波加熱コイル２１の加熱によ
って生じる丸棒試料１１の溶融物はルツボ２０の存在に
より、外部に流れ出ないようになっており、又高周波加
熱コイル２１により多結晶の丸棒試料の一部のみを溶融
しているので重力及び革発による組成偏析を少なくして
いる。第５図の状態から駆動部２２により高周波加熱コ
イルが−Ｆ方に移動するにつれて溶融部Ａは下部より冷
却されて単結晶が形成される。そして高周波加熱コイル
２１がルツボ２０の上端付近にいたるまで駆動され、冷
却後ルツボ２０から単結晶化された丸棒試料を抜出し、
これによりＦｅ−Ｓｉ−Ａｎ系合金の単結晶ＹＴ成が終
了する。
製ルツボ９に入れ、真空状態又は不活性ガス中の非酸化
性雰囲気で高周波コイル１ｏにより加熱溶解（溶湯１４
）する０次に、第２図の矢印４９口、への如くアルミナ
製ルツボ９内の溶湯１４を鉄製金型に鋳込んで多結晶の
丸棒試料１１を作成する０次に第３図の如く丸棒試料１
１をらせん状に形成された高周波加熱コイル２１内に貫
装され、下端の細径部を下部チャック１２で固定された
アルミナ製ルツボ２０内に収納し、その上端を上部チャ
ック１３で固定する。２２は高周波加熱コイル２１を上
下に移動する駆動部である。第４図、第５図は丸棒試料
１１を用いてＦｅ−３ｔ−Ａｎ系合金の単結晶を育成す
る様子を示す図である。第４図は単結晶の育成が開始さ
れる前の状態で、ルツボ２０の細径部内には予め種結晶
２３が納められ、駆動部２２により高周波加熱コイル２
１が種結晶の付近に位置している。この状態で高周波加
熱コイル２１に電流が流れ、丸棒試料ｌｌの下部が溶融
され、駆動部２２により高周波加熱コイル２１が図面上
方に除々に移動する。第５図は高周波加熱コイル２１が
移動した状態で、高周波加熱コイル２１によって加熱さ
れた部分（符号Ａ）が溶融状態になり、Ａ部より下の部
分は冷却されて、種結晶２３と同じ結晶方向の単結晶が
形成される。ここで、高周波加熱コイル２１の加熱によ
って生じる丸棒試料１１の溶融物はルツボ２０の存在に
より、外部に流れ出ないようになっており、又高周波加
熱コイル２１により多結晶の丸棒試料の一部のみを溶融
しているので重力及び革発による組成偏析を少なくして
いる。第５図の状態から駆動部２２により高周波加熱コ
イルが−Ｆ方に移動するにつれて溶融部Ａは下部より冷
却されて単結晶が形成される。そして高周波加熱コイル
２１がルツボ２０の上端付近にいたるまで駆動され、冷
却後ルツボ２０から単結晶化された丸棒試料を抜出し、
これによりＦｅ−Ｓｉ−Ａｎ系合金の単結晶ＹＴ成が終
了する。
なお、上記説明中、高周波加熱コイル２１を移動させた
が、高周波加熱コイル２１を固定して丸棒試料１１及び
ルツボ２０を上、下部チャック１２．１３と共に移動さ
せてもよい。
が、高周波加熱コイル２１を固定して丸棒試料１１及び
ルツボ２０を上、下部チャック１２．１３と共に移動さ
せてもよい。
〈発明の効果〉
上述の如く、本発明になるＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金単結
晶の育成法は、Ｆｅ、Ｓｉ、Ａｌの原料を非酸化性の雰
囲気中で加熱溶解してＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金の多結晶
棒を作製する工程と、該多結晶棒をルツボ内に収納し、
かつそれぞれを固定する工程と、加熱手段で該ルツボを
介して該多結晶の一部を溶解する工程と、該加熱手段と
該多結晶棒とを該多結晶棒の長手方向に沿って相対的に
除々に移動させてＦｅ−Ｓｉ−Ａｎ系合金の単結晶を成
長させる工程とからなるため、単結晶育成時における溶
融物の流出を防止し得、大口径で組成偏析の少ない単結
晶を育成できる等の効果を有する。
晶の育成法は、Ｆｅ、Ｓｉ、Ａｌの原料を非酸化性の雰
囲気中で加熱溶解してＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金の多結晶
棒を作製する工程と、該多結晶棒をルツボ内に収納し、
かつそれぞれを固定する工程と、加熱手段で該ルツボを
介して該多結晶の一部を溶解する工程と、該加熱手段と
該多結晶棒とを該多結晶棒の長手方向に沿って相対的に
除々に移動させてＦｅ−Ｓｉ−Ａｎ系合金の単結晶を成
長させる工程とからなるため、単結晶育成時における溶
融物の流出を防止し得、大口径で組成偏析の少ない単結
晶を育成できる等の効果を有する。
第１図〜第５図は本発明に係るＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金
の単結晶の育成法の実施例を示し、第１図は原料から育
成までのフロチャート、第２図は真空溶解鋳造装置の概
略図、第３図は単結晶育成装置の概略図、第４図は単結
晶育成開始前の状態を示す断面図、第５図は単結晶育成
時の状態を示す断面図、第６図は従来の単結晶装置の概
略図である。 １．１１・・・丸棒試料、２，１２・・・下部チャック
、３．１３・・・１一部チャック、 ２０・・・
ルツボ、２１・・・高周波加熱コイル、 ２２・・・
駆動部。 ２３・・・種結晶、 Ａ・・・溶融部第１図 第２図 第３図 第６図 第４図 第５図
の単結晶の育成法の実施例を示し、第１図は原料から育
成までのフロチャート、第２図は真空溶解鋳造装置の概
略図、第３図は単結晶育成装置の概略図、第４図は単結
晶育成開始前の状態を示す断面図、第５図は単結晶育成
時の状態を示す断面図、第６図は従来の単結晶装置の概
略図である。 １．１１・・・丸棒試料、２，１２・・・下部チャック
、３．１３・・・１一部チャック、 ２０・・・
ルツボ、２１・・・高周波加熱コイル、 ２２・・・
駆動部。 ２３・・・種結晶、 Ａ・・・溶融部第１図 第２図 第３図 第６図 第４図 第５図
Claims (1)
- Ｆｅ、Ｓｉ、Ａｌの原料を非酸化性の雰囲気中で加熱溶
解してＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金の多結晶棒を作製する工
程と、該多結晶棒をルツボ内に収納し、かつそれぞれを
固定する工程と、加熱手段で該ルツボを介して該多結晶
棒の一部を溶解する工程と、該加熱手段と該多結晶棒と
を該多結晶棒の長手方向に沿って相対的に除々に移動さ
せてＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金の単結晶を成長させる工程
とからなるＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金単結晶の育成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24749087A JPH0193500A (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金単結晶の育成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24749087A JPH0193500A (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金単結晶の育成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0193500A true JPH0193500A (ja) | 1989-04-12 |
Family
ID=17164242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24749087A Pending JPH0193500A (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金単結晶の育成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0193500A (ja) |
-
1987
- 1987-09-30 JP JP24749087A patent/JPH0193500A/ja active Pending
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