JPH0194615A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH0194615A JPH0194615A JP25202187A JP25202187A JPH0194615A JP H0194615 A JPH0194615 A JP H0194615A JP 25202187 A JP25202187 A JP 25202187A JP 25202187 A JP25202187 A JP 25202187A JP H0194615 A JPH0194615 A JP H0194615A
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- JP
- Japan
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- electrode
- plasma cvd
- earth shield
- fine powder
- plasma
- Prior art date
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- Pending
Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラズマＣＶＤ８置のガス吹出し構造に関する
。
。
従来のプラズマＣＶＤ装置は、第２図に示すように、チ
ャンバー１の中に対向する電極２．３の間に直流又は高
周波の電界を電源７から印加し、一方の電極のガス吹出
し口４から吹出す反応ガスをプラズマ分解し、 他方の
電極に埋め込まれたヒーター５で加熱された基板６の上
に薄膜を堆積させ、未反応ガス又は分解ガスを排気口８
から排出する構造をとることが一般的であった。電圧を
印加する電極２の周辺には、１〜２ｍｍのすき間を介し
て、アースシールド９を設けである。このアースシール
ドは接地されており、プラズマが横方向に広がるのを防
ぐ役割をしている。これによって、基［８上に堆積する
薄膜の均一性が良くなり、良質の薄膜を得ることができ
る。
ャンバー１の中に対向する電極２．３の間に直流又は高
周波の電界を電源７から印加し、一方の電極のガス吹出
し口４から吹出す反応ガスをプラズマ分解し、 他方の
電極に埋め込まれたヒーター５で加熱された基板６の上
に薄膜を堆積させ、未反応ガス又は分解ガスを排気口８
から排出する構造をとることが一般的であった。電圧を
印加する電極２の周辺には、１〜２ｍｍのすき間を介し
て、アースシールド９を設けである。このアースシール
ドは接地されており、プラズマが横方向に広がるのを防
ぐ役割をしている。これによって、基［８上に堆積する
薄膜の均一性が良くなり、良質の薄膜を得ることができ
る。
しかし、従来のこのようなプラズマｃｖｏ装置において
は、緻密な薄膜が形成されるのは、電極２．３の上およ
びその近傍だけであるため、周辺には微粉末の反応生成
物が堆積する。特に、アースシールドの周辺には、微粉
末が堆積しやす（、アースシールドと電極の間に微粉末
が入り込み、堆積回数をくり返すとこの微粉末によって
アースシールドと電極間の絶縁性が失なわれ、プラズマ
が不安定となり、均質な膜が得られなくなるという問題
点を存していた。
は、緻密な薄膜が形成されるのは、電極２．３の上およ
びその近傍だけであるため、周辺には微粉末の反応生成
物が堆積する。特に、アースシールドの周辺には、微粉
末が堆積しやす（、アースシールドと電極の間に微粉末
が入り込み、堆積回数をくり返すとこの微粉末によって
アースシールドと電極間の絶縁性が失なわれ、プラズマ
が不安定となり、均質な膜が得られなくなるという問題
点を存していた。
本発明の目的は、上記の問題点を解決して、安定したプ
ラズマ状態を供給することにより均質な膜を得ることが
できるプラズマＣＶＤ８置を提供することにある。
ラズマ状態を供給することにより均質な膜を得ることが
できるプラズマＣＶＤ８置を提供することにある。
この目的の達成を図るため、本発明によれば、電極表面
から反応ガスを吹出し、基板上に反応生成物を堆積させ
る高周波プラズマＣＶＤ装置において、電極とアースシ
ールドの間から反応ガスを吹出すことを特徴とする。
から反応ガスを吹出し、基板上に反応生成物を堆積させ
る高周波プラズマＣＶＤ装置において、電極とアースシ
ールドの間から反応ガスを吹出すことを特徴とする。
このような構成によれば、アースシールドと電極の間、
あるいはアースシールド周辺に高速のガスの流れが生じ
てプラズマ反応が活発になり、緻密な膜が生成される。
あるいはアースシールド周辺に高速のガスの流れが生じ
てプラズマ反応が活発になり、緻密な膜が生成される。
次に図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。これらの図において従来と同様の構成要素については
同一の記号を付して示す。
。これらの図において従来と同様の構成要素については
同一の記号を付して示す。
また、これらの図は本発明の概略図であり、各構成要素
の寸法、形状及び配置関係は図に示した例に限定される
ものではない。
の寸法、形状及び配置関係は図に示した例に限定される
ものではない。
（実施例〕
第１図は本発明のプラズマＣＶＤ９置の実施例の主要断
面の概略図である。図において、電極２の側面に、ガス
吹出し口１０を設け、反応ガスがアースシールド９と電
極２の間に流れるようにした。図中、１１は、アースシ
ールドと電極の間のガスの流れを示す。アースシールド
と電極の間から吹出す反応ガスの流量は電極面から吹出
す反応ガスの流量に対し、１／１０００〜１／２の間で
ｍ節できるようにした。
面の概略図である。図において、電極２の側面に、ガス
吹出し口１０を設け、反応ガスがアースシールド９と電
極２の間に流れるようにした。図中、１１は、アースシ
ールドと電極の間のガスの流れを示す。アースシールド
と電極の間から吹出す反応ガスの流量は電極面から吹出
す反応ガスの流量に対し、１／１０００〜１／２の間で
ｍ節できるようにした。
１／１０００より少ないとアースシールド近傍の反応生
成物を緻密化させる効果がなくなり微粉末が大量に生成
するため好ましくない、また、１／２より多い場合は基
板６に堆積する反応生成物の堆積速度が急激に減少する
ため好ましくない。
成物を緻密化させる効果がなくなり微粉末が大量に生成
するため好ましくない、また、１／２より多い場合は基
板６に堆積する反応生成物の堆積速度が急激に減少する
ため好ましくない。
アースシールドと電極の間から吹出すガス流量をＡ１電
極から吹出すガス流量をＢとすると、堆積速度が速＜、
シかもアースシールドと電極の間に微粉末が生成しない
ためのＡ／Ｈの最適な比率はプラズマＣＶＤ装置の、構
造、配置によって異なる。最も太き（影響するのは電極
間距離である。
極から吹出すガス流量をＢとすると、堆積速度が速＜、
シかもアースシールドと電極の間に微粉末が生成しない
ためのＡ／Ｈの最適な比率はプラズマＣＶＤ装置の、構
造、配置によって異なる。最も太き（影響するのは電極
間距離である。
通常のプラズマＣＶＤ装置の電極間距離は２０ｍｍ〜ｓ
ｏｍｍの間で選択されることが多い、この電極間距離は
、生成する膜の均一性、 堆積速度、特性を左右するた
め、生成する膜の！１類に応じて慎重に選択される。
ｏｍｍの間で選択されることが多い、この電極間距離は
、生成する膜の均一性、 堆積速度、特性を左右するた
め、生成する膜の！１類に応じて慎重に選択される。
電極間距離が大きい場合は、アースシールドと電極の間
への微粉末の生成は比較的少なく、Ａｌ６は小さい値を
とる。 一方、電極間・距離が小さくなると、アースシ
ールドと電極の間、あるいはアースシールド周辺での微
粉末の生成が多くなるため、Ａｌ６は大きい値をとる。
への微粉末の生成は比較的少なく、Ａｌ６は小さい値を
とる。 一方、電極間・距離が小さくなると、アースシ
ールドと電極の間、あるいはアースシールド周辺での微
粉末の生成が多くなるため、Ａｌ６は大きい値をとる。
上述したようにＡｌ６は１／１０００〜１／２の値が望
ましい。
ましい。
本実施例および第２図に示す従来例のプラズマｃｖｏ装
置について、アモルファスシリコンで形成したｐｉｎ型
フォトダイオードを表−１の条件で成膜した。
置について、アモルファスシリコンで形成したｐｉｎ型
フォトダイオードを表−１の条件で成膜した。
表−１
上記条件で堆積した時、プラズマが安定で均一な薄膜が
生成される処理バッチ数を、表−２に示す。
生成される処理バッチ数を、表−２に示す。
表−２
この結果からも明らかなように、本発明によ・るプラズ
マＣＶＤ６置は堆積回数を多くしても安定したプラズマ
を得ることができた。
マＣＶＤ６置は堆積回数を多くしても安定したプラズマ
を得ることができた。
本発明は、上述した実施例の高周波グロー放電分解法に
よるアモルファスシリコン成膜装置に限定されるもので
はなく、プラズマＣＶＤ装置すべてに適用することがで
きる。
よるアモルファスシリコン成膜装置に限定されるもので
はなく、プラズマＣＶＤ装置すべてに適用することがで
きる。
本発明の効果を以下に述べる。
（１）アースシールドとｍｍの間に微粉末が生成するこ
とがないため、多数バッチ安定して成膜することができ
る。
とがないため、多数バッチ安定して成膜することができ
る。
（２）チャンバーのクリーニング頻度が少なくなり生産
性が向上する。
性が向上する。
（３）基板近傍に微粉末の生成が極端に少なくなるため
、薄膜中への微粉末の巻き込みが減少し品質が向上する
。
、薄膜中への微粉末の巻き込みが減少し品質が向上する
。
（４）微粉末生成の絶対量が減少するため、真空ポンプ
の寿命が向上する。
の寿命が向上する。
以上に述べたように、本発明は、簡単な構造で大きな効
果を育するため、実用上を用な発明である。
果を育するため、実用上を用な発明である。
第１図は本発明のプラズマＣＶＤ装置の実施例の主要断
面概略図 第２図は従来のプラズマｃｖｏ装置の主要断面概略図で
ある。 １・・・・・・チャ／バー ２・・・・・・電極 ３・・・・・・対向電極 ４・・・・・・ガス吹出口 ５・・・・・・ヒーター ６・・・・・・基板 ７・・・・・・電源 ８・・・・・・排気口 ９・・・・・・アースシールド １０・・・・・・アースシールドへのガス吹出口１１・
・・・・・アースシールドと電極間のガスの流れ以
上 出願人 セイコーエプソン株式会社
面概略図 第２図は従来のプラズマｃｖｏ装置の主要断面概略図で
ある。 １・・・・・・チャ／バー ２・・・・・・電極 ３・・・・・・対向電極 ４・・・・・・ガス吹出口 ５・・・・・・ヒーター ６・・・・・・基板 ７・・・・・・電源 ８・・・・・・排気口 ９・・・・・・アースシールド １０・・・・・・アースシールドへのガス吹出口１１・
・・・・・アースシールドと電極間のガスの流れ以
上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 電極表面から反応ガスを吹出し、基板上に反応生成物
を堆積させる、プラズマＣＶＤ装置において、電極とア
ースシールドの間から反応ガスを吹出すことを特徴とす
るプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25202187A JPH0194615A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25202187A JPH0194615A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0194615A true JPH0194615A (ja) | 1989-04-13 |
Family
ID=17231482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25202187A Pending JPH0194615A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0194615A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007134706A (ja) * | 1993-12-28 | 2007-05-31 | Applied Materials Inc | 薄膜トランジスタ用シングルチャンバｃｖｄプロセス |
| US8307782B2 (en) | 2007-12-26 | 2012-11-13 | Kochi Industrial Promotion Center | Deposition apparatus and deposition method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6293924A (ja) * | 1985-10-19 | 1987-04-30 | Toa Nenryo Kogyo Kk | プラズマｃｖｄ装置 |
-
1987
- 1987-10-06 JP JP25202187A patent/JPH0194615A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6293924A (ja) * | 1985-10-19 | 1987-04-30 | Toa Nenryo Kogyo Kk | プラズマｃｖｄ装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007134706A (ja) * | 1993-12-28 | 2007-05-31 | Applied Materials Inc | 薄膜トランジスタ用シングルチャンバｃｖｄプロセス |
| US8307782B2 (en) | 2007-12-26 | 2012-11-13 | Kochi Industrial Promotion Center | Deposition apparatus and deposition method |
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