JPH0196383A - 透明導電膜パターン上へのめっき方法 - Google Patents
透明導電膜パターン上へのめっき方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶パネルなど透明な無機ガラス、有機フィ
ルム上に形成される透明導電膜パターン上へ選択的にめ
っきを施す方法に関するものである。
ルム上に形成される透明導電膜パターン上へ選択的にめ
っきを施す方法に関するものである。
透明導電膜パターン上の所定部分をパラジウムを含む活
性液で陽極電解しパラジウムイオンを析出させた後、無
電解めっきを行うことにより、所望とする透明導電膜パ
ターン上へ選択的にめっきを形成する方法を提供するも
のである。
性液で陽極電解しパラジウムイオンを析出させた後、無
電解めっきを行うことにより、所望とする透明導電膜パ
ターン上へ選択的にめっきを形成する方法を提供するも
のである。
液晶パネルにおいては、大型化、高密度化に伴い高信頼
性実装法として、端子部のメタライズがなされている。
性実装法として、端子部のメタライズがなされている。
従来液晶パネル基板としては、ソーダガラス、硬質ガラ
スなどの無機材料、ポリエステル、ポリエーテルサルフ
ォン樹脂等の有機材料がある。このような基板上に酸化
スズ又は、ＩＴＯなどの透明導電膜は、スパッタ、蒸着
、ＣＶＤ法などより形成された後、フォトリソグラフィ
ーにより所定のパターンにエツチングされる０次に透明
導電膜上にメタライズする方法としては、蒸着、スパッ
タなどのドライめっき法と、ウェットめっき法がある。
スなどの無機材料、ポリエステル、ポリエーテルサルフ
ォン樹脂等の有機材料がある。このような基板上に酸化
スズ又は、ＩＴＯなどの透明導電膜は、スパッタ、蒸着
、ＣＶＤ法などより形成された後、フォトリソグラフィ
ーにより所定のパターンにエツチングされる０次に透明
導電膜上にメタライズする方法としては、蒸着、スパッ
タなどのドライめっき法と、ウェットめっき法がある。
しかし、ドライめっき法は、装置が高価なものとなり、
またバッチ処理のため量産性に欠けるなどの問題がある
。一般的には処理コストが安価で自由形状のものにメタ
ライズ可能なウェットめワき法がとられている。ガラス
基板上に形成された透明導電股上のウェットめっきは、
めっき性。
またバッチ処理のため量産性に欠けるなどの問題がある
。一般的には処理コストが安価で自由形状のものにメタ
ライズ可能なウェットめワき法がとられている。ガラス
基板上に形成された透明導電股上のウェットめっきは、
めっき性。
密着性などの点で優れている無電解めっきが採用されて
いる。これらの無電解めっき法は、被めっき物を樹脂、
酸洗い後、塩化スズ、塩化パラジウムを含む触媒付与液
に浸漬しその後、フン化物を含む活性液へ浸漬する。こ
の活性液の浸漬は、ガラス基板および透明導電膜上に付
着した触媒（パラジウム）を活性化させる他、ガラス基
板に付着した触媒をＮＷｄさせるものである。その後、
無電解ニッケルめっき、無電解銅めっきを施すことによ
り透明導電股上のみに選択的にめっきがなされるもので
あった。
いる。これらの無電解めっき法は、被めっき物を樹脂、
酸洗い後、塩化スズ、塩化パラジウムを含む触媒付与液
に浸漬しその後、フン化物を含む活性液へ浸漬する。こ
の活性液の浸漬は、ガラス基板および透明導電膜上に付
着した触媒（パラジウム）を活性化させる他、ガラス基
板に付着した触媒をＮＷｄさせるものである。その後、
無電解ニッケルめっき、無電解銅めっきを施すことによ
り透明導電股上のみに選択的にめっきがなされるもので
あった。
しかし、これら一連の工程の中で、選択性を出す活性液
は、フン化物が含有されているためガラス基板を浸す問
題があった。また、耐薬品性のある硬質ガラス基板では
、ガラス面にもめっきが析出してしまうなど選択性の点
で問題があった０本発明は、これら問題点を解決するた
めに行われたものである。
は、フン化物が含有されているためガラス基板を浸す問
題があった。また、耐薬品性のある硬質ガラス基板では
、ガラス面にもめっきが析出してしまうなど選択性の点
で問題があった０本発明は、これら問題点を解決するた
めに行われたものである。
本発明は、上記問題点を解決するため、透明導電膜パタ
ーンの所定部分を塩化パラジウムを含む活性液中で陽極
添加電解を行い、活性液中のパラジウムイオンを透明導
電膜（酸化スズ、ＩＴＯなど）上にパラジウムを完全に
析出させた後、無電解めっきを行うことにより、ガラス
基板をいためずかつ、選択性良好な透明導電膜上へのめ
っきを形成する方法を見出したものである。
ーンの所定部分を塩化パラジウムを含む活性液中で陽極
添加電解を行い、活性液中のパラジウムイオンを透明導
電膜（酸化スズ、ＩＴＯなど）上にパラジウムを完全に
析出させた後、無電解めっきを行うことにより、ガラス
基板をいためずかつ、選択性良好な透明導電膜上へのめ
っきを形成する方法を見出したものである。
以下、本発明の実施について第１図をもとに説明する。
第１図は、液晶パネルの外部端子部分の斜視図である。
１は硬質ガラス基板、２は硬質ガラス上に蒸着法で形成
された複数のＩＴＯ透明電極膜、３は半田付は接合する
ためのメタライズ端子部分、４はめっき析出防止のため
のマスキング剤、５は透明電極端子間を短絡させるため
のＩＴＯ透明導電膜である。
された複数のＩＴＯ透明電極膜、３は半田付は接合する
ためのメタライズ端子部分、４はめっき析出防止のため
のマスキング剤、５は透明電極端子間を短絡させるため
のＩＴＯ透明導電膜である。
まず、ガラス基板ｌ上に透明導電膜２をパターニングし
、メタライズ不要部分をマスキング剤４によりマスクし
、次いでこれらを脱脂、酸洗いし水洗後、塩化パラジウ
ムを主成分とする活性液（カニゼン社製レソドシューマ
）中で透明電極を陽極に電解処理した。
、メタライズ不要部分をマスキング剤４によりマスクし
、次いでこれらを脱脂、酸洗いし水洗後、塩化パラジウ
ムを主成分とする活性液（カニゼン社製レソドシューマ
）中で透明電極を陽極に電解処理した。
電解電圧 １．５〜３■
温 度 室温
時 間 １〜３分
陰 極 カーボン
次に水洗後、無電解ニッケルめっき（カニゼン社製品Ｓ
−６８０）５０℃、７分間のめっきして約０．５ミクロ
ンのＮｉ −Ｐ被膜を透明電極上に選択的に形成した。
−６８０）５０℃、７分間のめっきして約０．５ミクロ
ンのＮｉ −Ｐ被膜を透明電極上に選択的に形成した。
その後、透明電極間を繋ぐ端子５を切断し、マスキング
剤を除去した後、２５０℃、３０分の熱処理を行った。
剤を除去した後、２５０℃、３０分の熱処理を行った。
このようにして得られた無電解めっきは、透明電極パタ
ーンの所定部分に良好なめっき被膜を形成し、また、ガ
ラス基板の損傷も全く見られなかった。
ーンの所定部分に良好なめっき被膜を形成し、また、ガ
ラス基板の損傷も全く見られなかった。
本発明の実施例では、透明絶縁基板に硬質ガラスを用い
たが、ソーダガラス、石英ガラス９．などの無機材料、
また、ポリエステルなどの有機フィルムであっても同様
な効果を得ることが可能である。
たが、ソーダガラス、石英ガラス９．などの無機材料、
また、ポリエステルなどの有機フィルムであっても同様
な効果を得ることが可能である。
以上詳述したように、本発明によれば、所望とする透明
Ｒ電膜パターン上のメタライズをする場合、透明Ｒ電膜
パターン部分を塩化パラジウムを含む活性液中で陽極電
解処理を行いパラジウムを付着させた後無電解めっきを
施すことにより、処理によるガラス基板に損傷を与える
ことなく、選択的な無電解めっき被膜を形成することが
でき、信軌性の高い液晶パネルなどの実装を可能とした
ものでその効果は大きい。
Ｒ電膜パターン上のメタライズをする場合、透明Ｒ電膜
パターン部分を塩化パラジウムを含む活性液中で陽極電
解処理を行いパラジウムを付着させた後無電解めっきを
施すことにより、処理によるガラス基板に損傷を与える
ことなく、選択的な無電解めっき被膜を形成することが
でき、信軌性の高い液晶パネルなどの実装を可能とした
ものでその効果は大きい。
第１図は液晶パネル外部端子部の斜視図である。
ｌ・・・ガラス基板（透明絶縁基板）
２・・・透明電極（ＩＴＯ膜）
３・・・透明電極メタライズ必要部分
４・・・マスキング剤
５・・・透明電極間を結ぶ端子（ＩＴＯ膜）以上
出願人 セイコー電子工業株式会社
８１図
Claims (1)
- 透明絶縁基板上に形成される透明導電膜パターンの所定
部分を、パラジウムを含む活性液中で電解処理を行いパ
ラジウムを付着させた後、無電解めっき液を施すことを
特徴とする透明導電膜パターン上へのめっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25315887A JPH0196383A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 透明導電膜パターン上へのめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25315887A JPH0196383A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 透明導電膜パターン上へのめっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0196383A true JPH0196383A (ja) | 1989-04-14 |
Family
ID=17247338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25315887A Pending JPH0196383A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 透明導電膜パターン上へのめっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0196383A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6720211B2 (en) | 1999-05-18 | 2004-04-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for fabricating electric interconnections and interconnection substrate having electric interconnections fabricated by the same method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58119111A (ja) * | 1981-12-31 | 1983-07-15 | エヌ ベー フイリップス フルーイランペンフアブリケン | 電気的に導電性の非金属パタ−ンを部分的に金属化する方法 |
| JPS62134990A (ja) * | 1985-12-06 | 1987-06-18 | シチズン時計株式会社 | 回路基板の表面処理方法 |
-
1987
- 1987-10-07 JP JP25315887A patent/JPH0196383A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58119111A (ja) * | 1981-12-31 | 1983-07-15 | エヌ ベー フイリップス フルーイランペンフアブリケン | 電気的に導電性の非金属パタ−ンを部分的に金属化する方法 |
| JPS62134990A (ja) * | 1985-12-06 | 1987-06-18 | シチズン時計株式会社 | 回路基板の表面処理方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6720211B2 (en) | 1999-05-18 | 2004-04-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for fabricating electric interconnections and interconnection substrate having electric interconnections fabricated by the same method |
| US6750475B1 (en) | 1999-05-18 | 2004-06-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for fabricating electric interconnections and interconnection substrate having electric interconnections fabricated by the same method |
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